JPH081485B2 - 光波長多重伝送用モジュール - Google Patents
光波長多重伝送用モジュールInfo
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- JPH081485B2 JPH081485B2 JP60261063A JP26106385A JPH081485B2 JP H081485 B2 JPH081485 B2 JP H081485B2 JP 60261063 A JP60261063 A JP 60261063A JP 26106385 A JP26106385 A JP 26106385A JP H081485 B2 JPH081485 B2 JP H081485B2
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- optical
- layer
- waveguide layer
- coupling portion
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12002—Three-dimensional structures
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光を合波または分波する光学デバイス、す
なわち、光波長多重伝送に用いられる光合波，分波，あ
るいは合分波部を有する光モジユールに関する。
なわち、光波長多重伝送に用いられる光合波，分波，あ
るいは合分波部を有する光モジユールに関する。
光フアイバ通信における光波長多重伝送技術は経済化
をはかる上で重要である。上記光波長多重伝送におい
て、光合分波器は必須のデバイスである。
をはかる上で重要である。上記光波長多重伝送におい
て、光合分波器は必須のデバイスである。
従来、光合分波器には、干渉膜フイルタを用いる構
成、回折格子を用いる構成、プリズムを用いる構成が検
討されている。
成、回折格子を用いる構成、プリズムを用いる構成が検
討されている。
しかし、従来この種の光合分波器は非常に高価である
という問題点があり、光通信システムの適用領域拡大の
障壁になつていた。高価な原因は、上記光合分波器は個
別部品の組合せであり、構造が複雑で部品点数が多く、
組立て加工，光軸調整に時間がかかり、かつ量産化が困
難なためであつた。
という問題点があり、光通信システムの適用領域拡大の
障壁になつていた。高価な原因は、上記光合分波器は個
別部品の組合せであり、構造が複雑で部品点数が多く、
組立て加工，光軸調整に時間がかかり、かつ量産化が困
難なためであつた。
本発明の目的は、前記問題点を解決させることにあ
る。すなわち、より簡易化、経済化をはかれる光波長多
重伝送用モジユールを提供することにある。
る。すなわち、より簡易化、経済化をはかれる光波長多
重伝送用モジユールを提供することにある。
本発明は、半導体基板の上のバッファ層上に形成され
た第１の矩形状の受動導波路層の上に矩形状の中間層を
介して第２の矩形状の受動導波路層を積層させ、第２の
積層受動導波路層の端面側のその厚みをテーパ状に変化
させると共に中間層のなくなった部分で両受動導波路層
を結合させた光結合部を少なくとも１箇所設けたもので
ある。
た第１の矩形状の受動導波路層の上に矩形状の中間層を
介して第２の矩形状の受動導波路層を積層させ、第２の
積層受動導波路層の端面側のその厚みをテーパ状に変化
させると共に中間層のなくなった部分で両受動導波路層
を結合させた光結合部を少なくとも１箇所設けたもので
ある。
本発明は上記構成に加えて第１、２の受動導波路層の
片端側に半導体発光素子か、受光素子を少なくとも１
個、あるいは両方を少なくとも１個設けてもよい。
片端側に半導体発光素子か、受光素子を少なくとも１
個、あるいは両方を少なくとも１個設けてもよい。
本発明は上記構成に加えて光結合部における中間層の
厚みも第２の積層受動導波路層のテーパ構造と同方向に
テーパ状に変化させてもよい。
厚みも第２の積層受動導波路層のテーパ構造と同方向に
テーパ状に変化させてもよい。
本発明は上記構成に加えて光結合部以外の第２の受動
導波路層の上にその層の屈折率よりも低い誘導体を付加
してもよい。
導波路層の上にその層の屈折率よりも低い誘導体を付加
してもよい。
本発明は上記構成に加えて光結合部の位相整合状態に
おける波長で、その光結合部の等価屈折率が第２の受動
導波路層の屈折率よりも小さくなるように設定してもよ
い。
おける波長で、その光結合部の等価屈折率が第２の受動
導波路層の屈折率よりも小さくなるように設定してもよ
い。
本発明は上記構成に加えて第１、２の受動導波路層の
片端側を厚み、あるいは幅をテーパ状に形成してもよ
い。
片端側を厚み、あるいは幅をテーパ状に形成してもよ
い。
本発明は上記構成に加えて第１あるいは第２の受動導
波路層にＹ字型の分岐導波路を設けてもよい。
波路層にＹ字型の分岐導波路を設けてもよい。
本発明は半導体基板の上のバッファ層上に形成された
第１の矩形状の受動導波路層の上に矩形状の中間層を介
して第２の矩形状の受動導波路層を積層させ、第２の積
層受動導波路層の端面側のその厚みをテーパ状に変化さ
せた光結合部を少なくとも１箇所設け、光結合部の中間
層の屈折率を受動導波路層のそれよりも低い値で、光結
合部以外の中間層のそれと異ならしめたものである。
第１の矩形状の受動導波路層の上に矩形状の中間層を介
して第２の矩形状の受動導波路層を積層させ、第２の積
層受動導波路層の端面側のその厚みをテーパ状に変化さ
せた光結合部を少なくとも１箇所設け、光結合部の中間
層の屈折率を受動導波路層のそれよりも低い値で、光結
合部以外の中間層のそれと異ならしめたものである。
本発明は上記構成に加えて光結合部の中間層にグレー
ティングを形成させてもよい。
ティングを形成させてもよい。
本発明は上記構成に加えて光結合部の位相整合状態に
おける波長で、その光結合部の等価屈折率が第２の受動
導波路層の屈折率よりも小さくなるように設定してもよ
い。
おける波長で、その光結合部の等価屈折率が第２の受動
導波路層の屈折率よりも小さくなるように設定してもよ
い。
本発明は上記構成に加えて第１、２の受動導波路層の
片端側を厚み、あるいは幅をテーパ状に形成してもよ
い。
片端側を厚み、あるいは幅をテーパ状に形成してもよ
い。
本発明は上記構成に加えて第１あるいは第２の受動導
波路層にＹ字型の分岐導波路を設けてもよい。
波路層にＹ字型の分岐導波路を設けてもよい。
上記構成によれば、半導体基板上に受動導波路層を形
成させ、その受動導波路層の上に中間層を介してもう一
つの受動導波路を積層させ、この積層受動導波路層にテ
ーパ状に変化させると共に中間層のなくなった部分で両
受動導波路層を結合させた光結合部を設けることによ
り、狭帯域な波長選択特性で光を結合、分波させるよう
にし、そして、これら受動導波路層に半導体発光、受光
素子を結合させる１チップモノリシック形の光波長多重
伝送用モジュールが形成される。
成させ、その受動導波路層の上に中間層を介してもう一
つの受動導波路を積層させ、この積層受動導波路層にテ
ーパ状に変化させると共に中間層のなくなった部分で両
受動導波路層を結合させた光結合部を設けることによ
り、狭帯域な波長選択特性で光を結合、分波させるよう
にし、そして、これら受動導波路層に半導体発光、受光
素子を結合させる１チップモノリシック形の光波長多重
伝送用モジュールが形成される。
光結合部の中間層の屈折率を受動導波路層のそれより
も低い値で、光結合部以外の中間層のそれと異ならしめ
ることにより、結合が疎あるいは密に調整される。
も低い値で、光結合部以外の中間層のそれと異ならしめ
ることにより、結合が疎あるいは密に調整される。
本発明は半導体基板上に受動導波路層を形成させ、そ
の受動導波路層の上に中間層を介してもう一つの受動導
波路層を積層させ、この積層受動導波路層に光の伝搬方
向に沿ってテーパ状の光結合部を設けることにより、光
を結合，分波させるようにし、そして、これら受動導波
路層に半導体発光，受光素子を結合するように形成させ
た１チツプモノリシツク形の光波長多重伝送用モジユー
ルである。
の受動導波路層の上に中間層を介してもう一つの受動導
波路層を積層させ、この積層受動導波路層に光の伝搬方
向に沿ってテーパ状の光結合部を設けることにより、光
を結合，分波させるようにし、そして、これら受動導波
路層に半導体発光，受光素子を結合するように形成させ
た１チツプモノリシツク形の光波長多重伝送用モジユー
ルである。
第１図は本発明の光波長多重伝送用モジユールの一実
施例を示したもので、同図（ａ）は正面図、（ｂ）は上
面図である。本モジユールはInGaAsP/InP系材料を用い
た場合の実施例であり、２波長双方向伝送用モジユール
である。すなわち、発振波長λ１の半導体レーザ11の光
信号13−１は矢印13−３のごとくモジユールから伝送さ
れ、矢印14−１のごとくモジユール内に入つてきた波長
λ２の光信号は矢印14−２のように伝搬し、受光素子10
で受光される。12は半導体レーザ11の光信号（矢印13−
２）をモニタするための受光素子である。15は積層テー
パ型光結合部であり、矢印14−１のごとくモジユール内
に入つてきた波長λ２の光信号はこの結合部15で結合
し、矢印14−２のごとく移行して伝搬する。１はInP基
板であり、その上にInPバツフア層２が形成され、この
バツフア層２の上にInGaAsPによる活性導波路層３、InP
中間層４、第２のInGaAsPによる受動導波路層５、InPに
よる第２のクラツド層６が形成され、半導体レーザ11と
受光素子12が成長されている。またInPバツフア層２の
上にはInGaAsPによる受動導波路層７が形成され、その
上にInP中間層８を介してInGaAsPによる受動導波路層９
と受光素子10が形成されている。ここで、導波路層7,9
の屈折率n7,n9は、InP中間層８の屈折率n8よりも高くし
てある。積層テーパ型光結合部15の導波路層９と中間層
８は光の伝搬方向に沿ってテーパ状にすることにより、
この導波路層９の位相定数にテーパを持たせてある。波
長λ２において、上記結合部15のほぼ中央付近で導波路
層７の位相定数と導波路層９の位相定数が一致するよう
に設定してある（位相整合状態）。積層構造であるの
で、中間層８の膜厚、屈折率制御により、結合係数を大
きくとれるため、従来の２つの光導波路を並置する方式
に比し、結合部15の結合長を小さくすることができる。
また結合部15の等価屈折率Ｎが波長λ２においてn9より
小さくなるように、n7,n8,n9の値、テーパ形状，導波路
の幅、厚さを制御することにより、狭帯域な波長選択特
性をもたせることができる。すなわち、波長λ１とλ２
の間隔が狭い場合でも良好な分波特性をもたせることが
できる。さらに第１図の場合において、たとえば、λ１
＞λ２の場合には、結合部15のテーパ形状を波長λ１に
対してカツトオフとなるように設定することができるの
で、端面16などからの波長λ１の反射信号が結合部15を
介して受光素子10に入射するのを抑圧でき、λ１とλ２
のアイソレーシヨンを大きくとれる。
施例を示したもので、同図（ａ）は正面図、（ｂ）は上
面図である。本モジユールはInGaAsP/InP系材料を用い
た場合の実施例であり、２波長双方向伝送用モジユール
である。すなわち、発振波長λ１の半導体レーザ11の光
信号13−１は矢印13−３のごとくモジユールから伝送さ
れ、矢印14−１のごとくモジユール内に入つてきた波長
λ２の光信号は矢印14−２のように伝搬し、受光素子10
で受光される。12は半導体レーザ11の光信号（矢印13−
２）をモニタするための受光素子である。15は積層テー
パ型光結合部であり、矢印14−１のごとくモジユール内
に入つてきた波長λ２の光信号はこの結合部15で結合
し、矢印14−２のごとく移行して伝搬する。１はInP基
板であり、その上にInPバツフア層２が形成され、この
バツフア層２の上にInGaAsPによる活性導波路層３、InP
中間層４、第２のInGaAsPによる受動導波路層５、InPに
よる第２のクラツド層６が形成され、半導体レーザ11と
受光素子12が成長されている。またInPバツフア層２の
上にはInGaAsPによる受動導波路層７が形成され、その
上にInP中間層８を介してInGaAsPによる受動導波路層９
と受光素子10が形成されている。ここで、導波路層7,9
の屈折率n7,n9は、InP中間層８の屈折率n8よりも高くし
てある。積層テーパ型光結合部15の導波路層９と中間層
８は光の伝搬方向に沿ってテーパ状にすることにより、
この導波路層９の位相定数にテーパを持たせてある。波
長λ２において、上記結合部15のほぼ中央付近で導波路
層７の位相定数と導波路層９の位相定数が一致するよう
に設定してある（位相整合状態）。積層構造であるの
で、中間層８の膜厚、屈折率制御により、結合係数を大
きくとれるため、従来の２つの光導波路を並置する方式
に比し、結合部15の結合長を小さくすることができる。
また結合部15の等価屈折率Ｎが波長λ２においてn9より
小さくなるように、n7,n8,n9の値、テーパ形状，導波路
の幅、厚さを制御することにより、狭帯域な波長選択特
性をもたせることができる。すなわち、波長λ１とλ２
の間隔が狭い場合でも良好な分波特性をもたせることが
できる。さらに第１図の場合において、たとえば、λ１
＞λ２の場合には、結合部15のテーパ形状を波長λ１に
対してカツトオフとなるように設定することができるの
で、端面16などからの波長λ１の反射信号が結合部15を
介して受光素子10に入射するのを抑圧でき、λ１とλ２
のアイソレーシヨンを大きくとれる。
第２図は本発明の光波長多重伝送用モジユールの別の
実施例を示したものである。これはInGaAsPによる受動
導波路層９の上に誘電体層17を付加することにより、18
の部分での結合を生じにくくしたものである。すなわ
ち、18の部分での導波路層７と９の位相定数差を大きく
することにより、波長λ１の光信号が受光素子10へもれ
こむのを抑圧させる。誘電体層17の屈折率は受動導波路
層９の屈折率n9よりも低い値に設定される。
実施例を示したものである。これはInGaAsPによる受動
導波路層９の上に誘電体層17を付加することにより、18
の部分での結合を生じにくくしたものである。すなわ
ち、18の部分での導波路層７と９の位相定数差を大きく
することにより、波長λ１の光信号が受光素子10へもれ
こむのを抑圧させる。誘電体層17の屈折率は受動導波路
層９の屈折率n9よりも低い値に設定される。
第３図は本発明の光波長多重伝送用モジユールの別の
実施例である。これは結合部15の中間層19の屈折率を中
間層８のn8よりも大きく、屈折率n9,n7に近づけること
により、結合をより密に、逆に遠ざけることにより、結
合を疎に調整することができる。
実施例である。これは結合部15の中間層19の屈折率を中
間層８のn8よりも大きく、屈折率n9,n7に近づけること
により、結合をより密に、逆に遠ざけることにより、結
合を疎に調整することができる。
第４図は本発明の光波長多重伝送用モジユールの別の
実施例である。これは、受動導波路層９の受光素子10側
にもテーパ部20を設けたものである。このテーパ部20は
波長λ１に対して導波モードがカツトオフとなるように
選ばれる。これにより、より漏話減衰量を大きくとるこ
とが可能となる。
実施例である。これは、受動導波路層９の受光素子10側
にもテーパ部20を設けたものである。このテーパ部20は
波長λ１に対して導波モードがカツトオフとなるように
選ばれる。これにより、より漏話減衰量を大きくとるこ
とが可能となる。
第５図は結合部15の中間層部にグレーテイング21を形
成させた場合の実施例である。このグレーテイング21は
波長λ１の光は反射させ、波長λ２の光を透過させるよ
うに選ばれる。このグレーテイング21を設けることによ
り、結合部15の波長選択性をより鋭くできる。
成させた場合の実施例である。このグレーテイング21は
波長λ１の光は反射させ、波長λ２の光を透過させるよ
うに選ばれる。このグレーテイング21を設けることによ
り、結合部15の波長選択性をより鋭くできる。
第６図は本発明の光波長多重伝送用モジユールの別の
実施例である。これは３波長双方向多重伝送用モジユー
ルの場合であり、矢印14−１方向から波長λ2,λ３の光
信号がモジユール内に入射し、矢印13−３方向へ波長λ
１の光信号が出射する。波長λ２の光信号は結合部15で
結合し、矢印14−２方向へ移行する。波長λ３の光信号
は結合部23で結合し、矢印14−３のごとく移行する。
実施例である。これは３波長双方向多重伝送用モジユー
ルの場合であり、矢印14−１方向から波長λ2,λ３の光
信号がモジユール内に入射し、矢印13−３方向へ波長λ
１の光信号が出射する。波長λ２の光信号は結合部15で
結合し、矢印14−２方向へ移行する。波長λ３の光信号
は結合部23で結合し、矢印14−３のごとく移行する。
第７図は本発明の光波長多重伝送用モジユールの別の
実施例である。これは埋め込み型光導波構造の場合であ
る。25はクラッド部24に埋め込まれた受動導波路であ
る。31,32はそれぞれ発振波長がλ1,λ４の半導体レー
ザ、33,34はモニタ光検出用受光素子、30は波長λ２の
光信号を受光する受光素子、26は光合波用Ｙ字型導波路
部、27は積層テーパ形光結合部、29は受動導波路、28は
中間層部である。そして矢印35方向へ波長λ1,λ４の光
信号を出射させ、矢印36方向からの波長λ２の光信号を
入射させる。波長λ２の光信号は光結合部27を介して受
動導波路29へ移行する。
実施例である。これは埋め込み型光導波構造の場合であ
る。25はクラッド部24に埋め込まれた受動導波路であ
る。31,32はそれぞれ発振波長がλ1,λ４の半導体レー
ザ、33,34はモニタ光検出用受光素子、30は波長λ２の
光信号を受光する受光素子、26は光合波用Ｙ字型導波路
部、27は積層テーパ形光結合部、29は受動導波路、28は
中間層部である。そして矢印35方向へ波長λ1,λ４の光
信号を出射させ、矢印36方向からの波長λ２の光信号を
入射させる。波長λ２の光信号は光結合部27を介して受
動導波路29へ移行する。
本発明は上記実施例に限定されない。まず波長多重数
は４波以上でもよい。また送信用信号光と受信用信号光
はいずれも少なくとも１つ以上含んでいるか、あるいは
すべてが送信用信号光が受信用信号光であつてもさしつ
かえない。半導体レーザの代わりに発光ダイオードでも
よい。受光素子は半導体レーザ構造のもの以外に、アバ
ランシエホトダイオードでもよい。半導体材料としては
InGaAsP/InP系以外に、GaAlAs/GaAlAs系、GaAsSb/n−Al
GaAsSb系、LiNbO3系などにも適用可能なことは言うまで
もない。
は４波以上でもよい。また送信用信号光と受信用信号光
はいずれも少なくとも１つ以上含んでいるか、あるいは
すべてが送信用信号光が受信用信号光であつてもさしつ
かえない。半導体レーザの代わりに発光ダイオードでも
よい。受光素子は半導体レーザ構造のもの以外に、アバ
ランシエホトダイオードでもよい。半導体材料としては
InGaAsP/InP系以外に、GaAlAs/GaAlAs系、GaAsSb/n−Al
GaAsSb系、LiNbO3系などにも適用可能なことは言うまで
もない。
また第２図の誘電体層17は第3,4,6,7図にも適用でき
る。さらに第３図の中間層19も第2,4,5,6,7図にも適用
できる。また第４図のテーパ導波部20も第2,3,5,6,7図
に適用できる。さらに第７図のＹ字型導波路部26も第１
〜６図の実施例に適用できる。
る。さらに第３図の中間層19も第2,4,5,6,7図にも適用
できる。また第４図のテーパ導波部20も第2,3,5,6,7図
に適用できる。さらに第７図のＹ字型導波路部26も第１
〜６図の実施例に適用できる。
本発明によれば、半導体基板上に光合分波部、光素子
を一体化形成した１チツプモノリシツク形光モジユール
を得ることが可能である。しかも、より簡易、小形構造
で、かつ波長間隔の狭い複数の光信号を用いた場合にも
漏話量の非常に小さいモジユールが実現可能である。
を一体化形成した１チツプモノリシツク形光モジユール
を得ることが可能である。しかも、より簡易、小形構造
で、かつ波長間隔の狭い複数の光信号を用いた場合にも
漏話量の非常に小さいモジユールが実現可能である。
第１〜６図は本発明の実施例になる光波長多重伝送用モ
ジユールの断面図、第７図は他の実施例になるモジユー
ルの斜視図である。 １……基板、２……バツフア層、３……活性導波路層、
４……中間層、5,7,9,25,29……受動導波路層、6,24…
…クラツド層、8,19,28……中間層、10,12,22,30,33,34
……受光素子、11,31,32……半導体レーザ、13−１〜13
−3,14−１〜14−3,35,36……光の伝搬方向を示す矢
印、15,23,27……積層テーパ形光結合部、16……端面、
17……誘電体層、20……テーパ部、21……グレーテイン
グ、26……光合波部。
ジユールの断面図、第７図は他の実施例になるモジユー
ルの斜視図である。 １……基板、２……バツフア層、３……活性導波路層、
４……中間層、5,7,9,25,29……受動導波路層、6,24…
…クラツド層、8,19,28……中間層、10,12,22,30,33,34
……受光素子、11,31,32……半導体レーザ、13−１〜13
−3,14−１〜14−3,35,36……光の伝搬方向を示す矢
印、15,23,27……積層テーパ形光結合部、16……端面、
17……誘電体層、20……テーパ部、21……グレーテイン
グ、26……光合波部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松村 宏善 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 井上 宏明 東京都千代田区丸の内１丁目５番１号 株 式会社日立製作所内 (56)参考文献 特開 昭57−173818（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−110858（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−71653（ＪＰ，Ａ)
Claims (12)
- 【請求項１】半導体基板の上のバッファ層上に形成され
た第１の矩形状の受動導波路層の上に矩形状の中間層を
介して第２の矩形状の受動導波路層を積層させ、該第２
の積層受動導波路層の端面側のその厚みをテーパ状に変
化させると共に中間層のなくなった部分で両受動導波路
層を結合させた光結合部を少なくとも１箇所設けたこと
を特徴とする光波長多重伝送用モジュール。 - 【請求項２】第１、２の受動導波路層の片端側に半導体
発光素子か、受光素子を少なくとも１個、あるいは両方
を少なくとも１個設けたことを特徴とする第１項記載の
光波長多重伝送用モジュール。 - 【請求項３】光結合部における中間層の厚みも第２の積
層受動導波路層のテーパ構造と同方向にテーパ状に変化
させたことを特徴とする第１、２項記載の光波長多重伝
送用モジュール。 - 【請求項４】光結合部以外の第２の受動導波路層の上に
その層の屈折率よりも低い誘電体を付加したことを特徴
とする第１〜第３項記載の光波長多重伝送用モジュー
ル。 - 【請求項５】光結合部の位相整合状態における波長で、
その光結合部の等価屈折率が第２の受動導波路層の屈折
率よりも小さくなるように設定したことを特徴とする第
１〜４項記載の光波長多重伝送用モジュール。 - 【請求項６】第１、２の受動導波路層の片端側を厚み、
あるいは幅をテーパ状に形成したことを特徴とする第１
〜５項記載の光波長多重伝送用モジュール。 - 【請求項７】第１あるいは第２の受動導波路層にＶ字型
の分岐導波路を設けたことを特徴とする第１〜６項記載
の光波長多重伝送用モジュール。 - 【請求項８】半導体基板の上のバッファ層上に形成され
た第１の矩形状の受動導波路層の上に矩形状の中間層を
介して第２の矩形状の受動導波路層を積層させ、該第２
の積層受動導波路層の端面側のその厚みをテーパ状に変
化させた光結合部を少なくとも１箇所設け、上記光結合
部の中間層の屈折率を受動導波路層のそれよりも低い値
で、光結合部以外の中間層のそれと異ならしめたことを
特徴とする光波長多重伝送用モジュール。 - 【請求項９】光結合部の中間層にグレーティングを形成
させたことを特徴とする第８項記載の光波長多重伝送用
モジュール。 - 【請求項１０】光結合部の位相整合状態における波長
で、その光結合部の等価屈折率が第２の受動導波路層の
屈折率よりも小さくなるように設定したことを特徴とす
る第８、９項記載の光波長多重伝送用モジュール。 - 【請求項１１】第１、２の受動導波路層の片端側を厚
み、あるいは幅をテーパ状に形成したことを特徴とする
第８〜10項記載の光波長多重伝送用モジュール。 - 【請求項１２】第１あるいは第２の受動導波路層にＹ字
型の分岐導波路を設けたことを特徴とする第８〜11項記
載の光波長多重伝送用モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261063A JPH081485B2 (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光波長多重伝送用モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261063A JPH081485B2 (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光波長多重伝送用モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62121408A JPS62121408A (ja) | 1987-06-02 |
| JPH081485B2 true JPH081485B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=17356560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60261063A Expired - Lifetime JPH081485B2 (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光波長多重伝送用モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081485B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS6465508A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Sharp Kk | Integrated optical element |
| JPH0246405A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導波路光アイソレータ |
| US4969712A (en) * | 1989-06-22 | 1990-11-13 | Northern Telecom Limited | Optoelectronic apparatus and method for its fabrication |
| JP4514999B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2010-07-28 | 株式会社フジクラ | 光合分波器及び光合分波器の製造方法 |
| JP4858011B2 (ja) * | 2006-08-28 | 2012-01-18 | パナソニック電工株式会社 | 機器取付け構造 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5471653A (en) * | 1977-11-18 | 1979-06-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Waveguide type optical branching filter |
| JPS54110858A (en) * | 1978-02-20 | 1979-08-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical guide type wavelength filter |
| JPS57173818A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Waveguide type optical switch |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP60261063A patent/JPH081485B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62121408A (ja) | 1987-06-02 |
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