JPS62142388A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS62142388A JPS62142388A JP28468785A JP28468785A JPS62142388A JP S62142388 A JPS62142388 A JP S62142388A JP 28468785 A JP28468785 A JP 28468785A JP 28468785 A JP28468785 A JP 28468785A JP S62142388 A JPS62142388 A JP S62142388A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonators
- resonator
- semiconductor laser
- light emitting
- electrodes
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザ装置に関し、特に１枚のウェハ
からとれる良品チップの数を高めるいわゆる歩留り同上
対策に関するものである、〔従来の技術〕 第２図は従来の半環体レーザチップのレーザチップの共
振器断面を示す概略図であり、図において（１）はワイ
ヤボンディング用上側電極、（２）はダイポジディジグ
下側電極、（：３目ま半導体レーザチップの基板、（４
１は基板上のエビ成長層で通常この中にダブルへテロ構
造のエビ成長が為され、又チップ中央附近Ｃ電流を集中
させる１本のストライプが設けられて１個の共振器をな
している。このストライプの形状には各種の構造が提案
・実現されており、代表的なものにＣ３Ｐ、ＴＪＳレー
ザなどがある。＋５１はそのストライプに通電した時に
出来る発光部であり、矢印は電流の通路を示す。（６１
は金属細線である。
からとれる良品チップの数を高めるいわゆる歩留り同上
対策に関するものである、〔従来の技術〕 第２図は従来の半環体レーザチップのレーザチップの共
振器断面を示す概略図であり、図において（１）はワイ
ヤボンディング用上側電極、（２）はダイポジディジグ
下側電極、（：３目ま半導体レーザチップの基板、（４
１は基板上のエビ成長層で通常この中にダブルへテロ構
造のエビ成長が為され、又チップ中央附近Ｃ電流を集中
させる１本のストライプが設けられて１個の共振器をな
している。このストライプの形状には各種の構造が提案
・実現されており、代表的なものにＣ３Ｐ、ＴＪＳレー
ザなどがある。＋５１はそのストライプに通電した時に
出来る発光部であり、矢印は電流の通路を示す。（６１
は金属細線である。
次（：動作（二ついて説明する。ワイヤ（６）を通じて
上側電極Ｉｌｌと下側電極（２）にバイアスを加える事
により（４）のエビ成長層中のストライプに電流が集中
し、共振器の端面から発光し、発光部＋５１が出来る。
上側電極Ｉｌｌと下側電極（２）にバイアスを加える事
により（４）のエビ成長層中のストライプに電流が集中
し、共振器の端面から発光し、発光部＋５１が出来る。
この発光部は、数）ｔｒｒ？程度の大きさで、通常のチ
ップサイズ数μｍｏよりかなり小さく、エビ成長面積の
うちわずか百分の１程度しか発光ストライプ部になり得
ないが、しかしながら上記チップサイズはチップを封止
する際の取り扱いの都合上、上記数百ｐ ｍｏより小さ
くすることはできないものである。
ップサイズ数μｍｏよりかなり小さく、エビ成長面積の
うちわずか百分の１程度しか発光ストライプ部になり得
ないが、しかしながら上記チップサイズはチップを封止
する際の取り扱いの都合上、上記数百ｐ ｍｏより小さ
くすることはできないものである。
従来の半導体レーザ装置は以上の様に構成されて、発光
部（５）となる部分でのエビ成長層（４）の層厚の均−
性及び結晶性が非常（：要求されるので、製造バラツキ
等の理由から１枚のウエノ＼からとれる良品チップの数
が少なくなるという問題点力；あった。
部（５）となる部分でのエビ成長層（４）の層厚の均−
性及び結晶性が非常（：要求されるので、製造バラツキ
等の理由から１枚のウエノ＼からとれる良品チップの数
が少なくなるという問題点力；あった。
この発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもの
で、歩留り向上Ｃ二寄与する構造の半導体レーザ装置を
得ることを目的とする。
で、歩留り向上Ｃ二寄与する構造の半導体レーザ装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、１個の半導体レー
ザチップ内に同一積層構造の複数の共振器を各々独立し
て設け、これら複数の共振器上の各々に互いに電気的に
分離した電極を設けたものである。
ザチップ内に同一積層構造の複数の共振器を各々独立し
て設け、これら複数の共振器上の各々に互いに電気的に
分離した電極を設けたものである。
この発明に於る半導体レーザ装置は、１個の半導体レー
ザチップ内に複数の共振器を設けてｌ／入るので、これ
らの共振器の中から最も特性の優れた共振器を選択して
使用することが可能となる。
ザチップ内に複数の共振器を設けてｌ／入るので、これ
らの共振器の中から最も特性の優れた共振器を選択して
使用することが可能となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（７）はチップサイズが第２図のものと同
様の数百μｍ１の半導体レーザチップであり、この半導
体レーザチップ（７）（二おいて、（８１は半導体基板
、＋９１ （ＩＩはこの半導体基板（８１の主面上にエ
ツチング溝を挾んで各々独立して設けられた同一層構造
のエビ成長層よりなる左右２つの共振器、ａυα３はこ
れら２つの共振器Ｆ９１ Ｃ１ｌ上の各々に互いに電気
的に分離されて設けられた左右２つの上側電極、Ｃ９は
上記半導体基板（８）の裏面全面に設けられた下側電極
、Ｃ４）霞は左右の上側電極αυ（１２１と下側電極（
１３１との間に順方向電圧を印加したときに形成される
であろう左右の発光部である。ＩＩ均は半導体レーザチ
ップ（７）の上記左右の上側電極ａｉｏｔｚのうちのよ
り優れた特性を有する共振器上の１個にのみ〔この例で
は右の上側電極α２〕電気的に接続され他の電極αυは
開放状態とされる金属細線である。
図において、（７）はチップサイズが第２図のものと同
様の数百μｍ１の半導体レーザチップであり、この半導
体レーザチップ（７）（二おいて、（８１は半導体基板
、＋９１ （ＩＩはこの半導体基板（８１の主面上にエ
ツチング溝を挾んで各々独立して設けられた同一層構造
のエビ成長層よりなる左右２つの共振器、ａυα３はこ
れら２つの共振器Ｆ９１ Ｃ１ｌ上の各々に互いに電気
的に分離されて設けられた左右２つの上側電極、Ｃ９は
上記半導体基板（８）の裏面全面に設けられた下側電極
、Ｃ４）霞は左右の上側電極αυ（１２１と下側電極（
１３１との間に順方向電圧を印加したときに形成される
であろう左右の発光部である。ＩＩ均は半導体レーザチ
ップ（７）の上記左右の上側電極ａｉｏｔｚのうちのよ
り優れた特性を有する共振器上の１個にのみ〔この例で
は右の上側電極α２〕電気的に接続され他の電極αυは
開放状態とされる金属細線である。
第１図に示す半導体レーザチップ（７）は、電気的光学
的に分離された２つの発光部ａ４Ｊ（１５１をもってい
るが、通常エビ成長の不均一性から２つのレーザ特性は
異っており、極端な場合２つのうちＩ／）づれかが発振
しない時もある。そこで２つのうち共振器選別（二より
発振しない値の低い方を選びだし、ワイヤポジディング
したものである。この時発振しない値の大きい方をイン
カー（二より印をつけておくと、認識しやすい。
的に分離された２つの発光部ａ４Ｊ（１５１をもってい
るが、通常エビ成長の不均一性から２つのレーザ特性は
異っており、極端な場合２つのうちＩ／）づれかが発振
しない時もある。そこで２つのうち共振器選別（二より
発振しない値の低い方を選びだし、ワイヤポジディング
したものである。この時発振しない値の大きい方をイン
カー（二より印をつけておくと、認識しやすい。
なお、上記実施例に於ては１個のチップ（７）内（：形
成される共振器の数を２個としたが、これシー限られる
ものではな（、包数であれば何個であっても同様の効果
が得られるものである。
成される共振器の数を２個としたが、これシー限られる
ものではな（、包数であれば何個であっても同様の効果
が得られるものである。
以上のよう（二この発明によれば、１個の半導体レーザ
チップ内に同−積層構造の複数の共振器を各々独立して
設け、これら複数の共振器上の各々（二互い（二電気的
Ｃ二分離した電極を設けているので、上記複数の共振器
の中から最も特性の優れた共振器を選択して使用するこ
とが可能となるから、１枚のウェハからとれる良品チッ
プの数が高められるという効果がち８゜
チップ内に同−積層構造の複数の共振器を各々独立して
設け、これら複数の共振器上の各々（二互い（二電気的
Ｃ二分離した電極を設けているので、上記複数の共振器
の中から最も特性の優れた共振器を選択して使用するこ
とが可能となるから、１枚のウェハからとれる良品チッ
プの数が高められるという効果がち８゜
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す断面図、第２図は従来の半導体レーザ装置の断面図
である。 図（二於て、（７）は半導体レーザチップ、（８）は半
導体基板、＋９１０１は共振器、αυ（１２１は電極で
ある。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
示す断面図、第２図は従来の半導体レーザ装置の断面図
である。 図（二於て、（７）は半導体レーザチップ、（８）は半
導体基板、＋９１０１は共振器、αυ（１２１は電極で
ある。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体基板上に各々独立して設けられた複数の同
一積層構造の共振器と、これら複数の共振器上の各々に
互いに電気的に分離されて設けられた電極とを１個の半
導体レーザチップ内に備えたことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28468785A JPS62142388A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28468785A JPS62142388A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142388A true JPS62142388A (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=17681677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28468785A Pending JPS62142388A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62142388A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5198883A (en) * | 1988-08-06 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an improved lead arrangement and method for manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6094783A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置及び製造方法 |
-
1985
- 1985-12-17 JP JP28468785A patent/JPS62142388A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6094783A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置及び製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5198883A (en) * | 1988-08-06 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an improved lead arrangement and method for manufacturing the same |
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