JPS628127A - 液晶電気光学装置 - Google Patents
液晶電気光学装置Info
- Publication number
- JPS628127A JPS628127A JP14740085A JP14740085A JPS628127A JP S628127 A JPS628127 A JP S628127A JP 14740085 A JP14740085 A JP 14740085A JP 14740085 A JP14740085 A JP 14740085A JP S628127 A JPS628127 A JP S628127A
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- liquid crystal
- thickness
- conductive film
- substrates
- crystal layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分針〕
本発明は液晶電気光学装置に関し、特にその製造方法に
関する。
関する。
本発明は液晶電気光学装置において、２枚の基板を重ね
合わせた時画素と、なる部分の液晶１−厚が所望の厚さ
となる様に、ギャップ剤と電極を兼ねた適当な厚さの導
電性膜を少なくとも一方の基板上の画素部以外に設けた
ので、導電性膜の厚さを所望の液晶層厚とほぼ等しい厚
さまで厚くすることができる。従って、所望の液晶！−
厚が薄い場合でも配線抵抗低減効果を最大限利用するこ
とができ、さらにギャップ剤散布の工程を省略すること
ができる。
合わせた時画素と、なる部分の液晶１−厚が所望の厚さ
となる様に、ギャップ剤と電極を兼ねた適当な厚さの導
電性膜を少なくとも一方の基板上の画素部以外に設けた
ので、導電性膜の厚さを所望の液晶層厚とほぼ等しい厚
さまで厚くすることができる。従って、所望の液晶！−
厚が薄い場合でも配線抵抗低減効果を最大限利用するこ
とができ、さらにギャップ剤散布の工程を省略すること
ができる。
従来の液晶電気光学ｉ！置の構造は、ギャップ剤として
グラスファイバー、ビーズ、高分子フィルムなどを２枚
の基板間に挾んだものであつ九。
グラスファイバー、ビーズ、高分子フィルムなどを２枚
の基板間に挾んだものであつ九。
しかし前述の従来技術では液６層の厚さはギャップ剤の
直径と配線抵抗低減のために設は九導電性膜の厚さの和
となる。例として所望の液晶層の厚ざが５μ論の場合、
たとえばギャップ剤の直径を２μ属、導電性膜の厚さを
５μ鴫とすればよく電導性膜の厚さを十分厚くして配線
抵抗を低くすることができる。
直径と配線抵抗低減のために設は九導電性膜の厚さの和
となる。例として所望の液晶層の厚ざが５μ論の場合、
たとえばギャップ剤の直径を２μ属、導電性膜の厚さを
５μ鴫とすればよく電導性膜の厚さを十分厚くして配線
抵抗を低くすることができる。
ところで、強誘電性スメクチック液晶は液晶層厚を非常
に薄くすることによって記憶効果、急峻なしきい特性、
高速応答というすぐれ九特性を現わし、液晶電気光学装
置用の材料として高い可能性を持っている。これらの特
性が発現する液晶層厚は液晶材料に依存するが、良好な
特性を得るためには約１．５μ寓以下が望ましく、液晶
層厚がごくなるにしたがって、記憶効果およびしきい特
性の急峻性が低下する。また、強誘電性スメクチック液
晶を用いた液晶電気光学装置のコントラスト比は式（１
）で表わされるクロスニコル間の透過光量Ｉから求める
ことができ、白色光を光源として用いる場合、Δｎｍ（
１２ならば液晶ｌ１ｊＩ厚ｄは１．４μ隅前後が最適と
なる。（現在一般に使用されている強誘電性スメクチッ
ク液晶のΔｎの値はα２前後である。〕 Ｉ −工６ ｓｉｎ” ２ ｅ ・ ｓｉｎ”
（ｒｄΔｎ／ λ ン （１）０；液晶の分子軸
と偏光子のなす角 Δ！１：複屈折 ｄ：ｇ晶１＠厚λ：入射光の波
長 工・：入射光量 また、液晶電気光学装置の０１１ 、０ＦＩＦ状態をス
イッチする周期を短くするにしたがって駆動電圧波形の
周波数か高くなり、配線抵抗と静電容量か高ければ駆動
電圧波形が歪んで駆動することができなくなる。そこで
、所望の液晶層の厚さか１μ隅の場合、従来の方法によ
ってギャップ剤を使用すれば導電性膜の厚さは数＜ｏｏ
ｏＸとなり配線抵抗を低減させる効果か小さくなる、と
いう問題がある。
に薄くすることによって記憶効果、急峻なしきい特性、
高速応答というすぐれ九特性を現わし、液晶電気光学装
置用の材料として高い可能性を持っている。これらの特
性が発現する液晶層厚は液晶材料に依存するが、良好な
特性を得るためには約１．５μ寓以下が望ましく、液晶
層厚がごくなるにしたがって、記憶効果およびしきい特
性の急峻性が低下する。また、強誘電性スメクチック液
晶を用いた液晶電気光学装置のコントラスト比は式（１
）で表わされるクロスニコル間の透過光量Ｉから求める
ことができ、白色光を光源として用いる場合、Δｎｍ（
１２ならば液晶ｌ１ｊＩ厚ｄは１．４μ隅前後が最適と
なる。（現在一般に使用されている強誘電性スメクチッ
ク液晶のΔｎの値はα２前後である。〕 Ｉ −工６ ｓｉｎ” ２ ｅ ・ ｓｉｎ”
（ｒｄΔｎ／ λ ン （１）０；液晶の分子軸
と偏光子のなす角 Δ！１：複屈折 ｄ：ｇ晶１＠厚λ：入射光の波
長 工・：入射光量 また、液晶電気光学装置の０１１ 、０ＦＩＦ状態をス
イッチする周期を短くするにしたがって駆動電圧波形の
周波数か高くなり、配線抵抗と静電容量か高ければ駆動
電圧波形が歪んで駆動することができなくなる。そこで
、所望の液晶層の厚さか１μ隅の場合、従来の方法によ
ってギャップ剤を使用すれば導電性膜の厚さは数＜ｏｏ
ｏＸとなり配線抵抗を低減させる効果か小さくなる、と
いう問題がある。
そこで本発明はこのような間１点を解決するもので、そ
の目的とするところは、所望の液晶層厚が非常に薄い場
合でも導電性膜による配線抵抗低減効果を最大限利用す
ることができ、ギャップ剤を散布する必要のない液晶電
気光学装置を提供するところにある。
の目的とするところは、所望の液晶層厚が非常に薄い場
合でも導電性膜による配線抵抗低減効果を最大限利用す
ることができ、ギャップ剤を散布する必要のない液晶電
気光学装置を提供するところにある。
本発明の液晶電気光学装置は、２枚の基板を重ね合わせ
た時、画素となる部分の液晶層厚か所望の厚さと等しく
なるようにギャップ剤と電極を兼ねた適当な厚さの導電
性膜を、少なくとも一方の、 基板上の画素部以外に設
けたことをｑ＃徴とする。
た時、画素となる部分の液晶層厚か所望の厚さと等しく
なるようにギャップ剤と電極を兼ねた適当な厚さの導電
性膜を、少なくとも一方の、 基板上の画素部以外に設
けたことをｑ＃徴とする。
８１図にＷＸｌの実施例を示す。第１図（ａ）は本発明
を残デユーティ液晶プリンターヘッドに応用した場合の
液晶光シャッタ一部の平面図で、あプ、第１図（１））
は第１図（ａ）のＡＡ’＆Ｃおける断面図である。
を残デユーティ液晶プリンターヘッドに応用した場合の
液晶光シャッタ一部の平面図で、あプ、第１図（１））
は第１図（ａ）のＡＡ’＆Ｃおける断面図である。
下側基板１７上には走査電極１１および絶縁層（８１０
，） １４を設け、その上にＰ工、ナイロン。
，） １４を設け、その上にＰ工、ナイロン。
ＰＶＡ等の配向処理膜１８を設け、一方向にラビング処
理を施しである。上側基板１６上には信号電極場２を設
け、さらに画素１５以外の部分に導電性膜１５を設けで
ある。２０は偏光板である。
理を施しである。上側基板１６上には信号電極場２を設
け、さらに画素１５以外の部分に導電性膜１５を設けで
ある。２０は偏光板である。
第１図（ａ）において二重の斜線を施した液晶導入部２
１の導電性膜の厚さは所望の液晶層厚よシ薄く−ってお
り、その部分を通って液晶１９力１素１．５の部分へ入
っていく。
１の導電性膜の厚さは所望の液晶層厚よシ薄く−ってお
り、その部分を通って液晶１９力１素１．５の部分へ入
っていく。
透明電極、導電性膜としてそれぞれ工ＴＯとニッケル（
厚さ０．９５μ講〕を、使用して第１図に示した構成の
液晶プリンターヘッドを作成した。
厚さ０．９５μ講〕を、使用して第１図に示した構成の
液晶プリンターヘッドを作成した。
ｊａｍ１８０μｓ、Ｊｂｓ＝２２０μｓ、Ｊｃｓ＝８０
μｓである液晶材料としてＭＢＲＡ−８を真空封入法に
よって封入し、液晶の複屈折より求めた液晶層厚は１．
０１±（ＬＱ４μ鶴であり、均一な液晶層厚の液晶プリ
ンターヘッドが得られた。
μｓである液晶材料としてＭＢＲＡ−８を真空封入法に
よって封入し、液晶の複屈折より求めた液晶層厚は１．
０１±（ＬＱ４μ鶴であり、均一な液晶層厚の液晶プリ
ンターヘッドが得られた。
参考のために、第２図に従来技術による液晶プリンター
ヘッドの断面図を示す。ギャップ剤（ビーズ）２２の直
径は小さいもので［１８μ隅程度のため、所望の液晶層
厚が１μ鶏ならば高導電性膜の厚さは（Ｌ２μ溝８度と
なる。その厚さは第１の実施例における厚さの約見であ
り、配線抵抗低減効果が薄れてしまう。
ヘッドの断面図を示す。ギャップ剤（ビーズ）２２の直
径は小さいもので［１８μ隅程度のため、所望の液晶層
厚が１μ鶏ならば高導電性膜の厚さは（Ｌ２μ溝８度と
なる。その厚さは第１の実施例における厚さの約見であ
り、配線抵抗低減効果が薄れてしまう。
第３図に第２の実施例を示す。本実施例では下側基板１
７上の走査電極１１の上にも導電性膜１５としてニッケ
ル膜を設けさらに絶縁のために８１０、１４を設けであ
る。走査電極上および信号電極上のニッケル膜の厚さＧ
ｅ１４をいずれも１．５μ鶴とし、８１０． 、ナイロ
ンの厚さをそれぞれ１０００Ａ、８００Ａ、Ｊａ−＊１
８０＃ｓ、ｊ’ｂ雪２２０μｍ、１ｃｍ４０μ渦として
、ＭＢＲＡ−８を使用して液晶プリンターヘッドを作成
した。
７上の走査電極１１の上にも導電性膜１５としてニッケ
ル膜を設けさらに絶縁のために８１０、１４を設けであ
る。走査電極上および信号電極上のニッケル膜の厚さＧ
ｅ１４をいずれも１．５μ鶴とし、８１０． 、ナイロ
ンの厚さをそれぞれ１０００Ａ、８００Ａ、Ｊａ−＊１
８０＃ｓ、ｊ’ｂ雪２２０μｍ、１ｃｍ４０μ渦として
、ＭＢＲＡ−８を使用して液晶プリンターヘッドを作成
した。
本実施例での液晶層厚は五１０±［１Ｌ０５μｍとなっ
た。
た。
第４図に第５の実施例を示す。ここではマ） ＩＪクス
型液晶ディスプレイへの応用例を示す。導電性膜１５は
ストライプ状信号電極１２の端に設けてあり、第４図（
ａ）の２重に斜線を施した円形の部分は第４図（ｂ）に
示すように貝柱状になっている。 ・導電性膜として銅
を使用し、Ｊａ−６５０μｍ。
型液晶ディスプレイへの応用例を示す。導電性膜１５は
ストライプ状信号電極１２の端に設けてあり、第４図（
ａ）の２重に斜線を施した円形の部分は第４図（ｂ）に
示すように貝柱状になっている。 ・導電性膜として銅
を使用し、Ｊａ−６５０μｍ。
Ｊ ｂ諺７ Ｑ Ｊｇ Ｍｌ 、 ｊ Ｏ−５０１’
−ｖ ’＠−α５μ属。
−ｖ ’＠−α５μ属。
１゜−７０μ醜、１ｃｍ５０μｍ、Ｉ、；α９μ風、ｊ
６＝ｌ１６μ跳とし、ＭＢ！’ｔＡ−８を使用して１０
０×１００マトリクス型液晶デイスプレイを作成した。
６＝ｌ１６μ跳とし、ＭＢ！’ｔＡ−８を使用して１０
０×１００マトリクス型液晶デイスプレイを作成した。
液晶層厚はＬＱ６±ＩＩＬ０５μ鶏となった。
本発明は液晶プリンターヘッド、マトリクス型液晶ディ
スプレイ以外の液晶電気光学装置へも応用することがで
き、液晶材料は強誘電性スメクチック液晶に限定されず
、液晶層厚も限定されない。
スプレイ以外の液晶電気光学装置へも応用することがで
き、液晶材料は強誘電性スメクチック液晶に限定されず
、液晶層厚も限定されない。
以上遮ぺたように本発明によれば、２枚の基板を重ね合
わせた時に画素となる部分の液晶層厚が所望の厚さと等
しくなるようにギャップ剤と電極管兼ねた適当な厚さの
導電性膜を、少なくとも一方の基板上の画素部以外に設
けたので、所望の液晶層厚が薄い場合でも導電性膜によ
る配線抵抗低減効果を最大限利用することができ、さら
にギャップ剤散布工程を省略することができる、という
効果を有する。
わせた時に画素となる部分の液晶層厚が所望の厚さと等
しくなるようにギャップ剤と電極管兼ねた適当な厚さの
導電性膜を、少なくとも一方の基板上の画素部以外に設
けたので、所望の液晶層厚が薄い場合でも導電性膜によ
る配線抵抗低減効果を最大限利用することができ、さら
にギャップ剤散布工程を省略することができる、という
効果を有する。
第１図−）は第１の実施例における液晶プリンターヘッ
ドの平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡＡ’にお
ける断面図、第２図は従来技術を示す断面図、第５図は
第２の実施例における液晶プリンターヘッドの断面図、
第４図（ａ）は第Ｓの実施例における液晶ディスプレイ
の平面図、第４図（ｂ）は第４図（！Ｌ）のＡＡ’にお
ける断面図である。 １１・・・走査電極 １２・・・信号電極 １５・・・画素 １４・・・絶縁層 １５・・・導電性膜 １６・・・上側基板 １７・・・下側基板 １８・・・配向処理膜 １９・・・液晶 ２０・・・偏光板 ２１・・・液晶導入部 ２２・・・ギャップ剤 以 上 ジ１１アリシｙ−へ−ｌ計ｐ’Ｐ５ＱＬ＠１図（幻 Ｎ資）−７曽リシ７−へ・７ト１＾ｉｂｄ第 １ 図
（トン 七Ｌ＊のジ【−−アリ＞７−へｙ）”Ａ這り１日Ｆへ第
２図 第３図
ドの平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡＡ’にお
ける断面図、第２図は従来技術を示す断面図、第５図は
第２の実施例における液晶プリンターヘッドの断面図、
第４図（ａ）は第Ｓの実施例における液晶ディスプレイ
の平面図、第４図（ｂ）は第４図（！Ｌ）のＡＡ’にお
ける断面図である。 １１・・・走査電極 １２・・・信号電極 １５・・・画素 １４・・・絶縁層 １５・・・導電性膜 １６・・・上側基板 １７・・・下側基板 １８・・・配向処理膜 １９・・・液晶 ２０・・・偏光板 ２１・・・液晶導入部 ２２・・・ギャップ剤 以 上 ジ１１アリシｙ−へ−ｌ計ｐ’Ｐ５ＱＬ＠１図（幻 Ｎ資）−７曽リシ７−へ・７ト１＾ｉｂｄ第 １ 図
（トン 七Ｌ＊のジ【−−アリ＞７−へｙ）”Ａ這り１日Ｆへ第
２図 第３図
Claims (4)
- （１）透明電極を設けた２枚の基板を前記透明電極が対
向するように重ね合わせて、前記対向透明電極間に液晶
を挟持して必要に応じて偏光板を１枚もしくは２枚設け
た液晶電気光学装置において、前記２枚の基板のうち少
なくとも一方の基板上の画素とならない部分に、ギャッ
プ剤と電極を兼ねた導電性膜を設けたことを特徴とする
液晶電気光学装置。 - （２）特許請求の範囲第１項に記載の液晶電気光学装置
において前記導電性膜は金属又は導電性高分子から成る
ことを特徴とする液晶電気光学装置。 - （３）特許請求の範囲第１項記載の導電性膜の厚さは、
前記導電性膜を前記２枚の基板の一方のみに設ける場合
も２枚共に設ける場合も、前記２枚の基板を重ね合わせ
た時に画素部の液晶層厚が所望の厚さとなるような厚さ
であることを特徴とする液晶電気光学装置。 - （４）特許請求の範囲第１項記載の液晶電気光学装置に
おいて、前記２枚の基板共に前記導電性膜を設ける場合
、少なくとも一方の基板上に設けた前記導電性膜の上面
に絶縁膜を設けたことを特徴とする液晶電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147400A JPH0750273B2 (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 液晶電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147400A JPH0750273B2 (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 液晶電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628127A true JPS628127A (ja) | 1987-01-16 |
| JPH0750273B2 JPH0750273B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=15429428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60147400A Expired - Lifetime JPH0750273B2 (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750273B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62231224A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル及びその製造法 |
| JPH0215241A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-18 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶ディスプレイ装置 |
| US5694188A (en) * | 1994-09-17 | 1997-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reflection type liquid crystal display device having comb-shaped wall electrode |
| JP2012198544A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US8854593B2 (en) | 1997-05-22 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56122012A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Keiji Iimura | Tn-type liquid crystal cell |
| JPS5888722A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Keiji Iimura | 積層型電気光学セル |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP60147400A patent/JPH0750273B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56122012A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Keiji Iimura | Tn-type liquid crystal cell |
| JPS5888722A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Keiji Iimura | 積層型電気光学セル |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62231224A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル及びその製造法 |
| JPH0215241A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-18 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶ディスプレイ装置 |
| US5694188A (en) * | 1994-09-17 | 1997-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reflection type liquid crystal display device having comb-shaped wall electrode |
| US8854593B2 (en) | 1997-05-22 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| JP2012198544A (ja) * | 2012-04-16 | 2012-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750273B2 (ja) | 1995-05-31 |
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