JPS62139111A - 複合磁気ヘツド - Google Patents
複合磁気ヘツドInfo
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- JPS62139111A JPS62139111A JP27875285A JP27875285A JPS62139111A JP S62139111 A JPS62139111 A JP S62139111A JP 27875285 A JP27875285 A JP 27875285A JP 27875285 A JP27875285 A JP 27875285A JP S62139111 A JPS62139111 A JP S62139111A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、高抗磁力媒体に対する高密度記録に適した複
合磁気ヘッドに関する。
合磁気ヘッドに関する。
「従来技術およびその問題点」
この種の複合磁気ヘッドとして、飽和磁束密度と透磁率
の異なる二種のフェライト材料を接合した磁気ヘッドが
特公昭５５−４Ｈ２３号で提案されている。第５図はそ
の概念図で、磁気ギャップｌを有する磁気へラドチップ
部分２を、一定厚さで、高磁束飽和密度、低透磁率のフ
ェライト材料から構成し、後部の磁気回路部分３を低飽
和磁束密度、高透磁率のフェライト材料から構成してい
る。
の異なる二種のフェライト材料を接合した磁気ヘッドが
特公昭５５−４Ｈ２３号で提案されている。第５図はそ
の概念図で、磁気ギャップｌを有する磁気へラドチップ
部分２を、一定厚さで、高磁束飽和密度、低透磁率のフ
ェライト材料から構成し、後部の磁気回路部分３を低飽
和磁束密度、高透磁率のフェライト材料から構成してい
る。
これはフェライト材料の基本的性質として、飽和磁束密
度Ｂｓの高い材料は透磁率用が低く、Ｂ８の低い材料は
糾が高いという点、および磁気ヘッドは、記録時にはＯ
ｇが高い方がよく、再生時にはＷが高い方がよいという
点を踏まえたもので、この構成によると、記録時には、
全体が高Ｂｓ材料からなる磁気ヘッドと同等の記録特性
が得られて、高抗磁力媒体に対する高雀度記録が可能で
あり、再生時には、全体が高μ材料からなる磁気ヘッド
と同等のＣ１生特性が得られるとしている。
度Ｂｓの高い材料は透磁率用が低く、Ｂ８の低い材料は
糾が高いという点、および磁気ヘッドは、記録時にはＯ
ｇが高い方がよく、再生時にはＷが高い方がよいという
点を踏まえたもので、この構成によると、記録時には、
全体が高Ｂｓ材料からなる磁気ヘッドと同等の記録特性
が得られて、高抗磁力媒体に対する高雀度記録が可能で
あり、再生時には、全体が高μ材料からなる磁気ヘッド
と同等のＣ１生特性が得られるとしている。
「発明の目的」
本発明は、この複合フェライト磁気へンドをヒントとし
て、飽和磁束密度の高いフェライトに代わる別の磁性材
料により、同様の性能あるいはこれより優れた記録再生
特性が得られる複合磁気ヘッドを得ることを目的とする
。また本発明は、磁気ヘッド全体の鉢を低下させる高Ｂ
ｓ材料を可及的に小さくできる複合磁気ヘッドを得るこ
とを目的とする。
て、飽和磁束密度の高いフェライトに代わる別の磁性材
料により、同様の性能あるいはこれより優れた記録再生
特性が得られる複合磁気ヘッドを得ることを目的とする
。また本発明は、磁気ヘッド全体の鉢を低下させる高Ｂ
ｓ材料を可及的に小さくできる複合磁気ヘッドを得るこ
とを目的とする。
「発明の概要」
本発明は、磁気ギャップ部分を構成する高Ｂｓ材料とし
てＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金に着目する一方、このＦｅ−
Ａｌ−Ｓｉ系合金と、磁気回路部分を構成する高ルのフ
ェライト材料とを、固相反応による相互拡散層を介して
接合したことを特徴としている。■、記特公昭５５−４
０９２３号で指摘されているように、固相反応によると
、両者を磁気的に完全に接合することができる。Ｆｅ−
Ａｌ−９ｉ系合金とフェライト材ネ４とを固相反応によ
り接合するには、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金の表面に酸化
膜を形成しておくとよい。また本発明は、高Ｂｓ材料で
あるＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金の磁気へラド全体に占める
割合を可及的に小さくするため、Ｆｅ−Ａｌ−９ｉ系合
金から磁気ギャップチップを構成するとともに、この磁
気キャップチップの両側の記録媒体摺接面を含む残部の
磁気回路部分を、透磁率の高いフェライト材料から構成
したことを特徴としている。
てＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金に着目する一方、このＦｅ−
Ａｌ−Ｓｉ系合金と、磁気回路部分を構成する高ルのフ
ェライト材料とを、固相反応による相互拡散層を介して
接合したことを特徴としている。■、記特公昭５５−４
０９２３号で指摘されているように、固相反応によると
、両者を磁気的に完全に接合することができる。Ｆｅ−
Ａｌ−９ｉ系合金とフェライト材ネ４とを固相反応によ
り接合するには、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金の表面に酸化
膜を形成しておくとよい。また本発明は、高Ｂｓ材料で
あるＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金の磁気へラド全体に占める
割合を可及的に小さくするため、Ｆｅ−Ａｌ−９ｉ系合
金から磁気ギャップチップを構成するとともに、この磁
気キャップチップの両側の記録媒体摺接面を含む残部の
磁気回路部分を、透磁率の高いフェライト材料から構成
したことを特徴としている。
「発明の実施例」
以下図示実施例について本発明を説明する。第１図は本
発明による複合磁気ヘッドの概念図で、磁気ギャップｌ
を構成する磁気ギャップチップ４は、高Ｂｓ材料である
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金からなっていて、記録媒体との
摺接面側が広い７字状をしている。これに対し、この磁
気ギャップチップ４の両側の記録媒体摺接面を含む残部
の磁気回路部分５は、高に材料から構成されている。別
言すると、本発明の磁気ヘッドは、記録媒体摺接面を含
むその殆どが高パフエライトの磁気回路部分５から構成
されていて、磁気ギャップｌの近傍だけが、高Ｂｓ材料
から構成されている。
発明による複合磁気ヘッドの概念図で、磁気ギャップｌ
を構成する磁気ギャップチップ４は、高Ｂｓ材料である
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金からなっていて、記録媒体との
摺接面側が広い７字状をしている。これに対し、この磁
気ギャップチップ４の両側の記録媒体摺接面を含む残部
の磁気回路部分５は、高に材料から構成されている。別
言すると、本発明の磁気ヘッドは、記録媒体摺接面を含
むその殆どが高パフエライトの磁気回路部分５から構成
されていて、磁気ギャップｌの近傍だけが、高Ｂｓ材料
から構成されている。
このように磁気ギャップｌの近傍のみを高Ｂｓ材料から
構成し、残部を高μ材料から構成すると、明らかに磁気
ヘッド全体としての川を高くすることができる。よって
磁気抵抗が低くて磁気効率が高い、再生特性に優れた磁
気ヘッドが得られる。
構成し、残部を高μ材料から構成すると、明らかに磁気
ヘッド全体としての川を高くすることができる。よって
磁気抵抗が低くて磁気効率が高い、再生特性に優れた磁
気ヘッドが得られる。
また記録特性については、高Ｂｓ材料が磁気ギャップｌ
の近傍のみである点は全く問題とならず、全体が高Ｂｓ
材料からなるのと同等の高記録密度ができる。特に磁気
ギャップチップ４をＶ字状にすると、磁束が記録媒体側
に飛びやくなって記録特性が向上するという利点がある
。
の近傍のみである点は全く問題とならず、全体が高Ｂｓ
材料からなるのと同等の高記録密度ができる。特に磁気
ギャップチップ４をＶ字状にすると、磁束が記録媒体側
に飛びやくなって記録特性が向上するという利点がある
。
この複合磁気ヘッドにおいては、Ｆｓ−ＡＩ−！ＳｉＳ
ｉ系とフェライト材料とを如何に磁気的に完全に接続す
るかが問題となる。例えばギャップ近傍にＦｅ−Ａｌ−
Ｓｉ系合金膜を溶射したもの、あるいは接着剤で両者を
接合したものは、知られているが、両者の磁気的な接続
が完全でなく、磁気的な空隙効果を生じ、磁気ヘッド全
体の川を著しく低下させてしまう。
ｉ系とフェライト材料とを如何に磁気的に完全に接続す
るかが問題となる。例えばギャップ近傍にＦｅ−Ａｌ−
Ｓｉ系合金膜を溶射したもの、あるいは接着剤で両者を
接合したものは、知られているが、両者の磁気的な接続
が完全でなく、磁気的な空隙効果を生じ、磁気ヘッド全
体の川を著しく低下させてしまう。
本発明は、Ｆｅ−Ａｌ−９ｉ系合金とフェライトとを磁
気的に完全に接続するため、両者を固相反応による相互
拡散層によって接続している。固相反応によれば、磁気
ヘッド全体の川の低下を招くことがない。
気的に完全に接続するため、両者を固相反応による相互
拡散層によって接続している。固相反応によれば、磁気
ヘッド全体の川の低下を招くことがない。
ところでＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金とフェライトとは、単
に加熱処理したのでは、接合部分に相互拡散層を形成し
ない。そこで本発明は、両者の固相反応を可能とするた
め、両者を加熱処理する前に、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金
の表面に酸化膜を形成したのである。そうすると、この
酸化膜と、耐化物磁性体であるフェライトとが固相反応
して相互拡散層を形成するため、両者が磁気的に完全に
接続される。
に加熱処理したのでは、接合部分に相互拡散層を形成し
ない。そこで本発明は、両者の固相反応を可能とするた
め、両者を加熱処理する前に、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金
の表面に酸化膜を形成したのである。そうすると、この
酸化膜と、耐化物磁性体であるフェライトとが固相反応
して相互拡散層を形成するため、両者が磁気的に完全に
接続される。
第２図は本発明の磁気ヘッドの製造工程例を示すもので
ある。極めて薄い高ＢｓのＦｅ−Ａｌ−９ｉ系合金１＋
Ｊ材第１は、 ・対の高μフェライ） ＨＪ材１２に接
合する前に酸化処理され、その表面に酸化膜第１ａを形
成する。酸化処理は、熱処理、プラズマ酸化、あるいは
化学酸化のいずれによってもよい。
ある。極めて薄い高ＢｓのＦｅ−Ａｌ−９ｉ系合金１＋
Ｊ材第１は、 ・対の高μフェライ） ＨＪ材１２に接
合する前に酸化処理され、その表面に酸化膜第１ａを形
成する。酸化処理は、熱処理、プラズマ酸化、あるいは
化学酸化のいずれによってもよい。
加熱処理の場合、例えば８００℃前後で、３時間程度大
気中で加熱する。加熱雰囲気は、酸素含有量を抑制した
混合ガス中でもよい。
気中で加熱する。加熱雰囲気は、酸素含有量を抑制した
混合ガス中でもよい。
プラズマ酸化は、プラズマをＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金母
材第１に照射してその表面を酸化するもので、この場合
は結晶粒界にある不純物を除去するため、なるべく高パ
ワー（例えば８００〜２ｏ００Ｗ）で６０分程度酸化処
理を行なうことが望ましい。
材第１に照射してその表面を酸化するもので、この場合
は結晶粒界にある不純物を除去するため、なるべく高パ
ワー（例えば８００〜２ｏ００Ｗ）で６０分程度酸化処
理を行なうことが望ましい。
この酸化膜第１ａの膜厚は、５０〜１００人程度とする
。
。
このようにして表面に酸化膜第１ａを形成したＦｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金母材第１の両面に、次に一対の高終のフ
ェライ）ｌ材１２を重ね合わせ、これを加熱処理する。
ｌ−Ｓｉ系合金母材第１の両面に、次に一対の高終のフ
ェライ）ｌ材１２を重ね合わせ、これを加熱処理する。
すると酸化膜第１ａとフェライｌｌｅ材１２とが固相反
応し、両者が相−〃拡散層によって結合された接合ブロ
ック１３が形成される。
応し、両者が相−〃拡散層によって結合された接合ブロ
ック１３が形成される。
次にこの接合ブロック１３を、同図（Ｃ）および第３図
に示す切断線１４により切断してコアブロック半体１５
を作る。切断線１４は、Ｆｅ−Ａｌ−９ｉ系合金母材第
１の平面に対し所定角度傾斜していて、そのコアブロッ
ク半体１５の突き合わせ面１５ａには、その１一部にの
みＦｅ−Ａｌ−９ｉ系合金母材第１が位置し、また記録
媒体との摺接面１５ｂ側も、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金母
材第１が一部のみ存在し、他の部分には商用フェライト
母材１２が位置している。
に示す切断線１４により切断してコアブロック半体１５
を作る。切断線１４は、Ｆｅ−Ａｌ−９ｉ系合金母材第
１の平面に対し所定角度傾斜していて、そのコアブロッ
ク半体１５の突き合わせ面１５ａには、その１一部にの
みＦｅ−Ａｌ−９ｉ系合金母材第１が位置し、また記録
媒体との摺接面１５ｂ側も、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金母
材第１が一部のみ存在し、他の部分には商用フェライト
母材１２が位置している。
次にこのコアブロック半体１５に巻線溝１６を形成する
とともに、その接合面１５ａ、１５ａを研磨してから、
これを同図（ｄ）で示すように突き合わせ、ガラスポン
ディングにより接合する０次にこれを切断線１７で示す
ようにスライスすると、基本的に第１図の複合磁気ヘッ
ドが得られる。
とともに、その接合面１５ａ、１５ａを研磨してから、
これを同図（ｄ）で示すように突き合わせ、ガラスポン
ディングにより接合する０次にこれを切断線１７で示す
ようにスライスすると、基本的に第１図の複合磁気ヘッ
ドが得られる。
なおＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金母材第１は、Ｆｅ８２〜８
８ｗｔ％ 、 ＡＩ ５〜７ｗｔＸ 、 Ｓｉ ９〜第
１ｗｔ％ （７）組成のものを用いことができ、これに
よると、Ｂｇが１０５００ Ｇ（ガウス）となる。また
高パフエライト母材１２は、Ｆｅ２０．５２−５４ｍｏ
１％、Ｚｎ０１８〜２０ｍｏｌＬ ＭｎＯ残部の組成か
ら構成することができ、これによると、川が８０００
、Ｂｓが５２００となる。またこれらの母材の熱膨張係
数αは、高パフエライト母材第１が１３８Ｘ１０−’／
”０、廃用フェライト母材１２が１２８×１０−７／’
Ｏのものを選んだ。熱処理を容易にするため、両者のα
の差はできるだけ小さいことが望ましい。
８ｗｔ％ 、 ＡＩ ５〜７ｗｔＸ 、 Ｓｉ ９〜第
１ｗｔ％ （７）組成のものを用いことができ、これに
よると、Ｂｇが１０５００ Ｇ（ガウス）となる。また
高パフエライト母材１２は、Ｆｅ２０．５２−５４ｍｏ
１％、Ｚｎ０１８〜２０ｍｏｌＬ ＭｎＯ残部の組成か
ら構成することができ、これによると、川が８０００
、Ｂｓが５２００となる。またこれらの母材の熱膨張係
数αは、高パフエライト母材第１が１３８Ｘ１０−’／
”０、廃用フェライト母材１２が１２８×１０−７／’
Ｏのものを選んだ。熱処理を容易にするため、両者のα
の差はできるだけ小さいことが望ましい。
第４図は、以上の組成のＦｅ−Ａｌ−９ｉ系合金母材第
１と高にフェライト母材１２を加熱処理して固相反応さ
せるための熱処理の例を示す。この熱処理によると、Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金母材第１の酸化膜第１ａと高μフ
ェライト母材１２とを両者の間に良好な相互拡散層を形
成して接合することができる。
１と高にフェライト母材１２を加熱処理して固相反応さ
せるための熱処理の例を示す。この熱処理によると、Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金母材第１の酸化膜第１ａと高μフ
ェライト母材１２とを両者の間に良好な相互拡散層を形
成して接合することができる。
また次表は、第５図の従来の複合磁気ヘッドと、第１図
の本発明の複合磁気ヘッドについての磁気性能の比較デ
ータである。この表から明らかなように本発明の複合磁
気ヘッドは、メタルテープ等のＨｃ＝１００００ｅ以上
の高抗磁力媒体に対しても、確実に記録再生することが
可能となる。
の本発明の複合磁気ヘッドについての磁気性能の比較デ
ータである。この表から明らかなように本発明の複合磁
気ヘッドは、メタルテープ等のＨｃ＝１００００ｅ以上
の高抗磁力媒体に対しても、確実に記録再生することが
可能となる。
Ｏ，Ｗ、 ニオ−パライト、重ね書きをして元の信号を
読み取るテスト Ｄ５０二出力ピークの５０％の周波数で書き込める１
１ｎｃｈあたりの信号量 「発明の効果」 以上のように本発明の複合磁気ヘッドは、磁気ギャップ
チップを構成する高飽和磁束密度の磁性材ネ１としてＦ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金に着目してこれを磁気キャンプ近
傍の限られた部分のみに設け、この磁気ギャップチップ
の両側の記録媒体摺接面を含む残部の磁気回路部分を商
用のフェライト材料から構成したので、高抗磁力記録媒
体に対する高密度記録を可能としつつ、磁気ヘッド全体
の透磁率を高くし、磁気抵抗を低下させてヘッド全体の
磁気効率を高めることができる。特にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ
系合金とフェライト材料とは固相反応による相互拡散層
を介して結合されているため、接合部分における磁気抵
抗の増加のおそれがない。
読み取るテスト Ｄ５０二出力ピークの５０％の周波数で書き込める１
１ｎｃｈあたりの信号量 「発明の効果」 以上のように本発明の複合磁気ヘッドは、磁気ギャップ
チップを構成する高飽和磁束密度の磁性材ネ１としてＦ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金に着目してこれを磁気キャンプ近
傍の限られた部分のみに設け、この磁気ギャップチップ
の両側の記録媒体摺接面を含む残部の磁気回路部分を商
用のフェライト材料から構成したので、高抗磁力記録媒
体に対する高密度記録を可能としつつ、磁気ヘッド全体
の透磁率を高くし、磁気抵抗を低下させてヘッド全体の
磁気効率を高めることができる。特にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ
系合金とフェライト材料とは固相反応による相互拡散層
を介して結合されているため、接合部分における磁気抵
抗の増加のおそれがない。
第１図は本発明の複合磁気ヘッドの実施例を示す斜視図
、第２図（ａ）ないしくｆ）は第１図の磁気ヘッドの製
造工程の例を示す斜視図、第３図は同切断線の状態を示
す平面図、８８４図はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金ｆｆＪ材
と高鉢フェライト母材を加熱処理して接合する際の温度
条件を示すグラフ、第５図は特公昭５５−４０９２３号
で提案されている複合磁気ヘッドの斜視図である。 ｌ・・・磁気ギャップ、４・・・磁気ギャップチップ、
５・・・磁気回路部分、第１・・・Ｆｅ−Ａｌ−９ｉ系
合金Ｈ１材、第１ａ・・・酸化膜、１２・・・高ルフェ
ライトｌｕ材。 １５ａ・・・突き合わせ面、１５ｂ・・・記録媒体摺接
面。 特許出願人 アルプス電気株式会社 同代理人 玉 浦 邦 夫 同 松 井 茂区 へ 塔 第３図 第４図 手続ネ甫正ｍｌ（方式） ％式％ 複合磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都大田区雪谷大塚町１番７号名 称 （
ＡＯ９）アルプス電気株式会社代表者 片岡勝太部 ４、代理人 命令の日付 ７、補正Ｃ 明細 とあるのを［第２図（ａ）ないしくｄ）はＪと補正する
。
、第２図（ａ）ないしくｆ）は第１図の磁気ヘッドの製
造工程の例を示す斜視図、第３図は同切断線の状態を示
す平面図、８８４図はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金ｆｆＪ材
と高鉢フェライト母材を加熱処理して接合する際の温度
条件を示すグラフ、第５図は特公昭５５−４０９２３号
で提案されている複合磁気ヘッドの斜視図である。 ｌ・・・磁気ギャップ、４・・・磁気ギャップチップ、
５・・・磁気回路部分、第１・・・Ｆｅ−Ａｌ−９ｉ系
合金Ｈ１材、第１ａ・・・酸化膜、１２・・・高ルフェ
ライトｌｕ材。 １５ａ・・・突き合わせ面、１５ｂ・・・記録媒体摺接
面。 特許出願人 アルプス電気株式会社 同代理人 玉 浦 邦 夫 同 松 井 茂区 へ 塔 第３図 第４図 手続ネ甫正ｍｌ（方式） ％式％ 複合磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都大田区雪谷大塚町１番７号名 称 （
ＡＯ９）アルプス電気株式会社代表者 片岡勝太部 ４、代理人 命令の日付 ７、補正Ｃ 明細 とあるのを［第２図（ａ）ないしくｄ）はＪと補正する
。
Claims (3)
- （１）飽和磁束密度と透磁率の異なる二種の磁性材料か
らなる複合磁気ヘッドにおいて、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合
金から磁気ギャップチップを構成するとともに、この磁
気ギャップチップの両側の記録媒体摺接面を含む残部の
磁気回路部分を、磁気ギャップチップより透磁率の高い
フェライト材料から構成し、かつ上記Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ
系合金からなる磁気ギャップチップとフェライト材料か
らなる磁気回路部分とを固相反応による相互拡散層を介
して接合したことを特徴とする複合磁気ヘッド。 - （２）特許請求の範囲第１項において、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ系合金の表面には、フェライト材料との固相反応によ
る接合前に、酸化膜が形成されている複合磁気ヘッド。 - （３）特許請求の範囲第１項または第２項において、磁
気ギャップチップと磁気回路部分との境界は、記録媒体
摺接面側に開いたＶ字状をしている複合磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27875285A JPS62139111A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 複合磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27875285A JPS62139111A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 複合磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62139111A true JPS62139111A (ja) | 1987-06-22 |
Family
ID=17601702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27875285A Pending JPS62139111A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 複合磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62139111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4020205A1 (de) * | 1989-06-30 | 1991-01-10 | Ampex | Magnetwandler und verfahren zu seiner herstellung |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP27875285A patent/JPS62139111A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4020205A1 (de) * | 1989-06-30 | 1991-01-10 | Ampex | Magnetwandler und verfahren zu seiner herstellung |
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