JPS62136578A - ニオブ酸リチウム基板の加工方法 - Google Patents
ニオブ酸リチウム基板の加工方法Info
- Publication number
- JPS62136578A JPS62136578A JP60278362A JP27836285A JPS62136578A JP S62136578 A JPS62136578 A JP S62136578A JP 60278362 A JP60278362 A JP 60278362A JP 27836285 A JP27836285 A JP 27836285A JP S62136578 A JPS62136578 A JP S62136578A
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- JP
- Japan
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- lithium niobate
- niobate substrate
- laser
- substrate
- processing
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- Pending
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- Laser Beam Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学基板として用いられるニオブ酸リチウム基
板の加工方法に関する。
板の加工方法に関する。
光学基板に光ファイバを精度良く接続するために光ファ
イバの位置を固定する溝が必要である。
イバの位置を固定する溝が必要である。
光学基板としてニオブ酸リチウム基板が用いられている
が、この基板に溝を形成する適切な加工方法が無いため
に、光ファイバを接続する場合は一般には光ファイバの
断面をニオブ酸リチウム基板の側面に突き合せ、この突
き合せ部分を接着剤等で固定する方法が用いられている
。
が、この基板に溝を形成する適切な加工方法が無いため
に、光ファイバを接続する場合は一般には光ファイバの
断面をニオブ酸リチウム基板の側面に突き合せ、この突
き合せ部分を接着剤等で固定する方法が用いられている
。
しかしながら、この方法では熱膨張等により光ファイバ
の位置が変動し、光路が変わるため出力損失をまねくと
いう欠点がある。
の位置が変動し、光路が変わるため出力損失をまねくと
いう欠点がある。
Ｇ、Ｎｕｔ−ｔらはオプチカル・ソサイティ・オブ・ア
メリカ（Ｏｐｔｉｃａｌ ５ｏ（ｉｅｔｙ ｏｒ Ａｍ
ｅｒｉｃａ） １０巻（１９８４年）４６３頁において
イオンミリング加工法により光フアイバ接続用の溝を形
成する論文を発表した。それによるとニオブ酸リチウム
基板にイオンミリング加工法によって溝を形成する場合
、溝深さ方向の加工速度は１時間当り０．２４μｍと非
常に小さい。一般に用いられている直径１２５μｍの光
ファイバの接続溝（深さ６５μｍ）を形成するには、前
記論文の加工速度を用いて試算すると約２７０時間と長
時間を要する。
メリカ（Ｏｐｔｉｃａｌ ５ｏ（ｉｅｔｙ ｏｒ Ａｍ
ｅｒｉｃａ） １０巻（１９８４年）４６３頁において
イオンミリング加工法により光フアイバ接続用の溝を形
成する論文を発表した。それによるとニオブ酸リチウム
基板にイオンミリング加工法によって溝を形成する場合
、溝深さ方向の加工速度は１時間当り０．２４μｍと非
常に小さい。一般に用いられている直径１２５μｍの光
ファイバの接続溝（深さ６５μｍ）を形成するには、前
記論文の加工速度を用いて試算すると約２７０時間と長
時間を要する。
従って、イオンミリング加工法によりニオブ酸リチウム
基板に光フアイバ接続用の溝を形成するには長時間を要
するという欠点がある。
基板に光フアイバ接続用の溝を形成するには長時間を要
するという欠点がある。
これらのことから加工能率の良いニオブ酸リチウム基板
のマイクロ加工方法が要望されていた。
のマイクロ加工方法が要望されていた。
本発明の目的は前記の要望に応えるニオブ酸リチウム基
板に能率よく、マイクロ形状の加工が出来るニオブ酸リ
チウム基板の加工方法を提供することにある。
板に能率よく、マイクロ形状の加工が出来るニオブ酸リ
チウム基板の加工方法を提供することにある。
し問題点を解決するための手段〕
本発明のニオブ酸リチウム基板の加工方法は、両面を研
磨仕上したニオブ酸リチウム基板の加工面をレーザを吸
収する微粒子を混入したニオブ酸リチウムのエツチング
液中に配置し、前記加工面の反対面からレーザビームを
加工面に照射するものであり、この場合、レーザはニオ
ブ酸リチウム基板を透過する波長を有するレーザを用い
る構成となっている。
磨仕上したニオブ酸リチウム基板の加工面をレーザを吸
収する微粒子を混入したニオブ酸リチウムのエツチング
液中に配置し、前記加工面の反対面からレーザビームを
加工面に照射するものであり、この場合、レーザはニオ
ブ酸リチウム基板を透過する波長を有するレーザを用い
る構成となっている。
次に、上述の問題点を解決するための手段による作用に
ついて説明する。
ついて説明する。
両面を研磨仕上したニオブ酸リチウム基板の加工面をレ
ーザを吸収する微粒子を混入したニオブ酸リチウムのエ
ツチング液中に配置し、前記加工面の反対面から集光し
たレーザビームを照射する。
ーザを吸収する微粒子を混入したニオブ酸リチウムのエ
ツチング液中に配置し、前記加工面の反対面から集光し
たレーザビームを照射する。
この場合、レーザはニオブ酸リチウム基板を透過する波
長のものを用いる。前記加工面の反対面がら入射したレ
ーザビームの集点を前記加工面と接する前記エツチング
液面に合せるとレーザ照射部の加工面が選択的にエツチ
ングされる。これは工・・ｌチンダ液中の微粒子がレー
ザを吸収して高温になり、レーザ照射部の工・ソチンダ
液およびニオブ酸リチウム基板加工面を加熱し、レーザ
照射部が選択的にエツチングされるためである。通常、
レーザのスポット径は波長の２倍から３＠程度に絞るこ
とが可能である。例えばアルゴンレーザ（波長１１．５
μｍ）を用いれば１．０μｍから１．５μｍの微小スポ
ットに絞ることが可能であり、ニオブ酸リチウム基板に
μｍ幅のマイクロ加工が可能である。
長のものを用いる。前記加工面の反対面がら入射したレ
ーザビームの集点を前記加工面と接する前記エツチング
液面に合せるとレーザ照射部の加工面が選択的にエツチ
ングされる。これは工・・ｌチンダ液中の微粒子がレー
ザを吸収して高温になり、レーザ照射部の工・ソチンダ
液およびニオブ酸リチウム基板加工面を加熱し、レーザ
照射部が選択的にエツチングされるためである。通常、
レーザのスポット径は波長の２倍から３＠程度に絞るこ
とが可能である。例えばアルゴンレーザ（波長１１．５
μｍ）を用いれば１．０μｍから１．５μｍの微小スポ
ットに絞ることが可能であり、ニオブ酸リチウム基板に
μｍ幅のマイクロ加工が可能である。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための加工装置の
側面図である。両面を研磨仕上（表面粗さ０、Ｏ１μｍ
Ｒｍａｘ ） Ｌなニオブ酸リチウム基板２１の加工面
２２を黒鉛微粒子（粒径０．５μｍ）を混入した水酸化
カリウム溶液（濃度５０％重量比）２３中に配置する。
側面図である。両面を研磨仕上（表面粗さ０、Ｏ１μｍ
Ｒｍａｘ ） Ｌなニオブ酸リチウム基板２１の加工面
２２を黒鉛微粒子（粒径０．５μｍ）を混入した水酸化
カリウム溶液（濃度５０％重量比）２３中に配置する。
加工面２２の反対面２４はブロック２５．２６により水
酸化カリウム溶液２３の液面より上方端位置している。
酸化カリウム溶液２３の液面より上方端位置している。
これは、反対面２４より上方に液面があると液面上でレ
ーザを吸収してしまうためである。レーザ発振器２７が
らレーザ（波長０．５μｍ、レーザパワー２Ｗ＞を発振
し、ミラー２８によりレーザビームの方向を変え、レン
′ズ２９によりレーザビーム３０をニオブ酸リチウム基
板２１の加工面２２に集光させる。
ーザを吸収してしまうためである。レーザ発振器２７が
らレーザ（波長０．５μｍ、レーザパワー２Ｗ＞を発振
し、ミラー２８によりレーザビームの方向を変え、レン
′ズ２９によりレーザビーム３０をニオブ酸リチウム基
板２１の加工面２２に集光させる。
この場合、容器３１ととらにニオブ酸リチウム基板２１
を移動台３２により速度１００ ／４ ｍ ｙ” ｓで
往復運動（幅１２５μｍ）させつつ、往復運動方向と直
角にピッチ１μｍで送っていった。その結果、ニオブ酸
リチウム基板２１の加工面２２に幅１２５μｍ、深さ６
５μｍの溝３３が形成された。
を移動台３２により速度１００ ／４ ｍ ｙ” ｓで
往復運動（幅１２５μｍ）させつつ、往復運動方向と直
角にピッチ１μｍで送っていった。その結果、ニオブ酸
リチウム基板２１の加工面２２に幅１２５μｍ、深さ６
５μｍの溝３３が形成された。
加工時間は長さ２ＩＩＩ１１の溝で約４５分であり、従
来のイオンミリング加工法による場きに比べて約３５０
倍の高能率化が達成された。
来のイオンミリング加工法による場きに比べて約３５０
倍の高能率化が達成された。
なお、上記実施例においては、レーザ吸収微粒子として
黒鉛微粒子を用いたが、二硫化モリブデン１紋粒子を用
いても良い、エツチング液として水酸化カリウムを用い
たが、フッ酸と硝酸の混会液を用いても良い。また、レ
ーザとしてアルゴンレーザを用いたがＹ Ａ Ｇレーザ
（波長１．０６μｍ）を用いても良い。
黒鉛微粒子を用いたが、二硫化モリブデン１紋粒子を用
いても良い、エツチング液として水酸化カリウムを用い
たが、フッ酸と硝酸の混会液を用いても良い。また、レ
ーザとしてアルゴンレーザを用いたがＹ Ａ Ｇレーザ
（波長１．０６μｍ）を用いても良い。
〔発明の効果′１
以上説明したとおり、本発明の加工方法によれば、ニオ
ブ酸リチウム基板に能率よくマイクロ形状加工を行なう
ことができる。
ブ酸リチウム基板に能率よくマイクロ形状加工を行なう
ことができる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための加工装置の
側面図である。 ２１・・・ニオブ酸リチウム基板、２２・・・加工面、
２３・・・レーザ吸収微粒子を混入したエツチング液、
２４・・・反対面、２５．２６・・・ブロック、２７・
・・レーザ発振器、２８・・・ミラー、２９・・・レン
ズ、３０・・・レーザビーム、３１・・・容器、３２・
・・移動台、３３・・・加工溝。 第１図 ２１ ニ ニオブ酸ソチウ４唱；；；７扱２２ ： 力
ａ工面 ２３： し−サ′σ瓦収、ｆａｔＬ＋ １５ルベしたエ
ツチング液２４ ： 夛ξ丈土面 ２５ ２６ ： ）”ロック ３０ ： Ｌ−サ“ ビー４ ３３： 加工、Ｊ！＋
側面図である。 ２１・・・ニオブ酸リチウム基板、２２・・・加工面、
２３・・・レーザ吸収微粒子を混入したエツチング液、
２４・・・反対面、２５．２６・・・ブロック、２７・
・・レーザ発振器、２８・・・ミラー、２９・・・レン
ズ、３０・・・レーザビーム、３１・・・容器、３２・
・・移動台、３３・・・加工溝。 第１図 ２１ ニ ニオブ酸ソチウ４唱；；；７扱２２ ： 力
ａ工面 ２３： し−サ′σ瓦収、ｆａｔＬ＋ １５ルベしたエ
ツチング液２４ ： 夛ξ丈土面 ２５ ２６ ： ）”ロック ３０ ： Ｌ−サ“ ビー４ ３３： 加工、Ｊ！＋
Claims (4)
- （１）ニオブ酸リチウム基板の加工面をレーザを吸収す
る微粒子を混入したエッチング液中に配置し、前記加工
面の反対面から加工面にレーザビームを照射することを
特徴とするニオブ酸リチウム基板の加工方法。 - （２）ニオブ酸リチウム基板は両面を研磨仕上したもの
を用いる特許請求の範囲第（１）項記載のニオブ酸リチ
ウム基板の加工方法。 - （３）ニオブ酸リチウム基板加工面の反対面は前記エッ
チング液面より上方に位置している特許請求の範囲第（
１）項記載のニオブ酸リチウム基板の加工方法。 - （４）レーザはニオブ酸リチウム基板を透過し波長（０
．３μｍ乃至６μｍ）を有するレーザを用いる特許請求
の範囲第（１）項記載のニオブ酸リチウム基板の加工方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60278362A JPS62136578A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ニオブ酸リチウム基板の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60278362A JPS62136578A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ニオブ酸リチウム基板の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136578A true JPS62136578A (ja) | 1987-06-19 |
Family
ID=17596283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60278362A Pending JPS62136578A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ニオブ酸リチウム基板の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136578A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0680804A1 (en) * | 1994-05-03 | 1995-11-08 | Ferroperm Components A/S | A method of processing oxide materials by means of a laser beam |
| GB2341580A (en) * | 1998-09-21 | 2000-03-22 | Agency Ind Science Techn | Laser etching the surface of a transparent substrate in contact with a fluid |
| CN103128448A (zh) * | 2011-11-24 | 2013-06-05 | 三星钻石工业股份有限公司 | 激光加工方法和激光加工装置 |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP60278362A patent/JPS62136578A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0680804A1 (en) * | 1994-05-03 | 1995-11-08 | Ferroperm Components A/S | A method of processing oxide materials by means of a laser beam |
| GB2341580A (en) * | 1998-09-21 | 2000-03-22 | Agency Ind Science Techn | Laser etching the surface of a transparent substrate in contact with a fluid |
| GB2341580B (en) * | 1998-09-21 | 2000-11-15 | Agency Ind Science Techn | Method of etching transpant solid material with laser beam |
| US6362453B1 (en) | 1998-09-21 | 2002-03-26 | Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology | Method of etching transparent solid material with laser beam |
| CN103128448A (zh) * | 2011-11-24 | 2013-06-05 | 三星钻石工业股份有限公司 | 激光加工方法和激光加工装置 |
| TWI505894B (zh) * | 2011-11-24 | 2015-11-01 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | 雷射加工方法及雷射加工裝置 |
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