JPH0336919Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0336919Y2 JPH0336919Y2 JP1984118698U JP11869884U JPH0336919Y2 JP H0336919 Y2 JPH0336919 Y2 JP H0336919Y2 JP 1984118698 U JP1984118698 U JP 1984118698U JP 11869884 U JP11869884 U JP 11869884U JP H0336919 Y2 JPH0336919 Y2 JP H0336919Y2
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- light energy
- energy absorber
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、赤外線ランプやハロゲンランプなど
のランプから発する光エネルギを用いて試料と基
準物質とを加熱し、両者の温度差を測定する示差
熱分析装置に関する。
のランプから発する光エネルギを用いて試料と基
準物質とを加熱し、両者の温度差を測定する示差
熱分析装置に関する。
（従来の技術）
示差熱分析装置の種々の加熱方式のうちランプ
からの光エネルギを用いる方式では、光源、例え
ば赤外線ランプ、から発する光を反射鏡などによ
り光エネルギ吸収体に集光して吸収させ、その光
エネルギ吸収体を発熱させることによりその内部
に収納されている試料と基準物質とを加熱させる
ように構成されている。
からの光エネルギを用いる方式では、光源、例え
ば赤外線ランプ、から発する光を反射鏡などによ
り光エネルギ吸収体に集光して吸収させ、その光
エネルギ吸収体を発熱させることによりその内部
に収納されている試料と基準物質とを加熱させる
ように構成されている。
（考案が解決しようとする問題点）
示差熱分析装置では室温から1000℃あるいは2000
℃というような広い温度範囲に渡つて５〜20℃／
分程度の一定速度で昇温させる必要がある。しか
し、ランプを応用した加熱炉をもつ示差熱分析装
置においては、室温〜150℃付近の低温領域では、
精密に温度制御することは困難であつた。
℃というような広い温度範囲に渡つて５〜20℃／
分程度の一定速度で昇温させる必要がある。しか
し、ランプを応用した加熱炉をもつ示差熱分析装
置においては、室温〜150℃付近の低温領域では、
精密に温度制御することは困難であつた。
これは次のような理由によるものである。ラン
プが点灯し十分な光エネルギが放射されると、そ
の光エネルギを光エネルギ吸収体が吸収して発熱
する。一般に、光エネルギ吸収体の熱容量は小さ
いので、ランプが点灯すると同時に光エネルギ吸
収体の温度が急上昇しプログラム温度より行きす
ぎてしまう。プログラム温度より行きすぎがある
とランプ電流を減少させるように制御されるが、
今度はランプ電流が殆んど零となつてしまう。ラ
ンプがぼんやり点灯して弱い光を安定に放射しつ
づけることができる温度領域は約200℃以上であ
るので、それ以下の温度領域ではランプはオン・
オフ又はそれに近い状態で制御されることにな
る。その結果、光エネルギ吸収体とその内部に収
納されている試料と基準物質はランプの光量制御
の影響を直接受け、温度が大きく変動してしまう
からである。
プが点灯し十分な光エネルギが放射されると、そ
の光エネルギを光エネルギ吸収体が吸収して発熱
する。一般に、光エネルギ吸収体の熱容量は小さ
いので、ランプが点灯すると同時に光エネルギ吸
収体の温度が急上昇しプログラム温度より行きす
ぎてしまう。プログラム温度より行きすぎがある
とランプ電流を減少させるように制御されるが、
今度はランプ電流が殆んど零となつてしまう。ラ
ンプがぼんやり点灯して弱い光を安定に放射しつ
づけることができる温度領域は約200℃以上であ
るので、それ以下の温度領域ではランプはオン・
オフ又はそれに近い状態で制御されることにな
る。その結果、光エネルギ吸収体とその内部に収
納されている試料と基準物質はランプの光量制御
の影響を直接受け、温度が大きく変動してしまう
からである。
本考案は、ランプが安定に連続して点灯できな
いような低温領域においても、試料と基準物質の
温度を安定して制御できる示差熱分析装置を提供
することを目的とするものである。
いような低温領域においても、試料と基準物質の
温度を安定して制御できる示差熱分析装置を提供
することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本考案の示差熱分析装置では、光エネルギを吸
収して発熱する光エネルギ吸収体の内面と試料及
び基準物質との間に、試料及び基準物質を囲み、
外側が熱伝導性の悪い材料にてなる熱抵抗層であ
り内側が熱伝導性のよい材料にてなり熱容量をも
つ熱伝導層である二層構造の熱平滑部材が設けら
れている。
収して発熱する光エネルギ吸収体の内面と試料及
び基準物質との間に、試料及び基準物質を囲み、
外側が熱伝導性の悪い材料にてなる熱抵抗層であ
り内側が熱伝導性のよい材料にてなり熱容量をも
つ熱伝導層である二層構造の熱平滑部材が設けら
れている。
（作用）
例えば室温〜150℃付近のような低温領域での
温度制御ではランプは安定状態で連続点灯するこ
とができず、オン・オフ又はそれに近い状態で制
御され、それに伴なつて光エネルギ吸収体の温度
は大きく変動する。しかし、光エネルギ吸収体内
面と試料及び基準物質との間に介在する熱平滑部
材の外側熱抵抗層により光エネルギ吸収体の温度
変動が平滑化されて、試料及び基準物質には温度
変動の少ない熱エネルギとして伝達される。ま
た、熱平滑部材の内側熱伝導層により試料と基準
物質の周りの温度が均一になる。
温度制御ではランプは安定状態で連続点灯するこ
とができず、オン・オフ又はそれに近い状態で制
御され、それに伴なつて光エネルギ吸収体の温度
は大きく変動する。しかし、光エネルギ吸収体内
面と試料及び基準物質との間に介在する熱平滑部
材の外側熱抵抗層により光エネルギ吸収体の温度
変動が平滑化されて、試料及び基準物質には温度
変動の少ない熱エネルギとして伝達される。ま
た、熱平滑部材の内側熱伝導層により試料と基準
物質の周りの温度が均一になる。
（実施例）
図は本考案の一実施例の要部を表わす。
２は中空円筒状の光エネルギ吸収体であり、白
金合金やセラミツクなどのように赤外線を吸収
し、耐熱性のある材料で形成されている。光エネ
ルギ吸収体２の内部には、空間を介してセラミツ
クやジルコニアの如く熱伝導性が悪く耐熱性のあ
る材料にてなる中空円筒状部材４が設けられ、こ
の中空円筒状部材４の内側には、白金の如く熱伝
導性のよい金属材料６がある程度の厚みをもつて
熱容量をもつように内張りされている。
金合金やセラミツクなどのように赤外線を吸収
し、耐熱性のある材料で形成されている。光エネ
ルギ吸収体２の内部には、空間を介してセラミツ
クやジルコニアの如く熱伝導性が悪く耐熱性のあ
る材料にてなる中空円筒状部材４が設けられ、こ
の中空円筒状部材４の内側には、白金の如く熱伝
導性のよい金属材料６がある程度の厚みをもつて
熱容量をもつように内張りされている。
光エネルギ吸収体２と円筒状部材４の間の空
間、及び円筒状部材４の内部空間には空気又は不
活性ガスが充填されている。
間、及び円筒状部材４の内部空間には空気又は不
活性ガスが充填されている。
光エネルギ吸収体２と円筒状部材４の間の空
間、円筒状部材４及びその内側の内張り層６によ
り熱平滑部材を構成している。
間、円筒状部材４及びその内側の内張り層６によ
り熱平滑部材を構成している。
試料８、標準物質１０及び両者の温度差を検出
する示差熱電対１２は円筒状部材４の内部にその
壁面から離して設置されている。
する示差熱電対１２は円筒状部材４の内部にその
壁面から離して設置されている。
赤外線ランプやハロゲンランプなどの光源から
の光エネルギ１４は、光エネルギ吸収体２の周囲
にできるだけ均一に照射される。このような光エ
ネルギ１４の照射は、例えば、断面楕円形の反射
面の一方の焦点に光源を設置し他方の焦点に光エ
ネルギ吸収体２を設置することにより実現するこ
ともできるし、あるいは光エネルギ吸収体２の周
囲に複数個の光源を配置することによつても実現
できる。
の光エネルギ１４は、光エネルギ吸収体２の周囲
にできるだけ均一に照射される。このような光エ
ネルギ１４の照射は、例えば、断面楕円形の反射
面の一方の焦点に光源を設置し他方の焦点に光エ
ネルギ吸収体２を設置することにより実現するこ
ともできるし、あるいは光エネルギ吸収体２の周
囲に複数個の光源を配置することによつても実現
できる。
本実施例で試料８と標準物質１０を一定速度で
昇温させるプログラムの低温領域において、光源
がオン・オフ又はそれに近い状態で制御され光エ
ネルギ１４が大きく変動している場合、光エネル
ギ吸収体２の温度は到達する光エネルギ１４の強
度変化に対応して大きく変動するが、光エネルギ
吸収体２からの熱エネルギがその内側の空間、円
筒状部材４及び内張り層６からなる熱平滑部材を
経て試料８と標準物質１０に伝達されるときに
は、その熱エネルギは平滑化されて温度変化が少
なくなつており、示差熱電対１２の検出信号は安
定したベースラインを得ることができる。
昇温させるプログラムの低温領域において、光源
がオン・オフ又はそれに近い状態で制御され光エ
ネルギ１４が大きく変動している場合、光エネル
ギ吸収体２の温度は到達する光エネルギ１４の強
度変化に対応して大きく変動するが、光エネルギ
吸収体２からの熱エネルギがその内側の空間、円
筒状部材４及び内張り層６からなる熱平滑部材を
経て試料８と標準物質１０に伝達されるときに
は、その熱エネルギは平滑化されて温度変化が少
なくなつており、示差熱電対１２の検出信号は安
定したベースラインを得ることができる。
（考案の効果）
本考案の示差熱分析装置によれば、例えば、
2000℃程度の高温まで測定できる加熱炉を用いた
場合でも、低温領域の安定した温度制御を得るこ
とが可能になる。
2000℃程度の高温まで測定できる加熱炉を用いた
場合でも、低温領域の安定した温度制御を得るこ
とが可能になる。
図は本考案の一実施例を示す要部断面図であ
る。 ２……光エネルギ吸収体、４……熱伝導性の悪
い円筒状部材、６……熱伝導性のよい内張り層、
８……試料、１０……標準物質、１４……光エネ
ルギ。
る。 ２……光エネルギ吸収体、４……熱伝導性の悪
い円筒状部材、６……熱伝導性のよい内張り層、
８……試料、１０……標準物質、１４……光エネ
ルギ。
Claims (1)
- 光源から発する光エネルギを光エネルギ吸収体
に吸収させて発熱させ、該光エネルギ吸収体内に
収納された試料と基準物質を加熱する示差熱分析
装置において、前記光エネルギ吸収体の内面と試
料及び基準物質との間に、試料及び基準物質を囲
み、外側が熱伝導性の悪い材料にてなる熱抵抗層
であり内側が熱伝導性のよい材料にてなり熱容量
をもつ熱伝導層である二層構造の熱平滑部材が設
けられていることを特徴とする示差熱分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11869884U JPS6134466U (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 示差熱分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11869884U JPS6134466U (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 示差熱分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134466U JPS6134466U (ja) | 1986-03-03 |
| JPH0336919Y2 true JPH0336919Y2 (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=30677577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11869884U Granted JPS6134466U (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 示差熱分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134466U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436005U (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-26 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56103860U (ja) * | 1980-01-11 | 1981-08-14 |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP11869884U patent/JPS6134466U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6134466U (ja) | 1986-03-03 |
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