JPS62134168A - 樹脂被覆線の半田デイツプ法 - Google Patents
樹脂被覆線の半田デイツプ法Info
- Publication number
- JPS62134168A JPS62134168A JP27418785A JP27418785A JPS62134168A JP S62134168 A JPS62134168 A JP S62134168A JP 27418785 A JP27418785 A JP 27418785A JP 27418785 A JP27418785 A JP 27418785A JP S62134168 A JPS62134168 A JP S62134168A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- resin
- solder bath
- dipping method
- covered wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Molten Solder (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）技術分野
この発明は、半田付は作業を自動的に行うのに適した樹
脂被覆線の半田ディップ法に関する。
脂被覆線の半田ディップ法に関する。
（ｂ）従来技術とその欠点
樹脂被覆線の半田ディップ法を、テレビ等の受像管に高
圧を供給するフライバックトランスにおけるコイル巻線
とダイオードの端子との半田付けの場合を例に採って、
第３図に基づいて説明する。まず、半田槽１内を４５０
℃程度に加熱して半田を熔融させ、この熔融した半田を
半田スプーン２ですくい上げることにより半田浴３を形
成する。次に、フライバックトランスの高圧コイル４は
、横向きにして治具５に固定し、コイル巻線６を巻き付
けたダイオード７の端子８を真下に向けて突出させる。
圧を供給するフライバックトランスにおけるコイル巻線
とダイオードの端子との半田付けの場合を例に採って、
第３図に基づいて説明する。まず、半田槽１内を４５０
℃程度に加熱して半田を熔融させ、この熔融した半田を
半田スプーン２ですくい上げることにより半田浴３を形
成する。次に、フライバックトランスの高圧コイル４は
、横向きにして治具５に固定し、コイル巻線６を巻き付
けたダイオード７の端子８を真下に向けて突出させる。
このようにフライバックトランスの高圧コイル４を治具
５にセットしてから半田スプーン２を徐々に上昇させコ
イル巻線６を巻き付けた端子８の突出部分のみが半田浴
３にディップするようにし、所定時間後に再び半田スプ
ーン２を下降させ半田浴３から引き出すことにより、半
田ディツプが行われる。
５にセットしてから半田スプーン２を徐々に上昇させコ
イル巻線６を巻き付けた端子８の突出部分のみが半田浴
３にディップするようにし、所定時間後に再び半田スプ
ーン２を下降させ半田浴３から引き出すことにより、半
田ディツプが行われる。
ところが、このようなコイル巻線６等の樹脂被覆線は、
絶縁のために銅線にポリウレタン等の熱により熔融する
樹脂を被覆したものである。このため、第３図に例示し
たようにコイル巻線６を端子８に巻き付けた状態で半田
浴３にディップすると、被覆材の樹脂が熱によって分解
し半田浴３中でガスを発生することになる。そのため、
このガスが気泡となって空気中へ放出されるときに半田
浴３の表面で破裂し、半田浴３表面で半田が飛び敗るこ
とになる。したがって、フライバックトランスの高圧コ
イル４の場合には、高圧ボビンのスリント内の巻線に直
径が２００μｍから５００μｍ程度の飛び敗った微粒半
田が付着し、眉間の短絡が生じて品質を低下させる原因
となり、その他の部品の半田付けの場合にも様々な弊害
が生じていた。
絶縁のために銅線にポリウレタン等の熱により熔融する
樹脂を被覆したものである。このため、第３図に例示し
たようにコイル巻線６を端子８に巻き付けた状態で半田
浴３にディップすると、被覆材の樹脂が熱によって分解
し半田浴３中でガスを発生することになる。そのため、
このガスが気泡となって空気中へ放出されるときに半田
浴３の表面で破裂し、半田浴３表面で半田が飛び敗るこ
とになる。したがって、フライバックトランスの高圧コ
イル４の場合には、高圧ボビンのスリント内の巻線に直
径が２００μｍから５００μｍ程度の飛び敗った微粒半
田が付着し、眉間の短絡が生じて品質を低下させる原因
となり、その他の部品の半田付けの場合にも様々な弊害
が生じていた。
（Ｃ）発明の目的
この発明は、このような事情に鑑みなされたものであっ
て、樹脂被覆線を浴面に対して十分に傾斜させた状態で
半田浴に挿入することにより、飛び散った半田が製品に
不容易に付着することがない樹脂被覆線の半田ディップ
法を提供することを目的とする＋ｄ）発明の構成および
効果 この発明の樹脂被覆線の半田ディップ法は、半田を熔融
させた半田浴中に樹脂被覆線をディップすることにより
、その樹脂被覆線自身や複数の樹脂被覆線同士、または
樹脂被覆線と他の端子等との半田付けを行う樹脂被覆線
の半田ディップ法において、ディップを行う樹脂被覆線
を浴面に対して十分に傾斜させた状態で半田浴に挿入す
ることを特徴とする。
て、樹脂被覆線を浴面に対して十分に傾斜させた状態で
半田浴に挿入することにより、飛び散った半田が製品に
不容易に付着することがない樹脂被覆線の半田ディップ
法を提供することを目的とする＋ｄ）発明の構成および
効果 この発明の樹脂被覆線の半田ディップ法は、半田を熔融
させた半田浴中に樹脂被覆線をディップすることにより
、その樹脂被覆線自身や複数の樹脂被覆線同士、または
樹脂被覆線と他の端子等との半田付けを行う樹脂被覆線
の半田ディップ法において、ディップを行う樹脂被覆線
を浴面に対して十分に傾斜させた状態で半田浴に挿入す
ることを特徴とする。
この発明の樹脂被覆線の半田ディップ法を上記のように
構成すると、被覆樹脂の熱分解により生じた気泡の半田
浴表面での破裂位置が、従来は樹脂被覆線の周囲だけに
限られていたものが、この樹脂被覆線を傾斜させて挿入
した分、傾斜角度が大きくなるほど広がることになる。
構成すると、被覆樹脂の熱分解により生じた気泡の半田
浴表面での破裂位置が、従来は樹脂被覆線の周囲だけに
限られていたものが、この樹脂被覆線を傾斜させて挿入
した分、傾斜角度が大きくなるほど広がることになる。
このため、従来は密集した狭い位置で気泡が破裂するた
めにこの破裂エネルギが合成され半田を飛散させる力を
得ていたが、ガスの破裂位置が広がったために、破裂の
エネルギが合成されることがなくなり個々の気泡の破裂
によるエネルギのみでは半田を遠くへ飛散させる力が足
りないので、飛び半田が生じなくなる。したがってこの
発明の樹脂被覆線の半田ディップ法は、半田が大きなエ
ネルギで遠（へ飛散するのを防止することができるので
、製品に飛び半田が付着し品質の低下を来すのを防止す
ることができ、自動化による量産が容易となる。
めにこの破裂エネルギが合成され半田を飛散させる力を
得ていたが、ガスの破裂位置が広がったために、破裂の
エネルギが合成されることがなくなり個々の気泡の破裂
によるエネルギのみでは半田を遠くへ飛散させる力が足
りないので、飛び半田が生じなくなる。したがってこの
発明の樹脂被覆線の半田ディップ法は、半田が大きなエ
ネルギで遠（へ飛散するのを防止することができるので
、製品に飛び半田が付着し品質の低下を来すのを防止す
ることができ、自動化による量産が容易となる。
（ｅ）実施例
第１図および第２図はこの発明の実施例で用いる半田デ
ィップ法の手順を示す部分拡大図である。
ィップ法の手順を示す部分拡大図である。
この実施例は、例えばフライバンクトランスの場合等の
ように、ダイオード等の素子の端子８に樹脂被覆線６を
巻き付はディップする場合を示す。樹脂被覆線６は、導
線に絶縁のためにポリウレタンを被覆したものであり、
コイル巻線等に使用されているものである。この実施例
の半田ディップ法は、まず第１図に示すように、樹脂被
覆線６を巻き付けた端子８を半田浴３の浴面に対して約
４５度の角度に傾斜させ、次に第２図に示すようにその
ままの角度を維持しながら徐々に半田浴３に挿入するこ
とにより構成される。そして、樹脂被覆線６のポリウレ
タンが熱分解によってガスとなり、被覆が完全に剥がれ
た時点でこの樹脂被覆線６を巻き付けた端子８を引き戻
し半田浴３から引き上げることにより半田ディツプが完
了する。
ように、ダイオード等の素子の端子８に樹脂被覆線６を
巻き付はディップする場合を示す。樹脂被覆線６は、導
線に絶縁のためにポリウレタンを被覆したものであり、
コイル巻線等に使用されているものである。この実施例
の半田ディップ法は、まず第１図に示すように、樹脂被
覆線６を巻き付けた端子８を半田浴３の浴面に対して約
４５度の角度に傾斜させ、次に第２図に示すようにその
ままの角度を維持しながら徐々に半田浴３に挿入するこ
とにより構成される。そして、樹脂被覆線６のポリウレ
タンが熱分解によってガスとなり、被覆が完全に剥がれ
た時点でこの樹脂被覆線６を巻き付けた端子８を引き戻
し半田浴３から引き上げることにより半田ディツプが完
了する。
上記のように構成されたこの実施例の半田ディップ法は
、従来と同様に樹脂被覆線６を被覆したポリウレタンが
熱分解してガスとなりその気泡が半田浴３の表面で破裂
することになる。ところが、半田浴３の表面における気
泡の破裂位置を従来と較べると、従来が第４図に示すよ
うに端子８の周囲ごく近傍であるＢの範囲であるのに対
して、この実施例の場合には第２図のＡで示すように広
い範囲となる。このため、気泡の破裂位置が分散される
ので、破裂エネルギが合成されて大きな力となり半田を
遠くに飛散させるということがなくなる。したがって、
この実施例の半田ディップ法では、半田が飛散すること
がほとんどなくなるので、例えば樹脂被覆線６がコイル
を構成するような場合、飛び散った微粒半田がこのコイ
ルに４４着し被覆樹脂を溶かして眉間の短絡を起こさせ
るというようなことがなくなる。したがって、この実施
例の半田ディップ法は、飛び散った微粒半田の付着によ
り製品の品質が低下するのを防止することができる。
、従来と同様に樹脂被覆線６を被覆したポリウレタンが
熱分解してガスとなりその気泡が半田浴３の表面で破裂
することになる。ところが、半田浴３の表面における気
泡の破裂位置を従来と較べると、従来が第４図に示すよ
うに端子８の周囲ごく近傍であるＢの範囲であるのに対
して、この実施例の場合には第２図のＡで示すように広
い範囲となる。このため、気泡の破裂位置が分散される
ので、破裂エネルギが合成されて大きな力となり半田を
遠くに飛散させるということがなくなる。したがって、
この実施例の半田ディップ法では、半田が飛散すること
がほとんどなくなるので、例えば樹脂被覆線６がコイル
を構成するような場合、飛び散った微粒半田がこのコイ
ルに４４着し被覆樹脂を溶かして眉間の短絡を起こさせ
るというようなことがなくなる。したがって、この実施
例の半田ディップ法は、飛び散った微粒半田の付着によ
り製品の品質が低下するのを防止することができる。
２種類の線形の樹脂被覆線について従来の半田ディップ
法とこの実施例の半田ディップ法とを実施した結果を示
す。まず、線径０．２６ｍｍ、被膜厚さ２２μｍのポリ
ウレタン被膜銅線を従来の方法で半田浴に真っ直ぐ垂直
に挿入すると、挿入後０．１〜０．３秒間に大きさ’０
．５＋ｉｍ以下の微粒半田が飛散し、多いものは発生後
０．５秒間に約２０個近く飛散した。しかしながら、実
施例の方法で半田浴に同じポリウレタン被膜銅線を斜め
に挿入した場合には、半田の飛散は観測されなかった。
法とこの実施例の半田ディップ法とを実施した結果を示
す。まず、線径０．２６ｍｍ、被膜厚さ２２μｍのポリ
ウレタン被膜銅線を従来の方法で半田浴に真っ直ぐ垂直
に挿入すると、挿入後０．１〜０．３秒間に大きさ’０
．５＋ｉｍ以下の微粒半田が飛散し、多いものは発生後
０．５秒間に約２０個近く飛散した。しかしながら、実
施例の方法で半田浴に同じポリウレタン被膜銅線を斜め
に挿入した場合には、半田の飛散は観測されなかった。
次に、ダイオードのリード線に線形０．０４ｍｍ、被膜
厚さ８μｍのポリウレタン被膜銅線をラッピングした場
合、従来のように半田浴に真っ直ぐ垂直に挿入した場合
には、挿入後約０．２秒で微粒半田が飛散し、発生後０
．５秒間に８〜９個の微粒半田が観測された。ところが
、実施例のように半田浴に斜めに挿入した場合には飛び
半田の発生は観測されなかった。
厚さ８μｍのポリウレタン被膜銅線をラッピングした場
合、従来のように半田浴に真っ直ぐ垂直に挿入した場合
には、挿入後約０．２秒で微粒半田が飛散し、発生後０
．５秒間に８〜９個の微粒半田が観測された。ところが
、実施例のように半田浴に斜めに挿入した場合には飛び
半田の発生は観測されなかった。
第１図および第２図はこの発明の実施例で用いる樹脂被
覆線の半田ディップ法の手順を説明するための部分拡大
図、第３図はフライバックトランスの半田ディップ法を
説明するための一部断面正面図、第４図は従来の半田デ
ィップ法を説明するための部分拡大図である。 ３−半田浴、６−樹脂被覆線、 ８一端子。
覆線の半田ディップ法の手順を説明するための部分拡大
図、第３図はフライバックトランスの半田ディップ法を
説明するための一部断面正面図、第４図は従来の半田デ
ィップ法を説明するための部分拡大図である。 ３−半田浴、６−樹脂被覆線、 ８一端子。
Claims (1)
- （１）半田を熔融させた半田浴中に樹脂被覆線をディッ
プすることにより、半田付けを行う樹脂被覆線の半田デ
ィップ法において、ディップを行う樹脂被覆線を浴面に
対して十分に傾斜させた状態で半田浴に挿入することを
特徴とする樹脂被覆線の半田ディップ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27418785A JPS62134168A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 樹脂被覆線の半田デイツプ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27418785A JPS62134168A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 樹脂被覆線の半田デイツプ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62134168A true JPS62134168A (ja) | 1987-06-17 |
Family
ID=17538245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27418785A Pending JPS62134168A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 樹脂被覆線の半田デイツプ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62134168A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135063A (ja) * | 1993-11-09 | 1995-05-23 | Kuroda Denki Kk | 樹脂コーティング線用接続端末のハンダ付方法 |
| US9818249B1 (en) | 2002-09-04 | 2017-11-14 | Copilot Ventures Fund Iii Llc | Authentication method and system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5626673A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Continuous immersion soldering method |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP27418785A patent/JPS62134168A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5626673A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Continuous immersion soldering method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135063A (ja) * | 1993-11-09 | 1995-05-23 | Kuroda Denki Kk | 樹脂コーティング線用接続端末のハンダ付方法 |
| US9818249B1 (en) | 2002-09-04 | 2017-11-14 | Copilot Ventures Fund Iii Llc | Authentication method and system |
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