JPS62123740A - 半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は独立して動作できる複数の機能素子を備える
半導体素子に関するものである。

〔従来の技術〕

第５図は半導体の素子が見えるようにした半導体の透視
図である０図において、（１）は半導体素子、（２）は
素子（１）をモールドするモールド材、（３１）〜（３
１２）は外部との接続に使われるピンである。素子（１
）とピン（３１）〜（３１２）は、ワイヤ（４り〜（４
１２）で接続されている。（８）は素子（１）に入って
いる機能素子である。

第６図は素子（１）の製造手段を説明する斜視図であり
、ウェハー（５）上に素子（１）を多数個作り、切断線
（６１）〜（６９）及び切断線（７１）〜（７＋＋）に
沿ってそれぞれ切断し、素子（１）を１個ずつに分割す
る。このようにして独立した素子（１）を用いることに
より第５図に示す半導体が組立てられる。

ウェハー（５）上に複数個の素子（１）をつくる理由は
、ウェハー（５）上に作られた素子（１）の全てが良品
とは限らず欠陥があるものが出来ることがあるという考
え方に基づいているからである。したがって複数個作っ
たうちの良品である素子（１）を選定することにより、
半導体が構成される。素子の不良はゴミ、傷等を原因と
して発生し、この不良はプロセス上管理しても避は難い
ものなので、上記のような手段で半導体が製造されてい
る。従って、従来は上記のようにして半導体の良品率を
上げていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の半導体素子は上記のように構成されており、ウェ
ハー（５）上の複数個の素子の全てが良品とは限らない
という考え方の下で、選定される素子（１）は完全に良
品でなければならず、又ウェハー（５）上の複数個の素
子から前述のような完全に良品の素子（１）のみを選定
するためには素子（１）は比較的小さな面積に限定され
ることとなる。なぜなら素子（１）を大きな面積とすれ
ば、素子（１）の極〈一部にのみ傷等がある場合でも、
素子全体が不良品となって、良品率が低下するためであ
る。

また、複数のワイヤー（４１）〜（４ｎ）　（第５図で
はｎ　＝　１２の場合を示している）で接続する関係か
ら素子（１）の接続点の大きさは小さくならず、機能素
子自体の面積と比較して接続点の占める面積が大きくな
り、したがって、素子（１）に比べて半導体全体として
の面積が大きくなって、実装密度が低下するという問題
点があった。さらに、素子（１）の規模が小さいため配
線本数が多くなる等の問題点もあった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、素子を大きくして半導体の実装密度を上げる
とともに、半導体と外部との接続配線を少なくすること
を可能とする半導体素子を提供することを目的としてい
る。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る半導体素子は、独立して動作が可能な機
能素子を複数備え、相互接続配線により、上記複数の機
能素子を予め相互に接続し、ボンディングワイヤ接続部
により上記各機能素子を動作させる配線接続を行なうも
のであって、複数の機能素子中に不良の機能素子が含ま
れているときは、該不良機能素子への動作用配線として
のボンディングワイヤ接続部を切断等の手段により遮断
可能に配備して該不良機能素子のみを切り離すことによ
り、他の機能素子を独立して正常に動作できるようにし
たものである。

また、この第２の発明に係る半導体素子は、独立して動
作が可能な機能素子を複数備え、相互接続配線により上
記複数の機能素子を予め相互に接続し、各機能素子に選
択信号を出力する選択信号出力用の機能素子を備え、ボ
ンディングワイヤ接続部により、前記選択信号を伝送し
て上記複数の各機能素子を動作させる配線接続を行なう
ものであって、複数の機能素子中に不良の機能素子が含
まれているときは、該不良機能素子への選択信号用配線
としてのボンディングワイヤ接続部の配線を行なわない
手段により遮断可能に配備して該不良機能素子のみを切
り離すことにより他の機能素子を独立して正常に動作で
きるようにしたものである。

〔作用〕

この発明においては、半導体素子を独立して動作可能な
複数の機能素子により構成されるブロック構造とし、こ
の機能素子間を予め相互接続するとともに、各機能素子
を動作させる配線に切断可能なボンディングワイヤ接続
部を配備したから、機能素子中に不良の機能素子が含ま
れているときは、切断又は接続解除をすることができて
、不良の機能素子を切り離して排除することができる。

また、この第２の発明においては、機能素子を選択する
ための選択信号を各機能素子に出力する機能素子を別途
設け、上記選択信号を伝送する配線にボンディングワイ
ヤ接続部を配備したから、機能素子中に不良の機能素子
が含まれているときは、該不良機能素子へのボンディン
グワイヤ接続部の配線のみを行なわないことにより遮断
することが可能となり、不慮の機能素子を切り敲して排
除することができる。

〔実施例〕

従来は、半導体に使用する素子は完全な良品でなければ
ならないが、ウェハー上の複数個の素子の全てが良品で
あるとは限らないため、このウェハー上の複数個の素子
から完全に良品の素子のみを選定し、この選定された素
子を用いて半導体を製作するという考え方をとっていた
。これに対して、この発明は、発想を変え、素子には欠
陥があるものだという考え方に基づき、素子中を複数の
機能素子により構成されるブロック構造とし、素子が不
良の機能素子を一部に含んでいても、前記ブロック中の
不良の機能素子のみの配線を遮断することにより、素子
を外から見て完全な良品として半導体としての機能を充
分に発揮することができるようにしたものである。

以下、この第１の発明の一実施例を図を参照しながら説
明する。第１図はこの第１の発明の一実施例を示す、半
導体素子が見えるようにした半導体の透視図であり、第
５図相当図である。この図では該素子に機能素子が入っ
た場合を例にとった半導体を示している。第２図は該半
導体素子の製造手段を示す斜視図であって、第６図相当
図である。

（１）は半導体を構成する半導体素子、（２）は素子（
１）をモールドするモールド材であり、このモールド材
（２）についてはセラミック基板であっても良いし、そ
の他の材質であっても良い。（３１）〜（３１６）はビ
ンで、外部、例えばプリント基板等との接続に使われる
。素子（１）とピン（３１）〜（ｈ６）はワイヤ（４１
）χ（４１６）で接続されている。また、素子（１）に
は（８１）〜（８４）の機能素子が入っておりそれぞれ
配線されている。この複数の機能素子（８１）〜（８４
）は独立して動作可能な素子である。

上記のような構成の半導体を製造するには、機能素子に
は不良があるという前提にたち、第２図に示すように、
ウェハー（５）上に予め配線された複数個の機能素子を
含む素子（１）を複数個作るが、この実施例では１つの
素子（１）は４個の機能素子（８１）〜（８４）を含む
場合を示している。しかして、この複数の機能素子（８
］）〜（８４）は予め相互接続配線により相互接続され
ているとともに、各機能素子（８１）〜（８４）を動作
させるための入出力配線が各機能素子（８１）〜（８４
）にそれぞれ設けられ、この各入出力配線の一部には、
ボンディングワイヤ接続部が配備されている。また、各
機能素子のうち一部の不良機能素子の入出力配線を遮断
しても、他の機能素子は不良機能素子から電気的に隔殖
されて、個別に独立して動作できるようになっている。

次に、切断線（６１）〜（６５）、及びち該切断線（６
１）〜（６５）に直角方向の切断線（７１）〜（７６）
に沿って切断し、素子（１）を１個づつに分割する。こ
のようにして独立した素子（１）を用いて、第１図に示
すような半導体を組立てる。この組立て後、例えば素子
（１）上の４個の機能素子（８Ｉ）〜（８４）のうち１
個の機能素子（８４）が不良である場合は、入力線（９
１）及び出力ｖｊ（９２）の双方を切断して遮断するこ
とにより、該不良機能素子（８４）を切り離して残りの
３個の機能素子（８１）〜（８３）を独立して動作させ
て使うようにすれば、機能素子は１個であっても不都合
はないことになる。このように入出力配線の切断が可能
であるような配置にしておくことにより、不良の機能素
子を排除することが容易にできる。また、例えばワイヤ
ー（４５）〜（４８）の接続をしないことにより、不良
の機能素子（８４）を遮断して切り離すことができるよ
うな配置としてもよい。

従来の素子（１）が１個の機能素子（８）で構成されて
いる場合と比べて、この実施例のように１個の不良の機
能素子（８４）を切り離し、良品の３個の機能素子（８
１）〜（８３）を素子（１）に組み込んだ場合は、半導
体の外部に接続するための接続点は、既に４個の機能素
子間で配線しであるので、増加は殆どない。このように
構成することにより、素子（１）そのもの自体もそれ程
太きくならないので。

見掛上の実装密度は向上する。と記不良機能素子の排除
は、機能素子間の動作用の配線を切断して遮断すること
によりできるので、あらかじめ切断を配置する設計をし
ておけば良い。ところで、不良機能素子のチェックは、
ウェハー（５）の段階で行ないマークしても良いし、素
子（１）とビン（３１）〜（３１６）とをワイヤ（４１
）〜（４１６）で接続する時点でチェックしても良い。

次に第２の発明について説明する。第３図はこの第２の
発明の一実施例を示す半導体の透視図であり、第５図相
当図である。第４図は該半導体素子の製造手段を示す斜
視図であり、第６図相当図である。この第４図では選択
信号出力用の機能素子（８５）は省略して表している０
図において素子（１）上の機能素子（８Ｉ）〜（８４）
はこの実施例では記憶素子であり、（８５）はこの複数
の機能素子（８Ｉ）〜（８４）を選択するための選択信
号を各機能素子に出力する機能素子である。この選択用
機能素子（８５）と記憶素子である機能素子（８１）〜
（８４）の間にはそれぞれ配線がされており、この各配
線の一部にボンディングワイヤ接続部（４＋ｓ）〜（４
＋ａ）を配備して、当該接続部（４１５）〜（４＋ａ）
の配線はポンディングで行なう　（例えば素子接続点と
ビンをワイヤで接続する作業をいう）ことにしている、
即ち、ボンディングワイヤ接続部（４＋ｓ）〜（４＋ａ
）は遮断可能に配備されていることになる。

今、例えば機能素子（８４）が不良とした時は、機能素
子（８５）からの選択信号を（８４）に伝送しないよう
にするためにボンディングワイヤ接続部（４１ｓ）〜（
４＋ａ）のうち、第３図中の破線で示すように。

（４１７）部分のみはワイヤを結線をしないようにして
正常な機能素子（８１）〜（８３）を使う目的でボンデ
ィングワイヤ接続部（４＋　５）（４１６）（４１８）
のワイヤを結線する。また、半導体とするためにワイヤ
（４Ｉ）〜（４＋４）までの結線をするのは勿論である
。したがって、機能素子（８り〜（８４）のどれかに不
良があっても、当該不良の機能素子への配線を行なわな
い部分を作り、不良の機能素子を排除することにより、
残りの正常な機能素子を動作させることのできる半導体
が完成する。このように構成することにより、上記第１
の発明と同様な所期の目的を達成し得る。なお、不良機
能素子の排除は、該不良機能素子への配線を行なわない
ようにすることで達成できるので、予め各機能素子への
配線が選択できるように設計しておけばよい。

また、不良機能素子の排除については、選択信号で行な
うように説明したが、その他の配線、例えば電源線への
接続を行なってもこの第２の発明を実施できることは明
白である。

なお、上記各実施例ではｊａ詣素子４個（８１）〜（８
４）のうち３個（８１）〜（８３）を使うことで説明し
たが機能素子の数は何個でも良く、該機能素子の不良率
により使用する個数を決めれば良い、また不良機能素子
の数も１個の場合について説明したが１個に限られるも
のではない。

ところで、複数の機能素子間の配線を切断して遮断する
手段としては、レーザカット等の微細加工ができるもの
であっても良く、この場合は、従来の配線を用いても、
レーザカットを見込んだ間隔、幅を考慮しておけばよい
。

〔発明の効果〕

この第１及び第２の発明は、半導体の素子に複数の機能
素子を組込み、不良の機能素子のみを切り離して排除で
きるようにしたから、半導体の外部に対する接続点の減
少が実現できるとともに、実際の実装密度を向上させる
ことができる。また不良機能素子があることを容認して
いるので、実際の歩留りが向上するという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの第１の発明の一実施例による半導体を示す
透視図、第２図はこの第１の発明による素子（１）の製
造手段を説明する斜視図、第３図は第２の発明の一実施
例による半導体を示す透視図、第４図はこの第２の発明
による素子（１）の製造手段を説明する斜視図、第５図
は従来の半導体を示す透視図、第６図は従来の素子（１
）の製造手段を説明する斜視図である。 （１）・・・半導体素子、 （８１）〜（８４）・・・機能素子、 （８５）・・・選択信号を出力する機能素子。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代　　理　　人　　　大　　岩　　増　　雄第１図 第５図 第６図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）独立して動作可能な複数の機能素子と、この複数
   の機能素子を予め相互接続する相互接続配線と、上記各
   機能素子を動作させる配線としてボンディングワイヤ接
   続部とを備えてなり、上記複数の機能素子中の不良機能
   素子への動作用配線としてのボンディングワイヤ接続部
   を遮断可能に配備したことを特徴とする半導体素子。
2. （２）独立して動作可能な複数の機能素子と、この複数
   の機能素子を予め相互接続する相互接続配線と、上記機
   能素子を選択するための選択信号を各機能素子に出力す
   る機能素子と、前記選択信号を伝送して上記複数の各機
   能素子を動作させる配線としてボンディングワイヤ接続
   部とを備えてなり、上記複数の機能素子中の不良素子へ
   の選択信号用配線としてのボンディングワイヤ接続部を
   遮断可能に配備したことを特徴とする半導体素子。