JPS62121409A - 光モジユ−ル - Google Patents
光モジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS62121409A JPS62121409A JP26110985A JP26110985A JPS62121409A JP S62121409 A JPS62121409 A JP S62121409A JP 26110985 A JP26110985 A JP 26110985A JP 26110985 A JP26110985 A JP 26110985A JP S62121409 A JPS62121409 A JP S62121409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- wavelength
- waveguide
- optical signal
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
- G02B6/29331—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by evanescent wave coupling
- G02B6/29332—Wavelength selective couplers, i.e. based on evanescent coupling between light guides, e.g. fused fibre couplers with transverse coupling between fibres having different propagation constant wavelength dependency
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光波長多重伝送に用いられる光合分波部を含
んだ光モジュールにおいて、各チャ４ル間の漏話減衰量
を大きくとれる光モジユール方式〔発明の背景〕 光フアイバ通信における光波長多重伝送技術は経済化を
はかる上で重要である。上記光波長多重伝送において、
光合分波器、半導体発光素子、受光素子を含んだ光モジ
ュールは必須のデバイスである。
んだ光モジュールにおいて、各チャ４ル間の漏話減衰量
を大きくとれる光モジユール方式〔発明の背景〕 光フアイバ通信における光波長多重伝送技術は経済化を
はかる上で重要である。上記光波長多重伝送において、
光合分波器、半導体発光素子、受光素子を含んだ光モジ
ュールは必須のデバイスである。
第１図は従来の双方向波長多重伝送方式の構成図である
。これは矢印２０方向に波長λ３の光信号会、矢印２１
方向に波長λｌ、λ２の光信号を伝送させる３波長双方
向伝送方式である。７，８け光合分波器、１，２．３は
波長λ！、λ２゜λ３の光送信部、 ４． ５． ６は
波長λ１．λ２゜λ、の光信号を受信する光受信部、９
は光７アイパである。この構成で問題となるのは、光合
分波器７，８内に破線で示したように、光モジュール２
２．２３内において、光合分波器を介して不要な光信号
が光受信部に漏洩し、漏話が生じることである。そのた
め、λ１．λ２．λ３の波長間隔を出来る限り広くシ、
かつ光合分波器の阻止域減衰ｔｔ大きくとることが行わ
れている。ところが。
。これは矢印２０方向に波長λ３の光信号会、矢印２１
方向に波長λｌ、λ２の光信号を伝送させる３波長双方
向伝送方式である。７，８け光合分波器、１，２．３は
波長λ！、λ２゜λ３の光送信部、 ４． ５． ６は
波長λ１．λ２゜λ、の光信号を受信する光受信部、９
は光７アイパである。この構成で問題となるのは、光合
分波器７，８内に破線で示したように、光モジュール２
２．２３内において、光合分波器を介して不要な光信号
が光受信部に漏洩し、漏話が生じることである。そのた
め、λ１．λ２．λ３の波長間隔を出来る限り広くシ、
かつ光合分波器の阻止域減衰ｔｔ大きくとることが行わ
れている。ところが。
将来のモノリシック型光モジュールを考えた場合。
元金分波器の阻止域減衰量を４０ｄＢ以上とることは現
状技術では困難なことであシ、まったく見通しが得られ
ていなかった。
状技術では困難なことであシ、まったく見通しが得られ
ていなかった。
本発明の目的は、前記問題点を解決させることにある。
すなわち、光合分波素子、＠光素子、受光素子を一体化
したモノリシック型双方向伝送用光モジュールにおいて
、漏話減衰量を大きくとれる構成法を提供することにあ
る。
したモノリシック型双方向伝送用光モジュールにおいて
、漏話減衰量を大きくとれる構成法を提供することにあ
る。
本発明は、第２図に示す半導体の吸収特性の波長依存性
（大原、木村二光通信、コロナ社、昭和５６年１１月発
行、Ｐ１２３）に着目したものである。すなわち、吸収
係数が波長によって急激に変化しており、すべての材料
が長波長側で損失が少なく、短波長側で大きな吸収をも
つ、いわゆる長波長帯通過型フィルタ特性を有している
。したがって、受光素子の前にこれら材料の半導体を設
け、短波長帯の不要波光信号を抑圧するように用いれば
、漏話減衰量を大きくとることができる。
（大原、木村二光通信、コロナ社、昭和５６年１１月発
行、Ｐ１２３）に着目したものである。すなわち、吸収
係数が波長によって急激に変化しており、すべての材料
が長波長側で損失が少なく、短波長側で大きな吸収をも
つ、いわゆる長波長帯通過型フィルタ特性を有している
。したがって、受光素子の前にこれら材料の半導体を設
け、短波長帯の不要波光信号を抑圧するように用いれば
、漏話減衰量を大きくとることができる。
上記半導体は受光素子用の半導体であるので、材料の組
成比を変えるだけで、不要波光信号波長を抑圧すること
ができる。製作が非常に容易で、構成も簡単である。
成比を変えるだけで、不要波光信号波長を抑圧すること
ができる。製作が非常に容易で、構成も簡単である。
なお、従来技術として、第３図に示すように。
光波長多重通信用の光検出器として、所定波長域の光を
吸収して検出するとともに該所定波長域よシ長及長域の
光を透過する第１の光検出素子（シリコン光検出素子）
と、前記所定波長域よシ長波長域の光を検出する第２の
光検出素子（ゲルマニウム光検出素子）とからなり、前
記第１の光検出素子が入射側になるように前記第２の光
検出素子上に重ね合わせた光検出器（％開昭５５−３０
８２９）かめるが、２つの光検出器間の漏話減衰量を大
きくとることは不可能であり、それぞれの光検出器に不
要な光信号を検出し、漏話が生じるという問題点があっ
た。
吸収して検出するとともに該所定波長域よシ長及長域の
光を透過する第１の光検出素子（シリコン光検出素子）
と、前記所定波長域よシ長波長域の光を検出する第２の
光検出素子（ゲルマニウム光検出素子）とからなり、前
記第１の光検出素子が入射側になるように前記第２の光
検出素子上に重ね合わせた光検出器（％開昭５５−３０
８２９）かめるが、２つの光検出器間の漏話減衰量を大
きくとることは不可能であり、それぞれの光検出器に不
要な光信号を検出し、漏話が生じるという問題点があっ
た。
第４図に本発明の双方向伝送用光モジュールの一実施例
を示す。これは第１図の光モジュール１１を具体化した
もので、３波長（λ１．λ２゜λ３、ただし、λｌ〉λ
２〉λ３．たとえば。
を示す。これは第１図の光モジュール１１を具体化した
もので、３波長（λ１．λ２゜λ３、ただし、λｌ〉λ
２〉λ３．たとえば。
λ１．＝□、５５ ｔｔｍ、λ２＝□、３．．。、λ３
＝１．２μｍとするン双方向モジュールである。（ａ）
ｆ′ｉ上面図、（ｂ）は側面図である。半導体レーザ３
（電極。
＝１．２μｍとするン双方向モジュールである。（ａ）
ｆ′ｉ上面図、（ｂ）は側面図である。半導体レーザ３
（電極。
情報入力供給端子は図示していないが、実際には当然台
まれている。）からの波長λ３の光信号は導波路１８を
伝搬し、導波路１９に入射し、矢印１７のごとく移行し
てモジュール端面２７に接続された光ファイバ（図示せ
ず）内へ送り込まれる。
まれている。）からの波長λ３の光信号は導波路１８を
伝搬し、導波路１９に入射し、矢印１７のごとく移行し
てモジュール端面２７に接続された光ファイバ（図示せ
ず）内へ送り込まれる。
逆に光フアイバ内を伝搬してきた波長λ１．λ２の光信
号はモジュール内に入シ、導波路１９を伝搬する。そし
て方向性結合器型分波器２８で波長λ１とλ２の信号は
分波され、波長λ１の光信号は矢印１６−１のごとく、
波長λ２の光信号は矢印１６−２のごとく伝搬する。な
お波長λ１゜λ２の光信号は導波路１８内へは導波モー
ドがカットオフとなるように導波路１８の厚み、幅が決
められているので伝搬しない。１２は波長λ２゜λ３の
光信号をいちじるしく吸収し、波長λ１の光信号を通過
させるような半導体材料（たとえば第２図のＩｎＧａＡ
ｓ とＩｎＰの組合せによるＩｎＧａＡｓＰでは、Ｉ
ｎ、Ｇａ、ＡＳＩ Ｆの各組成比の調合によシ％波長
１．０〜１．５μｍの範囲にわたり、吸収係数の波長依
存特性を制御することが可能である。）で奪取された活
性導波路層を有する半導体素子である。また１３は波長
λ３の光信号をいちじるしく吸収し、波長λ２の光信号
を通過させるような半導体材料（前述のＩｎＱａＡｓｐ
の各組成比の調合割合を変えることによって実現可能、
たとえば、１２の素子に対して、Ｉｎを訣らし、Ｑａを
増やす。）で構成された活性導波路層を有する半導体素
子である。１２，１３の素子には電極および信号取出し
端子は設けられていない。
号はモジュール内に入シ、導波路１９を伝搬する。そし
て方向性結合器型分波器２８で波長λ１とλ２の信号は
分波され、波長λ１の光信号は矢印１６−１のごとく、
波長λ２の光信号は矢印１６−２のごとく伝搬する。な
お波長λ１゜λ２の光信号は導波路１８内へは導波モー
ドがカットオフとなるように導波路１８の厚み、幅が決
められているので伝搬しない。１２は波長λ２゜λ３の
光信号をいちじるしく吸収し、波長λ１の光信号を通過
させるような半導体材料（たとえば第２図のＩｎＧａＡ
ｓ とＩｎＰの組合せによるＩｎＧａＡｓＰでは、Ｉ
ｎ、Ｇａ、ＡＳＩ Ｆの各組成比の調合によシ％波長
１．０〜１．５μｍの範囲にわたり、吸収係数の波長依
存特性を制御することが可能である。）で奪取された活
性導波路層を有する半導体素子である。また１３は波長
λ３の光信号をいちじるしく吸収し、波長λ２の光信号
を通過させるような半導体材料（前述のＩｎＱａＡｓｐ
の各組成比の調合割合を変えることによって実現可能、
たとえば、１２の素子に対して、Ｉｎを訣らし、Ｑａを
増やす。）で構成された活性導波路層を有する半導体素
子である。１２，１３の素子には電極および信号取出し
端子は設けられていない。
４は波長λｌの光信号に対して最良の感度をもたせた受
光素子、５は波長λ２の光信号に対して最良の感度をも
たせた受光素子である。４と′５の受光素子には電圧印
加用電極を設けて、電圧印加と情報信号取出しができる
ように構成されている（ただし１図面には図示せず）。
光素子、５は波長λ２の光信号に対して最良の感度をも
たせた受光素子である。４と′５の受光素子には電圧印
加用電極を設けて、電圧印加と情報信号取出しができる
ように構成されている（ただし１図面には図示せず）。
３，４，５゜１２．１３はそれぞれＩｎＰ基板２１上に
ＩｎＰバッファ層２２を介し層形２されたＩｎＱａＡｓ
Ｐによる活性導波路層２３．ＩｎＰ中間層２４゜ＩｎＧ
ａＡ８Ｐによる受動導波路層２５およびＩｎＰによるク
ラッド層２６からなっている。セしてレーザ３の両端は
効率良くレーザ発振するようにへき開面構造に作られて
いる。矢印１６−１のどとく伝搬した光信号には波長λ
１以外に、不要波光信号として波長λ２．λ３の光信号
が漏れて混入しているが、半導体素子１２に入射するこ
とにより、これら不要波光信号はこの半導体素子１２で
吸収され、波長λ１の希望信号のみが導波路１４内を伝
搬し、受光素子４で情報信号に変換される。
ＩｎＰバッファ層２２を介し層形２されたＩｎＱａＡｓ
Ｐによる活性導波路層２３．ＩｎＰ中間層２４゜ＩｎＧ
ａＡ８Ｐによる受動導波路層２５およびＩｎＰによるク
ラッド層２６からなっている。セしてレーザ３の両端は
効率良くレーザ発振するようにへき開面構造に作られて
いる。矢印１６−１のどとく伝搬した光信号には波長λ
１以外に、不要波光信号として波長λ２．λ３の光信号
が漏れて混入しているが、半導体素子１２に入射するこ
とにより、これら不要波光信号はこの半導体素子１２で
吸収され、波長λ１の希望信号のみが導波路１４内を伝
搬し、受光素子４で情報信号に変換される。
また矢印１６−２のごとく伝搬した光信号にも。
波長λ２の希望信号以外に、波長λ１．λ３の不要波光
信号が含まれているが、半導体素子１３に入射すること
により、波長λ３の不要波光信号はこの半導体素子１３
で吸収され、波長λ２の希望信号と波長λ１の不要波光
信号は通過してテーパ導波路１５（導波路の厚み、ある
いは幅が光の伝搬方向に沿ってテーパ状に変化している
。）Ｋ入射する。このテーパ導波路１５は波長λｌの光
信号に対してカットオフとなるように厚み、あるいは幅
をテーパ状に変化させであるので、波長λ１の光信号は
この導波路１５を伝搬するにつれて放射モードとなって
導波路１５外へ放射される。したがって、受光素子５に
は波長λ２の光信′号のみが入射し、情報信号に変換さ
れる。
信号が含まれているが、半導体素子１３に入射すること
により、波長λ３の不要波光信号はこの半導体素子１３
で吸収され、波長λ２の希望信号と波長λ１の不要波光
信号は通過してテーパ導波路１５（導波路の厚み、ある
いは幅が光の伝搬方向に沿ってテーパ状に変化している
。）Ｋ入射する。このテーパ導波路１５は波長λｌの光
信号に対してカットオフとなるように厚み、あるいは幅
をテーパ状に変化させであるので、波長λ１の光信号は
この導波路１５を伝搬するにつれて放射モードとなって
導波路１５外へ放射される。したがって、受光素子５に
は波長λ２の光信′号のみが入射し、情報信号に変換さ
れる。
第５図は本発明の双方向伝送用光モジュールの別の実施
例を示したものである。これも第４図の光モジュール１
１を具体化したものである。これは第４図のように方向
性結合器型光分波器２８を用いない実施例であり、導波
路１９．半導体素子１３、導波路１４．受光素子５、導
波路１４．半導体素子１２．導波路１４．受光菓子４を
縦続接続した構成である。受光索子５，４でそれぞれ希
望の波長λ２．λ！の光信号を受光することができる。
例を示したものである。これも第４図の光モジュール１
１を具体化したものである。これは第４図のように方向
性結合器型光分波器２８を用いない実施例であり、導波
路１９．半導体素子１３、導波路１４．受光素子５、導
波路１４．半導体素子１２．導波路１４．受光菓子４を
縦続接続した構成である。受光索子５，４でそれぞれ希
望の波長λ２．λ！の光信号を受光することができる。
本発明は上記実施例に限定されない。たとえば波長多重
数は２、あるいは４以上の光モジュールにも適用Ｃさる
。半導体材料は、第２図に示すものも用いることができ
る。半導体レーザ３＃−１″発光ダイオードであっても
よい。また光合分波素子は上記実施例以外に、グレーテ
ィング、プリズム。
数は２、あるいは４以上の光モジュールにも適用Ｃさる
。半導体材料は、第２図に示すものも用いることができ
る。半導体レーザ３＃−１″発光ダイオードであっても
よい。また光合分波素子は上記実施例以外に、グレーテ
ィング、プリズム。
テーパカプラ、積層型光結合器、誘電体多層膜フィルタ
、あるいはこれらの組合せからなるものでもよい。テー
パ導波路１５の代わりに、グレーティング、ブラッグ反
射器、などを用いるか、あるいはこれらとテーパ導波路
を組合せてもよい。また導波路は埋め込み型、拡散型な
どでもよい。さらに半導体レーザ３％受光素子４，５ば
よく知られている集積２重導波路型を用いて導波路１９
と結合させるようにすれば、より波長選択性が得られる
ので、希望信号の取出し、検出の波長選択性を強くする
ことができる。また第４，５図において、導波路１４は
なくてもよく、お互いの活性導波路層が空間的に軸対向
するようにしてもよい。
、あるいはこれらの組合せからなるものでもよい。テー
パ導波路１５の代わりに、グレーティング、ブラッグ反
射器、などを用いるか、あるいはこれらとテーパ導波路
を組合せてもよい。また導波路は埋め込み型、拡散型な
どでもよい。さらに半導体レーザ３％受光素子４，５ば
よく知られている集積２重導波路型を用いて導波路１９
と結合させるようにすれば、より波長選択性が得られる
ので、希望信号の取出し、検出の波長選択性を強くする
ことができる。また第４，５図において、導波路１４は
なくてもよく、お互いの活性導波路層が空間的に軸対向
するようにしてもよい。
本発明によれば、光合分波素子、発光素子、受光素子を
一体化したモノリシック型双方向伝送用光モジュールに
おいて、簡易構成、製造容易な方法で、漏話減衰量を十
分に大きくとることが可能であり、品質劣化の少ない高
度情報伝送を期待できる。
一体化したモノリシック型双方向伝送用光モジュールに
おいて、簡易構成、製造容易な方法で、漏話減衰量を十
分に大きくとることが可能であり、品質劣化の少ない高
度情報伝送を期待できる。
第１図は光波長多重双方向伝送方式の概略図。
第２図は各種半導体の吸収係数の波長依存性を示す図、
第３図は従来の光波長多重用の光検出器。 第４，５図は本発明の双方向伝送用光モジュールの実施
例である。 １〜３・・・光送信部、４〜６・・・光受信部、７，８
・・・光合分波器、９・・・光７アイパ、１０．１１・
・・光モジュール、１２．１３・・・半導体素子、１４
，１８゜１９．２０・・・導波路、１５・・・テーパ導
波路、１６−１．１６−２．１６−３．１７・・・光の
伝搬方向を示す矢印、２１・・・半導体基板、２２・・
・バッファ層、２３・・・活性導波路層、２４・・・中
間層、２５・・・受動導波路層、２６・・・クラッド層
、２７・・・端面。 百 １ 図 １ρ ／ｌ
″１ｆＪｚ 口 各種ｌし靭曖ｑ数 ■ ３ 図 Ｃの ζｌ−）
ＣＣＣｌ４艷（〕”’−）
５７１−＊
（Ｊｉｍ）冨 ４ 図 ″ｆＪ５図
第３図は従来の光波長多重用の光検出器。 第４，５図は本発明の双方向伝送用光モジュールの実施
例である。 １〜３・・・光送信部、４〜６・・・光受信部、７，８
・・・光合分波器、９・・・光７アイパ、１０．１１・
・・光モジュール、１２．１３・・・半導体素子、１４
，１８゜１９．２０・・・導波路、１５・・・テーパ導
波路、１６−１．１６−２．１６−３．１７・・・光の
伝搬方向を示す矢印、２１・・・半導体基板、２２・・
・バッファ層、２３・・・活性導波路層、２４・・・中
間層、２５・・・受動導波路層、２６・・・クラッド層
、２７・・・端面。 百 １ 図 １ρ ／ｌ
″１ｆＪｚ 口 各種ｌし靭曖ｑ数 ■ ３ 図 Ｃの ζｌ−）
ＣＣＣｌ４艷（〕”’−）
５７１−＊
（Ｊｉｍ）冨 ４ 図 ″ｆＪ５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、希望信号波長λ＿１の光信号を検出する受光素子の
入射側導波路に該波長λ＿１より短波長側の波長の不要
光信号を吸収する活性導波路層を有する半導体素子を設
け、該受光素子に該不要光信号が漏洩しないように抑圧
するようにした光モジュール。 ２、半導体素子と受光素子の間に導波路を介在させたこ
とを特徴とする第１項記載の光モジュール。 ３、導波路として、希望信号波長λ＿１よりも長波長側
の波長の不要光信号に対して導波モードがカットオフと
なるように該導波路の厚み、あるいは幅、さらには屈折
率の少なくとも１つを光伝搬方向に沿つてテーパ状にし
たことを特徴とする第２項記載の光モジュール。 ４、希望信号波長λ＿１の光信号よりも短波長側の不要
光信号を吸収する半導体素子、波長λ＿１の希望信号受
光用の受光素子、波長λ＿１を含めた短波長側の不要光
信号を吸収する半導体素子、波長λ＿１よりも長波長側
の希望信号受光用の受光素子を縦続接続して光分波器を
構成したことを特徴とする第１〜２項記載の光モジュー
ル。 ５、各素子間に導波路を介在させたことを特徴とする第
４項記載の光モジュール。 ６、光合分波素子、半導体発光素子を含んだことを特徴
とする第１〜５項記載の双方向伝送用光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26110985A JPS62121409A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26110985A JPS62121409A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光モジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62121409A true JPS62121409A (ja) | 1987-06-02 |
Family
ID=17357209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26110985A Pending JPS62121409A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光モジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62121409A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04328704A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光送受信モジュール |
| EP0597211A2 (de) * | 1992-09-16 | 1994-05-18 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Optischer Duplexer |
| EP0600267A1 (de) * | 1992-12-03 | 1994-06-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Bidirektionaler optischer Sende- und Empfangsmodul |
| EP0782020A3 (en) * | 1995-12-26 | 1998-01-07 | Nec Corporation | Light wavelength filtering circuit and manufacturing method thereof |
| WO1999030195A2 (de) * | 1997-12-10 | 1999-06-17 | HEINRICH-HERTZ-INSTITUT FüR NACHRICHTENTECHNIK BERLIN GMBH | Integrierte sender-empfänger-schaltung für ein optisches duplexsystem |
| EP1227611A2 (en) * | 2001-01-24 | 2002-07-31 | Nec Corporation | Wavelength multiplex optical communication module |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5530829A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-04 | Fujitsu Ltd | Light detector for multiplex light wave communication |
| JPS5781230A (en) * | 1980-11-11 | 1982-05-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | Optical modulator |
| JPS59197830A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-09 | Nec Corp | 光電変換装置 |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP26110985A patent/JPS62121409A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5530829A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-04 | Fujitsu Ltd | Light detector for multiplex light wave communication |
| JPS5781230A (en) * | 1980-11-11 | 1982-05-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | Optical modulator |
| JPS59197830A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-09 | Nec Corp | 光電変換装置 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04328704A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光送受信モジュール |
| EP0597211A2 (de) * | 1992-09-16 | 1994-05-18 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Optischer Duplexer |
| EP0597211A3 (en) * | 1992-09-16 | 1994-07-27 | Sel Alcatel Ag | Optical duplexer. |
| EP0600267A1 (de) * | 1992-12-03 | 1994-06-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Bidirektionaler optischer Sende- und Empfangsmodul |
| EP0782020A3 (en) * | 1995-12-26 | 1998-01-07 | Nec Corporation | Light wavelength filtering circuit and manufacturing method thereof |
| US5841929A (en) * | 1995-12-26 | 1998-11-24 | Nec Corporation | Light wavelength filtering circuit and manufacturing method thereof |
| WO1999030195A2 (de) * | 1997-12-10 | 1999-06-17 | HEINRICH-HERTZ-INSTITUT FüR NACHRICHTENTECHNIK BERLIN GMBH | Integrierte sender-empfänger-schaltung für ein optisches duplexsystem |
| WO1999030195A3 (de) * | 1997-12-10 | 1999-07-22 | Hertz Inst Heinrich | Integrierte sender-empfänger-schaltung für ein optisches duplexsystem |
| EP1227611A2 (en) * | 2001-01-24 | 2002-07-31 | Nec Corporation | Wavelength multiplex optical communication module |
| EP1227611A3 (en) * | 2001-01-24 | 2006-07-05 | Nec Corporation | Wavelength multiplex optical communication module |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6061481A (en) | Optoelectronic circuit | |
| US5559912A (en) | Wavelength-selective devices using silicon-on-insulator | |
| KR102355831B1 (ko) | 자가-테스트 기능성을 가진 수직 입사 광검출기 | |
| US5477363A (en) | Optical switching device | |
| US20020076133A1 (en) | Guided wave optical switch based on an active semiconductor amplifier and a passive optical component | |
| CN213659025U (zh) | 一种光接收组件及光模块 | |
| JP3651876B2 (ja) | 波長多重光信号の合分波方式 | |
| WO2000002072A1 (fr) | Module optique integre | |
| JPS62121409A (ja) | 光モジユ−ル | |
| JPH07128541A (ja) | 光通信用送受信器及び光増幅器 | |
| JPH0255304A (ja) | 光集積回路 | |
| JPS61226713A (ja) | 光波長多重伝送用光モジユ−ル | |
| WO2005012972A1 (en) | Photonic integrated circuit based optical transceiver | |
| JPH081485B2 (ja) | 光波長多重伝送用モジュール | |
| KR100265858B1 (ko) | 반도체 레이저와 광검출기가 단일칩에 집적된 파장 분할 다중화 소자 | |
| US20030210865A1 (en) | Method and apparatus for coupling of optically active devices to a planar lightwave circuit | |
| JPH1152151A (ja) | 光導波路デバイス | |
| WO2023214573A1 (ja) | 光検出装置及び光レシーバ | |
| JPS59211015A (ja) | 光合分波器 | |
| JPH08234031A (ja) | ハイブリッド波長多重光モジュール | |
| JP3103417B2 (ja) | 導波路型光分波回路 | |
| EP0947861A1 (en) | Hybrid waveguiding optical device | |
| JPH0632325B2 (ja) | 光合分波器 | |
| JPS61278802A (ja) | 双方向伝送光モジユ−ル | |
| JP3663083B2 (ja) | 波長変換装置及びそれを用いた光伝送システム |