JPS62123091A - 単結晶引上装置における液面温度制御方法 - Google Patents
単結晶引上装置における液面温度制御方法Info
- Publication number
- JPS62123091A JPS62123091A JP26462685A JP26462685A JPS62123091A JP S62123091 A JPS62123091 A JP S62123091A JP 26462685 A JP26462685 A JP 26462685A JP 26462685 A JP26462685 A JP 26462685A JP S62123091 A JPS62123091 A JP S62123091A
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- Japan
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- heater
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、シリコン単結晶等の引上成長を行う場合に
用いて好適な単結晶引上装置における液面温度制御方法
に関する。
用いて好適な単結晶引上装置における液面温度制御方法
に関する。
「従来の技術」
ＣＺ法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法）は、単結晶の製造
方法として一般に広く用いられている方法であり、この
方法を採用した引上装置も種々開発されている。
方法として一般に広く用いられている方法であり、この
方法を採用した引上装置も種々開発されている。
この種の引上装置においては、ルツボ内の多結晶融液中
に種結晶（シード）を浸漬させ、その後において種結晶
を上方に引き上げて単結晶を成長させるようにしている
。この結果、単結晶が自由空間で成長するため、大口掻
、長尺化が容易であるとともに、成長結晶の断面形状が
円形となる利点を有しており、さらに、不純物の混入も
防止できるというｐＨ点を有している。
に種結晶（シード）を浸漬させ、その後において種結晶
を上方に引き上げて単結晶を成長させるようにしている
。この結果、単結晶が自由空間で成長するため、大口掻
、長尺化が容易であるとともに、成長結晶の断面形状が
円形となる利点を有しており、さらに、不純物の混入も
防止できるというｐＨ点を有している。
ところで、単結晶を引き上げる場合は、形状精度を上げ
るためにも、無転位化を図るためにも融液面の温度を正
確に制御する必要がある。ここで、従来の液面の温度制
御方法について説明する。
るためにも、無転位化を図るためにも融液面の温度を正
確に制御する必要がある。ここで、従来の液面の温度制
御方法について説明する。
まず、第２図は、単結晶引上装置における一般的な融液
温度制御装置の構成例を示すブロック図である。この図
において、１は融液（シリコン多結晶）２が蓄えられろ
ルツボであり、３．３は融液２を過熱するヒータである
。５は装置各部を制御する制御部であり、ＣＰＵ、プロ
グラムＲＯＭ。
温度制御装置の構成例を示すブロック図である。この図
において、１は融液（シリコン多結晶）２が蓄えられろ
ルツボであり、３．３は融液２を過熱するヒータである
。５は装置各部を制御する制御部であり、ＣＰＵ、プロ
グラムＲＯＭ。
ＲＡＭ、および各Ｍ１１０インターフェイス等から成っ
ている。この制御部５内に示すブロック５８〜５ｃは、
各々制御部５の機能を示すもので、５ａは融液２の表面
温度目標値が予め記憶される液面温度目標値記憶部、５
ｂは液面温度目標値記憶部５ａ内のデータと二色温度計
６が出力する温度データとの偏差に基づいてヒータ温度
の目標値を演算するヒータ温度目標値算出部であり、５
Ｃはヒータ温度目標値算出部の演算結果であるヒータ温
度目標値とヒータ温度のフィードバック値である放射温
度計８の出力データとの偏差に対してＰＩＤ（比例、積
分、微分）演算を行い、この結果えられるデータをサイ
リスク装置７に供給するＰ Ｉ ｉ）演算部である。
ている。この制御部５内に示すブロック５８〜５ｃは、
各々制御部５の機能を示すもので、５ａは融液２の表面
温度目標値が予め記憶される液面温度目標値記憶部、５
ｂは液面温度目標値記憶部５ａ内のデータと二色温度計
６が出力する温度データとの偏差に基づいてヒータ温度
の目標値を演算するヒータ温度目標値算出部であり、５
Ｃはヒータ温度目標値算出部の演算結果であるヒータ温
度目標値とヒータ温度のフィードバック値である放射温
度計８の出力データとの偏差に対してＰＩＤ（比例、積
分、微分）演算を行い、この結果えられるデータをサイ
リスク装置７に供給するＰ Ｉ ｉ）演算部である。
二色温度計６は、融液２の表面から放射される光を入力
し、この光のうちの２つの周波数成分の強さの差から、
融液２の表面温度を検出するらのであり、放射される光
の強度等によらず極めて精度の高い温度測定が行える乙
のである。放射温度計８は、ヒータ３の放射光から温度
を検出する放射温度計であり、サイリスタ装置７はＰＩ
Ｄ演算部５ｃが出力するデータ値に応じてヒータ３への
供給電力を制御するものである。すなわち、ＰＩＤ演算
装置５ｃ、サイリスタ装置７およびヒータ３は閉ループ
を構成し、偏差検出点５ｄに得られる偏差を０とするよ
うに動作する。なお、第２図に示す制御部５内の各ブロ
ックは、実際にはＣＰＵがプログラムに従ってソフト的
に処理する機能である。
し、この光のうちの２つの周波数成分の強さの差から、
融液２の表面温度を検出するらのであり、放射される光
の強度等によらず極めて精度の高い温度測定が行える乙
のである。放射温度計８は、ヒータ３の放射光から温度
を検出する放射温度計であり、サイリスタ装置７はＰＩ
Ｄ演算部５ｃが出力するデータ値に応じてヒータ３への
供給電力を制御するものである。すなわち、ＰＩＤ演算
装置５ｃ、サイリスタ装置７およびヒータ３は閉ループ
を構成し、偏差検出点５ｄに得られる偏差を０とするよ
うに動作する。なお、第２図に示す制御部５内の各ブロ
ックは、実際にはＣＰＵがプログラムに従ってソフト的
に処理する機能である。
次に、上記温度制御装置を用いる従来の温度制御方法に
ついて第３図に示すフローチャートを参照して説明する
。
ついて第３図に示すフローチャートを参照して説明する
。
まず、ステップＳＰＩから動作を開始し、次いで、ステ
ップＳＰ２に移、って二色温度計６から温度データを入
力する。そして、ステップＳＰ３に移ると、ステップＳ
Ｐ２において入力した温度データと液面温度目標値記憶
部５ａ内の目標値データとの偏差を算出し、所定の記憶
エリアに記憶させてステップＳＰ４に移る。ステップＳ
Ｐ４では、予め定められた変換定数ｋにステップＳＰ３
で求めた液面温度偏差を乗じ、前回のヒータ温度目串値
（あるいは初期値）から前記乗算結果を減算して今回の
ヒータ温度目標値を算出する。この場合の変換定数には
、ある定常的な条件を仮定した場合の液面温度とヒータ
温度との関係から設定される定数であり、言い替えれば
、液面温度偏差をヒータ温度目標値補正用データに変換
する定数である。
ップＳＰ２に移、って二色温度計６から温度データを入
力する。そして、ステップＳＰ３に移ると、ステップＳ
Ｐ２において入力した温度データと液面温度目標値記憶
部５ａ内の目標値データとの偏差を算出し、所定の記憶
エリアに記憶させてステップＳＰ４に移る。ステップＳ
Ｐ４では、予め定められた変換定数ｋにステップＳＰ３
で求めた液面温度偏差を乗じ、前回のヒータ温度目串値
（あるいは初期値）から前記乗算結果を減算して今回の
ヒータ温度目標値を算出する。この場合の変換定数には
、ある定常的な条件を仮定した場合の液面温度とヒータ
温度との関係から設定される定数であり、言い替えれば
、液面温度偏差をヒータ温度目標値補正用データに変換
する定数である。
このようにして今回のヒータ温度目標値が算出されると
、次に、ステップＳＰ５に移り放射温度計８が出力する
ヒータ温度データを取り込み、さらに、ステップＳＰ６
に移って、ステップＳＰ５で取り込んだ入力ヒータ温度
からステップＳＰ４で算出した今回のヒータ温度目標値
を減算してヒータ温度偏差を算出する。そして、ステッ
プＳｌ’７に移ると、ＰＩＤ演算部５ｃがヒータ温度偏
差に対してＰＩＤ演算を行い、この演算結果から得られ
るデータをサイリスク装置７に供給する。これにより、
サイリスク装置７はＰＩＤ演算されたデータに基づいて
ヒータ３への供給電力を制御する。
、次に、ステップＳＰ５に移り放射温度計８が出力する
ヒータ温度データを取り込み、さらに、ステップＳＰ６
に移って、ステップＳＰ５で取り込んだ入力ヒータ温度
からステップＳＰ４で算出した今回のヒータ温度目標値
を減算してヒータ温度偏差を算出する。そして、ステッ
プＳｌ’７に移ると、ＰＩＤ演算部５ｃがヒータ温度偏
差に対してＰＩＤ演算を行い、この演算結果から得られ
るデータをサイリスク装置７に供給する。これにより、
サイリスク装置７はＰＩＤ演算されたデータに基づいて
ヒータ３への供給電力を制御する。
この結果、ヒータ３の発熱量は液面温度を目標値に近付
けるような値に制御される。そして、ステップＳＰ７の
処理が終了すると、一連の温度制御ザイクルが終了する
（ステップ５Ｐ８）。以後は所定時間置きに、第３図に
示すルーチンが起動され、上述と同様の温度制御動作が
行なわれるようになっている。
けるような値に制御される。そして、ステップＳＰ７の
処理が終了すると、一連の温度制御ザイクルが終了する
（ステップ５Ｐ８）。以後は所定時間置きに、第３図に
示すルーチンが起動され、上述と同様の温度制御動作が
行なわれるようになっている。
［発明が解決しようとする問題点」
ところで、上述した従来の温度制御方法においては、ス
テップＳＰ４において用いる変換定数ｋが固定値である
ため、例えば、ルツボｌ内の融液量が変わったり、ある
いは、ヒータ３に対する液面の相対位置の変化があった
りすると、ヒータ温度と液面温度との関係が変化するた
め変換値が不適当になってしまい、この結果、液面温度
を目標値に一致させるのに時間がかかってしまうという
欠点があった。
テップＳＰ４において用いる変換定数ｋが固定値である
ため、例えば、ルツボｌ内の融液量が変わったり、ある
いは、ヒータ３に対する液面の相対位置の変化があった
りすると、ヒータ温度と液面温度との関係が変化するた
め変換値が不適当になってしまい、この結果、液面温度
を目標値に一致させるのに時間がかかってしまうという
欠点があった。
この発明は上述した事情に鑑みてなされた乙ので、ヒー
タ温度と液面温度との関係が変化した場合においてら、
制御の応答を速くすることができる単結晶引上装置にお
ける液面温度制御方法を提供することを目的としている
。
タ温度と液面温度との関係が変化した場合においてら、
制御の応答を速くすることができる単結晶引上装置にお
ける液面温度制御方法を提供することを目的としている
。
［問題点を解決するための手段Ｊ
この発明は、上記問題点を解決するために、多結晶融液
を加熱するヒータを有するとともに、前記融液液面の検
出温度と液面温度目標値との偏差を求め、この偏差と所
定の変換定数の積をヒータ温度目標値から減じて新たな
ヒータ温度目標値を算出し、この新たなヒータ温度目標
値に一致するようなヒータ温度検出値が得られるように
前記ヒータへの供給電力を制御する単結晶引上装置にお
いて、前記偏差の現時点値と前回値との比を求め、この
比に応じて前記変換定数を補正するようにしている。
を加熱するヒータを有するとともに、前記融液液面の検
出温度と液面温度目標値との偏差を求め、この偏差と所
定の変換定数の積をヒータ温度目標値から減じて新たな
ヒータ温度目標値を算出し、この新たなヒータ温度目標
値に一致するようなヒータ温度検出値が得られるように
前記ヒータへの供給電力を制御する単結晶引上装置にお
いて、前記偏差の現時点値と前回値との比を求め、この
比に応じて前記変換定数を補正するようにしている。
「作用」
ヒータ検出温度と液面検出温度との関係が、引上条件や
引上環境によって変化してら、この変化に応じた変換定
数が前記補正にｊ；って設定される。
引上環境によって変化してら、この変化に応じた変換定
数が前記補正にｊ；って設定される。
「実施例Ｊ
以下、図面を参照１．てこの発明の実施例について説明
する。
する。
第１図はこの発明の一実施例である液面温度制御方法を
示すフローチャートである。なお、この図において第３
図に示す各部と対応する処理には同一の符号を付しその
説明を省略する。
示すフローチャートである。なお、この図において第３
図に示す各部と対応する処理には同一の符号を付しその
説明を省略する。
この実施例は、第２図に示す温度制御装置にこの発明を
適用した場合の実施例であり、図から判るようにステッ
プ５Ｐ３ａ、４ａおよびステップ５ＰＩＯ以外は面述し
た従来の温度制御方法と同様である。以下に、これらの
ステップについて説明する。
適用した場合の実施例であり、図から判るようにステッ
プ５Ｐ３ａ、４ａおよびステップ５ＰＩＯ以外は面述し
た従来の温度制御方法と同様である。以下に、これらの
ステップについて説明する。
まず、ステップ５Ｐ３ａは、第３図のステップＳＰ３と
ほぼ同様の処理であるが、液面温度偏差データに対して
、番号データｎが付加されている点か異なっている。こ
の番０号データｎは、第１図に示すルーチンが起動され
る毎にインクリメントされるデータであり、初期値はｌ
に設定されている。次に、ステップ５ＰＩＯは、番号デ
ータｎがＩの場合は所定の初期値を変換定数ｋｎとして
設定する処理を行い、番号データｎが２以上の場合は、
図に示す演算を行う処理である。この場合の変換定数ｋ
ｎは、前述した変換定数にと同様に、液面温度偏差をヒ
ータ温度目標値補正用データに変換する定数であるが、
番号データｎがインクリメントされるたびにステップ５
ＰＩＯの演算処理にかけられ、諸条件が変化した場合に
は、書き替えられるようになっている。また、ステップ
５ＰＩＯにおける初期値は、面述した変換定数にと同様
に、予め実験等によって求められる値である。
ほぼ同様の処理であるが、液面温度偏差データに対して
、番号データｎが付加されている点か異なっている。こ
の番０号データｎは、第１図に示すルーチンが起動され
る毎にインクリメントされるデータであり、初期値はｌ
に設定されている。次に、ステップ５ＰＩＯは、番号デ
ータｎがＩの場合は所定の初期値を変換定数ｋｎとして
設定する処理を行い、番号データｎが２以上の場合は、
図に示す演算を行う処理である。この場合の変換定数ｋ
ｎは、前述した変換定数にと同様に、液面温度偏差をヒ
ータ温度目標値補正用データに変換する定数であるが、
番号データｎがインクリメントされるたびにステップ５
ＰＩＯの演算処理にかけられ、諸条件が変化した場合に
は、書き替えられるようになっている。また、ステップ
５ＰＩＯにおける初期値は、面述した変換定数にと同様
に、予め実験等によって求められる値である。
次に、ステップ５ＰＩＯにおける演算処理について説明
する。この演算処理は、図に示すように、前回（ｎ−１
）と今回（ｎ）の温度偏差の和を求め、この和を前回の
温度偏差で除して比をとり、この比と前回の変換定数ｋ
（ｎ −１）を乗じて今回の変換定数ｋｎを求める演算
である。この演算のき味は以下の通りである。すなわち
、前回の変換定数ｋ（ｎ −１）が適切な値であるなら
今回の液面温度偏差は０になるはずであり、この場合に
は上記比の値か１となって今回の変換定数ｋｎには前回
値がそのまま採用され、ステップ５Ｐ４ａで算出される
ヒータ温度目標値ら前回の値と一致した値となる。一方
、融液１や液面位置等が変化して前回の変換定数ｋ（ｎ
−１）が不適切になれば、ステップ５Ｐ４ａで算出さ
れるヒータ温度目標値が不適切な値となるから、今回偏
差は当然に０にはならない。この場合、変換定数を補正
する必要が生じるが、この実施例においては、今回偏差
が正であれば変換定数を増やす必要があり、かつ、増加
させる虫は今回偏差と前回偏差の比に対応するため、図
に示す演算を行っている。また、今回偏差が負である場
合は、変換定数を減少させる必要があり、がっ、減少さ
せるｍは今回偏差と前回偏差の比に対応するため、上述
の場合と同様に、図に示す演算を行っている。以上が、
ステップＳＰ［Ｏにおける演算の色味である。なお、ス
テップ５ＰＩＯに示す演算を書き替えると、変換定数ｋ
ｎ−変換定数ｋ（ｎ −１）Ｘ（１＋液面温度偏差ｎ／
液面温度偏差ｎ−１）となる。
する。この演算処理は、図に示すように、前回（ｎ−１
）と今回（ｎ）の温度偏差の和を求め、この和を前回の
温度偏差で除して比をとり、この比と前回の変換定数ｋ
（ｎ −１）を乗じて今回の変換定数ｋｎを求める演算
である。この演算のき味は以下の通りである。すなわち
、前回の変換定数ｋ（ｎ −１）が適切な値であるなら
今回の液面温度偏差は０になるはずであり、この場合に
は上記比の値か１となって今回の変換定数ｋｎには前回
値がそのまま採用され、ステップ５Ｐ４ａで算出される
ヒータ温度目標値ら前回の値と一致した値となる。一方
、融液１や液面位置等が変化して前回の変換定数ｋ（ｎ
−１）が不適切になれば、ステップ５Ｐ４ａで算出さ
れるヒータ温度目標値が不適切な値となるから、今回偏
差は当然に０にはならない。この場合、変換定数を補正
する必要が生じるが、この実施例においては、今回偏差
が正であれば変換定数を増やす必要があり、かつ、増加
させる虫は今回偏差と前回偏差の比に対応するため、図
に示す演算を行っている。また、今回偏差が負である場
合は、変換定数を減少させる必要があり、がっ、減少さ
せるｍは今回偏差と前回偏差の比に対応するため、上述
の場合と同様に、図に示す演算を行っている。以上が、
ステップＳＰ［Ｏにおける演算の色味である。なお、ス
テップ５ＰＩＯに示す演算を書き替えると、変換定数ｋ
ｎ−変換定数ｋ（ｎ −１）Ｘ（１＋液面温度偏差ｎ／
液面温度偏差ｎ−１）となる。
次に、ステップ５Ｐ４ａは、図から明らかなように、第
３図に示すステップＳＰ４と同様な処理であるが、使用
する変換定数がステップ５ＰＩＯにおいて演算された変
換定数ｋｎであることが異なっている。
３図に示すステップＳＰ４と同様な処理であるが、使用
する変換定数がステップ５ＰＩＯにおいて演算された変
換定数ｋｎであることが異なっている。
上述した処理に従えば、液面温度とヒータ温度との関係
が変化しても、その変化に応じて変換定数が古き替えら
れるから、引き上げ処理中において、諸条件が変化して
も液面温度を逸速く目標値に一致させることができる。
が変化しても、その変化に応じて変換定数が古き替えら
れるから、引き上げ処理中において、諸条件が変化して
も液面温度を逸速く目標値に一致させることができる。
このように、この実施例によれば、環境変化によらず常
に正確で応答の速い温度制御を行うことができるから、
例えば、無転位化のために厳密な温度制御が要求される
シード引き上げ工程に用いると極めて好適である。
に正確で応答の速い温度制御を行うことができるから、
例えば、無転位化のために厳密な温度制御が要求される
シード引き上げ工程に用いると極めて好適である。
なお、この実施例においては、第１図のステップ５ｐｉ
ｏに示すような演算を行ったが、この演算においてさら
に池の定数等を乗じるような演算を付加してもよい。す
なわち、単結晶の引上環境を反映するような他のパラメ
ータを演算因子として付加してもよい。
ｏに示すような演算を行ったが、この演算においてさら
に池の定数等を乗じるような演算を付加してもよい。す
なわち、単結晶の引上環境を反映するような他のパラメ
ータを演算因子として付加してもよい。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば、多結晶融液を
加熱するヒータを有するとともに、ｉｎ記融液液面の検
出温度と液面温度目標値との偏差を求め、この偏差と所
定の変換定数の積をヒータ温度目標値から減じて新たな
ヒータ温度目標値を算出し、この新たなヒータ温度目標
値に一致するようなヒータ温度検出値が得られるように
面記ヒータへの供給電力を制御する単結晶引上装置にお
いて、前記偏差の現時点値と面回値との比を求め、この
比に応じて前記変換定数を補正するようにしたので、ヒ
ータ温度と液面温度との関係が変化した場合においても
、制御の応答を速くすることができ、液面温度を目標温
度に逸速く一致させることかできる。
加熱するヒータを有するとともに、ｉｎ記融液液面の検
出温度と液面温度目標値との偏差を求め、この偏差と所
定の変換定数の積をヒータ温度目標値から減じて新たな
ヒータ温度目標値を算出し、この新たなヒータ温度目標
値に一致するようなヒータ温度検出値が得られるように
面記ヒータへの供給電力を制御する単結晶引上装置にお
いて、前記偏差の現時点値と面回値との比を求め、この
比に応じて前記変換定数を補正するようにしたので、ヒ
ータ温度と液面温度との関係が変化した場合においても
、制御の応答を速くすることができ、液面温度を目標温
度に逸速く一致させることかできる。
第１図はこの発明の一実施例である温度制御方法を示す
フローチャート、第２図は一般的な温度制御装置の構成
を示すブロック図、第３図は従来の温度制御方法を示す
フローチャー１・である。 ｌ・・・・・・ルツボ、２・・・・・・融液、３・・・
・・・ヒータ、５・・・・制御装置、６ ・・・・二色
温度計、７・・・・サイリスク装置、８・・・・・・放
射温度計。
フローチャート、第２図は一般的な温度制御装置の構成
を示すブロック図、第３図は従来の温度制御方法を示す
フローチャー１・である。 ｌ・・・・・・ルツボ、２・・・・・・融液、３・・・
・・・ヒータ、５・・・・制御装置、６ ・・・・二色
温度計、７・・・・サイリスク装置、８・・・・・・放
射温度計。
Claims (2)
- （１）多結晶融液を加熱するヒータを有するとともに、
前記融液液面の検出温度と液面温度目標値との偏差を求
め、この偏差と所定の変換定数の積をヒータ温度目標値
から減じて新たなヒータ温度目標値を算出し、この新た
なヒータ温度目標値に一致するようなヒータ温度検出値
が得られるように前記ヒータへの供給電力を制御する単
結晶引上装置において、前記偏差の現時点値と前回値と
の比を求め、この比に応じて前記変換定数を補正するこ
とを特徴とする単結晶引上装置における液面温度制御方
法。 - （２）前記変換定数の補正においては、前回の変換定数
に対し、（１＋現時点値／前回値）なる値を乗じて新た
な変換定数とすることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の単結晶引上装置における温度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26462685A JPS62123091A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 単結晶引上装置における液面温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26462685A JPS62123091A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 単結晶引上装置における液面温度制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123091A true JPS62123091A (ja) | 1987-06-04 |
| JPH0335280B2 JPH0335280B2 (ja) | 1991-05-27 |
Family
ID=17405950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26462685A Granted JPS62123091A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 単結晶引上装置における液面温度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62123091A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007055886A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-03-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体単結晶の製造方法、半導体単結晶の製造装置、半導体単結晶の製造制御プログラムおよび半導体単結晶製造制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
1985
- 1985-11-25 JP JP26462685A patent/JPS62123091A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007055886A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-03-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体単結晶の製造方法、半導体単結晶の製造装置、半導体単結晶の製造制御プログラムおよび半導体単結晶製造制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0335280B2 (ja) | 1991-05-27 |
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