JPS62126536A - イオン注入装置用制御装置 - Google Patents

イオン注入装置用制御装置

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Publication number
JPS62126536A
JPS62126536A JP26657885A JP26657885A JPS62126536A JP S62126536 A JPS62126536 A JP S62126536A JP 26657885 A JP26657885 A JP 26657885A JP 26657885 A JP26657885 A JP 26657885A JP S62126536 A JPS62126536 A JP S62126536A
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JP
Japan
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controllers
man
controller
machine
ion
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Application number
JP26657885A
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English (en)
Inventor
Soji Nishimura
荘治 西村
Yoshihiko Tanigawa
谷川 善彦
Masayo Harada
原田 正世
Masaaki Sasaki
正昭 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Publication of JPS62126536A publication Critical patent/JPS62126536A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明はイオン注入装置の制御に使用されるイオン注
入装置用制御装置に関するものである。
従来の技術 第4図は、従来の大電流型イオン注入装置およびこの大
電流型イオン注入装置を制御するイオン注入装置用制御
装置の構成を示すブロック図である。大電流型イオン注
入装置は、イオン電流が数mA−10mA程度である。
大電流型イオン注入装置は、大きく分ければイオンを発
生するイオン源1と、イオン源1から引き出されたイオ
ンビーム2から必要なイオン種を選択するIR量分析器
3と、この質量分析器3から出たイオンビーム2を加速
する加速管4と、加速上;4を出たイオンビーム2をウ
ェハ5に当ててイオン注入を行うエンドステーション6
とで構成され、これらの内部は真空となっている。イオ
ン源1には、ガスを供給するガスボックス7と各種電圧
、電流を供給するイオン源電源8と、イオンビーム2を
引き出すための引き出し電tA9が付属し、質量分析器
3には、質量分析マグネット(図示せず)に給電するた
めの分析マグネット電源10が付属し、加速管4には、
加速電源11が付属している。
イオン源1は、例えば固体オーブン付属の熱陰極PIG
型であって、フィラメント(図示せず)とアーク電極(
図示せず)とソースマグネット(図示せず)とを有し、
イオン源電源(フィラメント電源、アーク電源、ソース
マグネット電源。
オーブン電源等)8からフィラメント(図示せず)。
アーク電極(図示せず)、ソースマグネット(図示せず
)等にそれぞれ給電されることにより、ガスボックス7
からアークチャンバに供給されるガスをイオン化する。
具体的には、フィラメントからの熱電子放出をトリガと
してアーク放電を行うことによりプラズマを作る。そし
て、引き出し電fA9から供給される30KV〜40K
Vの電圧によってスリット状のイオン引き出し口1aか
らイオンビーム2を引き出す。このイオン源1は、イオ
ン源物質として、ガスだけでなく、固体(As。
p、sb等)の使用も可能であり、固体を使用する場合
には、固体のイオン源物質を固体オーブンで蒸発させて
アークチャンバに導くとともに、ガスボックス7からキ
ャリアガス(Ar等)をアークチャンバに導き、固体イ
オン物質をイオン化する。
ガスボックス7は、上記したイオン源1に接続され、例
えば4個のガスボトル(例えばAr。
SiF4.BCl3.PCl等)を内蔵し、必要なイオ
ン種に対応していずれかの種類のガスを選択的にイオン
源1へ供給する。
質量分析器3は、分析マグネット電源lOから90度偏
向の質量分析マグネットに給電され、イオン源1から引
き出されたイオンビーム2の中から必要なイオン種を選
択するとともに、質量分析マグネットの磁気集束作用を
利用してイオンと一部2を分析スリット3aに絞り込ん
で加速管4へ導く、この質量分析器3が必要であるのは
、以下の理由によるためである。イオン源1から引き出
されるイオンの中には不要イオンが混在する場合が多い
。例えばボロンイオンを引き出す場合、BF3ガスを使
用するが、この場合、必要なポロンイオンの他にF” 
、BF” 、BF2“ などの不要イオンが生じ、これ
らの不要イオンがウェハ5に注入されると具合が悪いた
めである。
上記質量分析器3は、質量分析マグネットに供給する電
流を調整することにより、必要なボロンイオンが真空チ
ャンバ中で丁度90度偏向されて分析マグスソ)3aに
導びかれ、加速管4に入ることになる。一方、不要イオ
ンは、ポロンイオンとはW量が異なるため、質量分析器
3の真空チャンバの側壁に当たってそこで吸収される等
し、分析スリット3aには達しない。
加速管4は、例えば絶縁物と金属製電極とを多段に接着
した構造で、各電極には加速電源11から抵抗(図示せ
ず)を通して一定の加速電圧が印加され、イオンビーム
2は前記した引き出し電圧とこの加速電圧とを合わせた
電圧で加速されてエンドステーション6に入ることにな
る。この加速電圧は注入エネルギに応じて設定される。
エンドステーション6は、イオンビーム2を静止させた
ままでディスク12を移動させるメカニカルスキャン式
である。ウェハ5はディスク12の円周上に装填され、
ウェハ5全面にイオンビーム2が均一に照射されるよう
に、インダクションモータ13およびステンピングモー
タ14によって、ディスク12が回転しながらビーム領
域を並進運動する。この場合、ディスク12の回転速度
は一定であるが、並進運動は、ディスク12の移動速度
がディスク12の外周部と内周部で異なること、および
ビーム電流の変動にかかわらず、注入量をウェハ5全面
にわたって均一にする必要があることから、一定ではな
(、並進速度を上記の変化に応じて制御する必要がある
また、エンドステージコンロは、イオン注入前にウェハ
5をディスク12に装填し、注入終了後にウェハ5をデ
ィスク12から取り出す。この際、ウェハ5の装填、取
り出しは、エンドステーション6の一部に設けたエアロ
ツタ(図示せず)を介して行い、エンドステーション6
およびその前段の真空状態は保持するようにしている。
なお、第4図では、説明の都合上ディスク12を2箇所
に描いているが、実際はエンドステーション6内に11
固あるのみである。
つぎに、上記した大電流型イオン注入装置を制御するイ
オン注入装置用制御装置について説明する。このイオン
注入装置用制御装置中のエンドステーションコントロー
ラ15.用役コントローラ16、マンマシンコントロー
ラ17.インタフェースユニット18.注入コントロー
ラ19.加速コントローラ20.マスコントローラ21
は、それぞれCP[J (中央処理装置)を備えている
マンマシンコントローラ17は、CPU (中央処理装
置)、キーボード、CRTおよびフロッピディスク等を
備えており、これらによって種々の制御条件のデータ(
加速エネルギ、ビーム量、ドーズ量、イオン種、ウェハ
サイズ等)を設定し、また後述の各コントローラ15.
16,19.20゜21からの監視データをインタフェ
ースユニット18を通して読み込み、状態表示を行う。
用役コントローラ16は、真空系の制御および装置の状
態監視を行うもので、真空計22.バルブ23.引出系
やビームラインのための真空ポンプ24.その他すミン
トスイッチなどが接続され、マンマシンコントローラ1
7からの指令に応して真空ポンプ24やバルブ23のシ
ーケンス制御を行うとともに、真空度のデータおよびそ
の他各種用役の状態監視を行い、各監視データをインタ
フェースユニット18に送る。
イオン源コントローラ24は、イオン源lにおけるプラ
ズマ発生のコントローラで、イオンi91のパラメータ
(フィラメント電圧、アーク電圧。
ソースマグネット電流等)を、マンマシンコントローラ
17からの指示に基づいて変化させるようになっており
、オペレータがマンマシンコントローラ17と対話しな
がらイオンビーム2を発生させる。
ガスセレクトコントローラ26はマンマシンコントロー
ラ17からの指示に基づいてイオン源1におけるプラズ
マ発生のためのガス試料選択を行う。
マスコントローラ21はマンマシンコントローラ17に
よって設定されたマス値のイオンビーム2を得ることが
できるように質量分析器3に与える分析マグネット電流
の調整を行う。
具体的には、マス値に応じて質量分析器3に与える分析
マグネット電流を設定し、引き出し電圧コントローラ2
5によって設定した引き出し電圧と上記分析マグネット
電流とから演算したマス値を引き出し電圧コントローラ
25に表示させるとともにマンマシンコントローラ17
へ送る。ナオ、この際、マスコントローラ21は、分析
マグネット電流をビーム電流が最大となるように制御し
て必要なイオンが常に分析スリン)3aに達するように
する。
加速コントローラ20は、マンマシンコントローラ17
から与えられた加速エネルギに応じて加速電圧を設定す
る。
注入コントローラ19は、マンマシンコントローラ17
からインタフェースユニット18を通して与えられるド
ーズ量、ウェハサイズ等の制御条件のデータをもとにし
てディスク12の並進運動をステッピングモータドライ
バ26を経由して制御することによりウェハ5全面に均
一にイオン注入がなされるようにし、かつビーム電流を
変換層27でデジタル変換したものを入力して、ビーム
電流を積分し、この積分値がウェハサイズおよびドーズ
量によって決まる値に達したときにイオン注入を停止さ
せる。
エンドステーションコントローラ15は、ウェハハンド
リングの制御を行うもので、1クリえばエアロツクの真
空度を測定する真空計28.光センサ28′からの信号
をもとに真空ポンプ29.バルブ30等の制御を行う。
なお、このエンドステーションコントローラ15と、用
役コントローラ16と注入コントローラ19とは相互に
インタロツクがかけられている。
テレメータ31は、大地側と高電圧部32と間のデータ
の送受信を行うもので、大地側ユニットと高電圧部側ユ
ニットとは光ファイバ等で接続している。
第5図は、従来の中電流型イオン注入装置およびこの中
電流型イオン注入装置を制御するイオン注入装置用制御
装置の構成を示すブロック図である。
中電流型イオン注入装置は、イオン電流が1mA程度で
あり、Qレンズ34によってイオンビーム2を集束さセ
、走査電極35によってイオンビーム2を走査すること
によって注入室36内のウェハ37の全面にイオンビー
ム2をスキャン照射する。この場合、ウェハ37へのイ
オン注入は、ウェハ37を固定して行い、かつ1枚ずつ
順次行うことになる。したがって、エンドステーション
38は、第4図のものとは構造が異なる。
Qレンズ34にはQレンズ電源39が設けられ、走査電
極35には走査電源40が設けられている。
その他の構成は大電流型イオン注入装置と同様である。
一方、イオン注入装置用制御装置は、集束・走査コント
ローラ41と、モードファラディ42とが追加され、注
入コントローラ19とインタフェースユニノ)1Bとが
なくなって、その機能の一部がマンマシンコントローラ
17に組込まれたこと以外は、大電流用のものと同様で
ある。
モードファラディ42は、マンマシンコントローラ17
からの指示に応じて注入モードを選択するもので、スキ
ャンビームモードがスポットビームモードかを選択する
。スキャンビームモードは、通常の注入モードで、スポ
ットモードはイオンビーム2の調整を行うモードである
集束・走査コントローラ41は、スポットモード時にお
いて、集束電圧および走査電圧を変化させてビームスポ
ットの大きさおよびビーム走査幅を調整する。
上記したように、イオン注入装置用制御装置は、キーボ
ードおよびCRTを入出力機器として有する1台のマン
マシンコントローラと、イオン注入装置に設けられる測
定器および被制御機器等を入出力機器として有する複数
の系統制御用コントローラ(用役コントローラ、エンド
ステーションコントローラ等)とで構成されている。・
そして、マンマシンコントローラは、キーボードによっ
て設定された制御条件のデータを取り込んで複数の系統
制御用コントローラに送り、複数の系統?l111 御
コントローラは、マンマシンコントローラから送られた
制御条件のデータに基づき、イオン注入のための複数系
統の制御を複数の系統制御用コントローラが局部的に分
散して行い、複数の系統制御用コントローラが各系統の
監視データをマンマシンコントローラへ送り、゛7ンマ
シンコントローラがこの監視データをCRT上に表示さ
せるようになっている。
したがって、オペレータは、マンマシンコントローラの
キーボードおよびCRTによってイオン注入装置の状態
監視および制御条件の設定を1個所で集中的に行うこと
ができる。
ところが、このような従来のイオン注入装置用制御装置
は、マンマシンコントローラが1台しがなかったため、
つぎのような問題があった。
このイオン注入装置は、通常全体がケースに収容され、
このケースを、クリーンルームと機械室との間の壁を貫
通してエンドステーション側かクリーンルームに面し、
イオン源側が機械室に面するように配置される。マンマ
シンコントローラは、通常クリーンルーム側に配置され
、クリーンルーム内のオペレータによって操作、監視が
行われる。
例えばイオン注入装置に異常が発生した場合、その修理
は機械室の人が行わねばならないが、機械室の人はマン
マシンコントローラのCRT画面を直接見ることができ
ず、また制御操作を行うこともできないため、クリーン
ルーム内のオペレータと常時無線機等によって連絡をと
ってチェックを行いながら修理を行わねばならず、修理
にきわめて時間を要することになる。
また、防塵、ロボット化に対応するために、クリーンル
ームにはできるだけ、人が入らないことが望ましいが、
クリーンルーム内にマンマシンコントローラを設定する
必要があり、これには十分に対応できない。
また、マンマシンコントローラが1台であるため、これ
が故障すると、イオン注入装置は制御不能となり、信頼
性が低い。
このような諸問題を解決する目的で、マンマシンコント
ローラを2台備えるイオン注入装置用制御装置が提案さ
れている。
このイオン注入装置用制御装置は、第6図に示t、にう
に、2台のマンマシンコントローラ51゜52と3台の
系統制御用コントローラ53〜55とをシリアル伝送路
56によりマルチポート接続方式で接続している。
マンマシンコントローラ51.52は、キーボード57
.58.CRT59.60をそれぞれ有し、一方のマン
マシンコントローラ51はホストコンピュータからの指
令によってオンライン制御を行えるようになっている。
系統制御用コントローラ(ビーム系統)53は、第4図
におけるイオン訓電i!ii!8.ガスボックス7゜引
き出し電源91分析マグネット電源10.加速電源11
.ステッピングモータ14等のビーム系統を制御する。
系統制御用コントローラ(用役系統)54は、第4図に
おけるバルブ23.真空ポンプ24等の真空系やその他
の用役の制御を行う。
系統制御用コントローラ(エンドステーション系統)5
5は、第4図におけるエンドステーションのウェハハン
ドリングの制御を行う。
このように、マンマシンコントローラ51.52を2台
設けると、つぎのような利点がある。
すなわち、イオン注入装置は、通常全体がケースに収容
され、このケースを、クリーンルームと機械室との間の
壁を貫通してエンドスジ−ジョン側がクリーンルームに
面し、イオン源側が機械室に面するように配置され、一
方のマンマシンコントローラ51はクリーンルームに配
置され、他方のマンマシンコントローラ52は機械室に
配置される。
このように、クリーンルームと機械室の両方にマンマシ
ンコントローラ51.52をそれぞれ配置すると、例え
ばイオン注入装置に異常が発生した場合、機械室の人が
直接マンマシンコントローラ52のCRT60を見なが
ら、また直接キーボード58を操作しながら修理を行う
ことができ、修理を短時間に行うことができる。
また、防塵、ロボット化に対応するために、一方のマン
マシンコントローラ51をクリーンルームに配置し、他
方のマンマシンコントローラ52をクリーンルームとは
別のオペレータルームに配置して、大部分の監視、制御
条件の設定をオペレータルームで行うことにより、クリ
ーンルームに人が入るのを極力少くでき、防塵、ロボッ
ト化が容易である。
また、マンマシンコントローラ51.52が2台である
ため、1台が故障しても残りで制御を続行でき、信頼性
が高い。
また、2台のマンマシンコントローラ51.52を近接
配置して、各CRT59.60に異なるデータを表示さ
せるようにすれば、表示容量を増加させることができる
発明が解決しようとする問題点 このようなイオン注入装置用制御装置(第6図)は、2
台のマンマシンコントローラ51.52と3台の系統制
御用コントローラ53〜55とをマルチボート接続方式
で接続しているため、伝送路56を構成するケーブル数
が多くなり、配線が困難になり、また、マンマシンコン
トローラ51゜52や系統制御用コントローラ53〜5
5の数が変わると、それらの伝送部の構成を変更しなけ
ればならず、システムの拡張や変更が容易でなかった。
この発明の目的は、システムの拡張や変更を容易に行う
ことができるイオン注入装置用制御装置を提供すること
である。
問題点を解決するための手段 この発明のイオン注入装置用制御装置は、1゛オン注入
のための複数系統の制御を与えられた制御条件に基づい
てそれぞれ局部的に分散して行うとともに複数系統の監
視データをそれぞれ取り込んで出力する複数の系統制御
用コントローラと、前記複数の系統制御用コントローラ
に対する制御条件を設定して前記複数の系統制御用コン
トローラに与えるとともに前記複数の系統制御用コント
ローラから出力された監視データを取り込んで表示する
複数のマンマシンコントローラと、前記複数の系統制御
用コントローラと前記複数のマンマシンコントローラに
それぞれ接続された複数の伝送部と、前記複数の伝送部
をループ状に接続する伝送路とを備えている。
作用 この発明の構成によれば、複数のマンマシンコントロー
ラと複数の系統制御用コントローラとを複数の伝送部を
介して伝送路でループ状に接続しているため、伝送路を
構成するケーブル数がマンマシンコントローラおよび系
統制御用コントローラの総数と同じで少くすむ。なお、
システムの拡張や変更を行う際にも伝送部の構成は変更
しないため、システムの拡張や変更を容易に行うことが
できる。
また、マンマシンコントローラを複数設けて、各々で複
数の系統制御用コントローラに対し、制御条件設定を行
ったり、監視データの表示を行なえるため、信頼性を高
めることができる。
実施例 この発明の一実施例を第1図ないし第3図に基づいて説
明する。このイオン注入装置用制御装置は、第1図に示
すように、イオン注入のための複数系統の制御を与えら
れた制御条件に基づいてそれぞれ局部的に分散して行う
とともに複数系統の監視データをそれぞれ取り込んで出
力する複数の系統制御用コントローラ61〜63と、前
記複数の系統制御用コントローラ61〜63に対するH
il+御条件を設定して前記複数の系統制御用コントロ
ーラ61〜63に与えるとともに前記複数の系統制御用
コントローラ61〜63から出力された監視データを取
り込んで表示する複数のマンマシンコントローラ64.
65と、前記複数の系統制御用コントローラ61〜63
と前記複数のマンマシンコントローラ64.65にそれ
ぞれ接続された複数の伝送部66〜70と、前記複数の
伝送部66〜70をループ状に接続する光ファイバなど
の伝送路71とを備えている。この場合、マンマシンコ
ントローラ64.65と系統制御用コントローラ61〜
63との間の情報の伝送は伝送部66〜70および伝送
路71を通して行われる。
このイオン注入装置用制御装置は、2台のマンマシンコ
ントローラ64.65と3台の系統制御用コントローラ
(ビーム系統、用役系統、エンドステーション系統)6
1〜63を中心とする5(固のサブシステムに分けて考
えることができる。
用役系統の系統制御用コントローラ63には、真空計や
各種リミットスイッチなどの測定器72や、バルブ73
、引き出し系やビームラインのための真空ポンプ74等
が接続されている。この系統制御用コントローラ63に
より、イオン注入装置の真空ポンプやバルブのシーケン
ス制御および電源や各種用役の状態監視を行う。この実
施例の制御装置は、自動と手動のモードを備えており、
自動時には、この系統制御用コントローラ63のみでシ
ーケンス制御を行うことができ、手動時には、マンマシ
ンコントローラ64.65からこの系統制御用コントロ
ーラ63を経由してイオン注入装置を制御することがで
きる。イオン注入装置の状態は、適当なタイミングで伝
送路71上に乗せられ、他の系統制御用コントローラ6
1.62゜マンマシンコントローラ64.65がこれを
読み込む。
エンドステーション系統の系統制御用コントローラ62
には、ウェハハンドリングのための光センサ7s、y、
空ポンプ76、バルブ77およびモータ78等が接続さ
れている。この系統制御用コントローラ62によりウェ
ハのハンドリングを制御する。自動時には、この系統制
御用コントローラ62のみで制御を行うことができる。
この場合、系統制御用コントローラ63からの情報によ
りタイミングを決定する0手動時には、マンマシンコン
トローラ64.65からこの系統制御用コントローラ6
2を経由してウェハのハンドリングを制御することがで
きる。イオン注入装置の状!3(例えば、ウェハの処理
状況等)は、適当なタイミングで伝送路71上に乗せら
れ、他のコントローラ(主としてマンマシンコントロー
ラ64.65)がこれを読み込む。
ビーム系統の系統制御用コントローラ66には、テレメ
ータ79や真空計等の測定器81等が接続されている。
テレメータ79には、イオン源電源。
引き出し電源1分析マグネット電源、加速電源等の各種
の電源80が接続されている。なお、中電流型イオン注
入装置に対しては、電源80にはQレンズ電源および走
査電源が含まれている。この系統制御用コントローラ6
1により、測定器のデータの読み込み、電源のパラメー
タの読込み、電源のパラメータ制御を行う信号の出力等
が行われる。読み込まれたデータは、伝送路71に乗せ
られてマンマシンコントローラ64.65に渡される。
また、パラメータ制御信号はマンマシンコントローラ6
4.65から送られてくる。
系統制御用コントローラ61の機能の一部は、大電流型
イオン注入装置のためのものであり、中電流型には必要
はない。系統制御用コントローラ61には、ウェハディ
スク駆動機構のためのステッピングモータ83を駆動す
るステッピングモータドライバ82やビーム電流をA/
D変換する変換器84が接続されている。この系統制御
用コントローラ61により、ビーム電流に基づいてウェ
ハの語基されたディスク並進速度の制御が行なわれる。
マンマシンコントローラ64.65は、キーボード85
.86.CRT87.8B、 フロッピィディスク等を
備えており、イオン注入条件等の各系統制御用コントロ
ーラ61〜63の制御条件の設定等を行う、このように
マンマシンコントローラ64.65は、イオン注入装置
運転時の操作卓であり、CRT画面上に操作のガイダン
スを表示し、ファンクションキーとテンキーとにより操
作を行う。また、イオン注入装置の状態は系統制御用コ
ントローラ61〜63から送られてくるデータを元にし
てCRT画面上に表示される。自動時には、イオン源の
立ち上げ、ビーム引き出し、ビーム集束等の調整制御の
ための制御信号を伝送路71上に乗せて系統制御用コン
トローラ61〜63に与える。例えばその制御信号に基
づき各電源等に制御信号を与える。さらに、マンマシン
コントローラ64は、ホストコンピュータとの通信を行
い、外部からの条件設定の読込み、イオン注入装置の処
理情報の送信等を行う。これはユーザ側のEDPのため
のものである。
つぎに、前述したマンマシンコントローラ64゜65お
よび制御用コントローラ61〜63と伝送部66〜70
とについて説明する。
第2図は、コントローラ9oおよび伝送部91を示すブ
ロック図である。コントローラ90は前述したマンマシ
ンコントローラs4.65.系a制御用コントローラ6
1〜63を一般的に示したものであり、伝送部91は前
述した伝送部66〜70を一般的に示したものである。
コントローラ90は、互いに接続されたCPU90.A
、メモリ90BおよびI10インターフェース90Cを
備える。I10インターフェース90Cには、前述した
各種の周辺機器が接続される。伝送部91は、互いに接
続された受信部91A1送信部91Bおよびインターフ
ェース部91Cを備える。インターフェース部91Cに
は、前述した伝送部71が接続されている。
伝送路71に接続されていて、各々が伝送部91゜コン
トローラ90および周辺機器から成るサブシステム局と
呼ぶことができるが、この制御装置においては、親局−
子局(または1次局−2次局、またはマスター局−スレ
ープ局)という考えは無く全局が平等である。
受信部91Aは、伝送路71から情報が送られてきたら
これを取り込み、他局情報(他局が伝送路71に出力し
た情報)であればこれを送信部91Bへ送ると共に、選
別を行い自局にとって必要であれば選別情報を処理情報
に変換してコントローラ90に送る。一方送信部91B
は、常に受信部91Aから送られてくる他局情報および
コントローラ90からの送信情報を読み取りこれを内部
のメモリにバッファ1)ングしておき、送信タイミング
になるとバッフアリソゲされている送信情報を伝送路7
1へ送信する。
この実施例のイオン注入装置用制御装置は、複数のマン
マシンコントローラ64.6sと複数の系統制御用コン
トローラ61〜63とを複数の伝送路66〜70を介し
て伝送路71でループ状に接続するため、伝送路71を
構成するケーブル数がマンマシンコントローラ64.6
5および系統制御用コントローラ61〜63の総数と同
じで少くすむ。また、システムの拡張や変更を行う際に
も伝送部66〜70の構成は変更しないため、システム
の拡張や変更を容易に行うことができる。
また、マンマシンコントローラ64.65を2台設けて
いるため、つぎのような利点がある。
すなわち、イオン注入装置は、第3図に示すように、通
常全体がケース101に収容され、このケース101を
、クリーンルーム102と機械室103との間の壁10
4を貫通してエンドステーション側がクリーンルーム1
02に面し、イオン源側が機械室103に面するように
配置され、一方のマンマシンコントローラ64はクリー
ンルームに配置さし、他方のマンマシンコントローラ6
5は機械室103に配置される。
このように、クリーンルーム102と機械室103の両
方にマンマシンコントローラ64.65をそれぞれ配置
すると、例えばイオン注入装置に異常が発生した場合、
機械室103の人が直接マンマシンコントローラ65の
CRT88t−見ながら、また直接キーボード86を操
作しながら修理を行うことができ、修理を短時間に行う
ことができる。なお、第3図において、105はイオン
源、106は質量分析器、107はエンドステーション
、108はハンドリング装置である。伝送路71は天井
、床等を通る。
また、防塵、ロボット化に対応するために、一方のマン
マシンコントローラ64をクリーンルームに配置し、他
方のマンマシンコントローラ65をクリーンルームとは
別のオペレータルームに配置して、大部分の監視、制御
をオペレータルームで行うことにより、クリーンルーム
に人が入るのを極力少くでき、防塵、ロボット化が容易
である。
また、マンマシンコントローラ64.65が2台あるた
め、1台が故障しても残りで制御を続行でき、信頼性が
高い。
また、2台のマンマシンコントローラ64.65を近接
配置して、各CRT87.88に異なる監視データを表
示させるようにすれば、表示容量を増加させることがで
きる。
発明の効果 この発明のイオン注入装置用制御装置によれば、複数の
マンマシンコントローラと複数の系統制御用コントロー
ラとを複数の伝送部を介して伝送路でループ状に接続し
ているため、伝送路を構成するケーブル数がマンマシン
コントローラおよび系統制御用コントローラの総数と同
じで少くすむといった効果を奏する。なお、システムの
拡張や変更を行う際にも伝送部の構成は変更しないため
、システムの拡張や変更を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の構成を示すブロック図、
第2図は第1図の要部の詳細なブロック図、第3図はイ
オン注入装置の設置状態を示す概略図、第4図は従来の
大電流型イオン注入装置およびその制御装置の構成図、
第5図は従来の中電流型イオン注入装置およびその制御
装置の構成図、第6図はイオン注入装置用制御装置の提
案例の構成を示すブロック図である。 61〜63・・・系統制御用コントローラ、64゜65
・・・マンマシンコントローラ、66〜7o・・・伝送
部、71・・・伝送路 ;で;「シ・ 特許出願人  日新電機株式会社゛仝こ、:17゛ン1
−.“− 代 理 人  弁理士 官井暎夫Eレー第2図 ホストコンピュータ 第3図 第6図 手続主甫正書(自頒 昭和61年03月10日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. イオン注入のための複数系統の制御を与えられた制御条
    件に基づいてそれぞれ局部的に分散して行うとともに複
    数系統の監視データをそれぞれ取り込んで出力する複数
    の系統制御用コントローラと、前記複数の系統制御用コ
    ントローラに対する制御条件を設定して前記複数の系統
    制御用コントローラに与えるとともに前記複数の系統制
    御用コントローラから出力された監視データを取り込ん
    で表示する複数のマンマシンコントローラと、前記複数
    の系統制御用コントローラと前記複数のマンマシンコン
    トローラにそれぞれ接続された複数の伝送部と、前記複
    数の伝送部をループ状に接続する伝送路とを備えたイオ
    ン注入装置用制御装置。
JP26657885A 1985-11-27 1985-11-27 イオン注入装置用制御装置 Pending JPS62126536A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0676784A (ja) * 1992-08-26 1994-03-18 Nissin Electric Co Ltd イオン注入制御装置
WO2000028572A1 (fr) * 1998-11-05 2000-05-18 Seiko Instruments Inc. Appareil pour produire un faisceau de particules chargees
JP2013211584A (ja) * 2006-03-22 2013-10-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及びその表示方法並びに半導体装置の製造方法

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WO2000028572A1 (fr) * 1998-11-05 2000-05-18 Seiko Instruments Inc. Appareil pour produire un faisceau de particules chargees
JP2013211584A (ja) * 2006-03-22 2013-10-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及びその表示方法並びに半導体装置の製造方法

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