JPS62138731A - 圧力応答型デバイス - Google Patents
圧力応答型デバイスInfo
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- JPS62138731A JPS62138731A JP61292680A JP29268086A JPS62138731A JP S62138731 A JPS62138731 A JP S62138731A JP 61292680 A JP61292680 A JP 61292680A JP 29268086 A JP29268086 A JP 29268086A JP S62138731 A JPS62138731 A JP S62138731A
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- G—PHYSICS
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- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/045—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using resistive elements, e.g. a single continuous surface or two parallel surfaces put in contact
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06K11/00—Methods or arrangements for graph-reading or for converting the pattern of mechanical parameters, e.g. force or presence, into electrical signal
- G06K11/06—Devices for converting the position of a manually-operated writing or tracing member into an electrical signal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
反梃分国
本発明は局所的圧力の関数として電気信号を発生するデ
バイスに関する。
バイスに関する。
!i技玉
例えば針や指で接触することにより発生される圧力信号
の位置を決定するためにいくつかのセンサデバイスが提
案されて来た。そのようなデバ1゜スはコンピュータ
システムにデータを入力するための書込みパッドや接触
スクリーンの形態をとることができる。
の位置を決定するためにいくつかのセンサデバイスが提
案されて来た。そのようなデバ1゜スはコンピュータ
システムにデータを入力するための書込みパッドや接触
スクリーンの形態をとることができる。
この種のデバイスのいくつかは互いに直交する2つの電
界と可動ブローベを用いてプローベの位置のx−y座標
に対応する電気信号を得ている。
界と可動ブローベを用いてプローベの位置のx−y座標
に対応する電気信号を得ている。
また他のデバイスは例えば指や針などの不活性ポインタ
を用いて、エコー信号伝播時間、光ビームしゃ断、分布
タブの容量変化または表面周辺における力を測定するこ
とで動作する。以下の文献は当分野の技術の現状を表わ
すものである。
を用いて、エコー信号伝播時間、光ビームしゃ断、分布
タブの容量変化または表面周辺における力を測定するこ
とで動作する。以下の文献は当分野の技術の現状を表わ
すものである。
米国特許第4,071,689号には均一な抵抗を有す
る層を支える固くて光学的に透明な基板とこの基板の周
囲にある抵抗回路とを含む写真伝送用センサが開示され
ている。このデバイスは伝導性針部と発振器を用いて動
作する。
る層を支える固くて光学的に透明な基板とこの基板の周
囲にある抵抗回路とを含む写真伝送用センサが開示され
ている。このデバイスは伝導性針部と発振器を用いて動
作する。
米国特許第4,121,049号には人力表面のX−Y
面を横切るZ方向の機械的置換に依存するデバイスが開
示されている。バネ、差動変圧器または可変磁気抵抗ビ
ックアンプが用いられている。
面を横切るZ方向の機械的置換に依存するデバイスが開
示されている。バネ、差動変圧器または可変磁気抵抗ビ
ックアンプが用いられている。
米国特許第4,214,122号には絶縁基板上にパタ
ーン化された抵抗層を有する抵抗性平板図形入力デバイ
スが開示されている。抵抗層の周辺の導電片はデバイス
効率の線型性を高めるように設計されている。
ーン化された抵抗層を有する抵抗性平板図形入力デバイ
スが開示されている。抵抗層の周辺の導電片はデバイス
効率の線型性を高めるように設計されている。
米国特許第4 、293 、734号には抵抗素子また
はインピータンス層の表面上の電流のソースまたはシン
クの位置を決定する方法が開示されている。
はインピータンス層の表面上の電流のソースまたはシン
クの位置を決定する方法が開示されている。
J、フェデリコ(J、Federico)らが1984
年12月18日に出願した米国特許出願第682,78
0号には2つの導電面の間に局所的な接触が発生した時
に位置に関連する電気信号が生成されることが開示され
ている。この2つの面は様々な手段により空間的に隔す
ことができる。例えば液体絶縁媒体の層、可動微小球体
、導電粒子を充満させたゴム台座、または光伝導層であ
る。位置センサ分野の概論としては例えば、DJ、グロ
ーμの「図形タブレット−概論」、ディスプレイズ誌第
1巻1979刊83−93ページ(D、J、Grove
r、 ”Gra−phics Tablets−A R
eview’ % Volume 1(1979)、
pp、83−93)を参照のこと。
年12月18日に出願した米国特許出願第682,78
0号には2つの導電面の間に局所的な接触が発生した時
に位置に関連する電気信号が生成されることが開示され
ている。この2つの面は様々な手段により空間的に隔す
ことができる。例えば液体絶縁媒体の層、可動微小球体
、導電粒子を充満させたゴム台座、または光伝導層であ
る。位置センサ分野の概論としては例えば、DJ、グロ
ーμの「図形タブレット−概論」、ディスプレイズ誌第
1巻1979刊83−93ページ(D、J、Grove
r、 ”Gra−phics Tablets−A R
eview’ % Volume 1(1979)、
pp、83−93)を参照のこと。
主凱至亜整
本発明は圧力信号の位置に関連する電気信号を発生する
デバイスを提供するものである。本デバイスは位置セン
サアセンブリまたはバンドを含み、このセンサは木質的
に非導電性のマトリクス材料中に導電体粒子を有する合
成媒体を含む。これらの粒子は鎖状に位置合わせされる
が、この鎖はそれぞれ少なくとも2個の粒子を含み、媒
体の両側間にわたって存在する。媒体は与電層間に挟ま
れ、圧力がない場合には導電層が互いに木質的に電気的
に絶縁されるようにする。充分な大きさの局所的圧力を
かけた持歩なくとも1つの粒子鎖が導電性にされるが、
媒体を介して適切な伝導が生じるのはその時のみである
。媒体を介する局所的な伝導の結果発生する電気信号は
圧力信号のX−Y座標情報をアナログまたはディジタル
の形式で得るために分析される。そのような情報は例え
ば陰極線管、プラズマ パネル、または液晶表示器など
のデバイス上に表示することができる。
デバイスを提供するものである。本デバイスは位置セン
サアセンブリまたはバンドを含み、このセンサは木質的
に非導電性のマトリクス材料中に導電体粒子を有する合
成媒体を含む。これらの粒子は鎖状に位置合わせされる
が、この鎖はそれぞれ少なくとも2個の粒子を含み、媒
体の両側間にわたって存在する。媒体は与電層間に挟ま
れ、圧力がない場合には導電層が互いに木質的に電気的
に絶縁されるようにする。充分な大きさの局所的圧力を
かけた持歩なくとも1つの粒子鎖が導電性にされるが、
媒体を介して適切な伝導が生じるのはその時のみである
。媒体を介する局所的な伝導の結果発生する電気信号は
圧力信号のX−Y座標情報をアナログまたはディジタル
の形式で得るために分析される。そのような情報は例え
ば陰極線管、プラズマ パネル、または液晶表示器など
のデバイス上に表示することができる。
本発明によるセンサデバイスは透明である。例えば、セ
ンサ媒体に入射する可視光の少なくとも70%が透過す
るという意味において透明である。
ンサ媒体に入射する可視光の少なくとも70%が透過す
るという意味において透明である。
本発明によるセンサデバイスは通信システムばかりでな
く例えば安全、警報、及び識別システムにおいても適切
に用いることができる。
く例えば安全、警報、及び識別システムにおいても適切
に用いることができる。
災旅■旦脱凱
第1図はディジタル信号プロセッサ12に電気信号を供
給するセンサ11を含む図形入出カシステムの構成を示
すブロック図である。適切に波形整形された信号は伝送
ライン13を介して送信され、送信された信号は変換器
14に供給され、変換器14はこれらの信号を表示手段
15が受容できる形に変形する。
給するセンサ11を含む図形入出カシステムの構成を示
すブロック図である。適切に波形整形された信号は伝送
ライン13を介して送信され、送信された信号は変換器
14に供給され、変換器14はこれらの信号を表示手段
15が受容できる形に変形する。
第2図はX−Y圧力センサ21、アナログ−ディジタル
変換器100及びマイクロコンピュータ101を示す。
変換器100及びマイクロコンピュータ101を示す。
このような構成は図形センサとして機能することができ
る。動作時には端子22.23.24及び25で信号を
サンプリングするがそのような信号は圧力センサ21の
表面における圧力信号の位置を決定する。信号は導線2
6.27.28及び29により変換器100に送られる
。センサ21は上向きに示されているが、好ましい断面
構造は第3−6図に示される型のものである。
る。動作時には端子22.23.24及び25で信号を
サンプリングするがそのような信号は圧力センサ21の
表面における圧力信号の位置を決定する。信号は導線2
6.27.28及び29により変換器100に送られる
。センサ21は上向きに示されているが、好ましい断面
構造は第3−6図に示される型のものである。
第3図は合成媒体と2つの導電体アセンブリを含む圧力
応答型センサを示す。合成媒体は非導電性マトリクス3
5内に位置ぞろえされた導電体粒子34から成る。導電
体アセンブリは非導電性被覆の層33で覆われた導電性
被覆の層32及び層32で覆われた基板31から成る。
応答型センサを示す。合成媒体は非導電性マトリクス3
5内に位置ぞろえされた導電体粒子34から成る。導電
体アセンブリは非導電性被覆の層33で覆われた導電性
被覆の層32及び層32で覆われた基板31から成る。
そのような非導電性被覆は非導電性ポリマ、エポキシそ
の他の樹脂、またはエラストマー特性を有する任意の材
料で作ることができる。このような好適な材料は、基板
に充分な局所的圧力が加えられた時に、導電体粒子34
によって機械的に傷つけられることができる。
の他の樹脂、またはエラストマー特性を有する任意の材
料で作ることができる。このような好適な材料は、基板
に充分な局所的圧力が加えられた時に、導電体粒子34
によって機械的に傷つけられることができる。
外部電圧が導電層32に与えられている時、非導電層3
3は導電層32間の導通を妨げる。端部粒子34が非導
電被覆33を貫き導電被覆32と接触するのに充分な局
所的圧力が加えられた時のみ電流が流れる。そのような
接触の結果、マトリクス材料のX−7面を横切るZ方向
における導電体粒子34の鎖を介する導電路に電流が流
れる。
3は導電層32間の導通を妨げる。端部粒子34が非導
電被覆33を貫き導電被覆32と接触するのに充分な局
所的圧力が加えられた時のみ電流が流れる。そのような
接触の結果、マトリクス材料のX−7面を横切るZ方向
における導電体粒子34の鎖を介する導電路に電流が流
れる。
第4図は別の圧力応答型センサを示す。これは非導電性
マトリクス材料45とこの中に位置ぞろえされた導電体
粒子44から成る合成媒体及びその上にある非導電性被
覆43を含む。導電性被覆42の層で覆われた導電性基
板41は非導電性被覆43と接触している。非導電性被
覆は例えば吹付け、分布またはディップ被覆などで合成
媒体の一方または両方の表面に付加することができる。
マトリクス材料45とこの中に位置ぞろえされた導電体
粒子44から成る合成媒体及びその上にある非導電性被
覆43を含む。導電性被覆42の層で覆われた導電性基
板41は非導電性被覆43と接触している。非導電性被
覆は例えば吹付け、分布またはディップ被覆などで合成
媒体の一方または両方の表面に付加することができる。
付加する際は合成媒体と等価な適当な揮発性溶媒と共に
被覆材料を溶解状態にして行なうことができる。センサ
の動作は第3図の説明で述べたものと同様である。
被覆材料を溶解状態にして行なうことができる。センサ
の動作は第3図の説明で述べたものと同様である。
第5図は導電体粒子54の各々が非導電性被覆53で被
覆された型の圧力応答型センサを示す。
覆された型の圧力応答型センサを示す。
被覆された粒子はマトリクス材料55の中に埋込まれて
いる。基板51上の導電性被覆52は粒子の上の非導電
性被覆と物理的に接触している。センサの動作は第3図
の説明で述べたものと同様である。
いる。基板51上の導電性被覆52は粒子の上の非導電
性被覆と物理的に接触している。センサの動作は第3図
の説明で述べたものと同様である。
第6図は非導電性マトリクス材料64の切込みの中に導
電体粒子63を有する圧力応答型センサを示す。切込み
の還さはマトリクス材料の固さと所望の圧力応答の関数
として選択される。粒子と導電体アセンブリの間に例え
ば空気または7トリクス材料と同じ材料の非導電性領域
65が置かれている。導電性基板61ば導電性被覆62
で覆われている。センサの動作は第3図の説明で述べた
ものと同様である。
電体粒子63を有する圧力応答型センサを示す。切込み
の還さはマトリクス材料の固さと所望の圧力応答の関数
として選択される。粒子と導電体アセンブリの間に例え
ば空気または7トリクス材料と同じ材料の非導電性領域
65が置かれている。導電性基板61ば導電性被覆62
で覆われている。センサの動作は第3図の説明で述べた
ものと同様である。
第7図は図形入力システム圧力検知部を示す。
導電体粒子34は非導電性マトリクス材料35内で鎖状
に位置そろえされ、接点アセンブリ71が例えば第3−
6図のようにして配備されている。
に位置そろえされ、接点アセンブリ71が例えば第3−
6図のようにして配備されている。
本質的に定電流の電流源72が接点77において抵抗7
3と直列に接続されている。また演算増幅器79が接点
78に接続されている。(典型的なデバイスの場合、4
個の端部接点とそれに対応する演算増幅器が含まれる。
3と直列に接続されている。また演算増幅器79が接点
78に接続されている。(典型的なデバイスの場合、4
個の端部接点とそれに対応する演算増幅器が含まれる。
第2図で言えばこれら4端部接点は端子22.23.2
4及び25に対応する。)接点80と81の間に電圧計
75が接続されており、デバイス動作の間に付加された
圧力の関数としての抵抗を測定できるようになっている
。(少くとも圧力が低い時には抵抗はセンサに付加され
た圧力の量の影響はあまり受けない。
4及び25に対応する。)接点80と81の間に電圧計
75が接続されており、デバイス動作の間に付加された
圧力の関数としての抵抗を測定できるようになっている
。(少くとも圧力が低い時には抵抗はセンサに付加され
た圧力の量の影響はあまり受けない。
しかし圧力が高くなると典型的には圧力の増加にともな
って減少する。その結果生ずる電流変動は例えば表示デ
バイスに用いられる陰極線ビームの強度を制御するのに
用いることができる。)本発明による圧力応答型センサ
は前出のJ、フェデリコらの特許出願に開示されたセン
サと同様に機能する。特に、局所的に付加された圧力に
より面電極間に局所的な電流が発生し、そのような電流
の位置はセンサの周辺部の特定の点(例えば第2図の4
端子22.23.24及び25)で観測される電流、電
圧または抵抗から決定することができる。
って減少する。その結果生ずる電流変動は例えば表示デ
バイスに用いられる陰極線ビームの強度を制御するのに
用いることができる。)本発明による圧力応答型センサ
は前出のJ、フェデリコらの特許出願に開示されたセン
サと同様に機能する。特に、局所的に付加された圧力に
より面電極間に局所的な電流が発生し、そのような電流
の位置はセンサの周辺部の特定の点(例えば第2図の4
端子22.23.24及び25)で観測される電流、電
圧または抵抗から決定することができる。
本発明による圧力応答型センサの一種は以下のようによ
り特定して記述される。即ち、マトリクス材料のX−Y
面を横切るZ方向に磁界をかけることによって生ずるよ
うな、導電性磁気粒子が本質的にまっすぐな鎖状に位置
ぞろえされる。
り特定して記述される。即ち、マトリクス材料のX−Y
面を横切るZ方向に磁界をかけることによって生ずるよ
うな、導電性磁気粒子が本質的にまっすぐな鎖状に位置
ぞろえされる。
粒子は例えば鉄、ニッケル、コバルトまたは鉄、ニッケ
ル、コバルトを含む合金、またはフェライト材料などの
磁性材料から作られる。おそらくこれらは例えば銀、金
、まなは銀または金を含む合金などの保護材料で被覆さ
れる。粒子は球状、棒状、卯形または変則形状であって
良(、典型的な直径ハ0.1ないし500マイクロメー
タの範囲、好ましくは工ないし200マイクロメータの
範囲である。
ル、コバルトを含む合金、またはフェライト材料などの
磁性材料から作られる。おそらくこれらは例えば銀、金
、まなは銀または金を含む合金などの保護材料で被覆さ
れる。粒子は球状、棒状、卯形または変則形状であって
良(、典型的な直径ハ0.1ないし500マイクロメー
タの範囲、好ましくは工ないし200マイクロメータの
範囲である。
合成媒体は典型的には0.5ないし20容量パーセント
の割合で導電体粒子を含む。透明という点からは約2%
に満たない割合が好ましい。位置検出の分解能を上げる
という点からはより大きい割合が好ましい。
の割合で導電体粒子を含む。透明という点からは約2%
に満たない割合が好ましい。位置検出の分解能を上げる
という点からはより大きい割合が好ましい。
粒子の位置ぞろえに適する磁界の強さは層の厚さに依存
する。薄い層には強い磁界が有利である。
する。薄い層には強い磁界が有利である。
典型的な磁界の強さは7958ないし159,154
A/M(100ないし2000エルステツド)の範囲で
あり、さらに典型的には23,873ないし70,66
2A/M(300ないし800エルステツド)の範囲で
ある。
A/M(100ないし2000エルステツド)の範囲で
あり、さらに典型的には23,873ないし70,66
2A/M(300ないし800エルステツド)の範囲で
ある。
非導電性マトリクス材料はエラストマー、粘着性または
ガラス状特性を有しても良い。適切な材料には例えばシ
リコンゴム、エポキシ、ポリウレタンその他の樹脂など
の重合体が含まれる。シリコンと熱硬化性樹脂の処置は
炉内で加熱することにより、または誘導性手段あるいは
マイクロ波手段により達成できる。あるいは感光性樹脂
は可視光、赤外線または紫外線などの光放射にさらすこ
とにより処置することができる。
ガラス状特性を有しても良い。適切な材料には例えばシ
リコンゴム、エポキシ、ポリウレタンその他の樹脂など
の重合体が含まれる。シリコンと熱硬化性樹脂の処置は
炉内で加熱することにより、または誘導性手段あるいは
マイクロ波手段により達成できる。あるいは感光性樹脂
は可視光、赤外線または紫外線などの光放射にさらすこ
とにより処置することができる。
導電体アセンブリ基板の材料は典型的には重合体または
プラスティック材料例えばマイラー、ポリエチレン、セ
ルロース アζテート、テフロ、ンまたは薄膜状にした
任意の透明重合体である。透明導電性層は例えばインジ
ウムずず酸化物または金(典型的な厚さは約50mm)
の薄い層として形成することができる。
プラスティック材料例えばマイラー、ポリエチレン、セ
ルロース アζテート、テフロ、ンまたは薄膜状にした
任意の透明重合体である。透明導電性層は例えばインジ
ウムずず酸化物または金(典型的な厚さは約50mm)
の薄い層として形成することができる。
非導電性被覆層は圧力がかかると破れる。その典型的な
厚さは0.1ないし50マイクロメータであり、好まし
くは0.5ないし10マイクロメータである。基板材料
及び被覆材料は互いに化学的に反応しないように選択す
るのが望ましい。
厚さは0.1ないし50マイクロメータであり、好まし
くは0.5ないし10マイクロメータである。基板材料
及び被覆材料は互いに化学的に反応しないように選択す
るのが望ましい。
本発明による圧力応答型センサデバイスの利点には以下
の事項が含まれる。
の事項が含まれる。
この圧力センサは頂部と底部面導電体の間に実質的な導
電路が存在しない闇値圧力を有することを特徴とする。
電路が存在しない闇値圧力を有することを特徴とする。
これにより例えば位置センサパッド上で手を休めても信
号を生じることがない一方適切な針を用いればこれがセ
ンサパッドに押付けられている時には容易に信号を発生
するという点で有利である。闇値圧力は材料と処理パラ
メータ例えば非導電性層の厚さや磁気導電体粒子の位置
ぞろえに用いる磁界強度に依存する。
号を生じることがない一方適切な針を用いればこれがセ
ンサパッドに押付けられている時には容易に信号を発生
するという点で有利である。闇値圧力は材料と処理パラ
メータ例えば非導電性層の厚さや磁気導電体粒子の位置
ぞろえに用いる磁界強度に依存する。
闇値圧力は針先端の曲面の半径の関数として直接に闇値
付加力とみることができる。また闇値付加力は圧力セン
サの保持物に柔軟な材料を選べば強(するたとができる
。闇値付加力以上の力の場合には導電度は力の直接の関
数として増加する傾向にある。この特徴は例えば署名認
識システムにおいて別の識別パラメータとして用いるこ
とができる。
付加力とみることができる。また闇値付加力は圧力セン
サの保持物に柔軟な材料を選べば強(するたとができる
。闇値付加力以上の力の場合には導電度は力の直接の関
数として増加する傾向にある。この特徴は例えば署名認
識システムにおいて別の識別パラメータとして用いるこ
とができる。
圧力センサは表示スクリーンが書込みパッドまたは指圧
検知パッドを介して見えるように透明材料で作るこもで
きる。そのようなバンドは表示スクリーンに永久接着し
ても良いし、あるいは取外し可能にして必要な時に取付
けるようにしてもよい。同様に圧力センサが透明であれ
ば下に配置されているパターン例えばマツプまたはチャ
ートをたどるのに有利である。本発明の圧力センサの透
明度は典型的には可視光の70ないし95%が透過する
程度のものである。透明度と位置検出精度と共に導電体
粒子の容量パーセントに依存する。
検知パッドを介して見えるように透明材料で作るこもで
きる。そのようなバンドは表示スクリーンに永久接着し
ても良いし、あるいは取外し可能にして必要な時に取付
けるようにしてもよい。同様に圧力センサが透明であれ
ば下に配置されているパターン例えばマツプまたはチャ
ートをたどるのに有利である。本発明の圧力センサの透
明度は典型的には可視光の70ないし95%が透過する
程度のものである。透明度と位置検出精度と共に導電体
粒子の容量パーセントに依存する。
所望の検出精度を保ちながら約80%の光透過を達成す
ることができる。
ることができる。
大脳
ゼネラル エレクトリック社製造のRTV615として
知られる。シリコン樹脂材料を直径約20マイクロコメ
ータ、l容量パーセントのニッケル球と混合した。ニッ
ケル球は厚さ約100龍の金の層で被覆した。混合物を
平坦なガラス基板上に広げて厚さ約12.7 X 10
”3cm (5ミル)の層を形成した。この層を強さ3
1 、831 A / M(400エルステツド)の磁
界中で処置した。処置は熱炉内で温度約100℃で約1
0分間にわたり行なった。
知られる。シリコン樹脂材料を直径約20マイクロコメ
ータ、l容量パーセントのニッケル球と混合した。ニッ
ケル球は厚さ約100龍の金の層で被覆した。混合物を
平坦なガラス基板上に広げて厚さ約12.7 X 10
”3cm (5ミル)の層を形成した。この層を強さ3
1 、831 A / M(400エルステツド)の磁
界中で処置した。処置は熱炉内で温度約100℃で約1
0分間にわたり行なった。
この処置した層の透明度を調べた結果、入射光の約82
%を透過することがわかった。粒子の縦方向欄同士の距
離は約6ミルであり、これが位置検出分解能を表わして
いる。この層に厚さ約5マイクロメータのRTVシリコ
ンから成る非導電性被覆の層を吹付けて被覆し、次にイ
ンディラムすず酸化物の薄い層で被覆した2枚のマイラ
膜の間に配置した。この2枚の導電性膜間の電気抵抗は
圧力が存在しない場合もアセンブリ上で手を休めている
際に生成される圧力が存在する場合も20メガオームよ
り大きかった。後者の圧力は約13.790Pa (
2psi )と推定された。
%を透過することがわかった。粒子の縦方向欄同士の距
離は約6ミルであり、これが位置検出分解能を表わして
いる。この層に厚さ約5マイクロメータのRTVシリコ
ンから成る非導電性被覆の層を吹付けて被覆し、次にイ
ンディラムすず酸化物の薄い層で被覆した2枚のマイラ
膜の間に配置した。この2枚の導電性膜間の電気抵抗は
圧力が存在しない場合もアセンブリ上で手を休めている
際に生成される圧力が存在する場合も20メガオームよ
り大きかった。後者の圧力は約13.790Pa (
2psi )と推定された。
アセンブリ上に通常の書込み圧力約100psiで鉛筆
の先端を押付けた時、導電性膜と導電体粒子の鎖から成
る結合電気路に対して抵抗が!1.827オームに下が
った。1つの導電体粒子類はそのような抵抗に対し約1
オームを超えるほどには寄与しないから、位置の決定は
測定された抵抗に基いて容易に決定することができる。
の先端を押付けた時、導電性膜と導電体粒子の鎖から成
る結合電気路に対して抵抗が!1.827オームに下が
った。1つの導電体粒子類はそのような抵抗に対し約1
オームを超えるほどには寄与しないから、位置の決定は
測定された抵抗に基いて容易に決定することができる。
第1図は図形入出カシステムのブロック図、第2図は第
1図のシステムに用いることができる圧力応答型センサ
を概略的に示す図、第3.4.5及び6図は本発明の例
である好適なセンサアセンブリの断面図、 第7図は電気接点検出回路を含む、本発明による好適な
センサアセンブリを概略的に示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 導電体アセンブリ・・・71 合成媒体・・・35.45.55.64導電体粒子・・
・34.44.54.63FIG、3 FIG、 4 FIG、 5 FIG、 6
1図のシステムに用いることができる圧力応答型センサ
を概略的に示す図、第3.4.5及び6図は本発明の例
である好適なセンサアセンブリの断面図、 第7図は電気接点検出回路を含む、本発明による好適な
センサアセンブリを概略的に示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 導電体アセンブリ・・・71 合成媒体・・・35.45.55.64導電体粒子・・
・34.44.54.63FIG、3 FIG、 4 FIG、 5 FIG、 6
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、互いに向かい合いかつ空間的に離された2つの導電
体アセンブリと少なくとも1つの該導電体アセンブリの
少なくとも1つの位置に圧力がかけられた時に該導電体
アセンブリ間に少なくとも1つの導電路を生成する手段
とを含む圧力応答型デバイスにおいて 該導電体アセンブリは合成媒体の休部を含む材料により
互いに離されており、 該合成媒体は比較的に非導電性のマトリクス材料の中に
磁気的に位置ぞろえされた導電体磁気粒子を含み、 該位置ぞろえされた粒子は比較的に非導電性の材料の領
域によって互いに離された複数の経路を形成し、 各経路は少なくとも2つの粒子を含みかつ一方から他方
のアセンブリへ向かう方向を有し、該経路は導電体粒子
と少なくとも1つの比較的に非導電性の材料の領域を含
むことを特徴とする圧力応答型デバイス。 2、特許請求の範囲第1項記載のデバイスにおいて、 一方の導電体アセンブリは基板上の導電性層と該導電性
層の上の非導電性層とを含むことを特徴とする圧力応答
型デバイス。 3、特許請求の範囲第1項記載のデバイスにおいて、 該合成媒体は少なくとも1つの非導電性層で被覆されて
いることを特徴とする圧力応答型デバイス。 4、特許請求の範囲第1項記載のデバイスにおいて、 一方の導電体アセンブリは基板上の導電性層と、1つの
経路に非導電性層で被覆された少なくとも1つの端部粒
子を含むことを特徴とする圧力応答型デバイス。 5、特許請求の範囲第1項記載のデバイスにおいて、 1つの経路における少なくとも1つの端部粒子は該合成
媒体の表面から引込んでいることを特徴とする圧力応答
型デバイス。 6、特許請求の範囲第1項記載のデバイスにおいて、 該合成媒体は導電体粒子を0.5ないし20の範囲の容
量パーセントだけ含むことを特徴とする圧力応答型デバ
イス。 7、特許請求の範囲第6項記載のデバイスにおいて、 該導電体アセンブリと該合成媒体は透明であり、該容量
パーセントは2以下であることを特徴とする圧力応答型
デバイス。 8、特許請求の範囲第1、6または7項記載のデバイス
において、 該合成媒体はこれに入射する可視光の少なくとも70パ
ーセントがこれにより透過される程度に光学的に透明で
あることを特徴とする圧力応答型デバイス。 9、特許請求の範囲第1項記載のデバイスにおいて、 該デバイスは該導電体アセンブリ間に電圧を付加する手
段を含むことを特徴とする圧力応答型デバイス。 10、特許請求の範囲第9項記載のデバイスにおいて、 該デバイスは該導電体アセンブリ間の局所的圧力の位置
を決定する手段を含むことを特徴と、する圧力応答型デ
バイス。 11、特許請求の範囲第10項記載のデバイスにおいて
、 該デバイスは該位置を表示する手段を含むことを特徴と
する圧力応答型デバイス。 12、特許請求の範囲第11項記載のデバイスにおいて
、 該デバイスは該位置決定手段と該位置表示手段との間に
伝送手段を含むことを特徴とする圧力応答型デバイス。 13、特許請求の範囲第9項記載のデバイスにおいて、 該デバイスは該導電体アセンブリ間の局所的圧力の量を
決定する手段を含むことを特徴とする圧力応答型デバイ
ス。 14、特許請求の範囲第1項記載のデバイスにおいて、 該比較的非導電性材料の領域の厚さは0.5マイクロメ
ータ以上であることを特徴とする圧力応答型デバイス。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JPH0820320B2 JPH0820320B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=25197213
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Country Status (6)
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EP (1) | EP0228829B1 (ja) |
JP (1) | JPH0820320B2 (ja) |
KR (1) | KR950012215B1 (ja) |
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