JPH02213456A - ヒューズ - Google Patents
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- JPH02213456A JPH02213456A JP1035676A JP3567689A JPH02213456A JP H02213456 A JPH02213456 A JP H02213456A JP 1035676 A JP1035676 A JP 1035676A JP 3567689 A JP3567689 A JP 3567689A JP H02213456 A JPH02213456 A JP H02213456A
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- conductor portion
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- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H37/00—Thermally-actuated switches
- H01H37/74—Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
- H01H37/76—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
- H01H2037/768—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material characterised by the composition of the fusible material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H37/00—Thermally-actuated switches
- H01H37/74—Switches in which only the opening movement or only the closing movement of a contact is effected by heating or cooling
- H01H37/76—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material
- H01H37/761—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material with a fusible element forming part of the switched circuit
Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はヒユーズに関するものであり、特に電子機器
に取付けられるヒユーズに関するものである。
に取付けられるヒユーズに関するものである。
Ｃ従来の技術Ｊ
電気回路等が過電流によって損傷するのを防ぐため、電
気回路にヒユーズが組込まれている場合がある。
気回路にヒユーズが組込まれている場合がある。
従来ヒユーズの種類としてコネクタ付ヒユーズ、ガラス
管入りヒユーズ、電線型ヒユーズ、部品内蔵型ヒユーズ
等°があった。
管入りヒユーズ、電線型ヒユーズ、部品内蔵型ヒユーズ
等°があった。
第５図、はコネクタ付ヒユーズの平面図であり、第６図
は第５図のＶｌ−Ｖｌ線における断面図である。
は第５図のＶｌ−Ｖｌ線における断面図である。
第５図に示すように、コネクタ付ヒユーズとは、導体部
分２１の両端に端子２２を取付けたものに、プラスチッ
ク製のケースであるコネクタ２ｏを端子２２の一部が露
出するように被せたものである。
分２１の両端に端子２２を取付けたものに、プラスチッ
ク製のケースであるコネクタ２ｏを端子２２の一部が露
出するように被せたものである。
第７図はガラス管入りヒユーズの平面図である。
第７図に示すように、ガラス管入りヒユーズとは両端に
端子２７が取付けられたガラス管２５の中に導体部分２
６を封入したものである。
端子２７が取付けられたガラス管２５の中に導体部分２
６を封入したものである。
第８図は電線型ヒユーズの平面図である。第８図に示す
ように、電線型ヒユーズとは耐熱有機材料３２で被覆し
た導体部分３１の両端に端子３３を取付けたものである
。
ように、電線型ヒユーズとは耐熱有機材料３２で被覆し
た導体部分３１の両端に端子３３を取付けたものである
。
［発明が解決しようとする課題］
ところでコネクタ付ヒユーズ（第５図、第６図）やガラ
ス管入りヒユーズ（第７図）は、コネクタやガラス管の
ようなケースが付いているため、大型となる。このため
これらのタイプのヒユーズは高密度化が要求される電子
機器等の分野には使用され難かった。また、この種のヒ
ユーズはケース内に溶断されるべき導体部分を収納する
ための空間を設けているため、ケースの縮小化にも限界
があった。
ス管入りヒユーズ（第７図）は、コネクタやガラス管の
ようなケースが付いているため、大型となる。このため
これらのタイプのヒユーズは高密度化が要求される電子
機器等の分野には使用され難かった。また、この種のヒ
ユーズはケース内に溶断されるべき導体部分を収納する
ための空間を設けているため、ケースの縮小化にも限界
があった。
また、電線型ヒユーズ（第８図）は、導体部分に直接有
機材料を被覆しているため、導体部分が溶断した際に溶
融した導体部分によって有機材料が燃焼するおそれがあ
った。
機材料を被覆しているため、導体部分が溶断した際に溶
融した導体部分によって有機材料が燃焼するおそれがあ
った。
さらに、部品内蔵型ヒユーズは、素子と導体部分が直接
接続されているため導体部分が溶断した際に溶融した導
体部分によって素子が燃焼するおそれがあった。
接続されているため導体部分が溶断した際に溶融した導
体部分によって素子が燃焼するおそれがあった。
したがってこの発明の目的は上記のような問題点を解消
するためになされたもので、小型化することができると
ともに、導体部分が溶断した際に溶融した導体部分によ
ってヒユーズ周辺の機器や素子に熱影響を及ぼすことの
ないヒユーズを提供することである。
するためになされたもので、小型化することができると
ともに、導体部分が溶断した際に溶融した導体部分によ
ってヒユーズ周辺の機器や素子に熱影響を及ぼすことの
ないヒユーズを提供することである。
［課題を解決するための手段］
この発明のヒユーズは、Ｃｕ、ＡｆＬ、Ａｇ５Ｐｂ％Ｓ
ｎ、、Ｚｎ、ＩｎおよびＳｂからなる群から選ばれた１
種以上の元素を主成分とする導体部分と、前記導体部分
の表面上に形成されたセラミックス層とを備える。
ｎ、、Ｚｎ、ＩｎおよびＳｂからなる群から選ばれた１
種以上の元素を主成分とする導体部分と、前記導体部分
の表面上に形成されたセラミックス層とを備える。
Ｃｕ ｓ Ａ Ｑ、およびＡｇのうち少なくとも一方を
導体部分の主成分とするヒユーズは、電流ヒユーズ、す
なわち回路に過電流が流れた場合に導体部分が溶断する
もの、として用いられるのが好ましい。
導体部分の主成分とするヒユーズは、電流ヒユーズ、す
なわち回路に過電流が流れた場合に導体部分が溶断する
もの、として用いられるのが好ましい。
ＰｂＳＳｎ、Ｚｎ、ＩｎおよびＳｂからなる群から選ば
れた１種以上の元素を導体部分の主成分とするヒユーズ
は、温度ヒユーズ、すなわち回路が一定以上の温度に加
熱された場合に導体部分が溶断するもの、として用いら
れるのが好ましい。
れた１種以上の元素を導体部分の主成分とするヒユーズ
は、温度ヒユーズ、すなわち回路が一定以上の温度に加
熱された場合に導体部分が溶断するもの、として用いら
れるのが好ましい。
該セラミックス層は、Ａ ｆＬ２０ｘとＳｌＯ□のうち
１種以上を主成分とする絶縁性セラミックスを含むのが
好ましい。
１種以上を主成分とする絶縁性セラミックスを含むのが
好ましい。
該セラミックス層は、溶射法によって形成されたセラミ
ックス層を含むのが好ましい。
ックス層を含むのが好ましい。
この発明のヒユーズは、該セラミックス層の外表面上に
、耐熱有機材料層もしくは難燃性有機材料層を備えるの
が好ましい。
、耐熱有機材料層もしくは難燃性有機材料層を備えるの
が好ましい。
［発明の作用・効果］
この発明のヒユーズは導体部分をセラミックス層で被覆
している。このセラミックス層は多数の間隙部分を含ん
でいるため、溶融した導体部分はその間隙部分に−み混
む。そのため導体部分とセラミックス層との間に溶融し
た導体部分を収容するための空間を設ける必要がない。
している。このセラミックス層は多数の間隙部分を含ん
でいるため、溶融した導体部分はその間隙部分に−み混
む。そのため導体部分とセラミックス層との間に溶融し
た導体部分を収容するための空間を設ける必要がない。
したがってコネクタ付ヒユーズやガラス管入りヒユーズ
よりも小型化が図られる。
よりも小型化が図られる。
またセラミックス層は耐熱不燃性なので、導体部分が溶
断した際に溶融した導体部分によってセラミックス層が
焼損することはない。また溶融した導体部分によって発
生する熱は、セラミックス層を介して外部に伝えられる
ことはない。このためヒユーズ周辺の素子、機器等は溶
融した導体部分が原因となる損傷は起こらなくなる。
断した際に溶融した導体部分によってセラミックス層が
焼損することはない。また溶融した導体部分によって発
生する熱は、セラミックス層を介して外部に伝えられる
ことはない。このためヒユーズ周辺の素子、機器等は溶
融した導体部分が原因となる損傷は起こらなくなる。
また導体部分をセラミックス層で被覆しているのでヒユ
ーズの特性を変化させる外乱要因（たとえば空気、）の
影響を受けにくくなる。そのためヒユーズの溶断特性が
安定する。なぜならば導体部分が露出されていると、外
乱要因によりヒユーズが冷却されるので、回路に定格値
以上の電流が流れたとしてもまたは回路が定格値以上の
温度に加熱されたとしても、ヒユーズが溶断しない場合
があるからである。
ーズの特性を変化させる外乱要因（たとえば空気、）の
影響を受けにくくなる。そのためヒユーズの溶断特性が
安定する。なぜならば導体部分が露出されていると、外
乱要因によりヒユーズが冷却されるので、回路に定格値
以上の電流が流れたとしてもまたは回路が定格値以上の
温度に加熱されたとしても、ヒユーズが溶断しない場合
があるからである。
セラミックス層の材料として、Ａｕ２’ｓと５ＩＯ２の
うち１種以上を主成分とする絶縁性セラミックスを用い
れば、平常時能の電線と短絡することはない。したがっ
て、短絡によるヒユーズの溶断を防止することができる
。
うち１種以上を主成分とする絶縁性セラミックスを用い
れば、平常時能の電線と短絡することはない。したがっ
て、短絡によるヒユーズの溶断を防止することができる
。
またＡｆＪ、ｚＯｓや５ｉ０２は耐熱性が優れている。
そのため、この種のセラミックスを用いて導体部分を被
覆すれば、外乱要因の影響をより受は難いヒユーズが得
られ、ヒユーズの信頼性が向上する。
覆すれば、外乱要因の影響をより受は難いヒユーズが得
られ、ヒユーズの信頼性が向上する。
この発明のヒユーズを構成するセラミックス層を溶射法
で形成すれば、プラズマＣＶＤ法等でセラミックス層を
形成するよりも容易にセラミックス層の形成および厚膜
化が図られる。
で形成すれば、プラズマＣＶＤ法等でセラミックス層を
形成するよりも容易にセラミックス層の形成および厚膜
化が図られる。
原子状態のセラミックス粒子を付着させることによって
セラミックス層を形成するプラズマＣＶＤ法等に比べて
、溶射法によれば、液滴状態のセラミックス粒子を付着
させることによって膜形成を行なうからである。
セラミックス層を形成するプラズマＣＶＤ法等に比べて
、溶射法によれば、液滴状態のセラミックス粒子を付着
させることによって膜形成を行なうからである。
また、セラミックス層を溶射法で形成すれば、プラズマ
ＣＶＤ法等でセラミックス層を形成するよりも、ヒユー
ズの端子付け、半田付けおよびボンディングを行なうた
めに必要なセラミックス層の部分的除去が容易となる。
ＣＶＤ法等でセラミックス層を形成するよりも、ヒユー
ズの端子付け、半田付けおよびボンディングを行なうた
めに必要なセラミックス層の部分的除去が容易となる。
これは、プラズマＣＶＤ法等によれば導体部分とセラミ
ックス層とが化学結合するようにセラミックス層が形成
されるのに対し、溶射法によれば、導体部分とセラミッ
クス層とが機械的に結合するようにセラミックス層が形
成されるので、セラミックス層を除去するのがより容易
となるからである。
ックス層とが化学結合するようにセラミックス層が形成
されるのに対し、溶射法によれば、導体部分とセラミッ
クス層とが機械的に結合するようにセラミックス層が形
成されるので、セラミックス層を除去するのがより容易
となるからである。
この発明のヒユーズを構成するセラミックス層の外表面
上を耐熱有機材料もしくは難燃性有機材料で被覆すれば
、セラミックス層の剥離を防止することが、でき、ヒユ
ーズの信頼性が向上する。
上を耐熱有機材料もしくは難燃性有機材料で被覆すれば
、セラミックス層の剥離を防止することが、でき、ヒユ
ーズの信頼性が向上する。
また、セラミックス層を有機材料で被覆すれば、多くの
機器にヒユーズ線を次々と配線していく際に、配線作業
を円滑に行なうことができ、機器の生産性が向上する。
機器にヒユーズ線を次々と配線していく際に、配線作業
を円滑に行なうことができ、機器の生産性が向上する。
リールに巻かれたヒユーズ線を引出して次々に機器に取
付けていく際、有機材料でヒユーズの外周面が被覆され
ていると、セラミックスのみで被覆されている場合に比
べて、外周面の滑り性が良好なので、ヒユーズ線を機器
に案内するためのガイド等と摩擦しにくいからである。
付けていく際、有機材料でヒユーズの外周面が被覆され
ていると、セラミックスのみで被覆されている場合に比
べて、外周面の滑り性が良好なので、ヒユーズ線を機器
に案内するためのガイド等と摩擦しにくいからである。
なお耐熱有機材料としては、ポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリエステルイミド、架橋ポリエチレンがあり、
難燃性有機材料としては、難燃ポリエチレン（ＰＶＣ）
、四フッ化エチレンがある。
ミド、ポリエステルイミド、架橋ポリエチレンがあり、
難燃性有機材料としては、難燃ポリエチレン（ＰＶＣ）
、四フッ化エチレンがある。
［実施例］
（実施例１）
第１図に示すこの発明の実施例１のヒユーズを以下の方
法で作製した。
法で作製した。
直径１ｍｍの導体部分であるＰｂ−３０％Ｓｎ合金の丸
棒１の表面上にＡｆＬ２０３粉末をプラズマ溶射して、
直径３０μｍ厚のＡ（Ｌ２０３層２を形成する。さらに
ＡＱ、２０ｓ層２の表面上に１００μｍ厚の架橋ポリエ
チレン層３を形成した。
棒１の表面上にＡｆＬ２０３粉末をプラズマ溶射して、
直径３０μｍ厚のＡ（Ｌ２０３層２を形成する。さらに
ＡＱ、２０ｓ層２の表面上に１００μｍ厚の架橋ポリエ
チレン層３を形成した。
その後、導体部分の両端部にあるＡｌｌｚＯｓ層２と架
橋ポリエチレン層３を除去し、導体部分の両端部に端子
４を取付けた。第２図は第１図の■−■線における断面
図である。
橋ポリエチレン層３を除去し、導体部分の両端部に端子
４を取付けた。第２図は第１図の■−■線における断面
図である。
このヒユーズをロボット機器の電源導入部の保護回路に
組込んで使用した。この電源導入部に定格値以上の電流
を流し、ヒユーズの過負荷テストを行なった。溶断特性
は、Ｐｂ−３０％Ｓｎ合金のみから構成されるヒユーズ
よりも安定していた。
組込んで使用した。この電源導入部に定格値以上の電流
を流し、ヒユーズの過負荷テストを行なった。溶断特性
は、Ｐｂ−３０％Ｓｎ合金のみから構成されるヒユーズ
よりも安定していた。
また溶断後架橋ポリエチレン被覆が燃焼することもなか
った。
った。
（実施例２）
第３図に示すこの発明の実施例２のヒユーズを以下の方
法で作製した。
法で作製した。
導体部分である黄銅板７の表面上に、Ａｌ１１２０、と
５ＩＯ２の混合粉末と溶剤とを混合したものを、付着、
させ、焼成して黄銅板７の表面上に約５０μｍ厚のＡＱ
ｚＯｓと５ｉｏ２の混合層８を形成した。
５ＩＯ２の混合粉末と溶剤とを混合したものを、付着、
させ、焼成して黄銅板７の表面上に約５０μｍ厚のＡＱ
ｚＯｓと５ｉｏ２の混合層８を形成した。
その後この黄銅板７の表面上に混合層を形成したものの
両端部に端子の役目を果たすボルトを貫通させるための
穴６を形成し、ヒユーズを完成した。第４図は、第３図
のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
両端部に端子の役目を果たすボルトを貫通させるための
穴６を形成し、ヒユーズを完成した。第４図は、第３図
のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。
このヒユーズ、黄銅のみからなるヒユーズおよび黄銅に
直接ＰＶＣ被覆したヒユーズをそれぞれ自動車のバッテ
リの端子につないで溶断テストを実施した。
直接ＰＶＣ被覆したヒユーズをそれぞれ自動車のバッテ
リの端子につないで溶断テストを実施した。
このヒユーズは、黄銅のみからなるヒユーズに比べて溶
断特性が安定していた。
断特性が安定していた。
また、このヒユーズは溶断後ヒユーズ周辺の素子や機器
に溶融した黄銅による熱影響がほとんど及ばなかった。
に溶融した黄銅による熱影響がほとんど及ばなかった。
これに対し、黄銅のみからなるヒユーズは溶断後、溶融
した黄銅が他の電線等に飛散し、電線等を焦がした。ま
た黄銅に直接ＰｖＣ被覆したヒユーズは溶断後溶融した
黄銅によってｐｖｃが焼損した。
した黄銅が他の電線等に飛散し、電線等を焦がした。ま
た黄銅に直接ＰｖＣ被覆したヒユーズは溶断後溶融した
黄銅によってｐｖｃが焼損した。
第１図はこの発明の実施例１のヒユーズを示す平面図で
ある。第２図は、第１図の■−■線における断面図であ
る。第３図はこの発明の実施例２によるヒユーズを示す
平面図である。第４図は、第３図のＩＶ−ＩＶ線におけ
る断面図である。第５図は従来のコネクタ付ヒユーズを
示す平面図である。 第６図は第５図のＶｌ−Ｖｌ線における断面図である。 第７図は従来のガラス管入りヒユーズを示す平面図であ
る。第８図は従来の電線型ヒユーズを示す平面図である
。 図において１はＰｂ−３０％Ｓｎ合金の丸棒、２はＡＩ
ＬｚＯｓ層、３は架橋ポリエチレン層、７は黄銅板、８
はＡＡ２０ｓと５ｉ０２の混合層を示す。 第７図
ある。第２図は、第１図の■−■線における断面図であ
る。第３図はこの発明の実施例２によるヒユーズを示す
平面図である。第４図は、第３図のＩＶ−ＩＶ線におけ
る断面図である。第５図は従来のコネクタ付ヒユーズを
示す平面図である。 第６図は第５図のＶｌ−Ｖｌ線における断面図である。 第７図は従来のガラス管入りヒユーズを示す平面図であ
る。第８図は従来の電線型ヒユーズを示す平面図である
。 図において１はＰｂ−３０％Ｓｎ合金の丸棒、２はＡＩ
ＬｚＯｓ層、３は架橋ポリエチレン層、７は黄銅板、８
はＡＡ２０ｓと５ｉ０２の混合層を示す。 第７図
Claims (4)
- （１）Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎおよ
びＳｂからなる群から選ばれた１種以上の元素を主成分
とする導体部分と、 前記導体部分の表面上に形成されたセラミックス層とを
備える、ヒューズ。 - （２）前記セラミックス層は、Ａｌ＿２Ｏ＿３とＳｉＯ
＿２のうち１種以上を主成分とする絶縁性セラミックス
を含む、請求項１に記載のヒューズ。 - （３）前記セラミックス層は、溶射法によって形成され
たセラミックス層を含む、請求項１に記載のヒューズ。 - （４）前記ヒューズは、前記セラミックス層の外表面上
に形成された耐熱有機材料層もしくは難燃有機材料層を
備える、請求項１に記載のヒューズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035676A JPH02213456A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | ヒューズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1035676A JPH02213456A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | ヒューズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02213456A true JPH02213456A (ja) | 1990-08-24 |
Family
ID=12448485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1035676A Pending JPH02213456A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | ヒューズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02213456A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0551725A (ja) * | 1991-08-19 | 1993-03-02 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 複層材 |
| EP0663679A2 (de) * | 1994-01-13 | 1995-07-19 | Schurter AG | Elektrische Sicherung und Verfahren zur ihrer Herstellung |
| US7414327B2 (en) | 2006-02-27 | 2008-08-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Starter |
| JP2014063639A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 過電流遮断機能付き電線 |
| JP2014137884A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Tyco Electronics Japan Kk | ヒューズ素子 |
| US20180355462A1 (en) * | 2012-11-15 | 2018-12-13 | Afl Telecommunications Llc | Methods for applying aluminum coating layer to a core of copper wire |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP1035676A patent/JPH02213456A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JPH0551725A (ja) * | 1991-08-19 | 1993-03-02 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 複層材 |
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| EP0663679A3 (de) * | 1994-01-13 | 1996-01-10 | Schurter Ag | Elektrische Sicherung und Verfahren zur ihrer Herstellung. |
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