JPS62143844A - 光伝送体の処理方法 - Google Patents
光伝送体の処理方法Info
- Publication number
- JPS62143844A JPS62143844A JP60280724A JP28072485A JPS62143844A JP S62143844 A JPS62143844 A JP S62143844A JP 60280724 A JP60280724 A JP 60280724A JP 28072485 A JP28072485 A JP 28072485A JP S62143844 A JPS62143844 A JP S62143844A
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- JP
- Japan
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- optical transmission
- hydrogen
- transmission body
- radiation
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/10—Non-chemical treatment
- C03B37/14—Re-forming fibres or filaments, i.e. changing their shape
- C03B37/15—Re-forming fibres or filaments, i.e. changing their shape with heat application, e.g. for making optical fibres
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野、ｎ
本発明は石英系光伝送体中の構造欠陥を減じるための処
理方法に関する。
理方法に関する。
ｒ従来の技術ｊ
核反応など、核を取り扱う放射線環境下では、放射線・
ｌＧ故を絶無にすることが操業り不可欠であり、近時で
は、装置の稼働を止めることのない監視体制をとり、操
業を万全のものにする要求が高まりつつあるが、既成の
監視装置では放射線による損傷を受けるので、そのよう
な損傷のないものが検１１・（されている。
ｌＧ故を絶無にすることが操業り不可欠であり、近時で
は、装置の稼働を止めることのない監視体制をとり、操
業を万全のものにする要求が高まりつつあるが、既成の
監視装置では放射線による損傷を受けるので、そのよう
な損傷のないものが検１１・（されている。
例えば、原了刀工業の分野においてＴＶカメラによる監
視体制をとるとき、その電子一部品が放射線により損傷
されるので１石英系の光伝送体（イメージガイド、イメ
ージファイバなど）の導入が検討され、現場での試験も
行なわれている。
視体制をとるとき、その電子一部品が放射線により損傷
されるので１石英系の光伝送体（イメージガイド、イメ
ージファイバなど）の導入が検討され、現場での試験も
行なわれている。
帽゛発明が解決しようとする問題点、１しかし、１−配
光伝送体も高線量率下あるいは高線＋、Ｈの照射を受け
ると、伝送特性にの問題が起こリ、特にイ１莢系のイメ
ージガイド、イメージガイド等では、製造−［程におい
てコア中に構造欠陥が発生しやすく、その構造欠陥をも
つ光伝送体が放射線を受けた場合、損失増加が著しい。
光伝送体も高線量率下あるいは高線＋、Ｈの照射を受け
ると、伝送特性にの問題が起こリ、特にイ１莢系のイメ
ージガイド、イメージガイド等では、製造−［程におい
てコア中に構造欠陥が発生しやすく、その構造欠陥をも
つ光伝送体が放射線を受けた場合、損失増加が著しい。
未発１９１は」−記の問題点に鑑み、構造欠陥が少なく
、耐放射線特性の高い光伝送体が得られる処理方法を提
供しようとするものである。
、耐放射線特性の高い光伝送体が得られる処理方法を提
供しようとするものである。
ｒ問題点を解決するための−Ｌ段、ｌ
未発明に係る光伝送体の処理方法はＬ記の［１的を達成
するため、石英系からなる光伝送体中に水素分子を拡散
させた後、光伝送体の構造欠陥と水素とを反応させるた
めのエネルギを当該光伝送体に照射して、これら構造欠
陥、木、ｋを反応させることを特徴とする。
するため、石英系からなる光伝送体中に水素分子を拡散
させた後、光伝送体の構造欠陥と水素とを反応させるた
めのエネルギを当該光伝送体に照射して、これら構造欠
陥、木、ｋを反応させることを特徴とする。
ｆ作用Ｊ
未発明方Ｖ、の場合、石英系からなる光伝送体中に水素
分子を拡散させた後、その光伝送体に所定のエネルギを
照射する。
分子を拡散させた後、その光伝送体に所定のエネルギを
照射する。
こうした場合、光伝送体の構造欠陥に水素が侵入してこ
れら構造欠陥、水素が結合するだけでなく、その結合状
態：が安定するため１耐放射線特性が向−１ユするとい
える。
れら構造欠陥、水素が結合するだけでなく、その結合状
態：が安定するため１耐放射線特性が向−１ユするとい
える。
その理由は以ドの通りである。
石英系光伝送体の場合、そのコア中に次式のごとき構造
欠陥が発生し、波長２２０ｎｍ伺近にピークをもつスこ
きな光吸収を惹き起こす。
欠陥が発生し、波長２２０ｎｍ伺近にピークをもつスこ
きな光吸収を惹き起こす。
このピークの裾の影響により、紫〜、′］′色（近紫外
）をカー／ トしやすくなり１光伝送体に白色光を入射
させてもその出射光が黄色味をイ１２びる。
）をカー／ トしやすくなり１光伝送体に白色光を入射
させてもその出射光が黄色味をイ１２びる。
この光伝送体にγ線を照射した場合、紫〜［１色（近紫
外）の波長の損失増が著しくなるが、これは（１）式の
構造欠陥の多い部分につき、その欠陥の前駆体も多いこ
とを意味する。
外）の波長の損失増が著しくなるが、これは（１）式の
構造欠陥の多い部分につき、その欠陥の前駆体も多いこ
とを意味する。
このような構造欠陥をもつ光伝送体中に、充分水素を拡
散させた場合、その欠陥に水素が侵入して次式のような
構造となると考えられる。
散させた場合、その欠陥に水素が侵入して次式のような
構造となると考えられる。
１−記（２）式中、６は弱い結合を示す。
このように水素拡、１させ、光伝送体の構造欠陥に水、
ｋを侵入させた場合、Ｓｉの構造欠陥と水素とがゆるや
かに結合するので、当該構造欠陥が消滅されるかに見え
るが、これら構造欠陥と水素との結合エネルギが小さい
ため、約５００℃以ドの温度では反応が起こらず、かか
る光伝送体を室温の空気中に放置すると、水、衿分子（
Ｈ７）の状態での拡散移動が１１）１隻生じ、＋Ｔｊ拡
散したＨ２が光伝送体から空気中に放出される。
ｋを侵入させた場合、Ｓｉの構造欠陥と水素とがゆるや
かに結合するので、当該構造欠陥が消滅されるかに見え
るが、これら構造欠陥と水素との結合エネルギが小さい
ため、約５００℃以ドの温度では反応が起こらず、かか
る光伝送体を室温の空気中に放置すると、水、衿分子（
Ｈ７）の状態での拡散移動が１１）１隻生じ、＋Ｔｊ拡
散したＨ２が光伝送体から空気中に放出される。
本発明方法では、＋ｉｉ＋述したように石英系からなる
光伝送体中に水２＋コ分子−を拡散させた後、″′１１
核光伝送光伝送体ば紫外線による電磁波エネルギ（放射
線エネルギでもよい）を照射するが、こうした場合、そ
のエネルギにより構造欠陥と水素分子との反応が促進さ
れる。
光伝送体中に水２＋コ分子−を拡散させた後、″′１１
核光伝送光伝送体ば紫外線による電磁波エネルギ（放射
線エネルギでもよい）を照射するが、こうした場合、そ
のエネルギにより構造欠陥と水素分子との反応が促進さ
れる。
この際の反応は次式のように考えられる。
会 ・ ・ 拳 −・（３）
１ユ記（３）中、 ｈνは紫外線エネルギである。
このように所定のエネルギを照射することにより、光伝
送体中の構造欠陥はＯＨ基と結合する。・この際の結合
は熱的にきわめて安定しており、例えばγ線を〜１０５
Ｒａｄ程度受けても５ｉ−ＯＨ結合はし」れない。
送体中の構造欠陥はＯＨ基と結合する。・この際の結合
は熱的にきわめて安定しており、例えばγ線を〜１０５
Ｒａｄ程度受けても５ｉ−ＯＨ結合はし」れない。
ゆえに、本発明方法により処理された光伝送体は、−放
射線特性がきわめて優れたものとなる。
射線特性がきわめて優れたものとなる。
Ｙ実 施 例１
以下未発明方υ：の具体的実施例につき、図面を参照し
て説明する。
て説明する。
はじめ、本発明方法により処理される光伝送体の一種、
すなわちイメージファイ／への製造例について述べる。
すなわちイメージファイ／への製造例について述べる。
１ ｐｐｍ以［、の水を含む合成石英棒をコア材として
用い、そのコア材の外周に、ＯＶＤ法を介してポロン、
フッ素をドーパントとするクラッド川の石英系多孔質層
を形成した後、当該多孔質層を透明ガラス化してクラッ
ドのΔ−が０．８％のプリフォームを得る。
用い、そのコア材の外周に、ＯＶＤ法を介してポロン、
フッ素をドーパントとするクラッド川の石英系多孔質層
を形成した後、当該多孔質層を透明ガラス化してクラッ
ドのΔ−が０．８％のプリフォームを得る。
上記プリフォームを外径１００〜５００４ｇ＋φの任意
サイズに線引してファイバとし、これを適当な長さに切
断して石英管内に所定数充填した後。
サイズに線引してファイバとし、これを適当な長さに切
断して石英管内に所定数充填した後。
ファイバ充填石英管をコラプスして集合母材を得るとと
もに、当該集合母材を再度線引してイメージファイバと
する。
もに、当該集合母材を再度線引してイメージファイバと
する。
例えば画素数ｔｏ、ｏｏｏのイメージガイドを作製する
とき、外径２５０ ＪＬ ｍφ、外径３００ｇｍφ、外
径３５０ｐｍφに線引された三種類のファイバをそれぞ
れ長さ約３００ｍｍに切断し、それぞれ約３５００木を
異径混合した後、約ｔｏ、ｏｏｏ木の異径混合ファイバ
を内径３３＃Ｌ＋ｓφの石英管内に充填し、そのファイ
バ充填石英管を酸水素炎バーナによりコラプスして集合
母材を得るとともに、該集合母材を再度線引して外径的
２ｍｍφの・ｆメージファイバとする。
とき、外径２５０ ＪＬ ｍφ、外径３００ｇｍφ、外
径３５０ｐｍφに線引された三種類のファイバをそれぞ
れ長さ約３００ｍｍに切断し、それぞれ約３５００木を
異径混合した後、約ｔｏ、ｏｏｏ木の異径混合ファイバ
を内径３３＃Ｌ＋ｓφの石英管内に充填し、そのファイ
バ充填石英管を酸水素炎バーナによりコラプスして集合
母材を得るとともに、該集合母材を再度線引して外径的
２ｍｍφの・ｆメージファイバとする。
本発明方法では、はじめ第１図のごとく光伝送体１を水
素処理し、その後、第２図のごとく光伝送体１を所定エ
ネルギを照射する。
素処理し、その後、第２図のごとく光伝送体１を所定エ
ネルギを照射する。
ここで処理する光伝送体１は、前述したイメージファイ
バを三分割したうちの一本である。
バを三分割したうちの一本である。
第１図において、光伝送体１を水素処理する°とき、そ
の光伝送体１を処理容器２内に入れて１６０’０，７４
ｈｒｓ、１２ｇ０．８ａｔｍにて処理し、つぎに第２図
のごとく、紫外線照射′ＪＡ３を介して上記水素鎖処理
後の光伝送体１にピーク：２００〜３００ｎｍ、８００
ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を１時間照射し、かかる画処理を
終えた光伝送体ｌを一ケ月間放置した。
の光伝送体１を処理容器２内に入れて１６０’０，７４
ｈｒｓ、１２ｇ０．８ａｔｍにて処理し、つぎに第２図
のごとく、紫外線照射′ＪＡ３を介して上記水素鎖処理
後の光伝送体１にピーク：２００〜３００ｎｍ、８００
ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を１時間照射し、かかる画処理を
終えた光伝送体ｌを一ケ月間放置した。
その後、上記光伝送体１にγ線（５Ｘ１０４ Ｒ／Ｈ。
２Ｘ１０５ Ｒ）を照射した。
γ線照射後における光伝送体１のロススペクトルを測定
し、その結果を第３図に示す。
し、その結果を第３図に示す。
第３図で明らかなように、本発明の上記実施例■では、
γ線照射後における光伝送体ｌのロス増がきわめて小さ
い。
γ線照射後における光伝送体ｌのロス増がきわめて小さ
い。
これは前記水素処理により、光伝送体１の構造欠陥が水
素と結合するするだけでなに、その後のエネルギ照射処
理により、当該構造欠陥がＯＨ基と結合し、安定するか
らである。
素と結合するするだけでなに、その後のエネルギ照射処
理により、当該構造欠陥がＯＨ基と結合し、安定するか
らである。
比較のため、前記三分割した・ｆメージファイバ他の−
・本（処理なし）に、１記実施例と同様のγ線を照射し
、そのロススペクトルを測定したところ、第３図■のご
とくロス増が太きくなった。
・本（処理なし）に、１記実施例と同様のγ線を照射し
、そのロススペクトルを測定したところ、第３図■のご
とくロス増が太きくなった。
他の比較例として、前記三分割したイメージファイバの
残る一本を、上記実施例と同様に水素処理し、−ケ月間
放置した後、当該イメージファイバに上記実施例と同様
のγ線を照射し、そのロススペクトルを測定したところ
、第３図■のごとくロス増が大きくなった。
残る一本を、上記実施例と同様に水素処理し、−ケ月間
放置した後、当該イメージファイバに上記実施例と同様
のγ線を照射し、そのロススペクトルを測定したところ
、第３図■のごとくロス増が大きくなった。
第３図■＠で明らかなごとく、両比較例の耐放射線特性
はほぼ回〜であるが、かかる観点からして、水素処理の
みの場合は、光伝送体の構造欠陥を減少させる効果が殆
どないといえる。
はほぼ回〜であるが、かかる観点からして、水素処理の
みの場合は、光伝送体の構造欠陥を減少させる効果が殆
どないといえる。
なお、」二記実施例では光伝送体としてイメージファイ
バの処理例をあげたが１通常の光ファイバの場合も上記
と同様に処理することにより、耐放射ｖ；Ａ特性が向上
する。
バの処理例をあげたが１通常の光ファイバの場合も上記
と同様に処理することにより、耐放射ｖ；Ａ特性が向上
する。
光伝送体のコアはドーパントを含まない純粋石英である
が、そのクラッドについては、コアよりも屈折率の低い
ものであれば、各種のドープト石英が採用できる。
が、そのクラッドについては、コアよりも屈折率の低い
ものであれば、各種のドープト石英が採用できる。
水素処理後の光伝送体に照射するエネルギ（電磁波）と
して紫外線を採用したが、他の電磁波としてｔｑ視レー
ザ光も有効である。 ・その他、光伝送体に照
射するエネルギとして。
して紫外線を採用したが、他の電磁波としてｔｑ視レー
ザ光も有効である。 ・その他、光伝送体に照
射するエネルギとして。
Ｘ線、α線、γ線、電子線、中性子線などの放射線も有
効である。
効である。
普“発明の効果１
以上説明した通り、本発明方法によるときは、石英系光
伝送体を水素処理するだけでなく、その水素処理後の光
伝送体に所定のエネルギを照射して当該光伝送体の構造
欠陥と水素との反応を促進させ、これにより構造欠陥の
減じるとともにその状態を安定させるから、耐放射線特
性の良好な、しかも長期にわたり、その特性を保持する
ことのできる光伝送体が得られる。
伝送体を水素処理するだけでなく、その水素処理後の光
伝送体に所定のエネルギを照射して当該光伝送体の構造
欠陥と水素との反応を促進させ、これにより構造欠陥の
減じるとともにその状態を安定させるから、耐放射線特
性の良好な、しかも長期にわたり、その特性を保持する
ことのできる光伝送体が得られる。
第１図、第２図は本発明方法を処理工程を略示した説明
図、第３図は本発明方法により処理された光伝送体の特
性を、その比較例とともに示した説明図である。 １・・・光伝送体 ２・・・水素処理用の処理容器 ３・・・紫外線照射器
図、第３図は本発明方法により処理された光伝送体の特
性を、その比較例とともに示した説明図である。 １・・・光伝送体 ２・・・水素処理用の処理容器 ３・・・紫外線照射器
Claims (5)
- （１）石英系からなる光伝送体中に水素分子を拡散させ
た後、光伝送体の構造欠陥と水素とを反応させるための
エネルギを当該光伝送体に照射して、これら構造欠陥、
水素を反応させることを特徴とする光伝送体の処理方法
。 - （２）光伝送体に照射するエネルギが電磁波からなる特
許請求の範囲第１項記載の光伝送体の処理方法。 - （３）電磁波が紫外線、可視レーザ光のいずれかからな
る特許請求の範囲第２項記載の光伝送体の処理方法。 - （４）光伝送体に照射するエネルギが放射線からなる特
許請求の範囲第１項記載の光伝送体の処理方法。 - （５）放射線がＸ線、α線、γ線、電子線、中性子線の
いずれかからなる特許請求の範囲第４項記載の光伝送体
の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60280724A JPS62143844A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 光伝送体の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60280724A JPS62143844A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 光伝送体の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62143844A true JPS62143844A (ja) | 1987-06-27 |
Family
ID=17629054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60280724A Pending JPS62143844A (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 光伝送体の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62143844A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02243535A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-09-27 | Shinetsu Sekiei Kk | 紫外光用ガラス母材の製造方法 |
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| JP2000335927A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-12-05 | Asahi Glass Co Ltd | 光学部材用合成石英ガラスとその製造方法および使用方法 |
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| WO2002046114A1 (fr) * | 2000-12-05 | 2002-06-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Procede de fabrication d'une fibre optique |
| GB2425307A (en) * | 2005-04-06 | 2006-10-25 | Weatherford Lamb | Method of forming radiation hardened optical fibres |
| US7422307B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-09-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Droplet forming method for mixed liquid and droplet forming device, and ink jet printing method and device, and ink jet printing electrode-carrying nozzle |
| US7588641B2 (en) | 2001-08-30 | 2009-09-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of forming liquid-drops of mixed liquid, and device for forming liquid-drops of mixed liquid |
| US7607753B2 (en) | 2004-08-20 | 2009-10-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Liquid droplet forming method and liquid droplet forming device |
-
1985
- 1985-12-13 JP JP60280724A patent/JPS62143844A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP1342700A4 (en) * | 2000-12-05 | 2008-12-31 | Sumitomo Electric Industries | PROCESS FOR PRODUCING OPTICAL FIBERS |
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