JPS62128516A - 半導体ウエ−ハの突起物除去方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの突起物除去方法Info
- Publication number
- JPS62128516A JPS62128516A JP26875685A JP26875685A JPS62128516A JP S62128516 A JPS62128516 A JP S62128516A JP 26875685 A JP26875685 A JP 26875685A JP 26875685 A JP26875685 A JP 26875685A JP S62128516 A JPS62128516 A JP S62128516A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- protective film
- projection
- protrusions
- treated
- Prior art date
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- Pending
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェーハ特には気相成長層に形成され
る微小突起物の除去方法に関する。
る微小突起物の除去方法に関する。
（従来の技術）
半導体ウェーハに気相成長層を形成させる場合。
ウェーハの表面は清浄にされ注意深く取扱われるが１ミ
クロンオーダーのパーティクルがウェーハ上に残存して
いたり、成長工程中にウェーハ表面に付着すると、この
パーティクルの部分が気相成長後高さ数十ミクロンの突
起物となって現れるようになる。この突起物は、ＩＣ回
路露光工程において、マスクの表面に損傷を与えるため
取り除く必要がある。このため、従来は被処理ウェーハ
の表裏に平滑な板を当ててウェーハを圧縮し、突起物を
破壊して除去するという方法がとられている。
クロンオーダーのパーティクルがウェーハ上に残存して
いたり、成長工程中にウェーハ表面に付着すると、この
パーティクルの部分が気相成長後高さ数十ミクロンの突
起物となって現れるようになる。この突起物は、ＩＣ回
路露光工程において、マスクの表面に損傷を与えるため
取り除く必要がある。このため、従来は被処理ウェーハ
の表裏に平滑な板を当ててウェーハを圧縮し、突起物を
破壊して除去するという方法がとられている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながらこの方法は、平板によって破壊された突起
物の破片がウェーハの表面を傷つけるほか、平板のウェ
ーハ面への接触によりウェーハが汚損されるという欠点
がある。
物の破片がウェーハの表面を傷つけるほか、平板のウェ
ーハ面への接触によりウェーハが汚損されるという欠点
がある。
これを避けるため、被処理ウェーハの表面を酸化膜で覆
い、突起物上の酸化膜を機械的に取り除いたのち、突起
物のみを選択的にエツチングし除去するという方法が提
案されている（特開昭５８−２８８４０号公報）が、こ
の方法は酸化膜の形成に時間とコストがかかり、しかも
エッチングエ程が必要という不利を避けることができな
い。
い、突起物上の酸化膜を機械的に取り除いたのち、突起
物のみを選択的にエツチングし除去するという方法が提
案されている（特開昭５８−２８８４０号公報）が、こ
の方法は酸化膜の形成に時間とコストがかかり、しかも
エッチングエ程が必要という不利を避けることができな
い。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上述のごとき欠点を排除した気相成長相に生
成される突起物の除去方法に関するもので、気相成長ウ
ェーハの表面を保護膜で覆い、該ウェーハの突起物を機
械的に破壊したのち、該保護膜を剥離除去することを特
徴とするもので、これは半導体ウェーハの突起物を除去
するにあたり、ウェーハ表面を保護膜で覆い、該表面の
突起物を機械的に破壊したのち、該保護膜を剥離除去す
ることを特徴とする半導体ウェーハの突起物除去方法で
ある。
成される突起物の除去方法に関するもので、気相成長ウ
ェーハの表面を保護膜で覆い、該ウェーハの突起物を機
械的に破壊したのち、該保護膜を剥離除去することを特
徴とするもので、これは半導体ウェーハの突起物を除去
するにあたり、ウェーハ表面を保護膜で覆い、該表面の
突起物を機械的に破壊したのち、該保護膜を剥離除去す
ることを特徴とする半導体ウェーハの突起物除去方法で
ある。
これをさらに添付の図面により説明する。
本発明の方法は、ウェーハ支持台５に被処理エピタキシ
ャルウェーハ１を載置し、空孔６から真空で引いてウェ
ーハを固定する。２はウェーハのエピタキシャル成長層
である。この被処理ウェーハ上に、スピンコードによっ
て保護膜４例えばフ ４オドレジスト膜を１５〜３０秒
かけて０．１〜１゜０μｍの厚みに被覆処理する。つい
でこのフォトレジスト膜を乾燥し、しかるのち平板７を
被処理ウェーハ上に載せて１．０ｋｇ／ａＪ程度の圧力
でウェーハを圧縮すると、表面の突起物３が破壊され、
その際の破片はフォトレジスト膜に抑えられて分散する
ことがなく、成長層を傷付けることがない。
ャルウェーハ１を載置し、空孔６から真空で引いてウェ
ーハを固定する。２はウェーハのエピタキシャル成長層
である。この被処理ウェーハ上に、スピンコードによっ
て保護膜４例えばフ ４オドレジスト膜を１５〜３０秒
かけて０．１〜１゜０μｍの厚みに被覆処理する。つい
でこのフォトレジスト膜を乾燥し、しかるのち平板７を
被処理ウェーハ上に載せて１．０ｋｇ／ａＪ程度の圧力
でウェーハを圧縮すると、表面の突起物３が破壊され、
その際の破片はフォトレジスト膜に抑えられて分散する
ことがなく、成長層を傷付けることがない。
このフォトレジスト膜はついで剥離剤Ｈ２ＳＯ４とＨ２
Ｏ２の混液により剥離除去される。
Ｏ２の混液により剥離除去される。
本発明の方法に使用される保護膜としては、３００’Ｃ
以下の温度で硬化し、硬化後の被膜が平板と粘着を起さ
ないものであることが望ましい。
以下の温度で硬化し、硬化後の被膜が平板と粘着を起さ
ないものであることが望ましい。
この目的に適う材料としては、前述のフォトレジストの
ほか、エポキシ樹脂、シリコーンゴムなどが挙げられる
。
ほか、エポキシ樹脂、シリコーンゴムなどが挙げられる
。
（発明の効果）
本発明の方法によれば、気相成長層の突起物を効率良く
除去でき、ウェーハの損傷や汚損が効果的に回避できる
という利点がある。
除去でき、ウェーハの損傷や汚損が効果的に回避できる
という利点がある。
図面は本発明の気相成長層の突起物を含む断面説明図で
ある。 １・・ウェーハ。 ２・・・エピタキシャル成長層。 ３・・・突起物、 ４・・保護膜。 ５・・・ウェーハ支持台、 ６・・・空孔。 ７・・平板。
ある。 １・・ウェーハ。 ２・・・エピタキシャル成長層。 ３・・・突起物、 ４・・保護膜。 ５・・・ウェーハ支持台、 ６・・・空孔。 ７・・平板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体ウェーハの突起物を除去するにあたり、ウェ
ーハ表面を保護膜で覆い、該表面の突起物を機械的に破
壊したのち、該保護膜を剥離除去することを特徴とする
半導体ウェーハの突起物除去方法。 ２）保護膜がフォトレジスト、エポキシ樹脂、シリコー
ンゴムから選ばれることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26875685A JPS62128516A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体ウエ−ハの突起物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26875685A JPS62128516A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体ウエ−ハの突起物除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128516A true JPS62128516A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17462888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26875685A Pending JPS62128516A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体ウエ−ハの突起物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128516A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51121266A (en) * | 1975-03-31 | 1976-10-23 | Western Electric Co | Method of removing projected portion of epitaxial layer |
| JPS5769746A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-28 | Fujitsu Ltd | Flattening method for wafer for semiconductor device |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP26875685A patent/JPS62128516A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51121266A (en) * | 1975-03-31 | 1976-10-23 | Western Electric Co | Method of removing projected portion of epitaxial layer |
| JPS5769746A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-28 | Fujitsu Ltd | Flattening method for wafer for semiconductor device |
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