JPS6212505B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6212505B2 JPS6212505B2 JP9662281A JP9662281A JPS6212505B2 JP S6212505 B2 JPS6212505 B2 JP S6212505B2 JP 9662281 A JP9662281 A JP 9662281A JP 9662281 A JP9662281 A JP 9662281A JP S6212505 B2 JPS6212505 B2 JP S6212505B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- photosensitive substrate
- composite
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/90—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by montage processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプリント基板製造技術におけるアート
ワークに関し、特にプリント基板の複合パターン
形成に用いるフオトマスクの製造方法に係わるも
のである。
ワークに関し、特にプリント基板の複合パターン
形成に用いるフオトマスクの製造方法に係わるも
のである。
近年、プリント基板は高密度化に伴つてパター
ンが複雑化しており、複合パターンが多用されて
いる。複合パターンの代表例としてシールドリン
グ付きパターンがあり、その具体例を図面の第１
図に示してある。このパターンは、２つのランド
パターン１ａ及びこれらを接続するリードパター
ン１ｂから成る第１パターン１と、この第１パタ
ーンを間隔を置いて取り囲む第２パターン２とか
ら構成されており、第１パターン１が信号端子に
接続され、第２パターン２がアース端子に接続さ
れる。尚、ランドパターン１ａは図示例の円形の
他、角形の場合もある。またリードパターン１ｂ
は図示例の直線状の他、曲線の場合もある。
ンが複雑化しており、複合パターンが多用されて
いる。複合パターンの代表例としてシールドリン
グ付きパターンがあり、その具体例を図面の第１
図に示してある。このパターンは、２つのランド
パターン１ａ及びこれらを接続するリードパター
ン１ｂから成る第１パターン１と、この第１パタ
ーンを間隔を置いて取り囲む第２パターン２とか
ら構成されており、第１パターン１が信号端子に
接続され、第２パターン２がアース端子に接続さ
れる。尚、ランドパターン１ａは図示例の円形の
他、角形の場合もある。またリードパターン１ｂ
は図示例の直線状の他、曲線の場合もある。
しかるに、近年のフオトマスク製造方法は一般
に自動作図機などを用いてパターンを描画するも
のであり、上記のような複合パターン形成用のフ
オトマスクの場合には第１パターン及び第２パタ
ーンに関する描画データを別個に作成する必要が
ある。しかし特に第２パターンに関する描画デー
タの作成は非常に複雑で多大な工数を要し、低生
産性及び高コストの問題がある。
に自動作図機などを用いてパターンを描画するも
のであり、上記のような複合パターン形成用のフ
オトマスクの場合には第１パターン及び第２パタ
ーンに関する描画データを別個に作成する必要が
ある。しかし特に第２パターンに関する描画デー
タの作成は非常に複雑で多大な工数を要し、低生
産性及び高コストの問題がある。
従つて本発明の目的は、前記のような複合パタ
ーン形成用フオトマスクの製造における上記のよ
うな問題を解消すること、すなわち具体的にはで
きるだけ作成の容易な少ない描画データによつて
複合パターンを作成可能であり、従つて高生産性
及び低コストを実現し得るフオトマスクの製造方
法を提供することにある。
ーン形成用フオトマスクの製造における上記のよ
うな問題を解消すること、すなわち具体的にはで
きるだけ作成の容易な少ない描画データによつて
複合パターンを作成可能であり、従つて高生産性
及び低コストを実現し得るフオトマスクの製造方
法を提供することにある。
以下、本発明について実施例に基づき図面を参
照して詳細に説明する。
照して詳細に説明する。
第２図は第１図に示す複合パターンの形成に用
いるフオトマスクを製造する場合の本発明の方法
の主要過程イ〜ニを示すものであり、以下これに
沿つて製造方法を詳述する。
いるフオトマスクを製造する場合の本発明の方法
の主要過程イ〜ニを示すものであり、以下これに
沿つて製造方法を詳述する。
(1) まず、第２図イに示す如く第１パターン１を
拡大したパターン１Ａを感光基材（図示せず）
上に可視像状態で形成する。これは、第１パタ
ーン１に関するデータ、すなわちランドパター
ン１ａのデータ及びリードパターン１ｂのデー
タに基づき自動作図機を用いて拡大第１パター
ン１Ａをネガ型感光基材に描画し、これを現像
処理することにより行う。尚、自動作図機は周
知なので説明を省略する。またパターンの拡大
は、自動作図機の簡単な機械的調整またはデー
タの簡単な変更によつて容易になし得る。
拡大したパターン１Ａを感光基材（図示せず）
上に可視像状態で形成する。これは、第１パタ
ーン１に関するデータ、すなわちランドパター
ン１ａのデータ及びリードパターン１ｂのデー
タに基づき自動作図機を用いて拡大第１パター
ン１Ａをネガ型感光基材に描画し、これを現像
処理することにより行う。尚、自動作図機は周
知なので説明を省略する。またパターンの拡大
は、自動作図機の簡単な機械的調整またはデー
タの簡単な変更によつて容易になし得る。
(2) 次に、前記の感光基材を用いてマスク基材
（図示せず）に第２図ロに示す如き拡大第１パ
ターン１Ａの陰画パターン、すなわち第２パタ
ーン２を潜像状態（点線２Ａで示す）で形成す
る。これは、感光基材をネガ型マスク基材に重
ね合わせてパターン焼付をする方法で行う。そ
してマスク基材は現像処理をしない状態で保持
する。尚、この工程において感光基材とマスク
基材とを両者の感光面が同じ向きとなる状態で
重ね合わせると、両感光面はいずれかの基材の
膜厚分だけ隔てて対置することになり、光の回
折によりマスク基材に焼付されるパターンの精
度が阻害される恐れがある。従つて実用上は次
のような２段工程とすることが有利である。
（図示せず）に第２図ロに示す如き拡大第１パ
ターン１Ａの陰画パターン、すなわち第２パタ
ーン２を潜像状態（点線２Ａで示す）で形成す
る。これは、感光基材をネガ型マスク基材に重
ね合わせてパターン焼付をする方法で行う。そ
してマスク基材は現像処理をしない状態で保持
する。尚、この工程において感光基材とマスク
基材とを両者の感光面が同じ向きとなる状態で
重ね合わせると、両感光面はいずれかの基材の
膜厚分だけ隔てて対置することになり、光の回
折によりマスク基材に焼付されるパターンの精
度が阻害される恐れがある。従つて実用上は次
のような２段工程とすることが有利である。
(i) まず、拡大第１パターン１Ａが形成されて
いる前記感光基材に第２のポジ型感光基材を
両基材の感光面が互いに対面密着するように
重ね合わせてパターン焼付を行い、第２感光
基材を現像処理する。これにより第２感光基
材には拡大第１パターン１Ａを表裏反転させ
た状態の反転陽画パターン（可視像）が形成
される。
いる前記感光基材に第２のポジ型感光基材を
両基材の感光面が互いに対面密着するように
重ね合わせてパターン焼付を行い、第２感光
基材を現像処理する。これにより第２感光基
材には拡大第１パターン１Ａを表裏反転させ
た状態の反転陽画パターン（可視像）が形成
される。
(ii) 次にこの第２感光基材を前記のマスク基材
に同じく両基材の感光面が互いに対面密着す
るように重ね合わせてパターン焼付を行う。
これによりマスク基材には前記反転陽画パタ
ーンをもう一度表裏反転させたパターンの陰
画パターン、つまり第２パターン２が潜像２
Ａとして形成されることになる。
に同じく両基材の感光面が互いに対面密着す
るように重ね合わせてパターン焼付を行う。
これによりマスク基材には前記反転陽画パタ
ーンをもう一度表裏反転させたパターンの陰
画パターン、つまり第２パターン２が潜像２
Ａとして形成されることになる。
このような２段工程とすれば、第２感光基材
及びマスク基材へのパターン焼付が密着状態で
行われるので、前述したようなパターン精度の
阻害を防止できる。
及びマスク基材へのパターン焼付が密着状態で
行われるので、前述したようなパターン精度の
阻害を防止できる。
(3) 更に第２図ハに示す如く前記マスク基材の第
２パターン潜像２Ａ内に第１パターン１の潜像
１Ｂを形成する。これは、前記(1)で説明した拡
大第１パターン１Ａの描画の場合と同様に、第
１パターン１に関するデータに基づき自動作図
機を用いて描画することにより行う。但し、こ
の場合は自動作図機またはデータを拡大第１パ
ターン描画の場合とは異なる状態に調整する必
要がある。
２パターン潜像２Ａ内に第１パターン１の潜像
１Ｂを形成する。これは、前記(1)で説明した拡
大第１パターン１Ａの描画の場合と同様に、第
１パターン１に関するデータに基づき自動作図
機を用いて描画することにより行う。但し、こ
の場合は自動作図機またはデータを拡大第１パ
ターン描画の場合とは異なる状態に調整する必
要がある。
(4) しかる後、マスク基材を現像処理してパター
ン潜像１Ｂ及び２Ａを可視像化すれば、第１パ
ターン１及び第２パターン２が形成されたフオ
トマスクが完成する。
ン潜像１Ｂ及び２Ａを可視像化すれば、第１パ
ターン１及び第２パターン２が形成されたフオ
トマスクが完成する。
以上のように本発明の方法によれば、作成の容
易な基本的な第１パターン１のデータのみに基づ
いて第１パターンと第２パターン２との複合パタ
ーンを形成することができ、従つて作成の容易で
ない第２パターンのデータ作成が不要となるので
高生産性及び低コストを実現することが可能であ
る。
易な基本的な第１パターン１のデータのみに基づ
いて第１パターンと第２パターン２との複合パタ
ーンを形成することができ、従つて作成の容易で
ない第２パターンのデータ作成が不要となるので
高生産性及び低コストを実現することが可能であ
る。
このように本発明はすぐれたフオトマスク製造
方法を提供するものであり、プリント基板製造技
術におけるアートワークの発展に多いに寄与する
ものである。
方法を提供するものであり、プリント基板製造技
術におけるアートワークの発展に多いに寄与する
ものである。
第１図は複合パターンの一例であるシールドリ
ング付きパターンの具体例を示す図、第２図は第
１図の複合パターンの形成に用いるフオトマスク
を製造する場合の本発明の方法の主要過程イ〜ニ
を示す図である。 １……第１パターン、１ａ……ランドパター
ン、１ｂ……リードパターン、２……第２パター
ン、１Ａ……拡大第１パターン（可視像）、１Ｂ
……第１パターンの潜像、２Ａ……拡大第１パタ
ーンの陰画パターン（第２パターン）の潜像。
ング付きパターンの具体例を示す図、第２図は第
１図の複合パターンの形成に用いるフオトマスク
を製造する場合の本発明の方法の主要過程イ〜ニ
を示す図である。 １……第１パターン、１ａ……ランドパター
ン、１ｂ……リードパターン、２……第２パター
ン、１Ａ……拡大第１パターン（可視像）、１Ｂ
……第１パターンの潜像、２Ａ……拡大第１パタ
ーンの陰画パターン（第２パターン）の潜像。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１パターンと該第１パターンを間隔を置い
て取り囲む第２パターンとから成る複合パターン
をプリント基板に形成するのに用いるフオトマス
クを製造する方法において、 (1) まず第１パターンを拡大したパターンを感光
基材に可視像状態で形成し、 (2) 次に前記感光基材を用いてマスク基材に前記
拡大第１パターンの陰画パターン、すなわち第
２パターンを潜像状態で形成し、 (3) 更に前記マスク基材の前記第２パターン潜像
内に第１パターンを潜像状態で形成し、 (4) しかる後にマスク基材を現像処理して第１パ
ターン及び第２パターンを可視像化することに
よりフオトマスクを完成する、 ことを特徴とするフオトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9662281A JPS57212444A (en) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | Production of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9662281A JPS57212444A (en) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | Production of photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57212444A JPS57212444A (en) | 1982-12-27 |
| JPS6212505B2 true JPS6212505B2 (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=14169936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9662281A Granted JPS57212444A (en) | 1981-06-24 | 1981-06-24 | Production of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57212444A (ja) |
-
1981
- 1981-06-24 JP JP9662281A patent/JPS57212444A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57212444A (en) | 1982-12-27 |
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