JPS6292321A - パタ−ン化したｘ線不透明層を支持するポリイミドを使用したマスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＸ線ホトリソグラフィに使用するマスク及びこ
の様なマスクを製造する方法に関するものである。本発
明は、又、アライメント即ち整合装置を育て上げる場合
に使用するマスクに関するものである。

集積回路を製造する為のホトリソグラフィプロセスにお
いてＸ線を使用することは従来公知である。この様なプ
ロセスにおいて、選択的にＸ線を阻止するマスクが使用
される。この様なマスクの１例は第１図に示したマスク
７である。マスク７は、シリコンリング２上に形成され
ており、典型的には窒化ボロンからなるＸ線透明膜１を
有している。シリコンリング２は窒化ボロンのリングを
介して、マスク７に対しての支持構成体として機能する
パイレックスリング３へ接着されている。

ポリイミド層４が窒化ボロン膜１上に形成されており、
膜１に対しての向上した機械的な支持を与えている。パ
ターン化した金層６（これはＸ線不透明）及び同様にパ
ターン化したタンタル層５（これは金とポリイミドの両
方に接着する）がポリイミド層４上に形成されている。

金層６は、集積回路を製造する為のホトリソグラフィプ
ロセスの期間中に選択的にＸ線を阻止する。典型的な従
来のマスクにおいては、窒化ボロン膜１は３ミクロンと
５ミクロンとの間の厚さであり、且つポリイミド層４は
約２ミクロンの厚さである。

第１図のマスク７はＸ線ホトリソグラフィプロセスにお
いて良好に機能するが、それは容易に損傷される。従っ
て、向上した機械的強度を持ったマスクを提供すること
が望ましい。この様なマスクは、最初にアライメント装
置を育て上げる時に有用である。尚、本明細書において
、「アライメント装置の育て上げ」とは、アライメント
装置を初めてターンオンさせること、即ち製造業者から
アライメント装置を受は取った後に初めて動作させるこ
とを意味している。従来公知の如く、アライメント装置
は、半導体装置の製造中に、マスクを介して１組のウェ
ハ上のホトレジストを選択的に露光する為に使用される
。該紙白の各ウェハは、マスクとウェハとを整合するこ
とが所望される時にマスクに関して移動する維持チャッ
ク上に位置される。アライメント装置を最初に育て上げ
る場合に、アライメント装置に対して微細な機械的調節
がなされる前に、ウェハがマスクと衝突し損傷を受ける
可能性がある。

本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述
した如き従来技術の欠点を解消し、機械的な強度を向上
させたマスク及びその製造方法を提供することを目的と
する。本発明に基づく方法は、向上した強度を持った新
規なマスクを製造する為に使用される。該マスクは、典
型的に、アライメント装置の育て上げの時に使用される
。アライメント装置に対して適宜の機械的調節を行った
後に、該マスクを、例えば上述した従来技術のマスク７
の如き従来のマスクと置換させる。次いで、そのアライ
メント装置を使用して集積回路を製造する。向上した強
度を持ったマスクを製造する本発明に基づくプロセス即
ち方法は、ウェハ（典型的にはシリコンウェハ）の両側
部をＸ線透明層（典型的には窒化ボロン）でコーティン
グするステップで開始される。次いで、窒化ボロンをコ
ーティングしたウェハの第１側部上にポリイミド層を形
成する。次いで、ウェハの両側部上にＸ線透明物質（典
型的には窒化ボロン）の第２層を形成する。以下に説明
する如く、該ポリイミド層は爾後に後に形成されるＸ線
不透明物質からなるパターン化した層に対しての主要な
支持体として機能し、且つ該第１及び第２窒化ボロン層
は爾後のシリコンエッチの間にポリイミドを保護する。

次いで、ウェハの第２側部を、パイレックスリング等の
支持構成体へ接着する。該第２窒化ボロン層の一部をパ
イレックスリングの内部を介して露出させる。該第２窒
化ボロン層の露出部分及びその下側に存在する第１窒化
ボロンの部分を除去し、その際に下側に存在するシリコ
ンの一部を露出させる。次いで、露出されたシリコンを
エツチング除去する。１実施例においては、シリコンを
酸又はＫＯＨの何れかでエツチングする。重要なことで
あるが、ウェハの第１側部上の第１及び第２窒化ボロン
層の残存部分は、シリコンエッチの間、ポリイミド層を
保護する。

本方法におけるこの点において、後に形成されるべきマ
スクは、シリコンリングを有しており、その第１側部は
、第１窒化ボロン層、ポリイミド層、第２窒化ボロン層
を具備するＸ線透明膜で被覆されている。シリコンリン
グは窒化ボロンリングを介してパイレックスリング支持
構成体へ接着されている。

次いで、パターン化したＸ線不透明層をＸ線透明膜上に
形成する。次いで、その結果得られる構成体を、ポリメ
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の物質からなる保護
層でコーティングする。重要なことであるが、ポリイミ
ド層は、第１及び第２窒化ボロン層よりも一層大きな引
張応力下にある。従って、ポリイミド層はその力の多く
を付与しく第２窒化ボロン層を介して）、それはＸ線不
透明層がマスクの他の部分と相対的に移動することを防
止する。従って、ポリイミド層はＸ線不透明層に対して
の「主要な支持体」として機能する。

対照的に、第１図の従来技術のマスク７においては、窒
化ボロン膜１はポリイミド層４よりも一層大きな引張応
力下にある。従って、窒化ボロン膜１はその力の多くを
（ポリイミド層４を介して）付与し、それは金層６及び
タンタル層５がマスク７のその他の部分と相対的に移動
することを防止する。従って、従来技術のマスク７にお
いて、窒化ボロン膜１は金層６及びタンタル層５に対し
ての主要な支持体である。

Ｘ線不透明層に対しての主要な支持体として使用される
ポリイミド層はより強く、従って従来技術の窒化ボロン
膜１よりも剪断を受ける可能性は低い。従って、本発明
に基づいて構成されるマスクは、アライメント装置の育
て上げの場合に特に有用である。アライメント装置に微
細な機械的調節を行った後に、該マスクを一層従来のｘ
ｉホトリソグラフィマスクで置換する。この理由は、ポ
リイミドは温度又は湿度の変化に応答して伸縮すること
が可能であり、従ってＸ線不透明層のパターンを歪める
ことがあるからである。（ポリイミド層は、Ｘ線不透明
層がパターン化される場合に伸縮することも可能である
。） 本発明の別の実施例に拠れば、第２窒化ボロン層を形成
する代りに、ウェハの第１側部をポリイミドでコーティ
ングした後に、ウェハの第２側部をパイレックスリング
へ接着させる。ウェハの第２側部上の第１窒化ボロン層
の一部をパイレックスリングの内部を介して露出させる
。窒化ボロン層の露出部分を除去し、下側に存在するシ
リコンの一部を露出させる。次いで、露出されたシリコ
ンを除去する。このことは、典型的には、酸又はＫＯＨ
エッチを使用して行う。機械的マスク用定着物を使用し
てポリイミドを保護する。

１実施例においては、機械的マスク用定着物は、凹状金
属カバーを有しており、それはポリイミド層を被覆する
為に後に形成されるべきマスク上ヘクランプされる。こ
の機械的マスク用定着物はパイレックスリングとの気密
性のシールを形成する。

空洞が機械的マスク用定着物とポリイミド層との間に形
成される。空洞内の空気圧力はエツチング溶液の圧力に
近似すべく制御され、従ってシリコンの露出部分が除去
されると、空洞空気圧力とエツチング溶液圧力との間の
差異は窒化ボロン層及びポリイミド層を破壊することは
ない。

以下、添付の図面を参考に、本発明の具体的実施の態様
に付いて詳細に説明する。

本発明の１実施例のプロセス即ち方法は、シリコンウェ
ハ１００の両側を窒化ボロン層１０２でコーティングす
ることによって開始される（第２図）。ウェハ１００は
典型的に１２５ｍ＋ａの直径と６２５ミクロンの厚さと
、［１００コ結晶配向を持っているが、その他の直径及
び厚さをとすることも可能である。ウェハ１００は典型
的にはドープされていないか又は軽度にドープされてい
る。

窒化ボロン層１０２は典型的には０．５乃至１゜０ミク
ロンの厚さであり且つ約３４０℃の付着温度で低圧力化
学蒸着（ＬＰＧＶＤ）によって付着される。以後、ウェ
ハ１００という用語は、シリコンウェハとその上に形成
される全ての層のことを言及するものとして使用し、又
シリコン基板１０１という用語はウェハ１００内のシリ
コンのみを言及するものとして使用する。

次いで、ウェハ１００の１側部上にポリイミド層１０４
を形成する。このことは、典型的に、デユボン社から入
手可能なバイラリン（Ｐｙｒａｌｉｎ）のモデル番号２
５５５の如きポリイミド前駆体の層をスピンオンさせ、
且つ該ポリイミド前駆体を硬化させることによって行わ
れる。該前駆体は、それを９０℃で３０分間ベークし、
温度を９０℃から１５０℃へ上昇させ、それを１５０℃
で３０分間ベークし、温度を１５０℃から３８０℃へ上
昇させ、それを３８０℃で約１時間ベークする順序に従
って硬化される。前述した如く、ポリイミド層１０４は
、後に付着されパターン形成される金の如きＸ線不透明
物質に対しての主要なＸ線透明支持膜として機能する。

ポリイミド層１０４は、典型的に、３ミクロンを越える
厚さを持っており、それが適宜の強度を持つことを確保
している。更に、ポリイミド層１０４は典型的に１０ミ
クロン未満の厚さであってポリイミド１０４によるＸ線
吸収を最小としている。窒化ボロン層１０２は、以下に
説明する爾後のシリコンエツチングプロセスの間ポリイ
ミド層１０４を保護する。

重要なことであるが、ポリイミド層１０４は爾後に付着
されるＸ線不透明物質に対しての主要な支持体であるか
ら、層１０４が引張状態にあり、マスクの他の部分と相
対的に移動しないことが望ましい。上述した硬化プロセ
スの為に、ポリイミド層１０４は６　Ｘ　１０Ｂｄｙｎ
ａｓ／ｃｍ２を越えた引張応力を持っており、それは窒
化ボロン層１０２内の引張応力よりも大きい。

本発明の１実施例においては、ポリイミド層１０４内の
応力をモニタすることが望ましい。このことは、ポリイ
ミド層１０４内の引張によって発生されるウェハ１００
における湾曲を測定することによって行われる。特に、
ウェハ１００をポリイミド層１０４でコーティングする
前に、ウェハ１００を１組の支持体上に位置させ、従っ
てウェハ１００を、本願出願人に譲渡されている１９８
５年７月２３日に出願された「Ｘ線ホトリソグラフィに
使用されるマスクの製造方法（Ｐｒｏｃｅｓｓ　ｆｏｒ
Ｍａｋｉｎｇ　ａ　Ｍａｓｋ　Ｕｓｅｄ　ｉｎ　Ｘ−Ｒ
ａｙ　Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）」という名
称の米国特許出願第７５８，５９６号に記載されている
プローブの如き容量性プローブに近接させる。該容量性
プローブは、ウェハ１００とプローブとの間の距離を表
す第１測定値を与える。次いで、ウェハ１００を支持体
から取り除き、ポリイミド層１０４を形成する。次いで
、ウェハ１００を再度支持体上に配置させ、従ってポリ
イミド１０４で被覆されていない側部が支持体上に載置
される。プローブはプローブとウェハ１００との間の距
離を表す第２測定値を与える。第１距離と第２距離との
間の差異を使用して、玉揚した特許出願に記載した如く
、ポリイミド層１０４内の引張応力を計算する。測定し
た応力が６×１０１１ｄｙｎｅｓ／ｃｍ２よりも小さい
場合には、ウェハ１００を再度加熱し、それによりポリ
イミド層１０４内の応力が増加する。

第３図を参照すると、次いで、ウェハ１００の両側を第
２窒化ボロン層１０６でコーティングする。第２窒化ボ
ロン層１０６は典型的に０．５乃至１．０ミクロンの厚
さであり且つ３４０℃の付着温度でＬＰＧＶＤプロセス
によって付着される。

当業者等にとって理解される如く、ポリイミド層１０４
を３８０℃で硬化させる１つの理由は、第２窒化ボロン
層１０６の付着の間のアウトガツシング即ちガス放出を
防止する為である。（ガス放出はポリイミド層１０４か
らガスが逃げる現象のことである。） 次いで、ウェハ１００をパイレックスリング１０８へ接
着させる。このことは、典型的には、エボキシテクノロ
ジインコーポレイテッドによって製造されているモデル
番号３５３ＮＤの如きエポキシ接着剤を使用して行われ
る。パイレックスリング１０８は、シリコンの熱膨張係
数（２，６Ｘ１０’／℃）に略マツチした熱膨張係数（
３，３Ｘ　１０’／’Ｃ）を持っている。１実施例にお
いては、パイレックスリング１０８は、ニューヨーク州
のコーニングのコーニングガラス社によって製造されて
いる７７４０パイレツクスの如きタイプのものである。

パイレックスリング１０８は後に形成されるべきマスク
に対しての支持体として機能する。

次いで、ウェハ１００の上側部上の窒化ボロン−２１＝ 層１０２及び１０６の一部１１０を、５００ｍＴｏｒｒ
及び２００　ｗａｔｔｓで８４％ＣＨ４−１６％０２プ
ラズマを使用して、バーレルプラズマエッチングするこ
とによって除去し、従ってシリコン基板１０１の一部を
露出させる。ウェハ１００の他側部上の窒化ボロンは、
コダック社から入手可能の表面保護樹脂タイプ番号６５
０／ＭＸ９３６　（不図示）又はアルミニウムマスク用
定着物１０５（第７図）等の厚いホトレジストパックラ
ップによって保護されている。第７図はウェハ１００の
上側上の窒化ボロン層１０２及び１０６を保護するアル
ミニウムマスク用定着物１０５を示している。マスク用
定着物１０５は、カバー１０５８を有しており、それは
ウェハ１００の上部上の窒化ボロン層１０６及びクラン
プ用定着物１０５ｂをカバーしている。力／（１０５ａ
及びクランプ用定着物１０５ｂは、パイレックスリング
１０８上をクランプする。シリコーンゴムの０リング１
０７ｂはクランプ用定着物１０５ｂへ固定されており、
パイレックスリング１０８と気密性のシールを形成して
いる。シリコーンゴム○リング１０７ｂがカバー１０５
ａに固定されており、クランプ用定着物１０５ｂと気密
性シールを形成している。この様に、プラズマはウェハ
１００の底部」二の窒化ボロン層１０２及び１０６をエ
ッチすることは許容されるが、ウェハ１００の上部上の
窒化ボロン１０６と接触しそれをエッチすることは出来
ない。

第７図に示した如く、空洞１０９がウェハ１００とカバ
ー１０５ａとの間に形成されている。プラズマエツチン
グの前に、エツチング室内のガス圧力を減少させること
が必要である。カバー１０５ａ内の孔１１１は、空洞１
０９からガスが逃避することを可能としており、従って
空洞１０９内の圧力はエツチング室内の圧力と等しい。

同様に、エツチングが完了しエツチング室内のガス圧力
が増加されると、孔１１１はガスが空洞１０９内に侵入
することを許容する。この様に、ウェハ１００を損傷す
ることのある圧力差が回避される。重要なことであるが
、孔１１１は図示した如き曲がりくねった経路に続いて
おり、それはプラズマが空洞１０９内に侵入することを
防止する。

ウェハ１００の底部上の窒化ボロン１０２及び１０６を
除去した後に、アルミニウムマスク用定着物１０５を除
去し、第４図に示した構成とする。

第５図を参照すると、窒化ボロンエッチの間に露出され
たシリコン基板１０１の一部を、後に形成されるべきマ
スクをＫＯＨ溶液中に浸漬させることによってエツチン
グ除去する。窒化ボロン層１０２及び１０６はＫＯＨエ
ツチングプロセスの間ポリイミド層１０４を保護する。

次いで、そのマスクをＫＯＨ溶液から除去し且つ高温（
約７８０℃）の脱イオン化水でリンスする。

シリコン基板１０１の露出部分を除去した後に、残存す
る構成体をタンタル層１２２及び金層１２４でコーティ
ングする（第６図）。次いで、タンタル層１２２及び金
層１２４を、玉揚した米国特許出願第７５８，５９６号
に記載した態様でパターン化する。次いで、該マスクを
ＰＭＭＡ層１２５の如き保護層でコーティングする。

本発明の別の実施例によれば、ウェハ１００上にポリイ
ミド層１０４を形成した後に、ウェハ１ｏＯを、第８図
に示した如く、パイレックスリング１０８の如き支持構
成体へ接着させる。ウェハ１００の１側部上の窒化ボロ
ン層１０２の一部を、例えば上述したバレルプラズマエ
ッチによって、除去する。ウェハ１００の他側部上のポ
リイミド層１０４は、上述した表面保護樹脂又はアルミ
ニウムマスク用定着物１０５によって保護されている。

窒化ボロン層１０２の一部１１０の除去は、シリコン基
板１０１の一部を露出させる。次いで、基板１０１の露
出部分を、Ｋ　ＯＩ−Ｉ又は弗化水素酸、硝酸、及び酢
酸の如き酸エッチャントの何れかを使用して除去する。

酸エッチャントを使用する場合、ポリイミド層１０４及
びパイレックスリング１０８はパラフィン１１４の如き
ワックスで保護する（第９図）。更に、ステンレススチ
ール又はＡｌ２Ｏ，の何れかであるプレート１１２を第
９図に示した如くパラフィン層１１４上に位置させて、
ポリイミド層１０４をエツチングプロセスの間に機械的
損傷から保護する。

その後に、シリコン基板１０１の露出部分が除去される
迄、第９図の構成体を酸溶液中に浸漬させる。次いで、
酸溶液から後に形成すべきマスクを取り出す。プレート
１１２を除去し且つ、例えば、キシレン内においてワッ
クス１１４を溶解させる。その結果得られる構成を第１
０図に示しである。次いで、ポリイミド層１０４をタン
タル層１２２及び金層１２４でコーティングしく第１１
図）且つタンタル及び金を上述した如くパターン形成す
る。

別の実施例においては、シリコン１０１の露出部分をＫ
ＯＨで除去し、一方ポリイミド層１０４は第７図のマス
ク用定着物１０５に類似した金属（典型的にはステンレ
スチール）マスク用定着物１１６（第１２図）を使用し
て保護する。金属マスク用定着物１１６は、凹状カバー
１１６ａ、及びパイレックスリング１０８上をクランプ
するクランプ用定着物１１６ｂを有している。カバー１
１６ａはポリイミド層１０４を完全にカバーする−邦一 が、クランプ用定着物１１６ｂは中央に画定した孔１１
７を有しており、それを介してシリコン基板１０１が露
出される。シリコーンゴムＯリング１１９ａはクランプ
用定着物１１６ｂに固定されており、パイレックスリン
グ１０８と気密性のシールを形成しており、又０リング
１１９ｂはカバー１１６に固定されており、クランプ用
定着物１１６ｂと気密性シールを形成している。金属マ
スク用定着物１１６及び後に形成されるべきマスク１２
０をＫＯＨ溶液１２１中に位置させる。第１２図から理
解される如く、後に形成されるべきマスク１２０と金属
マスク用定着物１１６との間に空洞１１８が存在してい
る。この空洞が１気圧の空気で充填されている場合、シ
リコン基板１０１がエツチング除去されると、マスク１
２０の１側部上のＫＯＨ１２１の圧力と空洞１１８内の
空気圧力によって圧力差が発生される。この空洞１１８
内の空気がどこにも逃げる場所が無い場合、空洞１１８
内の空気温度が上昇すると、その空気圧力も上昇する。

（このことは、ＫＯＨ溶液１２１は典型的に９５℃であ
るから発生する。）空気圧力の上昇は、窒化ボロン層１
０２及びポリイミド層１０４を破壊させることがある。

この圧力差が窒化ボロン層１０２及びポリイミド層１０
４を損傷することを防止する為に、本発明の１実施例に
よれば、定着物１１６内に孔１２３を設けて空洞１１８
から空気が逃げることを可能とさせる。別の実施例にお
いては、空洞１１８内の空気圧力を、孔１２３を介して
空洞１１８内へ又はそこから外部へ空気（又は別のガス
）をポンプ動作させることによって層１０２及び１０４
上のＫＯＨ溶液１２１の圧力をより正確にバランスさせ
る為に修正させる。この様な実施例においては、層１０
２及び１０４に対してのＫＯＨ溶液１２１の圧力は既知
（例えば、層１０２及び１０４はＫＯＨ溶液１２１の表
面下に既知の深さである）であるから、空気を空洞１１
８内へポンプ動作させてその圧力とマツチさせる。本発
明の別の実施例によれば、空洞１１８は不活性液体で充
填されており、該液体がマスク用定着物１１６が載置さ
れるＫＯＨ溶液１２１によって発生される圧力とカウン
ターバランスする。

本発明の別の実施例によれば、ポリイミド層１０４を保
護する為に窒化ボロン層１０２を使用する代りに、ジル
コニウム層を使用する。この実施例においては、シリコ
ン基板２０１の第１側部をジルコニウム層２０２でコー
ティングする（第１３図）。ジルコニウム層２０２を基
板２０１上に１．５００乃至２，０００人の厚さにスパ
ッタさせる。ポリイミド層２０４（典型的には３乃至１
０ミクロンの厚さ）を、次いで、上述した如く、ジルコ
ニウム層２０２上に形成する。第１４図を参照すると、
ウェハ１００の両側を窒化ボロン層２０６でコーティン
グする。窒化ボロン層２０６は典型的に０．５乃至１．
０ミクロンの厚さである。次いで、ウェハ２００の第２
側部をパイレックスリング２０８へ接着させる。

第１４図を参照すると、窒化ボロン層２０６の一部２０
６ａを１例えば上述した如きバレルプラズマエツチング
プロセスによって、除去する。その後に、シリコン基板
２０１の一部２０１ａ　（第１５図）（窒化ボロン２０
６の一部２０６ａの除去によって露出されている）を、
後に形成されるべきマスク２２０をＫＯＨ溶液中に浸漬
させることによって除去し、第１７図の構成体とさせる
。

重要なことであるが、ジルコニウム層２０２はポリイミ
ド層２０４をＫＯＨエッチャントから保護する。

次いで、シリコン基板２０１の一部２０１ａの除去によ
って露出されたジルコニウム層２０２の部分を、マスク
２２０を室温で１％の濃度を持ったＨＦ溶液中に浸漬さ
せることによって除去する。

この為に、何隻付加的な保護層が必要ではない。

何故ならば、マスク２２０は、パイレックスリング２０
８又はポリイミド層２０４を損傷するのには不充分な時
間の間浸漬されるからである。その結果得られる構成を
第１７図に示しである。

上述した如く、タンタル層２２２及び金層２２４を窒化
ボロン層２０６上に付着させ、且つパターン形成させる
。（第１８図）その結果得られる構成体は、アライメン
ト装置の育て上げ時に使用するのに向上した強度を持っ
たマスクである。

以上、本発明の具体的実施の態様に付いて詳細に説明し
たが、本発明はこれら具体例にのみ限定されるべきもの
では無く、本発明の技術的範囲を逸脱すること無しに種
々の変形が可能であることは勿論である。例えば、シリ
コン基板１０１を使用する代りに、ガラス基板を使用す
ることが可能である。（この様な実施例においては、弗
化水素酸等のエッチャントを使用してガラス基板をエッ
チする。）更に、機械的マスク用定着物１０５及び１０
６を使用して他のタイプのマスクを使用することが可能
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のマスクの断面を示した概略図、第２図乃
至第６図は本発明の１実施例に基づく製造方法の間のマ
スクの断面を示した各概略図、第７図は窒化ボロン層１
０６の一部を保護するアルミニウムマスク用定着物１０
５を示した概略図、第８図乃至第１１図は本発明の別の
実施例に基づく製造方法の間のマスクの断面を示した各
概略図、第１２図はＫＯＨエツチングプロセスの間マス
クを保護する機械的マスク用定着物１１６を示した概略
図、第１３図乃至第１８図は本発明の別の実施例に基づ
く製造方法の間のマスクを示した各概略図、である。 （符号の説明） １００：ウェハ １０１：シリコン基板 １０２：窒化ボロン層 １０４：ポリイミド層 １０６：第２窒化ボロン層 １０８：パイレックスリング １０９：空洞 １１１：孔 １２２：タンタル層 １２４：金層 手続有音ｉ正書（方式） 昭和６１年１１月１０日 特許庁長官　　黒　１）明　雄　殿 １、事件の表示　　　昭和６１年　特　許　願　第１９
０７２８号３、補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 名称　　　　　マイクロニクス　コーポレーション４、
代理人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マスクを製造する方法において、第１物質のウェハ
   の第１側部及び第２側部をＸ線透明物質の第１層でコー
   ティングし、前記ウェハの前記第１側部をポリイミド層
   でコーティングし、前記ウェハの前記第１側部及び第２
   側部をＸ線透明物質の第２層でコーティングし、前記ウ
   ェハの前記第２側部上のＸ線透明物質の前記第１層及び
   第２層の一部を除去してその際に前記第１物質の一部を
   露出させ、前記第１物質の前記露出させた部分を除去す
   る、上記各ステップを有することを特徴とする方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、Ｘ線透明物質の前
   記第１層及び第２層は窒化ボロンであることを特徴とす
   る方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記第１物質はシ
   リコンであることを特徴とする方法。 ４、特許請求の範囲第１項において、前記第１物質はガ
   ラスであることを特徴とする方法。 ５、特許請求の範囲第１項において、前記ウェハの前記
   第１側部及び第２側部を前記第２層でコーティングする
   ステップの後に、前記ウェハを支持構成体へ接着させる
   ことを特徴とする方法。 ６、特許請求の範囲第１項において、前記第２層上にＸ
   線不透明物質のパターン化した層を形成し、前記ポリイ
   ミドが前記パターン化した層に対しての機械的支持の殆
   どを与えていることを特徴とする方法。 ７、特許請求の範囲第１項において、前記ポリイミド層
   は２ミクロンと１０ミクロンの厚さの間であることを特
   徴とする方法。 ８、特許請求の範囲第１項において、前記第１層及び第
   ２層はその各々が０．５ミクロンと１．０ミクロンの厚
   さの間であることを特徴とする方法。 ９、特許請求の範囲第１項において、前記除去のステッ
   プ中に、Ｘ線透明物質の前記第１層及び第２層は前記ポ
   リイミド層を保護することを特徴とする方法。 １０、特許請求の範囲第９項において、前記除去のステ
   ップにおいて、前記ウェハをＫＯＨ溶液中に浸漬させる
   ことを特徴とする方法。 １１、特許請求の範囲第９項において、前記除去のステ
   ップにおいて、前記ウェハを酸性溶液中に浸漬させるこ
   とを特徴とする方法。 １２、マスクの製造方法において、第１物質の基板の第
   １側部を第１Ｘ線透明層でコーティングし、前記第１Ｘ
   線透明層をポリイミド層でコーティングし、前記ポリイ
   ミド層を第２Ｘ線透明層でコーティングし、前記基板の
   一部を除去し、前記第１及び第２Ｘ線透明層がエッチス
   トップとして機能して前記ポリイミド層を保護すること
   を特徴とする方法。 １３、支持構成体、前記支持構成体上に形成されたポリ
   イミド膜を有しており、前記ポリイミド膜は３ミクロン
   と１０ミクロンとの厚さの間であることを特徴とするマ
   スク。 １４、支持構成体、第１及び第２Ｘ線透明層を具備する
   Ｘ線透明膜、前記第１Ｘ線透明層はポリイミド層であり
   前記Ｘ線透明膜は前記支持構成体上に形成されており、
   前記Ｘ線透明膜上に形成したＸ線不透明物質のパターン
   化した層、を有しており、前記ポリイミド層は前記パタ
   ーン化した層に対しての主要な支持体であることを特徴
   とするマスク。 １５、ポリイミド層、前記ポリイミド層上に形成したＸ
   線不透明物質のパターン化した層、を有しており、前記
   ポリイミド層は前記Ｘ線不透明物質の前記パターン化し
   た層に対しての主要な支持体として機能することを特徴
   とするマスク。 １６、マスクの製造方法において、第１物質のウェハの
   第１側部を第２物質の層でコーティングし、前記ウェハ
   の前記第１側部をポリイミド層でコーティングし、前記
   ウェハの前記第１側部をＸ線透明物質層でコーティング
   し、前記第１物質の一部を除去しその際に前記第２物質
   の一部を露出させ、前記第２物質の前記露出部分を除去
   する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。 １７、特許請求の範囲第１６項において、前記第２物質
   はジルコニウムであることを特徴とする方法。 １８、特許請求の範囲第１６項において、前記第１物質
   がシリコンであることを特徴とする方法。 １９、特許請求の範囲第１６項において、前記第２物質
   は、前記第１物質の一部を除去するステップの間、前記
   ポリイミドを保護することを特徴とする方法。 ２０、基板をエッチングする方法において、第１側部及
   び第２側部を持った第１物質の基板を用意し、前記第１
   側部の少なくとも一部は第２物質の層で被覆されており
   、マスク用定着物を前記被覆した基板へ固定し、前記マ
   スク用定着物は前記層を保護し、空洞を前記層と前記マ
   スク用定着物との間に形成し、前記基板の前記第２側部
   の少なくとも一部は前記マスク用定着物によっては保護
   されておらず、前記マスク用定着物及び前記被覆した基
   板をエッチング流体中に位置させ、前記エッチング流体
   は前記保護していない部分をエッチングし、前記空洞内
   の圧力を制御して前記基板に対する該流体の圧力と該空
   洞内の圧力との間の差異を減少させる、上記各ステップ
   を有することを特徴とする方法。 ２１、特許請求の範囲第２０項において、前記流体はエ
   ッチング溶液であり且つ前記空洞はガスで充填されてお
   り、前記制御するステップにおいて、前記空洞内のガス
   圧力を修正して前記基板に対しての該溶液の圧力と該空
   洞内のガス圧力との間の差異を減少させることを特徴と
   する方法。 ２２、特許請求の範囲第２０項において、前記基板は支
   持構成体に固定されており、前記固定するステップにお
   いて、前記マスク用定着物を前記支持構成体へ固定する
   ことを特徴とする方法。 ２３、特許請求の範囲第２０項において、前記基板は第
   ３物質の層で被覆されており、前記第３物質の前記層は
   前記第２物質の前記層で被覆されており、前記第３物質
   の前記層は前記第２物質を保護することを特徴とする方
   法。 ２４、基板をエッチングする方法において、基板上に第
   １物質の層を形成し、前記基板をマスク用定着物へ固定
   し、前記マスク用定着物は前記層を被覆し、前記基板の
   少なくとも一部は前記マスク用定着物によって保護され
   ておらず、空洞が前記マスク用定着物と前記第２層との
   間に形成されており、前記空洞内に液体を供給し、前記
   コーティングした基板とマスク用定着物をエッチング溶
   液中に位置させ、前記空洞内の液体圧力は該エッチング
   溶液圧力をバランスさせる傾向となることを特徴とする
   方法。 ２５、第１物質の基板、前記基板の少なくとも一部を被
   覆する第２物質の層、前記基板へ固定したマスク用定着
   物、を有しており、前記マスク用定着物が前記層を保護
   し、空洞が前記定着物と前記層との間に形成されており
   、前記空洞内の圧力を制御する手段を有することを特徴
   とする構成体。 ２６、特許請求の範囲第２５項において、前記空洞はガ
   スで充填されており、前記圧力を制御する手段が前記空
   洞内のガス圧力を修正することを特徴とする構成体。 ２７、特許請求の範囲第２５項において、前記制御する
   手段が液体を前記空洞内に導入する手段を有しているこ
   とを特徴とする構成体。 ２８、特許請求の範囲第２５項において、前記制御する
   手段が前記空洞からガスを逃避することを可能とさせる
   孔を有することを特徴とする構成体。 ２９、第１物質の層で被覆されている第１表面と第２物
   質の層で被覆されている第２表面とを持った膜、前記膜
   へ固定したマスク用定着物、前記マスク用定着物は前記
   第２物質を保護しており、空洞が前記マスク用定着物と
   前記第２物質との間に形成されており、前記空洞内の圧
   力を制御する手段を有することを特徴とする構成体。 ３０、第１物質の層で被覆された第１表面と第２物質の
   層で被覆された第２表面とを持った構成体を用意し、前
   記構成体へマスク用定着物を固定して前記マスク用定着
   物が前記第２物質の前記層を被覆すると共に保護し、空
   洞が前記第２物質の前記層と前記マスク用定着物との間
   に形成されており、前記第１物質の前記層をエッチング
   し、前記空洞からのガスを前記空洞から去ることを可能
   としてその際に前記空洞内のガス圧力を制御することを
   特徴とする方法。 ３１、特許請求の範囲第１項において、前記エッチング
   のステップがプラズマエッチングプロセスを有すること
   を特徴とする方法。 ３２、特許請求の範囲第３０項において、前記マスク用
   定着物は曲がりくねった経路に続く孔を持っており、前
   記孔は前記空洞内にプラズマが侵入することを許容する
   こと無しに前記空洞からのガスが前記空洞を去ることを
   可能とすることを特徴とする方法。