JPS62143483A - 受光素子 - Google Patents
受光素子Info
- Publication number
- JPS62143483A JPS62143483A JP60284868A JP28486885A JPS62143483A JP S62143483 A JPS62143483 A JP S62143483A JP 60284868 A JP60284868 A JP 60284868A JP 28486885 A JP28486885 A JP 28486885A JP S62143483 A JPS62143483 A JP S62143483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- base
- receiving element
- deep
- shallow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光情報を光電変換且つ光信号電流増幅作用を持
つ受光素子に関するものである。
つ受光素子に関するものである。
従来の技術
従来フォトトランジスタはコレクタとなるべき半導体領
域中にベース領域を、更に該ベース領域中にエミッタ領
域を形成するという、通常の光感知機能を要しないトラ
ンジスタと同様な方法で形成される。しかしこの受光素
子では青色光に対する感度とエミッタ接地小信号電流増
幅率（以下ｈＦＥと記す）の値の制御性とが両立しない
６従ってこのような受光素子を複数個配列した場合に良
好な青色感度を持たせようとすると、ｈＦＥ値の制御性
が悪くなる為に、配列した複数個の受光素子それぞれの
ｈＦＥ値が大きくばらつき光感度不均一性が生じてアレ
イ状受光素子として適さない。そこでアレイ状に使用す
る為の受光素子としてはフォトダイオードが用いられて
きた。
域中にベース領域を、更に該ベース領域中にエミッタ領
域を形成するという、通常の光感知機能を要しないトラ
ンジスタと同様な方法で形成される。しかしこの受光素
子では青色光に対する感度とエミッタ接地小信号電流増
幅率（以下ｈＦＥと記す）の値の制御性とが両立しない
６従ってこのような受光素子を複数個配列した場合に良
好な青色感度を持たせようとすると、ｈＦＥ値の制御性
が悪くなる為に、配列した複数個の受光素子それぞれの
ｈＦＥ値が大きくばらつき光感度不均一性が生じてアレ
イ状受光素子として適さない。そこでアレイ状に使用す
る為の受光素子としてはフォトダイオードが用いられて
きた。
発明が解決しようとする問題点
従来の形式方法によるフォトトランジスタ受光素子は、
受光部となる部分のベース領域形成とトランジスタ電流
増幅に寄与する部分のベース領域形成が全く同一である
。従って青色感度向上のために受光部分のベース深さを
浅くすれば、エミッタ直下の増幅機能に寄与する部分の
ベース深さも自明乍ら浅く、エミッタとコレクタに狭ま
れた所のベース厚や不純物濃度プロファイルがベース及
びエミッタの形成時の種々の工程時の微妙な条件変動の
影響を受けるので、同一半導体チップ及びウェーハ上に
いてもｈＦＥ値の均一化、一定化が困難である。逆にｈ
ＦＥ値を安定化するためにペース接合深さを深くすると
、青色などの短波長光に対する光感知素子としての感度
が低下する。
受光部となる部分のベース領域形成とトランジスタ電流
増幅に寄与する部分のベース領域形成が全く同一である
。従って青色感度向上のために受光部分のベース深さを
浅くすれば、エミッタ直下の増幅機能に寄与する部分の
ベース深さも自明乍ら浅く、エミッタとコレクタに狭ま
れた所のベース厚や不純物濃度プロファイルがベース及
びエミッタの形成時の種々の工程時の微妙な条件変動の
影響を受けるので、同一半導体チップ及びウェーハ上に
いてもｈＦＥ値の均一化、一定化が困難である。逆にｈ
ＦＥ値を安定化するためにペース接合深さを深くすると
、青色などの短波長光に対する光感知素子としての感度
が低下する。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するために、受光部のベース
層形成方法と光信号電流増幅部のエミッタ直下のベース
層形成方法とが異なるフォトトランジスタを与えるもの
である。
層形成方法と光信号電流増幅部のエミッタ直下のベース
層形成方法とが異なるフォトトランジスタを与えるもの
である。
作用
本発明は上記形成方法によって、受光部のベース層深さ
は浅く形成し、光信号電流増幅部のベース層深さは深目
に形成して、良好な青色感度と能く制御されたｈＦＥ値
とを兼備した受光素子を実現できる。
は浅く形成し、光信号電流増幅部のベース層深さは深目
に形成して、良好な青色感度と能く制御されたｈＦＥ値
とを兼備した受光素子を実現できる。
実施例
第１図は本発明の特許請求の範囲第１項記載の受光素子
の実施例を示すデバイス構造図である。
の実施例を示すデバイス構造図である。
第１図において、受光窓１６直下にある１は青色光に対
する感度の向上を図る為に接合が浅い所に形成されたベ
ース層である。２は安定したｈＦｉＥ値を得る為に深く
て厚いベース層となっている。
する感度の向上を図る為に接合が浅い所に形成されたベ
ース層である。２は安定したｈＦｉＥ値を得る為に深く
て厚いベース層となっている。
５はエミッタである。６，９．１０はそれぞれコレクタ
１１と同型半導体の低抵抗領域から成り、コレクタ電極
を取り出すのに用いられている。このうち６はエミッタ
５と同時に形成され得る。
１１と同型半導体の低抵抗領域から成り、コレクタ電極
を取り出すのに用いられている。このうち６はエミッタ
５と同時に形成され得る。
１２は半導体基板、８と７はコレクタ１１とは逆型半導
体から成り、同じくコレクタ１１とは逆型半導体の半導
体基板１２と共にコレクタ１１を囲んでコレクタ１１を
電気的に半導体基板１２から分離するのに寄与している
。１３はエミッタ電極、１４はコレクタ電極、１５は半
導体表面絶縁層である。第１図において浅いベースｌは
標準的なバイポーラトランジスタプロセスに元々存在す
る工程より形成され、深く厚いベース２はコレクタ分離
を成す為の領域７と同時に形成されている。従ってこの
第１図に示す実施例では標準バイポーラＩＣプロセスを
複雑化する事なく所期の受光素子の実現例を示している
が、更に望ましい特性の受光素子を得る為に、浅いベー
ス１と深いベース２は他の工程によってまたは複数の工
程を組合わせて形成しても差支えない。
体から成り、同じくコレクタ１１とは逆型半導体の半導
体基板１２と共にコレクタ１１を囲んでコレクタ１１を
電気的に半導体基板１２から分離するのに寄与している
。１３はエミッタ電極、１４はコレクタ電極、１５は半
導体表面絶縁層である。第１図において浅いベースｌは
標準的なバイポーラトランジスタプロセスに元々存在す
る工程より形成され、深く厚いベース２はコレクタ分離
を成す為の領域７と同時に形成されている。従ってこの
第１図に示す実施例では標準バイポーラＩＣプロセスを
複雑化する事なく所期の受光素子の実現例を示している
が、更に望ましい特性の受光素子を得る為に、浅いベー
ス１と深いベース２は他の工程によってまたは複数の工
程を組合わせて形成しても差支えない。
第２図は浅いベース３のみで受光窓１６の下のベースも
エミッタ５の下のベースも同じ工程である場合の受光素
子の構造図であり、この場合青色感度は良好だがエミッ
タ５とコレクタ１１とに狭まれたベース幅は極めて薄く
なりその不純物濃度プロファイルも不安定でｈＦＥ値の
制御性が悪い例である。
エミッタ５の下のベースも同じ工程である場合の受光素
子の構造図であり、この場合青色感度は良好だがエミッ
タ５とコレクタ１１とに狭まれたベース幅は極めて薄く
なりその不純物濃度プロファイルも不安定でｈＦＥ値の
制御性が悪い例である。
第３図は深いベース４のみで受光窓１６の下のベースも
エミッタ５の下のベースも同じ工程である場合の受光素
子の構造図であり、この場合エミッタ５とコレクタ１１
とに狭まれたベース幅とその不純物濃度プロファイルは
安定でｈＦｆＩ値の制御性が良好だが、青色感度は悪く
なる例である。
エミッタ５の下のベースも同じ工程である場合の受光素
子の構造図であり、この場合エミッタ５とコレクタ１１
とに狭まれたベース幅とその不純物濃度プロファイルは
安定でｈＦｆＩ値の制御性が良好だが、青色感度は悪く
なる例である。
以上の例は標準的バイポーラＩＣプロセス構造を用いつ
つ話を進めてきたが、本特許は他の半導体プロセスであ
っても適用可能である。
つ話を進めてきたが、本特許は他の半導体プロセスであ
っても適用可能である。
発明の効果
以上述べてきた様に、本発明によれば、プロセスの複雑
化なしに、または少しの工程追加によるだけで、比較的
簡単に、良好な青色感度と能く制御されたｈＦＥ値を併
せ持つ受光素子が実現でき、掻めて実用的である。
化なしに、または少しの工程追加によるだけで、比較的
簡単に、良好な青色感度と能く制御されたｈＦＥ値を併
せ持つ受光素子が実現でき、掻めて実用的である。
第１図は本発明の実施例の受光素子の断面図、第２図は
従来例のベースを唯−浅いベースのみで形成した受光素
子の断面図、第３図は従来例のベースを唯−深いベース
のみで形成した受光素子の断面図である。 １・・・・・・浅いベース、２・・・・・・深＜Ｋいベ
ース、３・・・・・・浅いベース、４・・・・・・深い
ベース、５・・・・・・エミッタ、１１・・・・・・コ
レクタ、１２・・・・・・半導体基板、１６・・・・・
・受光窓。
従来例のベースを唯−浅いベースのみで形成した受光素
子の断面図、第３図は従来例のベースを唯−深いベース
のみで形成した受光素子の断面図である。 １・・・・・・浅いベース、２・・・・・・深＜Ｋいベ
ース、３・・・・・・浅いベース、４・・・・・・深い
ベース、５・・・・・・エミッタ、１１・・・・・・コ
レクタ、１２・・・・・・半導体基板、１６・・・・・
・受光窓。
Claims (1)
- 分光感度特性の青色感度の向上の為に浅いベース・コレ
クタ接合を持つ受光部と、エミッタ接地小信号電流増幅
率の安定均一化のためにエミッタ領域周辺のベース部分
が深くなった構造の光信号電流増幅部とを兼備したフォ
トトランジスタよりなる受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284868A JPS62143483A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284868A JPS62143483A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62143483A true JPS62143483A (ja) | 1987-06-26 |
Family
ID=17684070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60284868A Pending JPS62143483A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62143483A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03185879A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-13 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| US5255622A (en) * | 1991-04-12 | 1993-10-26 | Juki Corporation | Overlock sewing machine |
| DE102018107611A1 (de) * | 2018-03-29 | 2019-10-02 | Vishay Semiconductor Gmbh | Fotoempfindliches Halbleiterbauelement, Verfahren zum Bilden eines fotoempfindlichen Halbleiterbauelements |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP60284868A patent/JPS62143483A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03185879A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-13 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| US5255622A (en) * | 1991-04-12 | 1993-10-26 | Juki Corporation | Overlock sewing machine |
| JPH06262A (ja) * | 1991-04-12 | 1994-01-11 | Juki Corp | ロックミシン |
| DE4212272C2 (de) * | 1991-04-12 | 2002-03-07 | Juki Kk | Überwendlich-Nähmaschine |
| DE102018107611A1 (de) * | 2018-03-29 | 2019-10-02 | Vishay Semiconductor Gmbh | Fotoempfindliches Halbleiterbauelement, Verfahren zum Bilden eines fotoempfindlichen Halbleiterbauelements |
| CN111902950A (zh) * | 2018-03-29 | 2020-11-06 | 威世半导体有限公司 | 光敏半导体组件及形成光敏半导体组件的方法 |
| JP2021519519A (ja) * | 2018-03-29 | 2021-08-10 | ヴィシャイ セミコンダクター ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＶｉｓｈａｙ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＧｍｂＨ | 感光性半導体部品、および感光性半導体部品の形成方法 |
| US11876144B2 (en) | 2018-03-29 | 2024-01-16 | Vishay Semiconductor Gmbh | Photosensitive semiconductor component, method for forming a photosensitive semiconductor component |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07280644A (ja) | 赤外線センサアレー及びその製造方法 | |
| US5858810A (en) | Photo sensor and method for forming the same | |
| JPS5812746B2 (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JPH05175537A (ja) | フォトダイオードアレイおよびその製造法 | |
| JPH0430750B2 (ja) | ||
| US4751561A (en) | Dielectrically isolated PMOS, NMOS, PNP and NPN transistors on a silicon wafer | |
| US4649409A (en) | Photoelectric transducer element | |
| JPS61139061A (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JPS62143483A (ja) | 受光素子 | |
| JPH0691228B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05335618A (ja) | 光位置検出半導体装置 | |
| JPH1146010A (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| JPS6154314B2 (ja) | ||
| JPS5996781A (ja) | ホトダイオ−ド | |
| JPH0570945B2 (ja) | ||
| JPS61285760A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS6145862B2 (ja) | ||
| JPS62166561A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH04151874A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2501556B2 (ja) | 光センサおよびその製造方法 | |
| JPH02275680A (ja) | 光半導体集積回路装置 | |
| JPH02216875A (ja) | フォトトランジスタの製造方法 | |
| JPH0391969A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH0391971A (ja) | フォトトランジスタアレイ | |
| JPS6244430B2 (ja) |