JPS62141750A - 半導体装置の結線用導体 - Google Patents

半導体装置の結線用導体

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JPS62141750A
JPS62141750A JP60284057A JP28405785A JPS62141750A JP S62141750 A JPS62141750 A JP S62141750A JP 60284057 A JP60284057 A JP 60284057A JP 28405785 A JP28405785 A JP 28405785A JP S62141750 A JPS62141750 A JP S62141750A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、パワートランジスタ、サイリスク、［Ｃ５
ＬＳＩ等の半導体装置の結線用導体に関する。
［従来の技術］ 従来、半導体装置の結線用導体としては、高純度アルミ
ニウム、Ａ１−１％Ｓｉ合金等からなるアルミニウム合
金線や、金線が用いられてきた。
これらの線は、第３図において参照番号１で示すような
単層構造である。
成る程度の大きさの電流値が流れるたとえばパワートラ
ンジスタ等の半導体装置では、誤って過電流が流れた場
合、単に個々のトランジスタ等の半導体装置が破ｌｔ１
するのみならず、他の半導体装置を含む電子機器全体が
損傷してしまうおそれがある。そのため、そのような過
電流に対処するために、従来では、電子機器の回路にヒ
ユーズ橢能を有する装置を組み込んだりしている。
［発明が解決しようとする問題点］ 小型化が要望される半導体装置では、ヒューズ機能を有
する装置を別に設けるのは好ましいものではなく、でき
れば結線用導体にヒユーズ機能をもたせたい。しかし、
従来の結線用導体の材料である金やアルミニウムはその
融点が高く、過電流が流れても溶融しにくい。すなわち
、金の融点は１０６３℃であり、高純度アルミニウムの
融点は６６０℃である。一方、はんだ等の低融点金属で
あれば過電流が流れたとき溶融してヒユーズ機能を発揮
するであろうが、パワートランジスタ等の半導体装置の
結線用導体としては不適である。なぜなら、そのような
低融点金属はＳ電率が低く、強度も不足し、さらには結
線作業に困難性を伴うからである。
それゆえに、この発明の目的は、それ自身がヒユーズ機
能を有する半導体装置の結線用導体を提供することであ
る。
［問題点を解決するための手段および作用効果］この発
明に従った半導体装置の結線用導体は、第１図に示すよ
うに芯材２と、該芯材２のまわりを囲む外被材３とから
なる。そして、芯材２は融点が４５０℃以下の材料から
作られ、外被材３は、銅または銅合金から作られている
。
したがって、過電流が導体に流れたときには、芯材２が
溶融し、その結果体積膨張が起こり外被材３を破り、導
体が断線する。このように、この発明に従った結線′用
導体は、それ自体がヒユーズ機能を有しているので、ヒ
ユーズ機能を有する装置を別に組み込む必要がなく、半
導体装置の小型化を図ることができる。また、外被材３
が銅または銅合金から作られているので、第３図に示し
たような従来の単層構造の高純度銅からなる導体や銅合
金からなる導体に比べても、導電率の低下はほとんどな
い。同様に１機械的？Ａ度に関しでも、単層構造の高純
度銅や銅合金からなる導体に比べて、遜色はない。さら
に、外被材３が銅または銅合金から作られていることか
ら、ボンディング特性が良好である。
第１図に示した実施例では、芯材２が１本であったが、
芯材の数は複数本であってもよい。たとえば、第２図に
示した他の実施例では、芯材４が３本あり、そのまわり
を外被材５で囲んでいる。
芯材２，４を構成する材料として、融点が４５０℃以下
のものを用いるのは、過電流が流れたときにそのような
低融点材料が確実に溶融するためである。芯材２，４を
構成する材料ば、たとえば、ビスマス、鉛、カドミウム
、！Ｔ！鉛、錫からなる群から選ばれた金属またはその
合金である。共立出版株式会社発行の化学大辞典によれ
ば、ビスマスの融点は２７１．３℃、鉛の融点は３２７
．４℃、カドミウムの融点は３２０．９℃、亜鉛の融点
は４１９℃、錫の融点は２３１．９℃である。
〔実施例］ 高純度鋼管内に、以下の第１表の「芯材」の欄に示すよ
うな組成の低融点金属または合金を鋳造し、直径１８１
の鋼被覆低融点線材を作成した。
この線材における銅の断面積比は、約８０％であった。
この線材を伸線加工し、直径２００　ｕｍの線にした。
このようにして得られた線の導電率は約８０％■Ａｃｓ
であり、結線用の導体として十分な値であった。
上記線材をパワートランジスタの入力側結線用導体とし
て、超音波ボンディングにより結線してパワートランジ
スタを試乍した。そして、これに１０Ａの過電流を流し
て、溶断までの時間を測定した。この測定結果が第１表
に示される。
在校のために、純度９９．９９９％の銅からなる単層構
造の導体を用いて、同様にｒ８断までの時間を測定した
。この結果も第１表に示される。
第１表から明らかなように、本発明例である試料番号１
〜５の導体は、良好なヒユーズ機能を発揮した。
（以下余白） 第１表
【図面の簡単な説明】 第１図は、この発明の一実施例を示す断面図である。第
２図は、この発明の他の実施例を示す断面図である。 第３図は、従来の結線用導体を示す断面図ぐある。 図において、２は芯材、３は外被材を示づ一０特許出願
人　住友電気工業株式会社 １−＋り 第１図　　　　　第２図 第３図 手続補正層 昭和６１年２月１２日

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）芯材と、該芯材のまわりを囲む外被材とからなり
    、 前記芯材は融点が４５０℃以下の材料から作られ、 前記外被材は、銅または銅合金から作られている、半導
    体装置の結線用導体。
  2. （２）前記芯材の数は１本である、特許請求の範囲第１
    項に記載の半導体装置の結線用導体。
  3. （３）前記芯材の数は複数本である、特許請求の範囲第
    １項に記載の半導体装置の結線用導体。
  4. （４）前記芯材を構成する材料は、ビスマス、鉛、カド
    ミウム、亜鉛、錫からなる群から選ばれた金属またはそ
    の合金である、特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
    ずれかに記載の半導体装置の結線用導体。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0332033A (ja) * 1989-06-29 1991-02-12 Hitachi Ltd 電子装置
WO2001061718A1 (de) * 2000-02-17 2001-08-23 Robert Bosch Gmbh Halbleiter-leistungsbauelement mit schmelzsicherung

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