JPS62128424A - イオン注入装置用制御システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は複数台のイオン注入装置の制御に使用される
イオン注入装置用制御システムに関するものである。

従来の技術 第２図は、従来の大電流型イオン注入装置およびこの大
電流型イオン注入装置を制御するイオン注入装置用制御
装置の構成を示すブロック図である。大電流型イオン注
入装置は、イオン電流が数ｍＡ＝ｌｏｍＡ程度である。

大電流型イオン注入装置は、大きく分ければイオンを発
生するイオン源１と、イオン源１から引き出されたイオ
ンビーム２から必要なイオン種を選択する質量分析器３
と、この質量分析器３から出たイオンビーム２を加速す
る加速管４と、加速管４を出たイオンビーム２をウェハ
５に当ててイオン注入を行うエンドステーション６とで
構成され、これらの内部は真空となっている。イオン源
１には、ガスを供給するガスボックス７と各種電圧、電
流を供給するイオン源電源８と、イオンと一ム２を引き
出すための引き出し電ｓ９が付属し、質量分析器３には
、質量分析マグネット（図示せず）に給電するための分
析マグネットを源ｌＯが付属し、加速管４には、加速電
源１１が付属している。

イオン源１は、例えば固体オーブン付属の熱陰極ＰＩＧ
型であって、フィラメント（図示せず）とアーク電極（
図示せず）とソースマグミツト（図示せず）とを有し、
イオン源電源（フィラメント電源、アーク電源、ソース
マグネット電源。

オーブン電源等）　８からフィラメント（図示せず）。

アーク電極（図示せず）、ソースマグネット（図示せず
）等にそれぞれ給電されることにより、ガスボックス７
からアークチャンバに供給されるガスをイオン化する。

ＩＬ、体的には、フィラメントからの熱電子放出をトリ
ガとしてアーク放電を行うことによりプラズマを作る。

そして、引き出し電源９から供給される３０ＫＶ〜４０
ＫＶの電圧によってスリット状のイオン引き出し口１ａ
からイオンビーム２を引き出す、このイオン源１は、イ
オン源物質として、ガスだけでなく、固体（Ａ３゜ｐ、
ｓｂ等）の使用も可能であり、固体を使用する場合には
、固体のイオン源物質を固体オーブンで蒸発させてアー
クチャンバに導（とともに、ガスボックス７からキャリ
アガス（Ａｒ等）をアークチャンバに導き、固体イオン
物質をイオン化する。

ガスボックス７は、上記したイオン源ｌに接続され、例
えば４個のガスボトル（例えばＡｒ。

Ｓ　ｉ　Ｆ　４　、　Ｂ　Ｃｌ　３　、　　Ｐ　ＣＩ等
）を内蔵し、必要なイオン種に対応していずれかのＭ類
のガスを選択的にイオン源１へ供給する。

質量分析器３は、分析マグネット電源１０から９０度偏
向の質量分析マグネットに給電され、イオン源１から引
き出されたイオンビーム２の中から必要なイオン種を選
択するとともに、質量分析マグネットの磁気集束作用を
利用してイオンビーム２を分析スリット３ａに絞り込ん
で加速管４へ導く、この質量分析器３が必要であるのは
、以下の理由によるためである。イオン源１から引き出
されるイオンの中には不要イオンが混在する場合が多い
０例えばボロンイオンを引き出す場合、ＢＦ３ガスを使
用するが、この場合、必要なボロンイオンの伯にＦ“、
ＢＦ″Ｆ、ＢＦ２＋などの不要イオンが生じ、これらの
不要イオンがウェハ５に注入されると具合が悪いためで
ある。

上記質量分析器３は、質量分析マグネットに供給する電
流を調整することにより、必要なボロンイオンが真空チ
ャンバ中で丁度９０度偏向されて分析マグネット３ａに
導びかれ、加速管４に入ることになる。一方、不要イオ
ンは、ボロンイオンとは質量が異なるため、質量分析器
３の真空チャンバの側壁に当たってそこで吸収される等
し、分析スリット３ａには達しない。

加速管４は、例えば絶縁物と金属製電極とを多段に接着
した構造で、各電極には加速１！ｆＲ１１から抵抗（図
示せず）を通して一定の加速電圧が印加され、イオンビ
ーム２は前記した引き出し電圧とこの加速電圧とを合わ
せた電圧で加速されてエンドステーション６に入ること
になる。この加速電圧は注入エネルギに応じて設定され
る。

エンドステーシラン６は、イオンビーム２を静止させた
ままでディスク１２を移動させるメカニカルスキャン式
である。ウェハ５はディスク１２の円周上に装填され、
ウェハ５全面にイオンビーム２が均一に照射されるよう
に、インダクシツンモータ１３およびステンビングモー
タ１４によって、ディスク１２が回転しながらビーム領
域を並進運動する。この場合、ディスク１２の回転速度
は一定であるが、並進運動は、ディスク１２の移動速度
がディスク１２の外周部と内周部で異なること、および
ビーム電流の変動にかかわらず、注入量をウェハ５全面
にわたって均一にする必要があることから、一定ではな
く、並進速度を上記の変化に応じて制御する必要がある
。

また、エンドステーシラン６は、イオン注入前にウェハ
５をディスク１２に装填し、注入終了後にウェハ５をデ
ィスク１２から取り出す、この際、ウェハ５の装填、取
り出しは、エンドステーシラン６の一部に設けたエアロ
ツク（図示せず）を介して行い、エンドステーシラン６
およびその前段の真空状筋は保持するようにしている。

なお、第２図では、説明の都合上ディスク１２を２箇所
に描いているが、実際はエンドステーシラン６内に１個
あるのみである。

つぎに、上記した大電流型イオン注入装置を制御するイ
オン注入装置用制御装置について説明する。このイオン
注入装置用制御装置中のエンドステーションコントロー
ラ１５．用役コントローラ１６、マンマシンコントロー
ラ１７．　インタフェースユニット１ｅ、注入コントロ
ーラ１９．加速コントローラ２０．マスコントローラ２
１は、それぞれＣＰＵ　（中央処理装置）を備えている
。

マンマシンコントローラ１７は、ＣＰＵ（中央処理装置
）、キーボード、ＣＲＴおよびフロッピディスク等を備
えており、これらによって種々の制御条件のデータ（加
速エネルギ、ビーム量、ドーズ量、イオン種、ウェハサ
イズ等）を設定し、また後述の各コントローラ１５，１
６，１９，２０゜２１からの監視データをインタフェー
スユニット１８を通して読み込み、状態表示を行う。

用役コントローラ１６は、真空系の制御および装置の状
態監視を行うもので、真空計２２．パルプ２３．引出系
やビームラインのための真空ポンプ２４．その他リミッ
トスイッチなどが接続され、マンマシンコントローラ１
７からの指令に応じて真空ポンプ２４やバルブ２３のシ
ーケンス制御を行うとともに、真空度のデータおよびそ
の他各種用役の状態監視を行い、各監視データをインタ
フェースユニット１８に送る。

イオン源コントローラ２４は、イオン源ｌにおけるプラ
ズマ発生のコントローラで、イオン＃１のパラメータ（
フィラメント電圧、アーク電圧。

ソースマグネット電流等）を、マンマシンコントローラ
１７からの指示に基づいて変化させるようになっており
、オペレータがマンマシンコントローラ１７と対話しな
がらイオンビーム２を発生させる。

ガスセレクトコントローラ２６はマンマシンコントロー
ラ１７からの指示に基づいてイオン源ｌにおけるプラズ
マ発生のためのガス試料選択を行う。

マスコントローラ２１はマンマシンコントローラ１７に
よって設定されたマス値のイオンビーム２−１得ること
ができるように質量分析器３に与える分析マグネット電
流の調整を行う。

具体的には、マス値に応じて質量分析器３に与える分析
マグネット電流を設定し、引き出し電圧コントローラ２
５によって設定した引き出し電圧と上記分析マグネット
電流とから演算したマス値を引き出し電圧コントローラ
２５に表示させるとともにマンマシンコントローラ１７
へ送る。なお、この際、マスコントローラ２１は、分析
マグネット電流をビーム電流が最大となるように制御し
て必要なイオンが常に分析スリット３ａに達するように
する。

加速コントローラ２０は、マンマシンコントローラ１７
から与えられた加速エネルギに応じて加速電圧を設定す
る。

注入コントローラ１９は、マンマシンコントローラ１７
からインタフェースユニット１８を通して与えられるド
ーズ量、ウェハサイズ等の制御条件のデータをもとにし
てディスク１２の並進運動をステンピングモータドライ
バ２６を経由して制御することによりウェハ５全面に均
一にイオン注入がなされるようにし、かつビーム電流を
変換器２７でデジタル変換したものを入力して、ビーム
電流を積分し、この積分値がウェハサイズおよびドーズ
量によって決まる値に達したときにイオン注入を停止さ
せる。

エンドステーシランコントローラ１５は、ウェハハンド
リングの制御を行うもので、例えばエアロツタの真空度
を測定する真空計２８．光センサ２８′からの信号をも
とに真空ポンプ２９．バルブ３０等の制御を行う、なお
、このエンドステーションコントローラ１５と、用役コ
ントローラ１６と注入コントローラ１９とは相互にイン
タロックがかけられている。

テレメータ３１は、大地側と高電圧部３２と間のデータ
の送受信を行うもので、大地側ユニットと高電圧部側ユ
ニットとは光ファイバ等で接続している。

第３図は、従来の中電流型イオン注入装置およびこの中
電流型イオン注入装置を制御するイオン注入装置用制御
装置の構成を示すブロック図である。

中電流型イオン注入装置は、イオン電流がＩｍＡ程度で
あり、Ｑレンズ３４によってイオンビーム２を集束させ
、走査電極３５によってイオンビーム２を走査すること
によって注入室３６内のウェハ３７の全面にイオンビー
ム２をスキャン照射する。この場合、ウェハ３７へのイ
オン注入は、ウェハ３７を固定して行い、かつ１枚ずつ
順次行うことになる。したがって、エンドステーション
３８は、第２図のものとは構造が異なる。

Ｑレンズ３４にはＱレンズ電源３９が設けられ、走査電
極３５には走査電源４０が設けられている。

その他の構成は大電流型イオン注入装置と同様である。

一方、イオン注入装置用制御装置は、集束・走。

査コントローラ４１と、モードファラデイ４２とが追加
され、注入コントローラ１９とインタフェースユニット
１日とがなくなって、その機能の一部がマンマシンコン
トローラ１７に組込まれたこと以）は、大電流用のもの
と同様である。

モードファラディ４２は、マンマシンコントローラ１７
からの指示に応じて注入モードを選択するもので、スキ
ャンビームモードがスポットビームモードかを選択する
。スキャンビームモードは、通宝の注入モードで、スポ
ットモードはイオンビーム２の調整を行うモードである
。

集束・走査コントローラ４１は、スポットモード時にお
いて、集束電圧および走査電圧を変化させてビームスポ
ットの大きさおよびビーム走査幅を調整する。

上記したように、イオン注入装置用制御装置は、キーボ
ードおよびＣＲＴを入出力機器として有する１台のマン
マシンコントローラと、イオン注入装置に設けられる測
定器および被制御機器等を入出力機器として有する複数
の系統制御用コントローラ（用役コントローラ、エンド
ステーシランコントローラ等）とで構成されている。

そして、マンマシンコントローラは、キーボードにより
て設定された制御条件のデータを欧り込んで複数の系統
制御用コントローラに送り、複数の系統ａｍコントロー
ラは、マンマシンコントローラから送られた制御条件の
データに基づき、イオン注入のための複数系統の制御を
複数の系統制御用コントローラが局部的に分散して行い
、複数の系統制御用コントローラが各系統の監視データ
をマンマシンコントローラへ送り、マンマシンコントロ
ーラがこの監視データをＣＲＴ上に表示させるようにな
っている。

したがって、オペレータは１．マンマシンコントローラ
のキーボードおよびＣＲＴによってイオン注入装置の状
態監視および制御条件の設定を１箇所で集中的に行うこ
とができる。

半導体等の製造設備では、一般的にイオン注入装置を１
台だけ運転することは少く、大半は複数台のイオン注入
装置を並列的に運転することが多い。

このような場合、上記のようなイオン注入装置用制御装
置を各イオン注入装置毎に設ける必要がある。

ところが、このような構成では、各イオン注入装置用制
御装置に対して、オペレータが、その設置場所まで行っ
て個別に制御条件を設定しなければならず、管理が容易
でなかった。

このような問題を解消する目的で、群管理コンピュータ
を備えるイオン注入装置用制御システムが提案されてい
る。

このイオン注入装置用制御システムは、第４図に示すよ
うに、一群のイオン注入装置用制御装置５１〜５３とこ
れらのイオン注入装置用制御装置５１〜５３の群管理を
行う群管理コンピュータ５４と、イオン注入装置用制御
装置５１〜５３と群管理コンピュータ５４とを接続する
上層伝送路５５と、群管理コンピュータ５４とホストコ
ンピュータとを接続する最上層伝送路５６とで構成され
ている。

イオン注入装置用制御装置５１は、イオン注入のための
複数系統（ビーム系統、エンドステーション系統、用役
系統）の制御を与えられた制御条件に基づいてそれぞれ
局部的に分散して行うとともに複数系統の監視データを
それぞれ取り込んで出力する複数の系統制御用コントロ
ーラ６１〜６３と、複数の系統制御用コントローラ６１
〜６３に対する制御条件を設定して複数の系統制御用コ
ントローラ６１〜６３に与えるとともに上層から入力さ
れる制御条件を複数の系統制御用コントローラ６１〜６
３に与え、複数の系統制御用コントローラ６１〜６３か
ら出力された監視データを取り込んで表示するとともに
上層へ出力するマンマシンコントローラ６４と、複数の
系統制御用コント０−ラ６１〜６３とマンマシンコント
ローラ６４とにそれぞれ接続された複数の系統制御用伝
送部６５〜６８と、複数の系統制御用伝送部６５〜６８
を単一のループ状に接続する下層伝送路６９と、マンマ
シンコントローラ６４に接続された注入装置用伝送部７
０とで構成されている。

マンマシンコントローラ６４は、ＣＰＵの他に、キーボ
ード７１とＣＲＴ７２とを有している。

系統制御用コントローラ（ビーム系統）　６１は、第２
図におけるイオン源電源８．ガスボックス７゜引き出し
電源９１分析マグネット電源１０．加速電源１１．ステ
ッピングモータ１４等のビーム系統を制御する。

系統制御用コントローラ（用役系統）６２は、第２ｒｇ
Ｊにおけるバルブ２３．真空ポンプ２４等の真空系やそ
の他の用役の制御を行う。

ｉ　ｔ　制ｆＩＩＩ用コントローラ（エンドステーショ
ン系統）６３は、第２図におけるエンドステーシランの
ウェハハンドリングの制御を行う。

その他のイオン注入装置用制御装置５２．５３も、上記
と同じ構成であり、７３〜７５．８５〜８７は系統制御
用コントローラ、７６．８８はマンマシンコントローラ
、７７〜８０．８９〜９２は系統制御用伝送部、８２．
９４は注入装置川伝、　　送部、８３．９５はキーボー
ド、８４．９６はＣＲＴ、８１．９３は下層伝送路であ
る。

一方、群管理コンピュータ５４は、各イオン注入装置用
制御装置５１〜５３の複数の系統制御用コントローラ６
１〜６３．７３〜７５．８５〜８７に対する制御条件を
設定して各イオン注入装置用制御製置５１〜５３のマン
マシンコントローラ６４゜７６．８８に与えるとともに
ホストコンピュータから送られる制御条件を受は取って
各イオン注入’Ｊｌ用１１１ｆｉｌ装Ｗ１５１〜５３の
マンマシンコントローラ６４，７６．８８に与える群管
理用コントローラ９７と、この群管理用コントローラ９
７に接続された複数の群管理用伝送部９８Ａ〜９８Ｃと
、ホストコンピュータに最上層伝送路５６を介して接続
される伝送部９９とを有している。

群管理用コントローラ９７は、ＣＰＵの他にキーボード
１００．ＣＲＴＩＯｌ等を有している。

また、群管理用伝送部９８Ａ〜９８Ｃは上層伝送路５５
によって各イオン注入装置用制御装置５１〜５３の注入
装置用伝送部７０，８２．９４に１対ｌで接続される。

このイオン注入装置用制御システムは、ホストコンピュ
ータから送られる制御条件（イオン種。

エネルギ、ドーズ量、ビーム量、ウェハサイズ。

作動すべきイオン注入装置の番号）を群管理コンピュー
タ５４が受は取り、群管理コンピュータ５４が受は取っ
た制御条件を各イオン注入装置用制御装置５１〜５３に
送ることになる。そして、各イオン注入装置用制御装置
５１〜５３は受は取った制御条件に基づいて各イオン注
入装置を制御することになる。

各イオン注入装置用制御装置５１〜５３は、完了報告等
、ロフトの状態の報告を群管理コンピュータ５４に送る
０群管理コンピュータ５４はこれを受は取り、ＣＲＴＩ
ＯＩに表示するとともにホストコンピュータへ送る。

以下、より詳しく説明する０群管理用コントローラ９７
は最上層伝送路５６．伝送部９９を通して送られる制御
条件またはオペレータがＣＲＴｌｏｌを見ながらキーボ
ード１００で設定した制御条件を群管理用伝送部９８Ａ
〜９８Ｃ５上層伝送路５５．注入装置用伝送部７０，８
２．９４を通してマンマシンコントローラ６４．７６．
８８に送り、また、マンマシンコントローラ６４，７６
゜８８から上記の経路を逆に送られたロフトの状態の報
告を受は取り、これを伝送部９９および最上層伝送路５
６を通してホストコンピュータに送るとともにＣＲＴＩ
ＯＩにそれを表示する。

例えばマンマシンコントローラ６４は、群管理用コント
ローラ９７から送られる制御条件が自機に対するもので
ある場合に、送られた制御条件を系統制御用伝送部６５
〜６８および下層伝送路６９を通して各系統制御用コン
トローラ６１〜６３に送る。各系統制御用コントローラ
６１〜６３は、送られた制御条件に従って各系統の制御
を行い、監視データを系統？ｔ制御用伝送部６５〜６８
および下層伝送部６９を通してマンマシンコントローラ
６４に送るとともに、ロフトの状態を同じ経路でマンマ
シンコントローラ６４に送る。マンマシンコントローラ
６４は、各系統制御用コントローラ６１〜６３から送ら
れた監視データをＣＲＴ７２に表示するとともに、ロッ
トの状態を群管理用コントローラ９７へ送る。

マンマシンコントローラ６４は、群管理用コントローラ
９７から送られる制御条件だけでなく、オペレータがＣ
ＲＴ７２を見ながらキーボード７１で設定した制御条件
を各系統制御用コントローラ６１〜６３に送ることもで
きる。

他のイオン注入装置用制御装置も同じように動作する。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、この第４図のイオン注入装置用制御シス
テムは、各イオン注入装置用５１〜５３内の伝送方式が
ループ伝送方式であるのに対し、群管理コンピュータ５
４と各イオン注入装置用制御装置５１〜５３との間の伝
送方式が１対１伝送方式であって、２種類の伝送方式が
混在しているため、伝送部（７０，８２，９４，９８Ａ
、９８Ｂ。

９８Ｃ；６５〜６８．７７〜８０．８９〜９２）が２種
類必要であり、伝送のプロトコルも２種類必要である。

また、群管理コン゛ピエータ５４内の群管理用伝送部９
８Ａ、９８Ｂ、９８Ｃがイオン注入装置用制御装置５１
〜５３の数に合わせて必要である。

この発明の目的は、１種類の伝送部でシステム構成でき
るとともに伝送のプロトコルも１種類でよ−く、また群
管理コンピュータの群管理用伝送部を１個にすることが
できるイオン注入装置用制御システムを提供することで
ある。

問題点を解決するための手段 この発明のイオン注入装置用制御システムは、一群のイ
オン注入装置を制御するイオン注入装置用制御システム
であって、 各イオン注入装置におけるイオン注入のための複数系統
の制御を与えられた制御条件に基づいてそれぞれ局部的
に分散して行うとともに複数系統の監視データをそれぞ
れ取り込んで出力する複数の系統制御用コントローラと
、前記複数の系袂制御用コントローラに対する制御条件
を設定して前記複数の系統制御用コントローラに与える
とともに上層から入力される制御条件を前記複数の系統
制御用コントローラに与え、前記複数の系統制御用コン
トローラから出力された監視データを取り込んで表示す
るとともに上層へ出力するマンマシンコントローラと、
前記複数の系統制御用コントローラと前記マンマシンコ
ントローラにそれぞれ接続された複数の系統制御用伝送
部と、前記複数の系統制御用伝送部を単一のループ状に
接続する下層伝送路と、前記マンマシンコントローラに
接続された注入装置用伝送部とをそれぞれ有する一群の
イオン注入装置用制御装置と、 前記各イオン注入装置用制御装置の前記マンマシンコン
トローラに制御条件を与えるとともに前記各イオン注入
装置用制御装置の前記マンマシンコントローラから出力
された監視データを取り込んで表示する群管理用コント
ローラと、この群管理用コントローラに接続された群管
理用伝送部とををする群管理コンピュータと、 前記各イオン注入装置用制御装置の前記注入装置用伝送
部と前記群管理コンビニータの前記群管理用伝送部とを
単一のループ状に接続する上層伝送路とを備えている。

作用 この発明の構成によれば、イオン注入装置用制御装置内
のマンマシンコントローラと複数の系統制御用コントロ
ーラとをループ状の下層伝送路で接続し、かつ群管理用
コントローラエ各マンマシンコントローラとをループ状
の上層伝送路で接続したため、伝送方式がループ伝送方
式のみとなり、系統制御用伝送部、注入装置用伝送部お
よび群管理用伝送部として同一構成のものを使用でき、
また伝送のプロトコルも１種類でよく、さらに群管理コ
ンピュータの群管理用伝送部が１個でよい。

実施例 この発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。この
イオン注入装置用制御システムは、＠１図に示すように
、一群のイオン注入装置を制御するイオン注入装置用制
御システムであって、各イオン注入装置におけるイオン
注入のための複数系統の制御を与えられた制御条件に基
づいてそれぞれ局部的に分散して行うとともに複数系統
の監視データをそれぞれ取り込んで出力する複数の系統
制御用コントローラ６１〜６３．７３〜７５゜８５〜８
７と、前記複数の系統制御用コントローラ６１〜６３．
７３〜７５．８５〜８７に対する制御条件を設定して前
記複数の系統制御用コントローラ６１〜６３．７３〜７
５．８５〜８７に与えるとともに上層から入力される制
御条件を前記複数の系統制御用コントローラ６１〜６３
．７３〜７５．８’５〜８７に与え、前記複数の系統制
御用コントローラ６１〜６３．７３〜７５．８５〜８７
から出力された監視データを取り込んで表示するととも
に上層へ出力するマンマシンコントローラ６４，７６．
８８と、前記複数の系統制御用コントローラ６１〜６３
．７３〜７５．８５〜８７と前記マンマシンコントロー
ラ６４，７６．８８にそれぞれ接続された複数の系統制
御用伝送部６５〜６８．７７〜８０．８９〜９２と、前
記複数の系統制御用伝送部６５〜６８．７７〜８０．８
９〜９２を単一のループ状に接続する光ファイバなどの
下層伝送路６９．８１．９３と、前記マンマシンコント
ローラ６４，７６．８８に接続された注入装置用伝送部
１０２〜１０４とをそれぞれ有する一群のイオン注入装
置用制御装置５１〜５３と、 前記各イオン注入装置用制御装置５１〜５３の前記マン
マシンコントローラ６４．７６．８８に制御条件を与え
るとともに前記各イオン注入装置用制御装置５１〜５３
の前記マンマシンコントローラ６４，７６．８８から出
力された監視データを取り込んで表示する群管理用コン
トローラ９７と、この群管理用コントローラ９７に接続
された群管理用伝送部１０５とを有する群管理コンピュ
ータ５４と、 前記各イオン注入装置用制御装置５１〜５３の前記注入
装置用伝送部１０２〜１０４と前記群管理コンピュータ
５４の前記群管理用伝送部１０５とを単一のループ状に
接続する光ファイバなどの上層伝送路１０６とを備えて
いる。

マンマシンコントローラ６４．７６．８８は、ＣＰＵの
他に、キーボード？１，８３．９５゜ＣＲＴ？２．８４
．９６等を有しており、複数の系統制御用コントローラ
６１〜６３．７３〜７５゜８５〜８７に対する制御条件
を設定して複数の系統ａｍ用コントローラ６１〜６３．
７３〜７５゜８５〜８７に与え、複数の系統制御用コン
トローラ６１〜６３．７３〜７５．８５〜８７から出力
された監視データを取り込んで表示するようになってい
る。また、群管理用コントローラ９５から送られる制御
条件も複数の系統制御用コントローラ６１〜６３．７３
〜７５．８５〜８７へ送るようになっている。

系統制御用コントローラ（ビーム系統）６１は、第２図
におけるイオン源電源８．ガスボックス７゜引き出し電
源９１分析マグネット電源１０．加速電源１１．ステッ
ピングモータ１４等のビーム系統を制御する。

系統制御用コントローラ（用役系統）　６２は、第２図
におけるバルブ２３．真空ポンプ２４等の真空系やその
他の用役の制御を行う。

系統制御用コントローラ（エンドステーシラン系統）６
３は、第２図におけるエンドステーシランのウェハハン
ドリングの制御を行う。

また、群管理コンピュータ５４には、前記の構成の他に
、群管理用コントローラ９７に接続された伝送部９９を
有し、この伝送ｆａ９９が最上層伝送路ぎ６を介してホ
ストコンピュータにｆｆ１Ｍされている。

群管理用コントローラ９７は、ＣＰＵの他に、キーボー
ド１００．ＣＲＴＩＯｌ等を有し、ホストコンピュータ
から送られた制御条件およびオペレータがＣＲＴＩＯＩ
を見ながらキーボード１００で設定した制御条件を各イ
オン注入装置用制御装置５１〜５３のマンマシンコント
ローラ６４，７６゜８８に送ることができるようになっ
ている。

このイオン注入装置用制御システムは、ホストコンピュ
ータから送られる制御条件（イオン種。

エネルギ、ドーズ量、ビーム量、ウェハサイズ。

作動すべきイオン注入装置の番号）またはキーボード１
００から与えられる同様の制御条件を群管理用コントロ
ーラ９７が受は歳り、群管理用コントローラ９７が受は
取った制御条件を各イオン注入装置用制御装置５１〜５
３に送ることになる。

そして、各イオン注入装置用制御装置５１〜５３は受は
取った制御条件に基づいて各イオン注入装置を制御する
ことになる。

各イオン注入装置用制御装置５１〜５３は、監視データ
および完了報告等、ロフトの状態の報告を群管理コンピ
ュータ５４に送る０群管理コンピュータ５４はこれを受
は取り、ＣＲＴＩ　０１に表示するとともにホストコン
ピュータヘロットの状態の報告のみ送る。

以下、より詳しく説明する０群管理用コントローラ９７
は最上層伝送路５６．伝送部９９を通して送られる制御
条件またはオペレータがＣＲＴＩＯＩを見ながらキーボ
ード１００で設定した制御条件を群管理用伝送部１０５
．伝送路１０６．注入装置用伝送部１０２〜１０４を通
してマンマシンコントローラ６４，７６．８８に送り、
また、マンマシンコントローラ６４，７６．８８から上
記の経路を逆に送られた監視データ、ロフトの状態の報
告を受は取り、これをＣＲＴＩ　Ｏ１に表示するととも
に、ロフトの状態の報告のみ伝送部９９および最上層伝
送路５６を通してホストコンピュータに送る。

マンマシンコントローラ６４，７６．８８は、群管理１
コントローラ９７から送られる制御条件またはオペレー
タがＣＲＴ７２，８４．９６を見ながらキーボード７１
，８３．９５で設定した制御条件を各系統制御用コント
ローラ６１〜６３゜７３〜７５．８５〜８７へ送る。ま
た、各系統制御用コントローラ６１〜６３．７３〜７５
．８５〜８７から送られた監視データおよびロフトの状
態をＣＲＴ？２，８４．９６に表示するとともに、群管
理用コントローラ９７へ送る。

各系統制御用コントローラ６１〜６３．７３〜７５．８
５〜８７は、送られた制御条件に従って各系統の制御を
行い、監視データおよびロア’）の状態を系統制御用伝
送部６５〜６８．７７〜８０゜７９〜９２．伝送路６９
，８１．９３．マンマシンコントローラ６４，７６．８
８へ送る。

他のイオン注入装置用制御装置についても同じように動
作する。

このように、この実施例は、イオン注入装置用制御装置
５１〜５３内のマンマシンコントローラ６４．７６．８
８と複数の系統制御用コントローラ６１〜６３．７３〜
７５．７５〜７７とをループ状の下層伝送路６９．８１
．９３で接続し、かつ群管理用コントローラ９７と各マ
ンマシンコントローラ６４，７６．８８とをループ状の
上層伝送路１０６で接続したため、伝送方式がループ伝
送方式のみとなり、系統制御用伝送部６５〜６８゜７７
〜８０．８９〜９２．注入装置用伝送部１０２〜１０４
および群管理用伝送部１０５として同一構成のものを使
用でき、また伝送のプロトコルも１種類でよく、さらに
群管理コンピュータ５４の群管理用伝送部１０５が１個
でよい。

発明の効果 この発明のイオン注入装置用制御システムによれば、イ
オン注入装置用制御装置内のマンマシンコントローラと
複数の系統制御用コントローラとをループ状の下層伝送
路で接続し、かつ群管理用コントローラと各マンマシン
コントローラとをル・−ブ状の上層伝送路で接続したた
め、伝送方式がループ伝送方式のみとなり、系統制御用
伝送部。

注入装置用伝送部および群管理用伝送部として同一構成
のものを使用でき、また伝送のプロトコルも１種類でよ
く、さらに群管理コンピュータの群管理用伝送部が１個
でよい。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第２図
は従来の大電流型イオン注入装置およびその制御装置の
構成図、第３図は従来の中電流型イオン注入装置および
その制御装置の構成図、第４図はイオン注入装置用制御
装置の提案例の構成を示すブロック図である。 ６１〜６３．７３〜７５．８５〜８７・・・系統制御用
コントローラ、６４，７６．８８・・・マンマシンコン
トローラ、６５〜６８．７７〜８０．８９〜９２・・・
系統制御用伝送部、６９．８１．９３・・・下層伝送路
、１０２〜１０４・・・注入装置用伝送部、５１〜５３
・・・イオン注入装置用制御装置、９７・・二群管理用
コントローラ、１０５・・・群管理用伝送部、５４・・
・群管理コンピュータ、１０６・・・上層伝送路代　埋
　人　　斧埋士　ｇ升暎天　−ｋｉパ−・　、。 ＋ｔ 手続ネ市正で）　輸頒 昭和６１年０３月１０日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一群のイオン注入装置を制御するイオン注入装置用制御
   システムであって、 各イオン注入装置におけるイオン注入のための複数系統
   の制御を与えられた制御条件に基づいてそれぞれ局部的
   に分散して行うとともに複数系統の監視データをそれぞ
   れ取り込んで出力する複数の系統制御用コントローラと
   、前記複数の系統制御用コントローラに対する制御条件
   を設定して前記複数の系統制御用コントローラに与える
   とともに上層から入力される制御条件を前記複数の系統
   制御用コントローラに与え、前記複数の系統制御用コン
   トローラから出力された監視データを取り込んで表示す
   るとともに上層へ出力するマンマシンコントローラと、
   前記複数の系統制御用コントローラと前記マンマシンコ
   ントローラにそれぞれ接続された複数の系統制御用伝送
   部と、前記複数の系統制御用伝送部を単一のループ状に
   接続する下層伝送路と、前記マンマシンコントローラに
   接続された注入装置用伝送部とをそれぞれ有する一時の
   イオン注入装置用制御装置と、 前記各イオン注入装置用制御装置の前記マンマシンコン
   トローラに制御条件を与えるとともに前記各イオン注入
   装置用制御装置の前記マンマシンコントローラから出力
   された監視データを取り込んで表示する群管理用コント
   ローラと、この群管理用コントローラに接続された群管
   理用伝送部とを有する群管理コンピュータと、 前記各イオン注入装置用制御装置の前記注入装置用伝送
   部と前記群管理コンピュータの前記群管理用伝送部とを
   単一のループ状に接続する上層伝送路とを備えたイオン
   注入装置用制御システム。