JPH056729A - ヒユーズ用導体 - Google Patents

ヒユーズ用導体

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JPH056729A
JPH056729A JP3247984A JP24798491A JPH056729A JP H056729 A JPH056729 A JP H056729A JP 3247984 A JP3247984 A JP 3247984A JP 24798491 A JP24798491 A JP 24798491A JP H056729 A JPH056729 A JP H056729A
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fuse
fuse conductor
wire
conductor
circuit
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Masanobu Nishio
▲将▼伸 西尾
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 小さな電流値でも溶断する溶断特性を有し、
コンデンサ等の回路部品やＩＣおよびトラック等の半導
体装置に内蔵することのできるヒューズ用導体を提供す
る。また、ヒューズ素子のエレメントとして使用し、過
電流を防止したり、回路内で直接配線することにより過
電流を防止することのできるヒューズ用導体を提供す
る。 【構成】 銅、銀および金からなるグループより選ばれ
る少なくとも１種の金属または該金属の合金と不可避的
不純物とからなる。線径が０．０２〜０．１０ｍｍの範
囲である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、定格以上に過電流が
流れたときに瞬時に断線するように機能するヒューズ用
導体に関し、たとえばＩＣおよびトランジスタ等の半導
体装置ならびにコンデンサ等の回路部品の内部に組込ま
れ、これらの装置や部品に過電流が流れたときに、回路
をオープンにし、これらの装置や部品の焼損を防止する
ように機能するヒューズ用導体に関するものである。
【０００２】さらにヒューズ素子のエレメントとして使
用し過電流を防止したり、回路内リード線部に直接配線
することにより過電流を防止するように機能するヒュー
ズ用導体に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】従来から一般的なヒューズ用導体として
は、日本金属学会編集「金属便覧（昭和５７年１２月２
０日改訂第４版第１００７頁）」に記載されているよう
に、Ｐｂ、ＺｎまたはＰｂ−Ｓｎ合金などが用いられて
いる。これらの金属または合金からなるヒューズ用導体
は、過電流のジュール熱によって溶断して電気回路を開
く。外気温に左右されずに、溶断電流を精密に決めよう
とする場合には、タングステン線からなるヒューズ用導
体が使用されることもある。また、加熱雰囲気の過熱に
よって溶断するタイプのヒューズには、低温で溶融する
ウッドメタルが利用されている。
【０００４】また半導体装置や電子部品に内蔵させるヒ
ューズ用導体としては、特開平２−１０６８０７号公報
に記載されているようなＰｂ−Ａｇ合金などが知られて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな一般的なヒューズ用導体を、半導体装置や回路部品
にヒューズ機能を付加できる程度の細線や極細線にまで
伸線加工を施すことは困難であった。このため、ヒュー
ズ機能を有する別の装置を、それらの装置や部品に組込
み、ヒューズ機能を付加させているのが現状である。ま
た、半導体装置や電子部品に内蔵させるヒューズ用導体
も一部実用化されているが、溶断する電流値が大きく、
より小さな電流値で溶断するヒューズ用導体が求められ
ている。
【０００６】この発明の目的は、このような従来の問題
点を解消し、小さな電流値でも溶断する溶断特性を有
し、コンデンサ等の回路部品やＩＣおよびトランジスタ
等の半導体装置に内蔵することのできるヒューズ用導体
を提供することにある。
【０００７】さらに、この発明の他の目的は、ヒューズ
のエレメントとして使用し過電流を防止したり、回路内
で直接配線することにより、過電流を防止するヒューズ
用導体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明のヒューズ用導
体は、銅、銀および金からなるグループより選ばれる少
なくとも１種の金属または該金属の合金と不可避的不純
物とからなり、かつ線径が０．０２〜０．１０ｍｍの範
囲内であることを特徴としている。
【０００９】この発明のヒューズ用導体では、銅、銀お
よび金からなるグループより選ばれる金属または合金を
用いているため伸線加工性において優れており、従来よ
りも細い線径にすることができる。
【００１０】銅、銀および金に強度および電気抵抗値等
を変化させる目的で、合金元素を添加することも可能で
ある。たとえば、銀に銅、銅に錫を添加した合金を用い
ることも可能である。
【００１１】この発明においては、線径を０．０２〜
０．１０ｍｍの範囲内としている。線径が０．１０ｍｍ
を超えると、溶断に必要な電流値が大きくなり、外装ケ
ースおよび基板をこがすおそれがあり、好ましくない。
また線径が０．０２ｍｍ未満になると、工業的に加工す
ることが困難となる。また線径が０．０２ｍｍ未満のヒ
ューズ用導体を、コンデンサ等の回路部品に組込む場
合、その取扱いが困難なものとなる。
【００１２】この発明のヒューズ用導体は、伸線加工性
に優れた材質を用いているため、細線や極細線への加工
が可能であり、溶断特性に優れたヒューズ用導体とする
ことができる。したがって、ヒューズ用導体として高抵
抗値が要求され、かつ細線や極細線であることを必要と
するような分野に有効に利用されるものである。特に、
コンデンサ等の回路部品やＩＣおよびトランジスタ等の
半導体装置に内蔵するヒューズ用導体として適したもの
である。
【００１３】また、ヒューズ用エレメントとして、さら
には基板上の回路の一部にヒューズ機能を有したヒュー
ズ導体としても適したものである。
【００１４】特に回路部品の組込みを誤った場合に、焼
損に至る可能性のあるタンタルチップコンデンサに内蔵
されるヒューズ用導体として、この発明のヒューズ用導
体は有用なものである。このように、内蔵するヒューズ
用導体とすることができるため、従来のように半導体装
置や回路部品と別に電子機器に組込まれるヒューズ機能
を有する装置が不要となり、部品点数を低減することが
でき、高信頼性の電子機器を製造することが可能とな
る。
【００１５】また基板上の回路内にヒューズ機能を持っ
た導体として使用することにより、従来のヒューズ素子
が不要となる。
【００１６】
【実施例】実施例１ 表１に示す組成からなる合金または金属単体を溶解鋳造
法により鋳造した。得られたインゴットを用いて、鍛造
および伸線加工を行ない、表１に示すような種々の線径
の金属単体線または合金線を作製した。
【００１７】得られた金属単体線または合金線に所定の
直流電流を流して溶断特性を評価した。溶断特性の評価
は、１秒以内に溶断する最低電流を測定して評価した。
したがって、この溶断電流値が小さいほど溶断特性に優
れていることになる。なお、この溶断特性試験におい
て、合金線または金属単体線は所定の回路においてヒュ
ーズ長が２ｍｍとした。 この発明に従う実験No. １〜
１０の合金線および金属単体線は、１秒以内に溶断する
最低電流値が１．０〜９．５Ａの範囲内であった。
【００１８】比較として、この発明の範囲よりも大きな
線径を有する銅線（No. １１）、銀線（No. １２）およ
び金線（No. １３）を作製し、溶断電流を測定したとこ
ろ、いずれも１０Ａ以上であった。このことから、この
比較のNo. １１〜１３金属単体線および合金線は、半導
体装置や回路部品内蔵用としては不適当であった。
【００１９】また、従来からヒューズ用導体として用い
られている材質である、鉛、亜鉛、および鉛−錫合金を
用いて、細線を製造しようとしたが、これらのものを材
質とした場合には、線径０．１ｍｍまで加工することが
できなかった。
【００２０】
【表１】
【００２１】実施例２ 実施例１の表１のNo. ４の組成と同様であるＡｇ−２８
％Ｃｕ合金を用いて、実施例１と同様の方法で線径５０
μｍまで伸線加工した。このときのヒューズ用導体の特
性は、引張り強さが１００Ｋｇ／ｍｍ2であり、溶断電
流（１秒以内に溶断するのに必要な最低電流）は３．５
Ａであった。この合金線をヒューズ用導体として、コン
デンサに内蔵した。
【００２２】第１図は、このヒューズ用導体を内蔵した
コンデンサを示す断面図である。第１図を参照して、誘
電体１の両側には、電極２および３が設けられている。
電極２にはリード線４の一端が接続されている。リード
線５の一端および電極３との間にはこの合金線を用いた
ヒューズ用導体６が、半田７および８によって、それぞ
れ電気的に接続されている。このコンデンサ全体は、樹
脂９によって封入されている。このコンデンサに、定格
電流の５倍の電流を流したところ、ヒューズ用導体６の
みが断線し、コンデンサを含む他の電気回路は損傷を受
けなかった。
【００２３】以上のことから明らかなように、この発明
に従うこの実施例の合金線は、コンデンサに内蔵するヒ
ューズ用導体として好適なものである。
【００２４】実施例３ 表１に示すNo. ９の組成と同様であるＣｕ−０．５％Ａ
ｇからなるヒューズワイヤ（線径５０μｍ）を、トラン
スの入力側のリードの一部に長さ３０ｍｍで配線し、回
路形成した。これに定格電流の３倍の電流（３Ａ）を流
したところ、１秒以内にヒューズが溶断し、トランスの
焼損を防止した。
【００２５】以上のことから明らかなように、この発明
に従うヒューズワイヤを用いることにより、従来、管ヒ
ューズおよびホルダー等でヒューズ回路を構成していた
ものが、簡易な構成にすることができ、コンパクトな機
器構成とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例であるヒューズ用導体を内
蔵したコンデンサを示す断面図である。
【符号の説明】
１ 誘電体 ２，３ 電極 ４，５ リード線 ６ ヒューズ用導体 ７，８ 半田 ９ 樹脂

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 銅、銀および金からなるグループより選
    ばれる少なくとも１種の金属または該金属の合金と不可
    避的不純物とからなり、線径が０．０２〜０．１０ｍｍ
    の範囲である、ヒューズ用導体。
  2. 【請求項２】 前記ヒューズ用導体は、コンデンサに内
    蔵されるヒューズ用導体を含む、請求項１に記載のヒュ
    ーズ用導体。
  3. 【請求項３】 前記ヒューズ用導体は、半導体装置に内
    蔵されるヒューズ用導体を含む、請求項１に記載のヒュ
    ーズ用導体。
  4. 【請求項４】 前記ヒューズ用導体は、ヒューズ素子に
    内蔵されるヒューズ用導体を含む、請求項１に記載のヒ
    ューズ用導体。
  5. 【請求項５】 前記ヒューズ用導体は、基板上の回路の
    一部にヒューズ機能を有したヒューズ用導体を含む、請
    求項１に記載のヒューズ用導体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6507264B1 (en) 2000-08-28 2003-01-14 Littelfuse, Inc. Integral fuse for use in semiconductor packages
US7450328B2 (en) 2005-11-07 2008-11-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for recording bursts on a disk and related apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6507264B1 (en) 2000-08-28 2003-01-14 Littelfuse, Inc. Integral fuse for use in semiconductor packages
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