JPH0757614A - 超小型薄膜回路保護用電子部品 - Google Patents

超小型薄膜回路保護用電子部品

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JPH0757614A
JPH0757614A JP22215493A JP22215493A JPH0757614A JP H0757614 A JPH0757614 A JP H0757614A JP 22215493 A JP22215493 A JP 22215493A JP 22215493 A JP22215493 A JP 22215493A JP H0757614 A JPH0757614 A JP H0757614A
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wire
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Akira Kozuki
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 シャープでバラツキの少ない溶断特性を示す
ことのできる回路保護用電子部品を得る。 【構成】 電極端子1、2間に形成する金属極細線3を
基板4との間に空隙6を有し、かつ電極端子1、2と接
続部を有することなく一体化させて形成した回路保護用
電子部品。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は回路保護用電子部品に
係り、電極端子間に形成する金属極細線を電極端子と一
体化させるとともに、基板に接触することなく形成し
た、溶断特性にすぐれた超小型薄膜回路保護用電子部品
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器分野における面実装化
(チップ化)が進んでおり、回路保護用電子部品として
は、小型で信頼性が高く、溶断特性にすぐれたものが要
望されている。また、回路保護素子の溶断特性について
は、金属細線(ヒューズ線)自体の体積を小さくするこ
とによって、溶断特性のシャープさが得られることが知
られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ヒュー
ズ線材の製造、およびヒューズ線材と電極端子との接続
については、技術的に幾つかの問題点があり、このた
め、電子部品としての大きさの制約があったりして、溶
断特性をシャープにすることが難しかった。
【0004】この発明は、上記した従来の電子部品の問
題点に鑑み、ヒューズ線として金属極細線を用いること
によって溶断特性をシャープにすること、金属極細線の
電極端子への接続技術を向上させること、回路保護素子
の小型化を図ること等を目的として検討の結果、得られ
たものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】即ち、この発明の第1の
発明は、回路保護用電子部品において、電極端子間に形
成する金属極細線を、基板と接することなく、かつ電極
端子と接続部を有することなく電極端子と一体化させて
形成したことを特徴とし、第2の発明は第1の発明にて
電極端子と一体化させて形成した金属極細線の周囲にシ
リコーンゴムよりなる絶縁被覆層を形成させたことを特
徴とするものである。
【0006】
【作用】この発明の電子部品は、直径5〜10μ程度の
金属極細線(以下、ヒューズ線という)が電極端子(以
下、リード端子という)と一体化して形成され、該ヒュ
ーズ線の周囲は基板と接しないように、基板との間に1
〜20μm程度の間隙を有しているので、ヒューズ線か
ら発生する熱が基板を通して直接失われることなくして
溶断時の熱的遮断が効果的に行われる構造となってい
る。また、ヒューズ線がリード線と一体化して形成され
ていることから、従来のヒューズ線とリード線を接続す
るための溶接や接着等の工程を省略することができる。
【0007】さらに、ヒューズ線の周囲をシリコーンゴ
ムにて絶縁被覆したことによって、ヒューズ線はその溶
断時の熱で軟化して液状となったシリコーンゴムの中
で、溶融先端が丸くなりつつ、その表面張力によってほ
ぼ球状に溶断され、電流を確実に遮断することができ
る。
【0008】この発明の電子部品の作成において、ヒュ
ーズ線は、ヒューズ線が位置する基板上にヒューズ線と
の間の所望する間隙に応じた例えば1〜20μmの厚み
の薄膜をアルミニウム、銅、ニッケル、鉄等の金属また
は有機膜等で予め形成しておき、基板にヒューズ線およ
びリード端子を真空蒸着、メッキ、エッチング等のプロ
セスで形成する。このリード端子の形成と一体化してヒ
ューズ線を形成した後、薄膜だけを溶解、剥離すること
によって基板との間に1〜20μの間隙を有してヒュー
ズ線を形成することができる。なお、薄膜を金属膜とし
た場合には、この金属膜は溶解、剥離等の手段で除去さ
れるものであるから、リード端子およびヒューズ線を構
成する金属としては上記の溶解、剥離等で何らの影響も
受けない異種の金属を用いればよい。
【0009】
【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて詳細
に説明する。図1(a)はこの発明の超小型薄膜回路保
護用電子部品の内部構造を示す断面図であり、図1
(b)〜(e)および図2(a)〜(d)はその製造工
程を示す説明図である。図において、1、2はセラミッ
ク基板4に薄膜プロセスにより形成されたリード端子で
ある。そして3はリード端子1、2の形成と共に一体に
て形成された断面が10×5μのヒューズ線である。こ
のヒューズ線3と基板4との間には10μの間隙6が設
けられている。7はエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等に
て施した外装であり、8はシリコーンゴムの絶縁被覆層
である。
【0010】このような電子部品の製造を図1(b)〜
(e)および図2(a)〜(d)の製造工程により説明
すると、まず図1(b)のように、基板4上にフォトレ
ジストにより有機薄膜5を10μの厚さに形成する。次
いで、基板4に銅を用いて真空蒸着、メッキ、エッチン
グを施すことにより、リード端子1、2の一部を形成す
るとともに、同時にリード端子と一体化して有機薄膜5
上にヒューズ線3を形成する(図1(c))。
【0011】その後、この基板1とヒューズ線3との間
の有機薄膜5をアセトンにて溶解、除去して図1(d)
に示すように基板4とヒューズ線3との間に空隙部6を
形成した。次いで、ヒューズ線3の周囲にスクリーン印
刷にてシリコーンゴム層8を設け(図1(e))、さら
にリード端子1、2上にスクリーン印刷にて樹脂外装7
を行い(図2(a))、次いで基板4の裏面に蒸着、エ
ッチングによって電極1’、2’を設け(図2
(b))、さらに側面にも同様に蒸着により電極1”、
2”を設け(図2(c))、最後に図2(d)のように
電極1’、1”、2’、2”にニッケルおよび半田メッ
キ9を行って、図1(a)の超小型薄膜回路保護用電子
部品を得た。
【0012】かくして得られた、この発明の回路保護用
電子部品に、許容電流以上の電流が流れた際には、ヒュ
ーズ線3が図1(a)のようにシリコーンゴム8で覆わ
れているため、図3に示すように、ヒューズ線3の発熱
によりシリコーンゴム8の架橋数が低下し、軟化して液
状となってヒューズ線3を覆うこととなり、溶融ヒュー
ズ3aは液状シリコーンゴム8の中で溶融先端が丸くな
るとともに、それ自体の表面張力によりほぼ球状に溶断
し、その結果電流が確実に遮断されるのである。
【0013】上記の図1(a)に示すこの発明の電子部
品と、ヒューズ線を基板に接するように作成した従来の
電子部品とについて、夫々の溶断特性(電流−時間特
性)を測定したところ、図4(本発明品)および図5
(従来品)の結果が得られた。
【0014】両図の結果から、図5の従来の電子部品に
おいては、ヒューズ線で発生する熱が基板を通して放熱
されるために、バラツキの大きい溶断特性を示している
のに対し、図4のこの発明の電子部品はシャープな溶断
特性を示し、ヒューズ線が基板から離れていて、かつシ
リコーンゴム層を有しているというこの発明の構造の効
果が大であることが認められた。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、ヒュ
ーズ線を基板から離して、かつシリコーンゴムで被覆し
た構造としたことにより、ヒューズ線より発生した熱が
逃げることなく全て溶断に寄与するため、許容量以上の
電流が流れた場合のヒューズの溶断が確実に行われ、溶
断特性のバラツキの少ない回路保護用電子部品を得るこ
とが出来る。また、ヒューズ線を電極端子と一体化して
形成したことにより、従来の電子部品のようなヒューズ
と電極端子との溶接や接着工程が不要となるので、溶接
や接着に起因する信頼性の低下を来すことのない電子部
品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)はこの発明の超小型薄膜回路保護用電子
部品の内部構造の一例を示す断面図であり、(b)〜
(e)はその製造工程を示す説明図である
【図2】(a)〜(d)は図1の(b)〜(e)に続く
製造工程を示す断面図である。
【図3】この発明の超小型薄膜回路保護用電子部品のヒ
ューズ溶断後の内部状態を示す説明図である。
【図4】この発明の超小型薄膜回路保護用電子部品の溶
断特性を示す図である。
【図5】従来の超小型薄膜回路保護用電子部品の溶断特
性を示す図である。
【符号の説明】
1 リード端子 2 リード端子 3 ヒューズ線 3a 溶断ヒューズ 4 基板 5 薄膜 6 空隙 7 樹脂外装 8 シリコーンゴム層 9 ニッケルおよび半田メッキ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回路構成部品の過電流破壊を防止するた
    めに、許容量以上の電流が流れた時に回路を開放する超
    小型薄膜回路保護用電子部品において、電極端子間に形
    成する金属極細線を、基板と接することなく、かつ電極
    端子と接続部を有することなく電極端子と一体化させて
    形成したことを特徴とする超小型薄膜回路保護用電子部
    品。
  2. 【請求項2】 回路構成部品の過電流破壊を防止するた
    めに、許容量以上の電流が流れた時に回路を開放する超
    小型薄膜回路保護用電子部品において、電極端子間に形
    成する金属極細線を、基板と接することなく、かつ電極
    端子と接続部を有することなく電極端子と一体化させて
    形成し、さらにその金属極細線の周囲にシリコーンゴム
    の絶縁被覆層を有することを特徴とする超小型薄膜回路
    保護用電子部品。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007275489A (ja) * 2006-04-12 2007-10-25 Nakano Refrigerators Co Ltd 冷温蔵用ショーケース
CN101794690A (zh) * 2010-03-18 2010-08-04 南京萨特科技发展有限公司 一种贴片式丝状保险丝及其制造方法
WO2023090320A1 (ja) * 2021-11-16 2023-05-25 北陸電気工業株式会社 チップヒューズ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007275489A (ja) * 2006-04-12 2007-10-25 Nakano Refrigerators Co Ltd 冷温蔵用ショーケース
CN101794690A (zh) * 2010-03-18 2010-08-04 南京萨特科技发展有限公司 一种贴片式丝状保险丝及其制造方法
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