WO2016064105A1 - 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈 및 그 제조방법 - Google Patents

온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈 및 그 제조방법 Download PDF

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김종식
김현철
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주식회사 에스엠하이테크
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    • H01H37/761—Contact member actuated by melting of fusible material, actuated due to burning of combustible material or due to explosion of explosive material with a fusible element forming part of the switched circuit

Definitions

  • the present invention relates to an SMD type micro fuse, and in particular, a heating electrode, a thermal fuse, and a varistor are designed in a complex manner to operate stably at a high surge voltage, so that a current can be blocked according to heat generated during the operation of the fuse. It relates to a smd type micro composite fuse having a fuse function and a method of manufacturing the same.
  • Micro fuses are used to protect various electronic devices by blocking overcurrent in electronic circuits, and are being used as core components in electronic devices such as mobile devices and chargers. Recently, as the use of mobile devices or chargers increases, surface mount device (SMD) type micro fuses which are stable to high surge have been continuously developed and used.
  • SMD surface mount device
  • micro-fuse The function of the micro-fuse is designed with a time delay characteristic that is resistant to in-rush current or to high surge voltage in a simple fast-acting fuse caused by overcurrent.
  • Micro-fuses with time delays have been implemented by increasing the length of fuse lines (solubles).
  • Patent No. 10-1058946 Time Delay Microfuse with Multi-Layered Molding Layer and Its Manufacturing Method Registered in Korean Patent Office by the Applicant,
  • the fuse board, the soluble body connected to each terminal of the fuse board, the above soluble inside A micro fuse having a structure in which a molding layer is formed on a front surface of a fuse substrate to accommodate a sieve has been proposed.
  • the present invention is to reduce the risk of fire and explosion due to charging and discharging at overcurrent and high temperature, in particular, while the heating electrode and the thermal fuse and the varistor are designed in a complex manner while operating stably at a high surge voltage,
  • An object of the present invention is to provide an SMD type micro composite fuse having a thermal fuse function capable of blocking current according to heat generated and a method of manufacturing the same.
  • an SMD micro composite fuse having a thermal fuse function includes: a fuse substrate on which at least one first and second electrodes are formed; A varistor layer formed on the front surface of the fuse substrate; First and second connection terminals respectively disposed on one side of the varistor layer and a part of the other front surface, and connected to the at least one first and second electrodes, respectively; At least one temperature fuse disposed on the front surface of the varistor layer without contact with the first and second connection terminals and connected to the fuse substrate; And a fusible body wire-bonded to the first and second connection terminals in a non-contact state with the at least one thermal fuse.
  • a method of manufacturing an SMD micro composite fuse having a thermal fuse function may include forming at least one first and second electrodes on at least one fuse substrate, respectively. step; Forming a varistor layer on a front surface of the fuse substrate; Configuring first and second connection terminals disposed on one side of the varistor layer and a part of the front surface of the other side, respectively, to be connected to the at least one first and second electrodes, respectively; Forming at least one thermal fuse to be connected to the fuse substrate while being disposed on the front surface of the varistor layer in a non-contact state with the first and second connection terminals; And wire-bonding a soluble material to the first and second connection terminals while making contact with the at least one thermal fuse.
  • SM type micro composite fuse having a thermal fuse function according to an embodiment of the present invention having various technical features as described above and a method of manufacturing the same stably operate at high surge voltage to increase the life of the micro fuse, It can protect the circuit.
  • the current can be blocked according to the temperature of the fuse itself when a transient current is generated, thereby providing a stable micro fuse to the temperature change factor.
  • the varistor formed of the optimized material eliminates the transient waveform of irregular voltage and current, contributes to the stable operation of the micro fuse and maximizes the life, thereby further improving the reliability of the SMD micro composite fuse.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an SM-type micro composite fuse having a thermal fuse function according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a circuit diagram showing an SM-type micro composite fuse having a thermal fuse function according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an SMD micro composite fuse having a thermal fuse function according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a configuration of a base substrate for mass production of a plurality of SMDM micro fuses.
  • FIG. 6 is a diagram analyzing the temperature characteristics of the SM type micro fuse through the simulation of the ANSYS program.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an SMD micro composite fuse having a thermal fuse function according to an embodiment of the present invention
  • Figure 2 is a cross-sectional view showing a cross-sectional view taken along line II 'of
  • FIG. 3 is a circuit diagram of an SMD micro composite fuse having a thermal fuse function according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • an SMD type micro composite fuse having a thermal fuse function includes a fuse substrate 2 and a front surface of the fuse substrate 2 on which at least one first and second electrodes 3 and 4 are formed, respectively.
  • the first and second connection terminals 10 disposed on the varistor layer 8 and the part of one side of the varistor layer 8 and the other front surface of the varistor layer 8 respectively connected to the at least one first and second electrodes 3 and 4, respectively.
  • 11 and the fuse substrate 2 through a plurality of contact holes which are disposed on the front of the varistor layer 8 in a non-contact state with the first and second connection terminals 10 and 11 and penetrate the varistor layer 8.
  • an SMD type micro composite fuse having a thermal fuse function is provided between the front surface of the fuse substrate 2 and the rear surface of the varistor layer 8 in a non-contact state with at least one of the first and second electrodes 3 and 4.
  • the molding layer 16 may be further provided.
  • the at least one thermal fuse 12 may be electrically connected to the at least one heating electrode 6 through at least one contact hole among the plurality of contact holes penetrating the varistor layer 8.
  • the fuse board 2 may be a PCB made of FR4 material having high heat resistance, and at least one first and second electrodes electrically connected to external terminals at both ends of the fuse board 2, that is, one side and the other part of the region. Electrodes 3 and 4 are constructed.
  • At least one of the first and second electrodes 3 and 4 may be configured to be attached or wrapped on one side of the fuse substrate 2 and a portion of the other side of the fuse substrate 2, and the through holes of the fuse substrate 2 may be formed as illustrated in FIG. 2. It may be configured to penetrate through.
  • the varistor layer 8 is configured to cover the entire surface of the fuse substrate 2 including at least one of the first and second electrodes 3, 4. Since the varistor layer 8 allows current to flow only above a certain voltage according to its component, it is possible to block a certain level of surge voltage, thereby protecting from a certain level of surge voltage. In other words, the varistor layer 8 can be protected from the surge voltage because the varistor layer 8 cuts a certain level of surge voltage by causing a large current to flow when the current increases in series and takes a large voltage.
  • the varistor layer 8 may be formed of a silicon carbide (SiC) or zinc oxide (ZnO) material, or may be formed of a conductive silicon, carbon composite material, or the like based on a silicon carbide (SiC) or zinc oxide (ZnO) material. Oxides may be formed by mixing. In particular, it is optimized according to the composition ratio of the metal oxide (or ceramic material) to the silicon carbide-based (SiC) or zinc oxide-based (ZnO) material and the pattern design structure (for example, 3: 1 60 ⁇ m / 20 ⁇ m pattern). State can control a certain level of current flow.
  • the varistor layer 8 formed of the optimized material and structure eliminates the transient waveform of irregular voltage and current, contributes to the stable operation of the micro fuse, and can maximize the lifetime.
  • the varistor layer 8 is configured to cover the entire surface of the fuse substrate 2 including at least one of the first and second electrodes 3 and 4, the contact surface and the volume thereof can be increased to stabilize the micro fuse. Can increase.
  • the first and second connection terminals 10 and 11 are disposed on one side of the varistor layer 8 and a part of the other front surface, respectively, and are electrically connected to the at least one first and second electrodes 3 and 4, respectively.
  • the first and second connection terminals 10 and 11 are formed by a patterning process of copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), or the like, or copper (Cu) and aluminum Alloys such as (Al) may be formed by a patterning process.
  • the first and second connection terminals 10 and 11 may be disposed at a portion of one side of the varistor layer 8 and a part of the front surface of the varistor layer 8, and may contact at least one contact hole among the plurality of contact holes penetrating the varistor layer 8.
  • the at least one first and second electrodes 3 and 4 and the fuse substrate 2 may be electrically contacted with each other.
  • At least one thermal fuse 12 is disposed in front of the varistor layer 8 in a non-contact state with the first and second connection terminals 10 and 11 and at least one of a plurality of contact holes penetrating the varistor layer 8. It is connected with the fuse board 2 through the contact hole of.
  • the at least one thermal fuse 12 is in contact with and fixed to the varistor layer 8 through at least one contact hole among the plurality of contact holes, thereby further increasing thermal conduction efficiency and current flow control efficiency according to the contact surface.
  • the thermal fuse 12 is made by sintering a metal oxide and using a property of changing resistance according to temperature.
  • the thermal fuse 12 is a binary or ternary transition metal oxide such as manganese, nickel, cobalt, iron, copper, etc. It can form by mixing raw material powder using the other oxidation system.
  • the at least one thermal fuse 12 may be configured with at least one heating electrode 6, wherein the at least one heating electrode 6 is formed of a first and a second electrode. Patterned and configured to be disposed in a portion of the front surface of the fuse substrate 2 in a non-contact state with the electrodes (3,4). Accordingly, the varistor layer 8 is deposited and cured on the entire surface of the varistor layer 8 so as to cover the heating electrode 6, and the thermal fuse 12 includes at least one contact hole among the plurality of contact holes penetrating the varistor layer 8. Patterned to be electrically connected to the at least one heating electrode (6) through. As such, the at least one thermal fuse 12, the varistor layer 8, and the heating electrode 6 are contacted and fixed to each other through at least one contact hole, thereby further increasing thermal conduction efficiency and current flow control efficiency according to the contact surface. have.
  • the at least one heating electrode 6 is heated by the heat generated during the operation of the micro fuse, the resistance value thereof, the volume and the expansion rate change, and the thermal fuse 12 directly connected to the at least one heating electrode 6. ) And the varistor layer 8 control the current flow according to the heat generation degree of the heating electrode 6.
  • the at least one fusible body 14 is electrically connected to the first and second connection terminals 10 and 11 by a wire bonding method in a non-contact state with the at least one thermal fuse 12.
  • the at least one soluble body 14 may be formed of silver, copper, gold, aluminum or their alloys in the same direction using a soluble body having similar electrical conductivity to the first and second connection terminals 10 and 11 patterns, or their It is composed by connecting any one of the metals plated with one of them by ball wire bonding method.
  • the at least one soluble material 14 is configured to connect patterns having independent structures to each other, and is configured to serve as a soluble material that can safely protect a circuit when abnormal current is drawn.
  • the at least one fusible body 14, the at least one thermal fuse 12 and the varistor layer 8 on which the at least one heating electrode 6 is formed are contacted and fixed to each other through at least one contact hole, or the like.
  • the thermal conduction efficiency and the current flow control efficiency according to the contact surface can be further improved.
  • the molding layer 16 is formed to cover all of the first and second connection terminals 10 and 11, the fuse 14, and the fuse substrate 2 including the at least one thermal fuse 12.
  • the molding layer 16 is PSR ink (Photo imageable Solder Resist mask ink) on the fuse substrate 2 in order to prevent the soluble body 14 from being contaminated by external foreign matter or damaged by external force such as impact. Is applied to form a predetermined thickness.
  • the molding layer 16 is preferably formed so as to surround the soluble body 14 for protection and stability of the soluble body 14, the coating of the PSR ink is preferably made of a screen printing method.
  • a print mask (not shown) having an opening pattern corresponding to the shape of the fuse substrate 2 is prepared, and PSR ink is applied through the opening pattern of the printing mask, thereby forming a predetermined thickness on the fuse substrate 2.
  • the PSR ink is applied, and the molding layer 16 is formed after curing of the PSR ink.
  • FIG. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an SMD micro composite fuse having a thermal fuse function according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • a plurality of fuse substrates 2 prepare a base substrate 20 having a shape defined at a predetermined interval in the horizontal and vertical directions.
  • FIG. 5 which shows the configuration of the base substrate 20, a plurality of fuse substrates 2 for manufacturing an SMD micro fuse are defined at regular intervals in the horizontal and vertical directions, for example. It can be defined and divided to form 60 horizontal and 60 vertical SMD micro fuses.
  • At least one of the fuse boards 2 may be distinguished from the FR4 PCB having high heat resistance, and may be electrically connected to external terminals at one side of the fuse board 2 and some other regions of the fuse board 2.
  • One first and second electrode 3, 4 is formed.
  • at least one of the first and second electrodes 3 and 4 may be configured to be attached to or wrapped in one region of the fuse substrate 2 and a portion of the other side of the fuse substrate 2, or may penetrate the fuse substrate 2 as shown in FIG. 2. It may be configured through the holes.
  • At least one heating electrode 6 is disposed on a portion of the front surface of each fuse substrate 2 such that the first and second electrodes 3 and 4 of each fuse substrate 2 are not in contact with each other. It is formed by patterning.
  • the at least one heating electrode 6 may be formed of the same metal material through the same patterning process as the first and second electrodes 3 and 4 when forming the first and second electrodes 3 and 4. have.
  • the heating electrode 6 and the first and second electrodes 3 and 4 may be simultaneously formed through a patterning process in which exposure and etching processes are performed step by step using at least one mask.
  • an SMSYS-type micro fuse is modeled in 3D through simulation of an ANSYS program, and when temperature characteristics are analyzed by a transient current, it can be seen that heat generation becomes higher when the surge voltage is applied to the center.
  • the at least one heating electrode 6 is preferably configured to be in non-contact with the first and second electrodes 3 and 4 based on the front center area of each fuse substrate 2.
  • a silicon carbide-based (SiC) or zinc oxide-based (ZnO) material or the like so as to cover the entire surface of the fuse substrate 2 including at least one of the first and second electrodes 3 and 4.
  • a varistor layer 8 is formed by depositing and patterning a material in which a metal oxide is mixed with a zinc oxide (ZnO) material.
  • each varistor layer 8 may be formed in a 3: 1 60 ⁇ m / 20 ⁇ m pattern. In the patterning process, a plurality of contact holes are formed in the varistor layer 8.
  • connection terminal and the thermal fuse forming step ST5 one side and the other front surface of the varistor layer 8 are first electrically connected to the at least one first and second electrodes 3 and 4 through at least one contact hole.
  • the first and second connection terminals 10 and 11 are formed in part.
  • the first and second connection terminals 10 and 11 are formed by a patterning process of copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), or the like, or copper (Cu) and aluminum (Al) It is formed by a patterning process with alloys, such as these.
  • the first and second connection terminals 10 and 11 are fixed to the at least one first and second electrodes 3 and 4 and the fuse substrate 2 through at least one contact hole, respectively, thereby forming a current flow path.
  • the configuration form of the varistor layer 8 can be maintained firmly.
  • At least one thermal fuse 12 is patterned so as to be disposed on the front surface of the varistor layer 8 in a non-contact state with the first and second connection terminals 10 and 11.
  • the thermal fuse 12 is made by sintering a metal oxide and using a property of changing resistance according to temperature.
  • the thermal fuse 12 is a binary or ternary transition metal oxide such as manganese, nickel, cobalt, iron, copper, etc. It can form by mixing raw material powder using the other oxidation system.
  • the at least one thermal fuse 12 is connected to the fuse substrate 2 through at least one contact hole among the plurality of contact holes penetrating the varistor layer 8.
  • the at least one soluble body 14 may be electrically connected to the first and second connection terminals 10 and 11 by a wire bonding method in a non-contact state with the at least one thermal fuse 12.
  • the soluble body 14 is plated with silver, copper, gold, aluminum or their alloys, or any of them in the same direction using a soluble body having similar electrical conductivity to the first and second connection terminals 10 and 11 patterns.
  • One of the metals is connected by ball wire bonding.
  • the molding layer 16 is formed to a predetermined thickness by applying PSR ink (Photo imageable Solder Resist mask ink) on the fuse substrate (2).
  • PSR ink Photo imageable Solder Resist mask ink
  • the molding layer 16 is preferably formed so as to surround the soluble body 14 for protection and stability of the soluble body 14, the coating of the PSR ink is preferably made of a screen printing method.
  • a print mask (not shown) having an opening pattern corresponding to the shape of the fuse substrate 2 is prepared, and PSR ink is applied through the opening pattern of the printing mask, thereby forming a predetermined thickness on the fuse substrate 2.
  • PSR ink is applied, and a molding layer 16 is formed after curing of the PSR ink.
  • each SMDM type micro composite fuse can be mass-produced by cutting the SMD type micro composite fuses integrated into one PCB used as a base substrate by using a high speed blade at regular intervals. Can be. Referring to the base substrate and SMD type micro composite fuses for mass production of FIG. 5, it can be seen that a plurality of SM type micro composite fuses are formed at regular intervals on the base substrate.
  • the smd type micro composite fuse having a thermal fuse function and a method of manufacturing the same operate stably even at a high surge voltage to increase the life of the micro fuse and protect the electronic circuit from abnormal current. can do.
  • the current can be blocked according to the temperature of the fuse itself when a transient current is generated, thereby providing a stable micro fuse to the temperature change factor.
  • the varistor formed of the optimized material eliminates the transient waveform of irregular voltage and current, contributes to the stable operation of the micro fuse and maximizes the life, thereby further improving the reliability of the SMD micro composite fuse.
  • SM type micro composite fuse having a thermal fuse function according to an embodiment of the present invention having various technical features as described above and a method of manufacturing the same stably operate at high surge voltage to increase the life of the micro fuse, It can protect the circuit.
  • the current can be blocked according to the temperature of the fuse itself when a transient current is generated, thereby providing a stable micro fuse to the temperature change factor.

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Abstract

본 발명은 높은 서지 전압에 안정적으로 동작되도록 하면서도 히팅 전극과 온도 퓨즈 및 바리스터가 복합적으로 설계되어, 퓨즈 동작시 발생되는 열에 따라서도 전류를 차단시킬 수 있도록 한 온도 퓨즈 기능을 가진 SMD(surface mount device)형 마이크로 퓨즈 및 그 제조방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극이 각각 형성된 퓨즈 기판; 상기 퓨즈 기판의 전면에 형성된 바리스터층; 상기 바리스터층의 일측 및 타측 전면 일부에 각각 배치되되 상기 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극과 각각 접속된 제 1 및 제 2 접속 단자; 상기 제 1 및 제 2 접속 단자와는 비접촉 상태로 상기 바리스터층의 전면에 배치되면서도 상기 퓨즈 기판과 접속된 적어도 하나의 온도 퓨즈; 및 상기 적어도 하나의 온도 퓨즈와는 비접촉 상태로 상기 제 1 및 제 2 접속 단자에 와이어 본딩된 가용체를 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈 및 그 제조방법
본 발명은 에스엠디형 마이크로 퓨즈에 관한 것으로, 특히 높은 서지 전압에 안정적으로 동작하도록 하면서도 히팅 전극과 온도 퓨즈 및 바리스터가 복합적으로 설계되어, 퓨즈 동작시 발생되는 열에 따라서도 전류를 차단시킬 수 있도록 한 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈 및 그 제조방법에 관한 것이다.
마이크로 퓨즈는 전자 회로에서 과전류를 차단하여 각종 전자 소자들을 보호하기 위한 것으로, 모바일 기기나 충전기 등의 전자 기기들에 핵심 부품으로 이용되고 있다. 최근에는 모바일 기기나 충전기의 사용이 증가함에 따라 높은 서지에 안정적인 SMD(surface mount device)형 마이크로 퓨즈가 지속적으로 개발 및 사용되고 있다.
마이크로 퓨즈의 기능도 과전류에 의한 단순한 속단형 퓨즈에서 In-rush 전류에 대한 내성이나 높은 서지 전압에 대한 내성이 있는 시간 지연 특성을 갖춘 퓨즈가 설계되고 있다.
시간 지연특성을 갖는 마이크로 퓨즈는 퓨즈선(가용체)의 길이를 늘여 설계하는 방식으로 구현되기도 하였다. 본 출원인이 한국 특허청에 등록한 등록번호 10-1058946호(다층 구조의 몰딩층이 형성된 시간 지연 마이크로퓨즈 및 그 제조방법)에는 퓨즈 기판, 퓨즈 기판의 각 단자들에 연결된 가용체, 내부에 상기의 가용체를 수용하도록 퓨즈 기판의 전면에 몰딩층이 형성된 구조의 마이크로 퓨즈가 제시되었다.
그러나, 근래에는 태블릿 이동 통신기기 등 스마트 휴대 전자기기의 발달과 더불어 고용량의 전기 에너지 저장 장치를 필요로 하고 있으며, Li-ion 또는 Li-polymer와 같은 대용량 2차 전지가 개발되고 있는 추세이다. 이에, 정격 이상의 과도 전류에 대한 퓨즈 기능 이외에 고온에서 충/방전하는 경우에 발생하는 화재나 폭발의 위험성 때문에 온도 퓨즈에 대한 개발 또한 시급한 시점이다.
본 발명은 과전류 및 고온에서의 충/방전 등에 따른 화재 및 폭발 위험을 줄일 수 있도록 한 것으로, 특히 높은 서지 전압에 안정적으로 동작되도록 하면서도 히팅 전극과 온도 퓨즈 및 바리스터가 복합적으로 설계되어, 퓨즈 동작시 발생되는 열에 따라서도 전류를 차단시킬 수 있도록 한 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈는 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극이 각각 형성된 퓨즈 기판; 상기 퓨즈 기판의 전면에 형성된 바리스터층; 상기 바리스터층의 일측 및 타측 전면 일부에 각각 배치되되 상기 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극과 각각 접속된 제 1 및 제 2 접속 단자; 상기 제 1 및 제 2 접속 단자와는 비접촉 상태로 상기 바리스터층의 전면에 배치되면서도 상기 퓨즈 기판과 접속된 적어도 하나의 온도 퓨즈; 및 상기 적어도 하나의 온도 퓨즈와는 비접촉 상태로 상기 제 1 및 제 2 접속 단자에 와이어 본딩된 가용체를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈의 제조 방법은 적어도 하나의 퓨즈 기판에 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극을 각각 형성하는 단계; 상기 퓨즈 기판의 전면에 바리스터층을 형성하는 단계; 상기 바리스터층의 일측 및 타측 전면 일부에 각각 배치되되 상기 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극과 각각 접속되도록 제 1 및 제 2 접속 단자를 구성하는 단계; 상기 제 1 및 제 2 접속 단자와는 비접촉 상태로 상기 바리스터층의 전면에 배치되면서도 상기 퓨즈 기판과 접속되도록 적어도 하나의 온도 퓨즈를 형성하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 온도 퓨즈와는 비접촉되도록 하면서 상기 제 1 및 제 2 접속 단자에 가용체를 와이어 본딩하여 구성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 다양한 기술 특징을 갖는 본 발명의 실시 예에 따른 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈 및 그 제조방법은 높은 서지 전압에서도 안정적으로 동작하여 마이크로 퓨즈의 수명을 증가시키고, 이상 전류로부터 전자회로를 보호할 수 있다.
또한, 에스엠디형 마이크로 퓨즈에 히팅 전극과 써미스터 온도 퓨즈 및 바리스터를 복합적으로 설계하여 과도 전류 발생시 퓨즈 자체 온도에 따라 전류를 차단시킬 수 있도록 함으로써, 온도 변화 요소에 안정적인 마이크로 퓨즈를 제공할 수 있다.
특히, 최적화된 재료로 형성된 바리스터는 불규칙한 전압 및 전류의 과도 파형을 제거시키며, 마이크로 퓨즈를 안정적으로 동작시키는데 기여하고 수명을 극대화시킬 수 있어 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈의 신뢰도를 더욱 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈를 나타낸 사시도.
도 2는 도 1의 I-I' 단면을 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈를 나타낸 회로도.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈의 제조 방법을 나타낸 순서도.
5는 복수의 에스엠디형 마이크로 퓨즈를 대량으로 제조하기 위한 베이스 기판 구성도.
도 6은 ANSYS 프로그램의 시뮬레이션을 통해 에스엠디형 마이크로 퓨즈의 온도 특성을 분석한 도면.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈를 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1의 I-I' 단면을 나타낸 단면도이다. 그리고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈를 나타낸 회로도이다.
도 1 내지 도 3에 도시된, 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈는 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4)이 각각 형성된 퓨즈 기판(2), 퓨즈 기판(2)의 전면에 형성된 바리스터층(8), 바리스터층(8)의 일측 및 타측 전면 일부에 각각 배치되되 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4)과 각각 접속된 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11), 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)와는 비접촉 상태로 바리스터층(8)의 전면에 배치되면서도 바리스터층(8)을 관통하는 복수의 컨택홀을 통해 퓨즈 기판(2)과 접속된 적어도 하나의 온도 퓨즈(12), 및 적어도 하나의 온도 퓨즈(12)와는 비접촉 상태로 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)에 와이어 본딩된 가용체(14)를 구비한다.
또한, 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈는 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4)과는 비접촉 상태로 퓨즈 기판(2)의 전면 및 바리스터층(8)의 배면 간에 구비된 적어도 하나의 히팅 전극(6), 및 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)와 상기 가용체(14) 및 적어도 하나의 온도 퓨즈(12)를 포함한 퓨즈 기판(2)을 모두 덮도록 형성된 몰딩층(16)을 더 구비하기도 한다. 이때, 적어도 하나의 온도 퓨즈(12)는 바리스터층(8)을 관통하는 복수의 컨택홀 중 적어도 하나의 컨택홀을 통해 적어도 하나의 히팅 전극(6)과 전기적으로 접속되기도 한다.
퓨즈 기판(2)은 내열성이 강한 FR4 재질의 PCB가 될 수 있으며, 퓨즈 기판(2)의 양단부 즉, 일측 및 타측 일부 영역에는 외부 단자들과 전기적으로 연결될 수 있는 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4)이 구성된다.
적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4)은 퓨즈 기판(2)의 일측 및 타측 일부 영역에 부착되거나 감싼 형태로 구성될 수도 있고, 도 2와 같이 퓨즈 기판(2)의 관통 홀들을 관통하여 구성될 수도 있다.
바리스터층(8)은 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4)를 비롯하여 퓨즈 기판(2)의 전면을 모두 덮도록 구성된다. 바리스터층(8)은 그 성분에 따라 특정 전압 이상에서만 전류가 흐르도록 하여 특정 레벨의 서지 전압 차단이 가능하므로, 특정 레벨의 서지 전압으로부터의 보호가 가능하다. 다시 말해, 바리스터층(8)은 전류가 급수적으로 증가하여 큰 전압이 걸릴 경우, 그 저항 값이 낮아져서 큰 전류가 흐르도록 함으로서 특정 레벨의 서지 전압 차단하기 때문에 서지 전압으로부터의 보호가 가능하다. 이러한 바리스터층(8)은 탄화규소계(SiC)나 산화 아연계(ZnO) 물질로 형성되거나, 탄화규소계(SiC) 또는 산화 아연계(ZnO) 물질을 주성분으로 하여 전도성 실리콘, 탄소 복합체 등의 산화물이 혼합되어 형성되기도 한다. 특히, 탄화규소계(SiC) 또는 산화 아연계(ZnO) 물질 대비 금속 산화물(또는, 세라믹 재료)의 조성비, 및 패턴 설계 구조(예를 들어, 3:1 60㎛/20㎛ 패턴)에 따라 최적화 상태로 특정 레벨의 전류 흐름을 제어할 수 있다. 또한, 최적화된 재료 및 구조로 형성된 바리스터층(8)은 불규칙한 전압 및 전류의 과도 파형을 제거시키며, 마이크로 퓨즈를 안정적으로 동작시키는데 기여하고 수명을 극대화시킬 수 있다. 특히, 바리스터층(8)은 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4)를 비롯하여 퓨즈 기판(2)의 전면을 모두 덮도록 구성되면, 그 접촉면과 부피를 높일 수 있어 마이크로 퓨즈의 안정화를 높일 수 있다.
제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)는 바리스터층(8)의 일측 및 타측 전면 일부에 각각 배치되되, 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4)과 전기적으로 각각 접속된다. 구체적으로, 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 금(Au) 등으로 패터닝 공정에 의해 형성되거나, 구리(Cu)와 알루미늄(Al) 등의 합금으로 패터닝 공정에 의해 형성될 수 있다. 이러한, 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)는 바리스터층(8)의 일측 및 타측 전면 일부에 각각 배치되면서도 상기 바리스터층(8)을 관통하는 복수의 컨택홀 중 적어도 하나씩의 컨택홀을 통해 상기 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4), 그리고 퓨즈 기판(2)과 각각 전기적으로 접촉될 수 있다.
적어도 하나의 온도 퓨즈(12)는 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)와는 비접촉 상태로 바리스터층(8)의 전면에 배치되면서도 바리스터층(8)을 관통하는 복수의 컨택홀 중 적어도 하나의 컨택홀을 통해 퓨즈 기판(2)과 접속된다. 적어도 하나의 온도 퓨즈(12)는 복수의 컨택홀 중 적어도 하나의 컨택홀을 통해 바리스터층(8)과 접촉 및 고정됨으써 접촉면에 따른 열 전도 효율 및 전류 흐름 제어 효율을 더욱 높일 수 있다.
온도 퓨즈(12)는 금속 산화물을 소결하여 만들며 온도에 따라 저항치가 변하는 특성을 이용한 것으로, 망간, 니켈, 코발트, 철, 동 등의 천이금속 산화물을 2원계 또는 3원계로 소요의 특성에 따라 서로 다른 산화계를 이용한 원료 분말을 혼합시켜 형성할 수 있다.
도 2 및 도 3과 같이, 적어도 하나의 온도 퓨즈(12)는 적어도 하나의 히팅 전극(6)을 구비한 형태로 구성될 수 있는데, 이때 적어도 하나의 히팅 전극(6)은 제 1 및 제 2 전극(3,4)과는 비접촉 상태로 상기 퓨즈 기판(2)의 전면 일부 영역에 배치되도록 패터닝되어 구성된다. 이에, 바리스터층(8)은 히팅 전극(6)을 덮도록 그 전면에 증착 및 경화되어 구성되며, 온도 퓨즈(12)는 바리스터층(8)을 관통하는 복수의 컨택홀 중 적어도 하나의 컨택홀을 통해 적어도 하나의 히팅 전극(6)과 전기적으로 접속되도록 패터닝 되어 구성된다. 이렇게, 적어도 하나의 온도 퓨즈(12)와 바리스터층(8) 및 히팅 전극(6)이 적어도 하나의 컨택홀을 통해 서로 접촉 및 고정됨으로써 접촉면에 따른 열 전도 효율 및 전류 흐름 제어 효율을 더욱 높일 수 있다.
적어도 하나의 히팅 전극(6)은 마이크로 퓨즈의 동작시 발생되는 열에 의해 히팅되어 그 저항값을 비롯해 그 부피 및 팽창률이 변하게 되고, 적어도 하나의 히팅 전극(6)과 직접적으로 접속된 온도 퓨즈(12)와 바리스터층(8)은 히팅 전극(6)의 발열 정도에 따라 전류 흐름을 제어하게 된다.
적어도 하나의 가용체(14)는 적어도 하나의 온도 퓨즈(12)와는 비접촉 상태로 와이어 본딩(wire bonding) 방식에 의해 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)와 전기적으로 접속된다. 여기서, 적어도 하나의 가용체(14)는 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11) 패턴과 전기 전도도가 유사한 가용체를 사용하여 동일한 방향으로 은, 구리, 금, 알루미늄 또는 그들의 합금, 또는 그들 중 어느 하나로 도금된 금속 중 어느 하나를 Ball wire bonding방식으로 연결시켜 구성한다. 이러한 적어도 하나의 가용체(14)는 서로 독립된 구조를 가지는 패턴을 연결시켜주는 역할을 비롯해, 비정상적인 전류가 인입되었을 경우 회로를 안전하게 보호할 수 있는 가용체의 역할을 하도록 구성된다.
이렇게, 적어도 하나의 가용체(14), 적어도 하나의 히팅 전극(6)이 형성된 적어도 하나의 온도 퓨즈(12) 및 바리스터층(8)이 적어도 하나의 컨택홀 등을 통해 서로 접촉 및 고정됨으로써, 접촉면에 따른 열 전도 효율 및 전류 흐름 제어 효율을 더욱 높일 수 있다.
몰딩층(16)은 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)와 가용체(14) 및 적어도 하나의 온도 퓨즈(12)를 포함한 퓨즈 기판(2)을 모두 덮도록 형성된다. 이러한 몰딩층(16)은 외부의 이물질에 의해 가용체(14)가 오염되거나, 충격 등의 외력에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해 퓨즈 기판(2) 상에 PSR 잉크(Photo imageable Solder Resist mask ink)를 도포하여 소정의 두께로 형성시킨다. 이때, 몰딩층(16)은 가용체(14)의 보호와 안정을 위해 가용체(14)를 둘러싸도록 형성되는 것이 바람직하고, PSR잉크의 도포는 스크린 인쇄방식으로 이루어지는 것이 바람직하다. 즉, 퓨즈 기판(2)의 형상에 대응되는 개구부 패턴을 가진 인쇄 마스크(미도시)를 준비하고, 이 인쇄 마스크의 개구부 패턴을 통해 PSR 잉크를 도포함으로써, 퓨즈기판(2) 상에 소정 두께로 PSR 잉크가 도포되고, PSR 잉크의 경화 후 몰딩층(16)이 형성되는 것이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 4를 참조하면, 먼저 베이스 기판 준비단계(ST1)에서는 다수의 퓨즈기판(2)들이 가로 및 세로 방향으로 일정간격으로 정의된 형태의 베이스 기판(20)을 준비한다. 베이스 기판(20) 구성을 나타낸 도 5를 참조하면, 베이스 기판(20)에는 에스엠디형 마이크로 퓨즈를 제조하기 위한 다수의 퓨즈기판(2)들이 가로 및 세로 방향으로 일정간격으로 정의되는데, 예를 들면 가로 60개 및 세로 60개의 에스엠디형 마이크로 퓨즈를 형성되도록 정의 및 구분될 수 있다.
퓨즈 기판 형성 단계(ST2)에서는 내열성이 강한 FR4 재질의 PCB에서 각각의 퓨즈 기판(2)들을 구분하고, 각 퓨즈 기판(2)의 일측 및 타측 일부 영역에 외부 단자들과 전기적으로 연결될 수 있는 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4)을 형성한다. 이때, 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4)은 퓨즈 기판(2)의 일측 및 타측 일부 영역에 부착되거나 감싼 형태로 구성될 수도 있고, 도 2와 같이 퓨즈 기판(2)의 관통 홀들을 관통하여 구성될 수도 있다.
히팅 전극 형성 단계(ST3)에서는 각 퓨즈 기판(2)의 제 1 및 제 2 전극(3,4)과는 비접촉되도록 각 퓨즈 기판(2)의 전면 일부 영역에 적어도 하나의 히팅 전극(6)을 패터닝하여 형성한다. 여기서, 적어도 하나의 히팅 전극(6)은 상기 제 1 및 제 2 전극(3,4)의 형성시 제 1 및 제 2 전극(3,4)과 동일한 패터닝 공정을 통해 동일한 금속 물질로 형성될 수도 있다. 다시 말해, 적어도 하나의 마스크를 이용해 노광 및 식각 공정을 단계별로 수행하는 패터닝 공정을 통해 히팅 전극(6)과 제 1 및 제 2 전극(3,4)들이 동시에 형성될 수도 있다.
도 6을 참조하면, ANSYS 프로그램의 시뮬레이션을 통해 에스엠디형 마이크로 퓨즈를 3D로 모델링하고, 과도 전류에 의한 온도 특성 분석하면 서지 전압 인가시 발열이 중심부에 가까울수록 더욱 높아지는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 적어도 하나의 히팅 전극(6)은 각 퓨즈 기판(2)의 전면 중심 영역을 기준으로 제 1 및 제 2 전극(3,4)과는 비접촉되도록 구성됨이 바람직하다.
바리스터층 형성 단계(ST4)에서는 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4)를 비롯하여 퓨즈 기판(2)의 전면을 모두 덮도록 탄화규소계(SiC)나 산화 아연계(ZnO) 물질 또는 산화 아연계(ZnO) 물질에 금속 산화물이 혼합된 물질을 증착 및 패터닝하여 바리스터층(8)을 형성한다. 예를 들면, 각 바리스터층(8)은 3:1 60㎛/20㎛ 패턴으로 형성될 수 있다. 이러한 패터닝 과정에서 바리스터층(8)에는 복수의 컨택홀이 형성된다.
접속 단자 및 온도 퓨즈 형성 단계(ST5)에서는 먼저, 적어도 하나의 컨택홀을 통해 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4)과 전기적으로 각각 접속되도록 바리스터층(8)의 일측 및 타측 전면 일부에 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)를 형성한다. 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 금(Au) 등으로 패터닝 공정에 의해 형성되거나, 구리(Cu)와 알루미늄(Al) 등의 합금으로 패터닝 공정에 의해 형성된다. 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)가 적어도 하나씩의 컨택홀을 통해 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극(3,4), 그리고 퓨즈 기판(2)과 각각 고정됨으로써, 전류 흐름 경로 형성 외에 바리스터층(8)의 구성 형태를 견고하게 유지시킬 수 있다.
이 후, 1 및 제 2 접속 단자(10,11)와는 비접촉 상태로 바리스터층(8)의 전면부에 배치되도록 적어도 하나의 온도 퓨즈(12)를 패터닝하여 형성한다. 온도 퓨즈(12)는 금속 산화물을 소결하여 만들며 온도에 따라 저항치가 변하는 특성을 이용한 것으로, 망간, 니켈, 코발트, 철, 동 등의 천이금속 산화물을 2원계 또는 3원계로 소요의 특성에 따라 서로 다른 산화계를 이용한 원료 분말을 혼합시켜 형성할 수 있다. 이때, 적어도 하나의 온도 퓨즈(12)는 바리스터층(8)을 관통하는 복수의 컨택홀 중 적어도 하나의 컨택홀을 통해 퓨즈 기판(2)과 접속된다.
가용체 형성 단계(ST6)에서는 적어도 하나의 온도 퓨즈(12)와는 비접촉 상태로 와이어 본딩 방식에 의해 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)와 전기적으로 접속되도록 적어도 하나의 가용체(14)를 형성한다. 가용체(14)는 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11) 패턴과 전기 전도도가 유사한 가용체를 사용하여 동일한 방향으로 은, 구리, 금, 알루미늄 또는 그들의 합금, 또는 그들 중 어느 하나로 도금된 금속 중 어느 하나를 Ball wire bonding방식으로 연결시켜 구성한다.
가용체 및 퓨즈 기판 절연 단계(ST7)에서는 제 1 및 제 2 접속 단자(10,11)와 가용체(14) 및 적어도 하나의 온도 퓨즈(12)를 포함한 퓨즈 기판(2)을 모두 덮도록 몰딩층(16)을 형성한다. 몰딩층(16)은 퓨즈 기판(2) 상에 PSR 잉크(Photo imageable Solder Resist mask ink)를 도포하여 소정의 두께로 형성시킨다. 이때, 몰딩층(16)은 가용체(14)의 보호와 안정을 위해 가용체(14)를 둘러싸도록 형성되는 것이 바람직하고, PSR잉크의 도포는 스크린 인쇄방식으로 이루어지는 것이 바람직하다. 즉, 퓨즈 기판(2)의 형상에 대응되는 개구부 패턴을 가진 인쇄 마스크(미도시)를 준비하고, 이 인쇄 마스크의 개구부 패턴을 통해 PSR 잉크를 도포함으로써, 퓨즈기판(2) 상에 소정 두께로 PSR 잉크가 도포되고, PSR 잉크의 경화 후 몰딩층(16)이 형성된다.
대량 생산 공정 단계(ST8)에서는 베이스 기판으로 사용되는 PCB 1장에 집적된 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈들을 일정한 간격으로 고속의 블레이드(blade)를 이용하여 절단함으로써, 각개의 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈들을 대량 생산할 수 있다. 도 5의 대량 생산을 위한 베이스 기판 및 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈들을 참고하면, 베이스 기판에 복수개의 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈가 일정한 간격으로 구성되어 있음을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈 및 그 제조방법은 높은 서지 전압에서도 안정적으로 동작하여 마이크로 퓨즈의 수명을 증가시키고, 이상 전류로부터 전자회로를 보호할 수 있다.
또한, 에스엠디형 마이크로 퓨즈에 히팅 전극과 써미스터 온도 퓨즈 및 바리스터를 복합적으로 설계하여 과도 전류 발생시 퓨즈 자체 온도에 따라 전류를 차단시킬 수 있도록 함으로써, 온도 변화 요소에 안정적인 마이크로 퓨즈를 제공할 수 있다.
특히, 최적화된 재료로 형성된 바리스터는 불규칙한 전압 및 전류의 과도 파형을 제거시키며, 마이크로 퓨즈를 안정적으로 동작시키는데 기여하고 수명을 극대화시킬 수 있어 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈의 신뢰도를 더욱 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상기와 같은 다양한 기술 특징을 갖는 본 발명의 실시 예에 따른 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈 및 그 제조방법은 높은 서지 전압에서도 안정적으로 동작하여 마이크로 퓨즈의 수명을 증가시키고, 이상 전류로부터 전자회로를 보호할 수 있다.
또한, 에스엠디형 마이크로 퓨즈에 히팅 전극과 써미스터 온도 퓨즈 및 바리스터를 복합적으로 설계하여 과도 전류 발생시 퓨즈 자체 온도에 따라 전류를 차단시킬 수 있도록 함으로써, 온도 변화 요소에 안정적인 마이크로 퓨즈를 제공할 수 있다.

Claims (14)

  1. 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극이 각각 형성된 퓨즈 기판;
    상기 퓨즈 기판의 전면에 형성된 바리스터층;
    상기 바리스터층의 일측 및 타측 전면 일부에 각각 배치되되 상기 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극과 각각 접속된 제 1 및 제 2 접속 단자;
    상기 제 1 및 제 2 접속 단자와는 비접촉 상태로 상기 바리스터층의 전면에 배치되면서도 상기 퓨즈 기판과 접속된 적어도 하나의 온도 퓨즈; 및
    상기 적어도 하나의 온도 퓨즈와는 비접촉 상태로 상기 제 1 및 제 2 접속 단자에 와이어 본딩된 가용체를 구비한 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극과는 비접촉 상태로 상기 퓨즈 기판의 전면 및 상기 바리스터층의 배면 간에 구비된 적어도 하나의 히팅 전극; 및
    상기 제 1 및 제 2 접속 단자와 상기 가용체 및 상기 적어도 하나의 온도 퓨즈를 포함한 상기 퓨즈 기판을 모두 덮도록 형성된 몰딩층을 더 구비한 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 온도 퓨즈는
    상기 바리스터층을 관통하는 복수의 컨택홀 중 적어도 하나의 컨택홀을 통해 상기 적어도 하나의 히팅 전극과 전기적으로 접속되며,
    복수의 컨택홀 중 다른 적어도 하나의 컨택홀을 통해서는 상기 퓨즈 기판과도 접속된 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 바리스터층은
    탄화규소계(SiC)나 산화 아연계(ZnO) 물질로 형성되거나, 상기 탄화규소계(SiC) 또는 상기 산화 아연계(ZnO) 물질을 주성분으로 하여 금속 산화물이 혼합되어 형성됨으로써, 상기 탄화규소계(SiC) 또는 상기 산화 아연계(ZnO) 물질 대비 금속 산화물이나 세라믹 재료의 조성비에 따라 미리 설정된 특정 레벨의 전류 흐름을 제어하도록 형성된 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 접속 단자는
    상기 바리스터층의 일측 및 타측 전면 일부에 각각 배치되면서도 상기 바리스터층을 관통하는 복수의 컨택홀 중 적어도 하나씩의 컨택홀을 통해 상기 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극, 그리고 상기 퓨즈 기판과 각각 전기적으로 접촉된 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 히팅 전극은 상기 제 1 및 제 2 전극과는 비접촉 상태로 상기 퓨즈 기판의 전면 일부 영역에 배치되도록 패터닝되어 구성되며,
    상기 바리스터층은 상기 히팅 전극을 덮도록 그 전면에 증착 및 경화되어 구성되고,
    상기 온도 퓨즈는 상기 바리스터층을 관통하는 복수의 컨택홀 중 적어도 하나의 컨택홀을 통해 상기 적어도 하나의 히팅 전극과 전기적으로 접속되도록 패터닝 되어 구성된 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도 퓨즈는
    망간, 니켈, 코발트, 철, 동 중 적어도 하나의 천이금속 산화물에 2원계 또는 3원계로 소요의 특성에 따라 서로 다른 산화계를 이용한 원료 분말을 혼합시켜 형성한 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈.
  8. 적어도 하나의 퓨즈 기판에 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극을 각각 형성하는 단계;
    상기 퓨즈 기판의 전면에 바리스터층을 형성하는 단계;
    상기 바리스터층의 일측 및 타측 전면 일부에 각각 배치되되 상기 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극과 각각 접속되도록 제 1 및 제 2 접속 단자를 구성하는 단계;
    상기 제 1 및 제 2 접속 단자와는 비접촉 상태로 상기 바리스터층의 전면에 배치되면서도 상기 퓨즈 기판과 접속되도록 적어도 하나의 온도 퓨즈를 형성하는 단계; 및
    상기 적어도 하나의 온도 퓨즈와는 비접촉되도록 하면서 상기 제 1 및 제 2 접속 단자에 가용체를 와이어 본딩하여 구성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극과는 비접촉 상태로 상기 퓨즈 기판의 전면 및 상기 바리스터층의 배면 간에 배치되도록 적어도 하나의 히팅 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 및 제 2 접속 단자와 상기 가용체 및 상기 적어도 하나의 온도 퓨즈를 포함한 상기 퓨즈 기판을 모두 덮도록 몰딩층을 형성하는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 온도 퓨즈 형성 단계는
    상기 바리스터층을 관통하는 복수의 컨택홀 중 적어도 하나의 컨택홀을 통해 상기 적어도 하나의 히팅 전극과 전기적으로 접속되도록 패터닝하되,
    상기 복수의 컨택홀 중 다른 적어도 하나의 컨택홀을 통해서는 상기 퓨즈 기판과도 접속되도록 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈의 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 바리스터층 형성 단계는
    탄화규소계(SiC)나 산화 아연계(ZnO) 물질을 증착한 후 패터닝하거나, 상기 탄화규소계(SiC) 또는 상기 산화 아연계(ZnO) 물질을 주성분으로 하여 금속 산화물이 혼합되어 증착 및 패터닝 되도록 함으로써,
    상기 탄화규소계(SiC) 또는 상기 산화 아연계(ZnO) 물질 대비 금속 산화물이나 세라믹 재료의 조성비에 따라 미리 설정된 특정 레벨의 전류 흐름을 제어하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈의 제조 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 접속 단자 형성 단계는
    상기 바리스터층의 일측 및 타측 전면 일부에 각각 배치되면서도 상기 바리스터층을 관통하는 복수의 컨택홀 중 적어도 하나씩의 컨택홀을 통해 상기 적어도 하나의 제 1 및 제 2 전극, 그리고 상기 퓨즈 기판과 각각 전기적으로 접촉되도록 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈의 제조 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 히팅 전극은 상기 제 1 및 제 2 전극과는 비접촉 상태로 상기 퓨즈 기판의 전면 일부 영역에 배치되도록 패터닝되어 형성되며,
    상기 바리스터층은 상기 히팅 전극을 덮도록 그 전면에 증착 및 경화되어 형성되고,
    상기 온도 퓨즈는 상기 바리스터층을 관통하는 복수의 컨택홀 중 적어도 하나의 컨택홀을 통해 상기 적어도 하나의 히팅 전극과 전기적으로 접속되도록 패터닝 되어 형성된 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈의 제조 방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 온도 퓨즈 형성 단계는
    망간, 니켈, 코발트, 철, 동 중 적어도 하나의 천이금속 산화물에 2원계 또는 3원계로 소요의 특성에 따라 서로 다른 산화계를 이용한 원료 분말을 혼합시켜 패터닝 하는 것을 특징으로 하는 온도 퓨즈 기능을 가진 에스엠디형 마이크로 복합 퓨즈의 제조 방법.
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