JPS62123344A - 熱分析装置 - Google Patents

熱分析装置

Info

Publication number
JPS62123344A
JPS62123344A JP26141585A JP26141585A JPS62123344A JP S62123344 A JPS62123344 A JP S62123344A JP 26141585 A JP26141585 A JP 26141585A JP 26141585 A JP26141585 A JP 26141585A JP S62123344 A JPS62123344 A JP S62123344A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heating
sample
laser
temperature
infrared image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26141585A
Other languages
English (en)
Inventor
Ikuo Kurachi
育夫 倉地
Hiroji Watabe
渡部 洋児
Yoichi Takasaki
洋一 高崎
Akiichi Maezono
前園 明一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHINKU RIKO KK
Bridgestone Corp
Original Assignee
SHINKU RIKO KK
Bridgestone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHINKU RIKO KK, Bridgestone Corp filed Critical SHINKU RIKO KK
Priority to JP26141585A priority Critical patent/JPS62123344A/ja
Publication of JPS62123344A publication Critical patent/JPS62123344A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野1 本発明は、加熱による試料の各種の変化を測定する熱分
析装置に、より詳しくは新しい加熱手段により高温度ま
で容易に加熱可能な熱分析装置に関するものである。
[従来の技術] 材料研究の手段として、各種の熱分析が現在用いられて
いる。例えば、加熱による試料の重量変化を測定する熱
重は分析、試料と熱的に中性な物質とを同時に加熱し、
両者の温度差を測定し、発熱反応や吸熱反応を検出する
示差熱分析、試料の熱伝導の変化を電気抵抗値の変化と
して測定する熱伝導分析等がある。また、加熱−冷却に
よる液体一固体の相変化を利用した帯域溶融法なども熱
分析に含めることができる。
近年、高温耐熱材料としてセラミックスの研究が活発に
行なわれるようになり、高温での熱分析が多く行なわれ
ている。
これらの熱分析の加熱手段として (1)赤外線イメージ炉による方法; (2)ニクロム線、炭化ケイ素発熱体等の電気抵抗を利
用した発熱体による方法; (3)高周波誘導炉による方法 等が用いられている。
[発明が解決しようとする問題点1 ところで、上述の熱分析の加熱手段の中で、ニクロム線
、炭化ケイ素発熱体等の電気抵抗を利用した発熱体によ
る(2)の方法は、発熱体の耐熱性が比較的低いことか
ら、上限は1600℃程度までてである。また(1)と
(3)の方法は、加熱部分の材料を選択すれば、200
[)℃までの?:f1温度を得ることが可能であるが、
一般に、加熱部分が入口vJ化もしくは複雑になり、経
済的に好ましくない。ぞのため通常、上限をI G O
O’C程度にした装置が設61されている。また赤外線
イメージ炉は被加熱部分である試料系の材料が限定され
、1600℃以上の高温用にはあまり用られてない。
さらに、レーザー光も既に産業の多くの分野において利
用されているが、被加熱部分を広く均一に1!7ること
が難しく、加熱方法が簡便にできる利点を有しながらも
、従来熱分析装置には応用できなかった。
本発明の目的は、赤外線イメージ炉の急速胃温可能な利
点どレーザ加熱による部分加熱の利点とを利用して22
00 ’Cまでの高温熱分析が可能な熱分析装置を提供
することにある。
U問題点を解決するだめのf段] 上記の目的を達成ηるために、本発明による熱分析装置
は、試Flを加熱する手段を、レーザー光から成る広帯
域加熱手段と赤外線イメージ炉とを組み合わせて構成し
たことを特徴としている。
本発明で用いられるレーザー光は、高エネルギーの(q
られるアルゴンレーIJ’−1炭酸ガスレーザー、ルビ
ーレーザー、ガラスレーザー、YAGレーザーのどれで
もよいが、熱分析装置の構造および材質からWAGレー
ザーあるいは炭酸ガスレー畳ア一が好ましい。試料容器
および/1:たは被加熱体部の材質は、熱分析装置で要
求される最高到達温度まで化学的変化をしないものであ
れば何でしよいが、経済的見地から、非酸化性雰囲気で
は炭素材料、酸化性雰囲気では炭化ケイ素が好ましい。
また被加熱体を間接加熱する場合に用いる熱の伝導体の
材質も被加熱体の材質に準する。ただし、炭化ケイ素を
用いた場合には、最高温度は2000℃までに限定され
る。
また赤外線イメージ炉に関しては、従来から用いられて
いるタングステンランプ、キセノンランプ、ハロゲンラ
ンプ等の光源から出る赤外線を集光し加熱する炉であれ
ば何でもよい。
[作     用] このように構成した本発明による熱分析Vi置において
は、レーザー光による熱源を広帯域化するのには、■レ
ーザー光により試料容器を均一加熱する方法や■レーデ
ー光を被加熱帯部に集光し被加熱帯部からの輻射熱およ
び/またはその反射による輻射熱等を利用する方法が用
いられ得、例えば、熱重M分析の場合には試料容器が一
つであるので、試料容器の形状を工夫したり、レーザー
光の照射方法を工夫すれば■の方法でも可能である。
また試料部分が大きいかあるいは二つ以上の試料系を加
熱りる必要がある場合、例えば示差熱分析等の場合には
■の方法が右利である。これらの方法でもレー+f−尤
の出力が十分であれば、レーザー光だけで2000℃以
上の7?潟も可能であるが、赤外線イメージ炉を組み合
わせで用いることにより温度制御等を容易に行なうこと
ができる。
従って、本発明によれば、従来加熱81N域を広くとる
ことが不可能であったレーザー加熱装置を広帯域の加熱
装置にすることができ、まIζ赤外線イメージ炉では従
来赤外線の透過の必要性と経溜性との2■:1から、透
明なS、O,、系の材料が使用されていたが、これらの
材料を変更することなく、試料系の一部を改良するだけ
で、2200℃以上の高温まで測定可能となる。またレ
ーザー出力および温度制御等の改良をすることにより、
レーザー単体にて2200℃以上の測定も可能であり、
本発明の構成においては、特に温度の上限および併用す
る他の加熱源としての赤外線イメージ炉との組み合わせ
は制限されない。
[実  施  例1 以下、添附図面を参照して本発明の実施例について説明
する。
第1図には熱重量分析に応用した本発明の一実施例を示
し、1はレーザー発振器であり、発振波長1.064μ
m 、発振出力300WをもツNd、 YAGレーザー
から成り1qる。2は試料系r、レーザー発振器1から
のシー1f−光の軸線に沿って配列された石英管3と、
石英管3内に同心的に挿置されレーザー発振器1からの
レーザー光を通ず穴を備えた保温キャップ4と、保温キ
ャップ4の内側に配置された試料ヒル5と、試料セル5
上に設りられた熱拡散用キャップ6と、試料セル5の下
側に連結された熱電対7とを有している。試料系2はア
ルゴン雰囲気下で熱分析を行なうようにされ、保温キャ
ップ4、試FIt!ル5および熱拡散用キレツブ6は高
純度炭素で構成されるが、保温キャップ4については炭
化ケイ素で構成してもよく、また保温4ヤツプ4は内面
処理を施ずのが好ましい。試料系2の石英管3の周囲に
は赤外線イメージ炉8が放射状に配置されている。赤外
線イメージ炉8はタングステンランプを光源とした管状
放射型空冷式のものである。
このように構成した図示装置による最高到達温度は22
00℃以上で、熱重M分析可能な温度領域は、室温から
2200℃までであり、2200℃まで熱重量分析を5
回繰り返えし行なったところ、装置の外観に異常は認め
られなかった。
第2図には示差熱分析に応用した本発明の別の実施例を
示し、試料系9の構造を除いて第1図のものと同様であ
り、対応部分は第1図と同じ符号で示ず。試料系9は熱
拡散用柱状体10のまわりに複数個の試料セル11が配
置されており、各試料はル11の下側にはそれぞれ熱電
対12が連結されている。この場合も熱拡散用柱状体1
0および試料はル11は第1図の場合と同様な材料で構
成され1qる。
このように構成した図示装置の最高到達温度は2200
℃であり、示差熱分析可能な温度領域は室温から200
0℃である。2000℃までの示差熱分析を5回繰り返
して行なったところ、装置の外観に異常は認められなか
った。
比較のため、第1図および第2図と同様な赤外線イメー
ジ炉を用いて、2000℃まで熱重量分析を行なったと
ころ、測定途中1900℃において装置に異常が起り、
測定不能となった。また装置においても、外管に用いた
石英管の失透および変形、タングステンランプの変形、
損傷、並びに内管支持管に用いた石英管の失透および変
形といった外観上の異常が認められた。
なお、図示実施例においては、レーザー光を上部から照
射するように構成されているが、必要により横方向など
適当な方向から照射するようにすることもできる。
[発明の効果] 以上説明してきたように、本発明にJ、れば、加熱によ
る試料の重量変化、温度変化、反応熱変化、電気抵抗変
化、相変化等を測定する熱分析装置において、試料を加
熱する手段を、レーザー光から成る広帯域加熱手段と赤
外線イメージ炉とを組み合わせて構成しているので、レ
ーザーによる部分加熱の利点を生かして試料形のみを2
000℃以上尿で昇温させることが可能となり、従って
赤外線イメージ炉による加熱を少なくすることができ、
装置の10傷を防止することができるだけでなく、最高
到達温1良も高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は熱重量分析に応用した本発明の一実施例を示す
概略線図、第2図は示差熱分析に応用した本発明の別の
実施例を示す概略線図である。 図中、1:レーザー発振器、2.9:試料系、8:赤外
線イメージ炉。 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 加熱による試料の重量変化、温度変化、反応熱変化、電
    気抵抗変化、相変化等を測定する熱分析装置において、
    試料を加熱する手段を、レーザー光から成る広帯域加熱
    手段と赤外線イメージ炉とを組み合わせて構成したこと
    を特徴とする熱分析装置。
JP26141585A 1985-11-22 1985-11-22 熱分析装置 Pending JPS62123344A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26141585A JPS62123344A (ja) 1985-11-22 1985-11-22 熱分析装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26141585A JPS62123344A (ja) 1985-11-22 1985-11-22 熱分析装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62123344A true JPS62123344A (ja) 1987-06-04

Family

ID=17361552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26141585A Pending JPS62123344A (ja) 1985-11-22 1985-11-22 熱分析装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62123344A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100527971B1 (ko) * 2002-10-10 2005-11-09 현대자동차주식회사 엔진 오일 내 미연소 탄소 함량 측정방법
WO2018096441A1 (en) * 2016-11-22 2018-05-31 Ta Instruments-Waters L.L.C. Direct thermal injection thermal analysis

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100527971B1 (ko) * 2002-10-10 2005-11-09 현대자동차주식회사 엔진 오일 내 미연소 탄소 함량 측정방법
WO2018096441A1 (en) * 2016-11-22 2018-05-31 Ta Instruments-Waters L.L.C. Direct thermal injection thermal analysis
US10823650B2 (en) 2016-11-22 2020-11-03 Ta Instruments —Waters Llc Direct thermal injection thermal analysis

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102217048B (zh) 用于扩大温度高温测定的方法与设备
JPH03116828A (ja) 半導体ウエハの熱処理装置
US4787551A (en) Method of welding thermocouples to silicon wafers for temperature monitoring in rapid thermal processing
JPS62123344A (ja) 熱分析装置
JPS6037116A (ja) 光照射炉
JP2002521817A (ja) 赤外線透過性熱リアクタカバー部材
JPS63196033A (ja) 気相成長装置
US3594531A (en) Internally viewable microwave induction heater
JP2005243667A (ja) 熱処理装置
JPS60137027A (ja) 光照射加熱方法
JPS6294925A (ja) 熱処理装置
JP2530158B2 (ja) 透明基板の選択的加熱方法
JPH0992624A (ja) 熱処理炉
KR19980016834A (ko) 급속 열처리 장치
JPH0336919Y2 (ja)
JPS5694750A (en) Heating treatment device
JPS61141123A (ja) 半導体製造装置
JP2939279B2 (ja) 面状加熱装置
JPH0712923Y2 (ja) Gc−ir用ガス導入路
JPH05291169A (ja) 光照射半導体製造装置および半導体加熱方法
JPH10326754A (ja) 加熱装置
JPS57202740A (en) Manufacture of semiconductor device
Cohen et al. New reliable structure for high temperature measurement of silicon wafers using a specially attached thermocouple
DE3047849C2 (de) Heizelement für einen Hochtemperaturofen
DE3561912D1 (en) A thermal limiting device