JPS62142785A - 選択的化学メツキ法 - Google Patents

選択的化学メツキ法

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JPS62142785A
JPS62142785A JP60285242A JP28524285A JPS62142785A JP S62142785 A JPS62142785 A JP S62142785A JP 60285242 A JP60285242 A JP 60285242A JP 28524285 A JP28524285 A JP 28524285A JP S62142785 A JPS62142785 A JP S62142785A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の背景〕 産業上の利用分野 本発明は、ポリアリーレンスルフィド（ＲＡＳと略称す
る）もしくは同組成物からなる成形物の所定部位に選択
的に化学メッキを施寸方法に関づ゛る。換ａすれば、本
発明は、選択的に化学メッキされたＩ）　Ａ　Ｓ成形物
の製造ｄ１に関Ｊる。
【１１口ＬＬ ＲＡＳ及びｍ紺等で強化したＲＡＳ組成物は耐熱性、耐
薬品性、難燃性、機械的性質、電気的性質のすぐれた新
らしいエンジニアリングプラスヂックとして近年注目を
集めている。これらの１〕ΔＳらしくは同組成物をプリ
ント配！９基板として使用する試みは特開昭５７−９６
５８８号、特開昭５９−３９９１号公報等に開示されて
いる。
一般に、プラスデック基板上にプリント配線するために
は、いわゆるナブトラクティブ法やアディティブ法等が
行なわれているが、工程数が少ないとか高密度配線に適
当である等の理由から、近年化学メッキを使ったアディ
ティブ法による回路形成技術が盛／ｖとなりつつある。
しかし、アディティブ法では、あらかじめＰＡＳ成彫物
のメツキネ要部分を接着インキもしくはマスキングイン
キ等でマスクしたのら化学メッキを行うが、接着インキ
あるいはマスキングインキ等は製造工程中の苛酷な条件
下に十分耐え得るしのでなりればならないという問題点
があり、マスキングインキや接若イン４を使わずにｆｉ
ｌｉ密な回路パターンを選択的に化学メッキにより形成
し得る技術の開発が望まれていた。
一方、直接回路パターンを形成Ｊるアディティブ法とし
てはＰＤ−Ｒ法、フォトフオーム法等も知られているが
、これらはいずれも光照射部分のみにメッキのつくポジ
型の回路パターン形成法であり、スルーボール部分のメ
ッキが困難となる欠点を有していた。
このようなプリント配線に限らず、ＲＡＳ成形物に選択
的に化学メッキを施往るということは、ＲＡＳ成形物が
木質的に有Ｊる多用途性からいって、望ましいことであ
る。
〔発明の概要〕
要　　旨 未発回当等はＰＡＳ成形物上に選択的に化学メッキする
方法について鋭意検討した結果、ＲＡＳ成形物に特定波
長の光を照射すると、その照射部分には化学メッセを行
うことができないことを見出した。この知見に基づきＲ
ＡＳ成形物のメッキを必要としない部分にあらかじめ特
定波長の光を照ＣＩ　したのち化学メツ〜１−を行うこ
とにより、光照射部分にはメッキがつかず光を照射しな
い部分のみメッキすることができ′Ｉ選沢的に［〕ΔＳ
成形物上にメッキする方法を完成した。
寸なわら、本発明による選択的化学メッキ法は、ポリア
リーレンスルフィドもしくはポリアリーレンスルフィド
を主要樹脂成分とする組成物からなる成形物の化学メッ
キに際して、あらかＣめメッキ不用部分に０．１〜８０
０ｎｍの光を照射したのち、化学メッキすること、を特
徴とづ゛るものである。
効　　果 本発明の方法によればＲＡＳ成形物上に特定波長の光を
照射することにより容易に化学メッキにより選択的に回
路に導電性の金属メッキを７４１ことができるので、マ
スキングインキ等を使用することなく極めて容易にかつ
正確にＲＡＳのプリント配線板を製造することができる
。また本方法はネガ型のパターン形成法なので、スルー
ホール部分のメッキも容易という利点を有する。
なお、プリント配線基板の製造は本発明の利用の一例に
すぎず、本発明の方法はＲＡＳ成形物に選択的にメッキ
する必要のある場合に有効に使用することができること
はいうまでもない。
ＲＡＳ成形物に対して特定の波長を照射すればその化学
メッキ性が抑えられるということは思いがけなかったこ
とである。
〔発明の詳細な説明〕
ＲＡＳ成形物 ＲＡＳ 本発明に用いられるＲＡＳは、周知のものである。これ
は、一般に、式＋Ａｒ−８÷の繰り返し単位を主要梠成
単位とするホモポリマーまたはコポリマーである（Ａｒ
はアリーレン基である）。
または架橋結合を含むこともできる。
（Ｒ：アルキル基またはアルコキシ基。特にＣ１特に好
ましく用いられるＲＡＳとしては、ポリマーの主構成単
位としてｐ−フェニレンスルフィド単位＋＠−３＋を９
０モル％以上含有するポリパラフェニレンスルフィド（
ＰＰＳ）及びバラ／メタフェニレンスルフィドブロック
コポリマーがあげられる。
ＰＰＳは１０モル％未満の他の共重合体単位を含んでい
てもよく、このような共重合体単（ヶとしジフェニルケ
トンスルフィド単位 工二ルエーテルスルフイド単位 能単位は１モル％以下が望ましい。
このようなＰＰＳとしては、合目的的な任意の方法によ
って合成されたものを用いることができる。この方法は
、上記のようなジハロ芳香族化合吻とアルカリ金属硫化
物とを好ましくば有゛機アミド溶媒中ｒ：脱ハロゲン化
／硫化反応させることからなる。例えば、米国特許第３
３５４１２９号明細書、特公昭５２−１２２４０号公報
、特願昭５９−１２６７２５号および特願昭５９−１３
４６３３号各明細書等に開示された方法が用いられ、ま
た重合仕上りのポリマーを熱処理して溶融粘度を増加さ
せたものでもよい。
本発明のＲＡＳは、３１０℃／剪断速度２００（秒）−
１の条件で測定した溶融粘度が５０〜ｉ　ｏｏｏｏｏボ
イズの範囲にあることが望ましい。
化学メッキを施寸べきＰＡＳ成形物は、ＰΔＳ単独（各
種のＰＡＳの混合物を包含ザる）からイ＾るものの外に
、ＲＡＳ以外の他の成分を含む１ｆＡｓを主要樹脂成分
とげるＲＡＳ組成物」からなるものでもよい。このよう
なｒ−’　Ａ　Ｓ組成物としては、各種充填剤たとえば
マイカ、Ｔ　ｉ　Ｏ２、ＡＩ　　ＯＣａＣ０カーボン黒
などの粉末２３・　　　　３１ 充填剤等、各種合成樹脂たとえばポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテル
スルホン、ポリニーデルイミド、ポリアリーレン、ポリ
フェニレンエーテル、ポリカーボネート、ポリアルキレ
ンテレフレート、ポリオレフィン、ＡＢＳ、ポリ塩化ビ
ニル、ポリメチルメタクリレート、弗系樹脂等とブレン
ドして用いることができる。これらの樹脂を併用すると
きは、全樹脂成分中の主要部をＰＡＳが占めなげればな
らない。
ＰΔＳ成形物としては、特にＲＡＳと繊維゛状強化剤の
紺合わＵからなるＰΔＳ成形物からなるものが好ましい
。その場合の繊維としては、合成無機繊維（炭素繊維、
ガラス繊維、シリカ繊維、アルミプ繊維、セラミックフ
ァイバー等）、天然無数繊維（ロックウールなど）、合
成石Ｒ繊維（芳香ｈ’Ａアミド繊維、フェノールｖａ維
、セルロース繊維なと）または天然有Ｉｌｌ繊維（バル
ブ、木綿）などのいずれでもよい。特に、耐熱性、強度
、経済性等の点からガラス繊維が好ましい。繊維の形態
は任意であり得るし、その表面を処理したものが有効で
あることは勿論である。
これらの組成物中でＲＡＳは仝休の５０容吊％以」二を
占めることが好ましい。この範囲より少ないとＲＡＳの
特性を十分発揮することができないからである。なＪ３
．８帛％は、各成分の１０ｊｉｌと比重とから泪咋する
ことができる。
本発明に用いるべぎＩ）　Ａ　Ｓ成形物を１１？るため
のＰＡＳまたはＰΔＳ紺成物の成形Ｉｊ法には特に限定
はなく、射出成形、押出成形、圧縮成形＜Ｚどを用いる
ことかできる。なお、本発明で「成形物」という場合は
、ペレット、グラニユール等をら包含り“るものである
。
本発明の方法をプリン１−配線板のｒ！Ａ造に応用する
ならば、射出成形で任意の形状に成形した成形物基板上
に所望の回路パターンを作ることができ、いわゆる三次
元プリント配線板の製造を１！１略かつ容易に行なうこ
とができる。また、シートあるいはフィルム状に成形し
た成形物に対して、本発明の方法を応用するならば、フ
レキシブルプリンｈ配線板の製造がぐさ・ることはいう
＋ｋ　′Ｃ−５ない。
選択的メッキ性のイ」与 本発明による選択的メッキ法の付与は、Ｉ）　Ａ　Ｓ成
形物のメツキネ要部分に特定の波長の光を照射すること
からなる。
照射する光としては、波長が０．１〜８００ｎ　ＩＴ＋
　、好ましくは１９０〜５００ｎｍ、のらのが用いられ
、成形物上に化学メッキが１１谷しなくイνるに十分な
黒用条件が選ばれる。また、［〕△Ｓｂしくはｌ）　Ａ
　Ｓ　Ｉ′ｌ成物に光増感剤を分散さＵてＪ３＜ことに
より照射時間を短縮ザることができる。照射時間は、光
源迄の距離及び光源の強度にもよるが、好ましくは０．
０１秒以Ｆ′Ｃ−１０００時間未満の範囲で行なわれる
。０．０１秒未満では光照射効果が得難く、ｉ　ｏｏｏ
時間以上では生産性が悪くなる。特に好ましくい照射時
間は０．０１秒〜１００時間である。
光源としては、高圧水銀燈、低圧水銀灯、超高圧水銀燈
、クセノンランプ、カーボンアーク灯、豪 蛍光灯、ハロゲンランプ等が適している。ＲＡＳ成形物
に選択的メッキ性を（＝Ｊ与するには、この成形物基板
上に回路等をアルミ箔等でマスクし或いはネガ型のレジ
ストを使用してマスクしてから光を照射する。十分に光
を照射した後、マスクを除き、常法によりカタライジン
グ処理して、化学メッキ処理を行う。光照射は、カタラ
イジング処理を行ったのちに行なってもよい。
また、光照射の前に成形物表面を物理的または科学的に
粗面化処理、例えば機械的研摩または有機溶媒（カルボ
ン酸アミド類、丁−チル類、ケ１〜ン類等）、もしくは
酸化剤（クロム酸、過マンガン酸、硫酸等）あるいはル
イス酸（△ＩＣｌ３．１’ｉＢ　　ＳｂＦ　　５ｎｃｌ
　　　ＢＦ　　雪）の４・　　　　　５・　　　　　　
　４・　　　　３溶液を用いた処理をはとこりことにに
っで表面を粗面化しておくと、化学メッキ処理により形
成される金属層と成形物基板の密着性を高めることがで
きる。このような粗面化処理を行っても、粗面化処理後
に光照射するのであれば光照射の効果が失われることが
ない。
此１ｘユま 化学メッキエ稈のものは、プラスチック、特にＰＡＳ、
に対する慣用のあるいは使用可能なものと本質的には変
らない。
メッキの際の金属には制限はなく、銅、ニッケル、銀、
その他化学メッキ可能な金属がいずれも対象となる。本
発明をアディティブ法によるプリント配線板の製造に応
用する場合は、化学銅メッキが特に有用である。
化学メッキ操作の前にカタライジング処理を行なっでも
よいことは１１す記したところであもあるし、また慣用
の化学メッキ工程の範防に属することでもある。
実　　験　　例 合成実施例１ １０リツトルオー１ヘフレーブにＮ−メチルピロ’）　
ド／　（ＮＭＰ＞４．５Ｋｇと、４６　、０２　ｍｌｉ
ｌ％のＮａ２Ｓを含むＮａ２Ｓ−５１−１２０゜１　、
６９６Ｋｇ（Ｎ　ａ　２　Ｓとして１０モル）とを仕込
み、Ｎ２雰囲気下に徐々に２０２℃まで７？渇しながら
水６８３ｇ、ＮＭＰ４．１７ＳＪおよび０．３１Ｅルの
１−１２８を溜出させた。この場合、系中の水のｈｌは
、Ｎａ２Ｓ　１Ｔニルあたり約１．３３モルである。１
３０°Ｃまで冷却後、バラジクロルベンピン（ＰＤＣＢ
）１．４３９Ｋｇ（Ｐ　Ｄ　ＣＢ　／　Ｎ　ａ　２　Ｓ
モル比１．０１／１．００）、！＝ＮＭＰ０．７５Ｋｇ
とを加エテ、２１０’ＣＦ１０時間重合を行なった。次
いで、この重合スラリーに水４６６ｇをＮ２で圧入しく
余水ｊｉ１とじてＮａ２Ｓ１モルあたり４モルとなる）
、２６０℃に昇温して１０時間重合を続りた。冷７ＪＩ
後、バール状ポリバラフェニレンスルフィド（ＰＰＰＳ
）をＮＭＰ、１）ＰＳオリゴマー等から篩別した。次い
で、脱イオン水でくり返し洗浄し、１００″Ｃ−Ｃ３１
１５間乾燥して、ＰＰＰＳを１９だ。このポリマーの収
率は８８％であり、３１０℃／２００秒−１１：の溶融
粘度は４０００ボイズであった。
以上の方法によって得られたポリマーをポリマーＡとす
る。
合成実施例２ （Ａ）　　１０リツ１〜ルオートクレープにＮ　Ｍ　Ｐ
　４Ｋｇと４５．９重量％のＮａ２Ｓを含むＮａ２Ｓ・
５　Ｎ　　Ｏ１、８７０Ｋｇ　（Ｎ　ａ　２　ＳとしＵ
１１モル）を仕込み、Ｎ２雰囲気下に徐々に２００　’
Ｃまで昇温しながらト１２０　７６２グ、ＮＭＰ７４２
’ｌ　Ｊ３よび９ｇのＨ２Ｓを溜出させた。この場合、
系中の１−１　０のＧ）はＮａ２８１モル当り１．２／
１モルである。１３０℃に冷ｌＪＩ後、メタジクロルベ
ンゼン（ＭＤＣＢ）１５４７！７　（Ｍ−ＤＣＢ、／Ｎ
ａ２Ｓモル比０．９１３／１．００＞、ＮＭＰ２１１０
ｇおよびｌ−１２０５０ｔＪ（Ｎａ２Ｓ１Ｅルあたりの
）−１２０ｆｉｌが１．５モルとなる）を加えて２２０
℃で２１４間重合を行ない、更に２３０℃で７時間重合
を行なった。少量サンプリングしたポリマーの末端ＣＩ
Ｉｆｉから専用した平均重合度は、８０であった。
（：Ｂ）　　２０リツトルオートクレーブにＮＭＰ７．
５に９と４５．９重６１％のＮａ２Ｓを○むＮａ　　Ｓ
・５Ｈ２０３，０６ＯＮ！？（１８モル）を仕込み、Ｎ
２雰囲気下に徐々に２００℃まで昇温して、＋２０　１
．２６Ｅｌ、ＮＭＰｌ、３５４Ｋｙおよびト１２８　１
７．３グを溜出さした。この場合、系内のト１２０ｆｆ
ｉはＮａ２Ｓ　１モル当り１．１７′Ｅルとなる。１４
０℃まで冷却後、ＰＤＣＢ２．６３６Ｋｇ（ＰＤＣＢ／
Ｎａ２８モル比が１．０２５となる）、ＮＭＰ２．５／
（！Ｆおよびｌ−１２０１０３，３ｇ（Ｎａ２Ｓ　　１
’ｃル当りのＨ２Ｏ１ｎが１．５モルとなる）ならびに
（Ａ）で得られたポリメタフェニレンスルフィド（ＰＭ
ＰＳ）スラリー２３１５９　（ＰＭＰＳポリマーを３．
０８７モル含有）を加えて、２２０℃で１０時間重合さ
せた。
その後、更に１］２０を１．２９６ＫｇＪ入しく仝水ｍ
としてＮａ２８　１モル当り５Ｔニルとなる）、２６０
℃で５時開重合を継続した。合成実施例１と同様に後処
理して、溶融粘度１６００ボイズ（３１０℃／２００秒
−１−）のフェニレンスルフィドブロックコポリマーを
収率８５％で１９だ。赤外吸収スペクトルによるバラ／
メタの比は８５／１５であり、ｍ−７エニレンスルフイ
ド繰返し１１１位の鎖長１４０とモル比０．８５とから
３１０し【得られたｐ−７エニレンスルフイド繰返し中
位の鎖長は約４５０であった。
以上によって桿られたポリマーをポリマーＢとづ−　る
　。
実施例１ 上記ポリマーＡおよびＢのそれぞれについて、３１０℃
でプレスし、素速く０℃の水中にて急冷して、厚さ０．
３ｎｍの非晶シートを作成した。
また、この急冷非晶シートを２６０℃Ｘ２０分、加熱し
て結晶化させて、結晶化シートを作成した。
上記非晶シー１−および結晶化シートの表面を回路状に
パターンを描いたネガ形のアルミニウム製マスクでカバ
ーし、ウシオ電気製高圧水銀ｆｆｉＵＭ−１０２（代表
的波長：３０２．２ｎｍ。
３１３．２ｎｍ、３３４．１　ｎｍ、３６５．０ｎｍ、
４０４．７ｎｍ、４３５．８ｎｍ。
５４６．１ｎｍ、５７７．０ｎｍ等）にて光源までの距
離２０ｏ＋＋で１０時間照射した。
その後、アルミニウム製マスクを除き、以下に示す方法
で化学銅メッキを行なった。
各シートの表面全体を下記力タライジンダ液により２５
℃で１０分カタライジング処理し、水洗後、下記化学銅
メッキ液にて０℃で２０分間処理したのち、水洗乾燥し
た。
カタライジング液：　０　、０２０　ｇＰ　ｄ　Ｃ＋　
２　＋０．２！ＪＳｎＣ１＋１０ｄｌ−ＩＩ／ｌ−１２
０全Ｉｉ’１１００＋ｉ！ 化学銅メッキ液：　１．５６ｇＣｕＳＯ４−５４１２０
＋　１　、０　’；ｉ　Ｎ　ａ　ＯＨ−１−５，０ｇＮ
ａＫＣＨ４０・４１−１２０＋１．０ａｌ　３７　％　
’ｉｈ　７Ｌ／　？　！Ｊ　＞　／　Ｉ−１２０全ｆａ
１００Ｆｄ得られた結果は、表工に示ず通りであった。
表　　１ Ｏ：メッキがなされた ×：メッキがなされなかった 上記のように、非晶シー１−であって−し結晶化シー１
−であっても、未照射部分だ番ツメツキされるという選
択的化学メッキが光照射によって行えることがわかる。
実施例２ 実施例１Ｃ用いた試わ１を光照射リ−る前にり１コム酸
で粗面化処理あるいは光照射後にり１］ム酸で粗面化処
理した他は、実施例１と同じ方法によって化学メッキを
行なった。
使用したり［１ム酸の組成は ０、　　２１Ｎａ　　２　Ｃｒ　　２０７　・　２　Ｆ
＋　　２０＋−１００＊ＩＩ　２　Ｓ　Ｏ４て・あり、
粗面化条件は２５℃Ｘ２０分とした。
その結果、光照射前に粗面化処理したものは光照Ｑ＝Ｉ
による選択的メッキ性が１！７られたが、光照射後に粗
面化処理したものは光照射による選択的メツ４：性がｉ
ｎられなかった。
実施例３ 上記ポリマーΔおよびＢに４０千足％のガラスファイバ
ーを添加したもの、ならびに市販フィリップス社［ライ
ドンＰＰ５Ｊ　　（グレードＲ−４）について、樹脂温
８３４０℃／金型温度１３０℃／射出圧１０００　Ｋ’
Ｊ　／　ｃｎｉの条件で射出成形を行なって、ｊワざ３
ｍｍ×１０ｃｍ×１２ｃｍの今１出成形板を作成した。
得られたｌＪ４出成形板をアビ１〜ンで洗浄後、クロム
酸で粗面化処理し、実施例１ど同じ方法で光照射して、
化学銅メッキを行なった。
得られた結果は、表■に示す通りであった。
表　　■ ○：メッキがなされた ×：メッキがなされなかった 一Ｆ記のように、ガラスファイバー入りの成形物に対し
ても光照射によって選択的化学メッキが行なえることが
わかる。また、市販のＰＰＳについても本発明が有効で
あることがわかる。
実施例４ ポリマーΔＪ３　Ｊ：びＢをホットプレスで３３０℃で
溶ｔｌ！プレスし、タミ冷して、厚さ０．２５ｍｍのシ
ー１〜状成形物を調製した。これをフィルム・ストレッ
チ１／−で縦、横３．５倍ずつの同時二軸延伸をして、
二軸延伸配向フィルムを作った。この周辺を７０ｍｍＸ
７０ｍの金枠で固定し、２６０℃で１０分間熱固定して
、熱固定フィルムとした。
この熱固定フィルムを用いて実施例１と同じ方法で光照
射化学メッキを行なった。
ぞの結果、ポリマーＡ　Ｊ３よび［３のいずれのポリマ
ーを使った熱固定フィルムでも光照ｑ・１による選択的
化学メッキがｉｑられた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ポリアリーレンスルフィドもしくはポリアリーレンスル
    フィドを主要樹脂成分とする組成物からなる成形物の化
    学メッキに際して、あらかじめメッキ不用部分に０．１
    〜８００ｎｍの光を照射したのち、化学メッキすること
    を特徴とする、選択的化学メッキ法。
JP60285242A 1985-12-18 1985-12-18 選択的化学メッキ法 Expired - Lifetime JPH0684543B2 (ja)

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