JPS63266035A - ヒユ−ズ用導体 - Google Patents
ヒユ−ズ用導体Info
- Publication number
- JPS63266035A JPS63266035A JP10105887A JP10105887A JPS63266035A JP S63266035 A JPS63266035 A JP S63266035A JP 10105887 A JP10105887 A JP 10105887A JP 10105887 A JP10105887 A JP 10105887A JP S63266035 A JPS63266035 A JP S63266035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- conductor
- fuse
- wire
- melting point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 48
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 48
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 abstract 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000001270 Allium sibiricum Nutrition 0.000 description 1
- 229910018170 Al—Au Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000219112 Cucumis Species 0.000 description 1
- 235000015510 Cucumis melo subsp melo Nutrition 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N [4,6-bis(cyanoamino)-1,3,5-triazin-2-yl]cyanamide Chemical compound N#CNC1=NC(NC#N)=NC(NC#N)=N1 FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000634 wood's metal Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/05—Component parts thereof
- H01H85/055—Fusible members
- H01H85/06—Fusible members characterised by the fusible material
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、定格以上の過電流が流れたときに瞬時に断
線するように機能するヒユーズ用導体に関するものであ
る。
線するように機能するヒユーズ用導体に関するものであ
る。
[従来の技術]
日本金属学会編集「金属便覧(昭和57年12月20日
改訂第4版p、1007)Jに記載されているように、
ヒユーズとしては、従来pb、znまたはPb−Sn合
金が通常用いられている。
改訂第4版p、1007)Jに記載されているように、
ヒユーズとしては、従来pb、znまたはPb−Sn合
金が通常用いられている。
これらの金属または合金からなるヒユーズ用導体は、過
電流のジュール熱によって溶断して電気回路を開く。外
気温に左右されずに溶断電流を精密に決めようとする場
合には、タングステン線からなるヒユーズ用導体が使用
されることもある。また、加熱雰囲気の過熱によって溶
断するタイプのヒユーズには、低温で溶融するウッドメ
タルが利用されている。
電流のジュール熱によって溶断して電気回路を開く。外
気温に左右されずに溶断電流を精密に決めようとする場
合には、タングステン線からなるヒユーズ用導体が使用
されることもある。また、加熱雰囲気の過熱によって溶
断するタイプのヒユーズには、低温で溶融するウッドメ
タルが利用されている。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、上述したようなヒユーズ用導体を、半導
体装置や電子部品にヒユーズ機能を付加するのに用いる
場合、使用可能な程度の細線や極細線にまで伸線加工を
施すことが困難である。そのため、ヒユーズ機能を有す
る別の装置をそれらの装置や部品を組み込んだ電子機器
の回路に組み込んでいるのが現状である。あるいは、上
述のようなヒユーズ用導体が板状や太線で使用されてお
り、部分的にノツチを入れるなどしてその断面積を減じ
ていた。
体装置や電子部品にヒユーズ機能を付加するのに用いる
場合、使用可能な程度の細線や極細線にまで伸線加工を
施すことが困難である。そのため、ヒユーズ機能を有す
る別の装置をそれらの装置や部品を組み込んだ電子機器
の回路に組み込んでいるのが現状である。あるいは、上
述のようなヒユーズ用導体が板状や太線で使用されてお
り、部分的にノツチを入れるなどしてその断面積を減じ
ていた。
Al、A1合金、CuまたはCu合金からなる細線や極
細線をヒユーズ用導体として使用することもあるが、そ
のようなヒユーズ用導体は過電流に対して溶断しにくか
った。
細線をヒユーズ用導体として使用することもあるが、そ
のようなヒユーズ用導体は過電流に対して溶断しにくか
った。
そこで、この発明は、溶断特性に優れ、かつ伸線加工性
に優れたヒユーズ用導体を提供することを目的とする。
に優れたヒユーズ用導体を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段〕
この発明に従ったヒユーズ用導体は、Aαを0゜01〜
10重量%、AuおよびAgのうちのいずれか一方を0
.01〜60重量96含有し、その残部がPbs si
、In5Cd、Sb、Snを含む群から選ばれた少なく
とも1種または2種以上の金属となっているものである
。
10重量%、AuおよびAgのうちのいずれか一方を0
.01〜60重量96含有し、その残部がPbs si
、In5Cd、Sb、Snを含む群から選ばれた少なく
とも1種または2種以上の金属となっているものである
。
[発明の作用効果]
Pb、Bis Ins Cd55bs Snの金属(
以下、低融点金属と称する)にAuまたはAgを添加し
た合金は、低融点金属自体に比べて引弓長強さが向にす
る。これらの合金は融点も低融点金属自体に比べて、さ
ほど高くはない。ところが、AuまたはAgの含有口が
多くなると、融点が上昇してヒユーズ用導体に適さなく
なる。そのためAuまたはAgの含kmはある範囲内に
抑える必要がある。また、これらの合金は溶断特性にも
優れていることが認められる。そこで、これらの特性を
利用して低融点金属とAuまたはAgとからなる合金細
線をヒユーズ用導体として得ることが望まれる。合金細
線を得る方法の1つとして、合金の溶湯を細流状にして
噴射し、凝固させることにより得ることが考えられる。
以下、低融点金属と称する)にAuまたはAgを添加し
た合金は、低融点金属自体に比べて引弓長強さが向にす
る。これらの合金は融点も低融点金属自体に比べて、さ
ほど高くはない。ところが、AuまたはAgの含有口が
多くなると、融点が上昇してヒユーズ用導体に適さなく
なる。そのためAuまたはAgの含kmはある範囲内に
抑える必要がある。また、これらの合金は溶断特性にも
優れていることが認められる。そこで、これらの特性を
利用して低融点金属とAuまたはAgとからなる合金細
線をヒユーズ用導体として得ることが望まれる。合金細
線を得る方法の1つとして、合金の溶湯を細流状にして
噴射し、凝固させることにより得ることが考えられる。
しかし、この方法によれば、AuまたはAgの含有量が
1屯11ut6を越えると連続細線を得ることが困難で
、数十cmの細線状のものしか得られなかった。
1屯11ut6を越えると連続細線を得ることが困難で
、数十cmの細線状のものしか得られなかった。
そこで、本発明者は種々の元素を添加して上記方法によ
る連続細線の製造を試みた。その結果、低融点金属とA
uまたはAgとの合金にAflを添加すると連続細線が
製造可能であることがわかった。このとき、A込の含有
量が多くなると、かえって連続細線の製造が困難になる
こともわかった。
る連続細線の製造を試みた。その結果、低融点金属とA
uまたはAgとの合金にAflを添加すると連続細線が
製造可能であることがわかった。このとき、A込の含有
量が多くなると、かえって連続細線の製造が困難になる
こともわかった。
そのためAuの含有量はある範囲内に抑える必要がある
。また得られた細線の伸線加工性は良好で、さらに極細
線に加工することが可能である。さらに、低融点金属と
AuまたはAgとの合金が持つ良好な溶断特性をも損な
うことはない。この発明は、このような本願発明者の知
見に基づくものである。
。また得られた細線の伸線加工性は良好で、さらに極細
線に加工することが可能である。さらに、低融点金属と
AuまたはAgとの合金が持つ良好な溶断特性をも損な
うことはない。この発明は、このような本願発明者の知
見に基づくものである。
したがって本発明によるヒユーズ用導体はAQ。
が0.01〜10fffu%、AuまたはAgが0゜0
1〜60重口%、その残部が少なくとも1Mまたは2種
以上の低融点金属となっているものである。Aαの含M
Ei1を0.01〜10重量96としたのは、Ag瓜が
0.01重量%未満では連続細線の製造を容易にする効
果がなく、逆に10重量96を越えると、かえって連続
細線の製造を困難にするからである。AuまたはAgの
含有量が0.01重量96未満てはヒユーズ用導体とし
て要する引張強さの向上に寄与する効果が小さく、60
重量%を越えると、その組成において完全に液相になる
温度が700℃を越え、ヒユーズ用導体として適した融
点温度を越えるものとなる。
1〜60重口%、その残部が少なくとも1Mまたは2種
以上の低融点金属となっているものである。Aαの含M
Ei1を0.01〜10重量96としたのは、Ag瓜が
0.01重量%未満では連続細線の製造を容易にする効
果がなく、逆に10重量96を越えると、かえって連続
細線の製造を困難にするからである。AuまたはAgの
含有量が0.01重量96未満てはヒユーズ用導体とし
て要する引張強さの向上に寄与する効果が小さく、60
重量%を越えると、その組成において完全に液相になる
温度が700℃を越え、ヒユーズ用導体として適した融
点温度を越えるものとなる。
また、この発明に従った合金の組成において、pb以外
の低融点金属を1種または2種以上含宵するとき、以下
に示す範囲内の含を量が好ましく、伸線加工性、溶断特
性が優れている。
の低融点金属を1種または2種以上含宵するとき、以下
に示す範囲内の含を量が好ましく、伸線加工性、溶断特
性が優れている。
Bi:0.01〜50重量%
Into、01〜30重量%
Cd:0.01〜20重量%
Sb;0.01〜15重塁%
Sn:0.01〜40重量%
さらに、これらの上記低融点金属の含6量をL記範囲内
で変化させることにより、用途に合わせたヒユーズ用導
体としての融点温度の調整を行なうことができる。
で変化させることにより、用途に合わせたヒユーズ用導
体としての融点温度の調整を行なうことができる。
以上のように、この発明のヒユーズ用導体は、溶断特性
に優れ、かつ伸線加工性にも優れている。
に優れ、かつ伸線加工性にも優れている。
また、細線や極細線への加工が可能であることから、ヒ
ユーズ用導体として高抵抗値が要求され、かつ細線や極
細線であることを必要とするような分野に有効に利用さ
れる。特に、半導体装置(IC,)ランジスタ等)や電
子部品(コンデンサ等)に本来持つ機能にヒユーズ機能
を付加したい場合等に有効に利用される。このとき、こ
れまで半導体装置や電子部品と別に電子機器の回路に組
み込まれてあったヒユーズ機能ををする装置が不要とな
る。そのため、部品点数の低減につながり、高信頼性の
電子機器の製造が可能となる。
ユーズ用導体として高抵抗値が要求され、かつ細線や極
細線であることを必要とするような分野に有効に利用さ
れる。特に、半導体装置(IC,)ランジスタ等)や電
子部品(コンデンサ等)に本来持つ機能にヒユーズ機能
を付加したい場合等に有効に利用される。このとき、こ
れまで半導体装置や電子部品と別に電子機器の回路に組
み込まれてあったヒユーズ機能ををする装置が不要とな
る。そのため、部品点数の低減につながり、高信頼性の
電子機器の製造が可能となる。
[実施例1]
第1表に示す組成からなる合金の溶湯を細流状にして冷
却媒体に噴射し、凝固させることによって直径200μ
mφの合金線を得た。さらに、これらの合金線を直径1
00μmφまで伸線した。
却媒体に噴射し、凝固させることによって直径200μ
mφの合金線を得た。さらに、これらの合金線を直径1
00μmφまで伸線した。
得られた合金線に電流を流して溶断特性を調べた。この
とき溶断特性の評価はIOA以下の所定の電流を流した
ときの溶断するまでの時間によって行なった。したがっ
て溶断するまでの時間が短いほど、溶断特性が優れてい
ることになる。
とき溶断特性の評価はIOA以下の所定の電流を流した
ときの溶断するまでの時間によって行なった。したがっ
て溶断するまでの時間が短いほど、溶断特性が優れてい
ることになる。
本発明例No、1−No、8の組成からなる合金線は0
.3〜IOAまでの所定の電流を流したときに瞬時に溶
断した。比較のため、従来例として同径のAm線を用い
て同様に溶断特性を調査した。このときAl線は7〜I
OAまでの所定の電流を流したときに1秒以内で溶断し
た。」−記結果から、本発明による低融点金属とAQと
Auとの合金からなるヒユーズ用導体は、はるかに優れ
た溶断特性を示すことがわかる。
.3〜IOAまでの所定の電流を流したときに瞬時に溶
断した。比較のため、従来例として同径のAm線を用い
て同様に溶断特性を調査した。このときAl線は7〜I
OAまでの所定の電流を流したときに1秒以内で溶断し
た。」−記結果から、本発明による低融点金属とAQと
Auとの合金からなるヒユーズ用導体は、はるかに優れ
た溶断特性を示すことがわかる。
また、第1表に示すように比較例No、9〜No、13
の組成からなる合金線、すなわちA〔またはAuの含h
−mが本発明例による上下限値を越えた組成からなる合
金線、またはSnの含宵量が好ましい範囲の上限値を越
えた組成からなる合金線は、直径200μmφの連続線
を得ることができなかった。
の組成からなる合金線、すなわちA〔またはAuの含h
−mが本発明例による上下限値を越えた組成からなる合
金線、またはSnの含宵量が好ましい範囲の上限値を越
えた組成からなる合金線は、直径200μmφの連続線
を得ることができなかった。
(以下余白)
第1表
(注)へ二連続線が得られた。
B:連続線が1qられなかった。
C:粒状のらのしか得られなかった。
[実施例2]
第2表に示す組成からなる合金を用いて実施例1と同様
の方法により直径100μmφの合金線を得た。そして
、得られた合金線の溶断特性を実施例1と同様な評価方
法で調べた。
の方法により直径100μmφの合金線を得た。そして
、得られた合金線の溶断特性を実施例1と同様な評価方
法で調べた。
本発明例No、14〜No、21の組成からなる合金線
は0.3〜IOAまでの所定の電流を流したときに瞬時
に溶断した。比較のため、従来例として同径のAm線を
用いて同様に溶断特性を調査した。このときAm線は7
〜IOAまでの所定の電流を流したときに1秒以内で溶
断した。上記結果から、本発明による低融点金属とAQ
とAgとの合金からなるヒユーズ用導体は、はるかに優
れた溶断特性を示すことがわかる。
は0.3〜IOAまでの所定の電流を流したときに瞬時
に溶断した。比較のため、従来例として同径のAm線を
用いて同様に溶断特性を調査した。このときAm線は7
〜IOAまでの所定の電流を流したときに1秒以内で溶
断した。上記結果から、本発明による低融点金属とAQ
とAgとの合金からなるヒユーズ用導体は、はるかに優
れた溶断特性を示すことがわかる。
また、第2表に示すように比較例No、22〜No、2
6の組成からなる合金線、すなわちAQ。
6の組成からなる合金線、すなわちAQ。
またはAgの含何二が本発明例による上下限値を越えた
組成からなる合金線、またはSnの含a量が好ましい範
囲の上限値を越えた組成からなる合金線は直径200μ
mφの連続線を得ることができなかった。
組成からなる合金線、またはSnの含a量が好ましい範
囲の上限値を越えた組成からなる合金線は直径200μ
mφの連続線を得ることができなかった。
第2表
(fl)A:連続線が4!7られた。
B:連続線が得られなかった。
C:粒状のものしか111られなかった。
[実施例3]
第1表に示すNo、3の組成からなるPb−Aσ−Au
合金を用いて実施例1と同様の方法で直径200μmφ
の合金線にし、さらに直径150μmφまで伸線した。
合金を用いて実施例1と同様の方法で直径200μmφ
の合金線にし、さらに直径150μmφまで伸線した。
得られた合金線をパワートランジスタの入力側結線用導
体として用いて、超音波ボンディングにより結線しパワ
ートランジスタを試作した。このパワートランジスタに
定r6電流値の10倍の電流を流したところ、瞬時に入
力側結線用導体のみが溶断し、周囲の配線に過電流が流
れることを防止した。
体として用いて、超音波ボンディングにより結線しパワ
ートランジスタを試作した。このパワートランジスタに
定r6電流値の10倍の電流を流したところ、瞬時に入
力側結線用導体のみが溶断し、周囲の配線に過電流が流
れることを防止した。
[実施例4]
第2表に示すNo、15の組成からなるpb−Ai−A
g合金を用いて実施例1と同様の方法で直径200μm
φの合金線にし、さらに直径150μmφまで伸線した
。得られた合金線を実施例3と同様にパワートランジス
タに用いて定格電流値の10倍の電流を流したところ、
瞬時に入力側結線用導体のみが溶断し、周囲の配線に過
電流が流れることを防11−シた。
g合金を用いて実施例1と同様の方法で直径200μm
φの合金線にし、さらに直径150μmφまで伸線した
。得られた合金線を実施例3と同様にパワートランジス
タに用いて定格電流値の10倍の電流を流したところ、
瞬時に入力側結線用導体のみが溶断し、周囲の配線に過
電流が流れることを防11−シた。
[実施例5]
第1表に示すNo、2の組成からなるPb−Al−Au
合金を用いて実施例1と同様の方法で直径200μmφ
の合金線にし、さらに直径70μmφまで伸線した。得
られた合金線を用いてヒユーズ機能を内蔵したコンデン
サを試作した。このときヒユーズ用導体の特性として、
引張り荷重が20g5電気抵抗値が50mΩ/mm、溶
断電流(1秒以内に溶断するのに必要な最低電流)が0
゜25Aである直径70μmの上記合金線を用いた。
合金を用いて実施例1と同様の方法で直径200μmφ
の合金線にし、さらに直径70μmφまで伸線した。得
られた合金線を用いてヒユーズ機能を内蔵したコンデン
サを試作した。このときヒユーズ用導体の特性として、
引張り荷重が20g5電気抵抗値が50mΩ/mm、溶
断電流(1秒以内に溶断するのに必要な最低電流)が0
゜25Aである直径70μmの上記合金線を用いた。
このようなヒユーズ用導体を内蔵したコンデンサに定格
電圧値の5倍の電圧をかけたところ、ヒユーズ用導体の
みが断線し、他の電気回路(コンデンサを含む)は損傷
を受けなかった。
電圧値の5倍の電圧をかけたところ、ヒユーズ用導体の
みが断線し、他の電気回路(コンデンサを含む)は損傷
を受けなかった。
[実施例6]
第2表に示すNo、16の組成からなるPb−Al−A
g合金を用いて実施例1と同様の方法で直径200μm
φの合金線にし、さらに直径70μmφまで伸線した。
g合金を用いて実施例1と同様の方法で直径200μm
φの合金線にし、さらに直径70μmφまで伸線した。
得られた合金線を用いてヒユーズ機能を内蔵したコンデ
ンサを試作した。このときヒユーズ用導体の特性として
、引張荷重が17g1電気抵抗値が50mΩ/ m m
、溶断電流(1秒以内に溶断するのに必要な最低電流
)が0゜25Aである直径70μmφの上記合金線を用
いた。
ンサを試作した。このときヒユーズ用導体の特性として
、引張荷重が17g1電気抵抗値が50mΩ/ m m
、溶断電流(1秒以内に溶断するのに必要な最低電流
)が0゜25Aである直径70μmφの上記合金線を用
いた。
このようなヒユーズ用導体を内蔵したコンデンサに定格
電圧値の5倍の電圧をかけたところ、ヒユーズ用導体の
みが断線し、他の電気回路(コンデンサを含む)は損傷
を受けなかった。
電圧値の5倍の電圧をかけたところ、ヒユーズ用導体の
みが断線し、他の電気回路(コンデンサを含む)は損傷
を受けなかった。
[実施例7]
第1表に示すNo、1〜No、8の組成からなる合金の
溶湯を細流状にして、回転しているロール」二に噴射し
、凝固させることによって厚さ50〜500μmの薄帯
を得た。これらの薄帯も、実施例1と同様に優れた溶断
特性を示した。
溶湯を細流状にして、回転しているロール」二に噴射し
、凝固させることによって厚さ50〜500μmの薄帯
を得た。これらの薄帯も、実施例1と同様に優れた溶断
特性を示した。
[実施例8]
第2表に示すNo、 14〜No、 21の組成か
らなる合金を用いて実施例7と同様の方法により厚さ5
0〜500μmの薄帯を得た。これらの薄帯も実施例2
と同様に優れた溶断特性を示した。
らなる合金を用いて実施例7と同様の方法により厚さ5
0〜500μmの薄帯を得た。これらの薄帯も実施例2
と同様に優れた溶断特性を示した。
Claims (1)
- Alが0.01〜10重量%、AuおよびAgのうち
のいずれか一方が0.01〜60重量%、その残部がP
b、Bi、In、Cd、Sb、Snを含む群から選ばれ
た少なくとも1種または2種以上の金属となっている、
ヒューズ用導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10105887A JPS63266035A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | ヒユ−ズ用導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10105887A JPS63266035A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | ヒユ−ズ用導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63266035A true JPS63266035A (ja) | 1988-11-02 |
Family
ID=14290513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10105887A Pending JPS63266035A (ja) | 1987-04-23 | 1987-04-23 | ヒユ−ズ用導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63266035A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5019457A (en) * | 1988-10-13 | 1991-05-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Conductor used as a fuse |
WO2008050936A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-05-02 | Young Do Industrial Limited | Fusible alloy for pressure relief devices |
-
1987
- 1987-04-23 JP JP10105887A patent/JPS63266035A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5019457A (en) * | 1988-10-13 | 1991-05-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Conductor used as a fuse |
WO2008050936A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-05-02 | Young Do Industrial Limited | Fusible alloy for pressure relief devices |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6819215B2 (en) | Alloy type thermal fuse and fuse element thereof | |
JP2529255B2 (ja) | ヒユ−ズ用導体 | |
JP2001266724A (ja) | 合金型温度ヒュ−ズ | |
JP3995058B2 (ja) | 合金型温度ヒュ−ズ | |
JP2529257B2 (ja) | ヒユ−ズ用導体 | |
US5019457A (en) | Conductor used as a fuse | |
JP2001291459A (ja) | 合金型温度ヒュ−ズ | |
US4747889A (en) | Interconnecting wire for semiconductor devices | |
JPS63266035A (ja) | ヒユ−ズ用導体 | |
JPS63270437A (ja) | ヒユ−ズ用導体 | |
JPS6164834A (ja) | 耐熱高力高導電性銅合金 | |
EP0481493A2 (en) | Fuse Conductor | |
JPH0547294A (ja) | ヒユーズ用導体 | |
JP2001266723A (ja) | 合金型温度ヒュ−ズ | |
JP2529364B2 (ja) | ヒュ―ズ用導体 | |
JPH02141553A (ja) | ヒューズ用導体 | |
JP2516469B2 (ja) | 合金型温度ヒュ―ズ | |
JPH03285229A (ja) | ヒューズ用導体 | |
US7160504B2 (en) | Alloy type thermal fuse and fuse element thereof | |
JPH056729A (ja) | ヒユーズ用導体 | |
JP2001135216A (ja) | 合金型温度ヒュ−ズ | |
JP2529255C (ja) | ||
JPS63930A (ja) | ヒユ−ズ用導体 | |
JPS63929A (ja) | ヒユ−ズ用導体 | |
JP2001143592A (ja) | 合金型温度ヒュ−ズ |