JPS6211833A - 導波型光ａ／ｄ変換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の要約 印加されるアナログ物理量を表わす複数の変調された光
を発生するＡ／Ｄ変換部と、Ａ／Ｄ変換部から出力され
る複数のパラレルな光信号をシリアルな光信号に変換す
るＰ／Ｓ変換部とから構成されている導波型光Ａ／Ｄ変
換装置。

［技術分野］ この発明は、光を利用して、アナログ電圧信号その他の
アナログ物理量をそれに対応する値を表わすディジタル
信号に変換する導波型の光Ａ／Ｄ変換装置に関する。

［従来技術］ 光を利用した導波型光Ａ／Ｄ変換装置は、比較的簡単な
構成でかつ高速のサンプリング（１〜２Ｇサンプル／秒
）が期待できることから、多くの人の注目を集めていや
。従来の導波型光Ａ／Ｄ変換装置の代表例が、西原、春
名、栖原「光集積回路」第１版（昭６Ｏ−２−２５）オ
ーム社ｐ　、３５Ｂ−３８１に示されている。たとえば
４ビツトのディジタル信号を得ようとする場合には４つ
光信号が基板から出力されるので、この光信号を電気信
号に変換するために４つの光電変換素子が必要となる。

８ビツトのディジタル信号を得ようとする場合には８つ
の光電変換素子を要する。基板から出力される光信号を
光ファイバで光電変換素子に導こうとする場合には、４
本または８本の光ファイバが必要である。光伝送距離が
長い場合には光ファイバの設置費用がかなり嵩むという
問題が生じる。

［発明の目的］ この発明は、最終的に得られるディジタル信号のビット
数に関係なく、１個の光電変換素子および１本の光ファ
イバで足りる導波型光Ａ／Ｄ変換装置を提供することを
目的とする。

［発明の構成と効果］ この発明による導波型光Ａ／Ｄ変換装置は、印加される
物理量に応じて光学的特性が変化する基板、基板上に導
入された光を強度のほぼ等しい複数の光に分岐させる分
岐手段、基板上に形成され。

分岐された光の強度を加えられる物理量に応じてそれぞ
れ異なる度合で変調する複数の変調素子。

基板上に形成され、変調素子から出力される複数の光を
時間的にシリアルな光信号に変換するＰ／Ｓ（パラレル
／シリアル）変換手段、Ｐ／Ｓ変換された光をその強度
を表わす電気信号に変換する光電変換素子、および光電
変換素子の出力信号を所要のレベルで弁別するコンパレ
ータを備えていることを特徴とする。

Ｐ／Ｓ変換手段が設けられ、これによって複数の変調素
子から出力される複数の光が時間的にシリアルな光信号
に変換されているので、この光信号を１本の光ファイバ
で伝送することができる。

この光信号を電気信号に変換する光電変換素子も１つで
足りる。

またこの発明では、基板上に導入された光を複数の光に
分岐させる分岐手段が設けられているから、基板には１
本の光ファイバで光を導入することが可能である。もっ
とも、半導体レーザ等の光源の光を直接に基板に光結合
させてもよい。

［実施例の説明］ １）分岐干渉形変調器を用いたＡ／Ｄ変換装置この実施
例は、アナログ電圧信号をディジタル電圧信号に変換す
るものである。

第１図において、導波型光Ａ／Ｄ変換部の基板１０とし
て電気光学効果を有するＹカットＬ　ｓ　Ｎ　ｂ　Ｏａ
が用いられている。この基板１０上には、入力光を４つ
の光に等しく分波させるための７字型光導波路２５〜２
７．光強度変調素子となる４つのマツハツエンダ型先導
波路２１〜２４および光パラレル／シリアル（Ｐ／Ｓ）
変換を行なうための光導波層１１が形成されている。

入力光は半導体レーザ１４から発生する。半導体レーザ
は７字型光導波路２５の入力側（基板１０の端面）に直
接に端面結合している。７字型光導波路２５への入力光
の導入は、光源からの光を光ファイバを用いて導きこの
光ファイバを適当な光結合器を介してまたは直接に光導
波路２５に光結合させることによっても達成される。

マツハツエンダ型光導波路２１は、入力用光導波路部分
２１ｃ、この先導波路部分２１ｃから等しい角−４一 度で分岐した２つの分岐先導波路部分２１ａ、２１ｂお
よびこれらの分岐光導波路部分２１ａ、２１ｂが合流す
る出力用光導波路部分２１ｄから構成されている。

他のマツハツエンダ型先導波路２２〜２４もこれと全く
同じ構成である。

マツハツエンダ型先導波路２Ｉの一方の分岐光導波路部
分２１ｂの両側の位置には１対の電極３１が基板ＩＯ上
に形成されている。これらの電極３１は、Ａ／Ｄ変換さ
れるべきアナログ電圧が印加される１対の端子３０に配
線パターン３５により電気的に接続されている。同様に
、他のマツハツエンダ型先導波路２２〜２４の一方の分
岐光導波路部分の両側にも１対の電極３２〜３４がそれ
ぞれ設けられ、端子３０に接続されている。１対の電極
３１が分岐光導波路部分２１ｂを挟んで重なっている部
分の長さを２６Ｌ−Ｌとする。この長さＬは分岐光導波
路部分２１ｂのアナログ電圧が印加される長さである。

同様に、他の電極３２，３３．３４の重なっている部分
の長さは２　　Ｌ−２Ｌ、２２Ｌ−４Ｌ。

２３Ｌ−８Ｌにそれぞれ設定されている。

７字型光導波路２５に導入された入力光はこの光導波路
２５によって等しく分波させられる。分波した２つの光
はそれぞれ７字型光導波路２６および２７で再び等しい
強度の２つずつの光に分かれ、４つのマツハツエンダ型
先導波路２１〜２４の入力用光導波路部分に導かれる。

このようにして１等１７い強度の光がマツハツエンダ型
先導波路２１〜２４に入力することとなる。

マツハツエンダ型光導波路２１〜２４の出力用光導波路
部分（２１ｄ等）の出力端は先導波層１１につながって
いる。光導波層ｌｌ上の一側にはインターディジタル・
トランスデユーサ（ＩＤＴと略す）１３が形成されてい
る。後述するように、高周波電圧がパルス状にＩＤＴ１
３に印加され、ＩＤＴ１３からはパルス状の弾性表面波
（ＳＡＷと略す）が発生し、先導波層１１を伝播してい
く。マツハツエンダ型光導波路２１〜２４の出力光とＳ
ＡＷとがブラッグ回折条件を満足するように、この出力
光の伝播方向（すなわち出力用光導波路部分２＋ｄ等の
方向）とＳＡＷの伝播方向（すなわちＩＤＴ１３の配置
）とが定められている。

ＳＡＷとの相互作用によってブラッグ回折された光は、
先導波層ｌｌ上に形成されたグレーティングやレンズ１
５によって集光されかつ一本の光ファイバ１Ｂに光結合
される。非回折光はレンズ１５によって集光されない。

集光手段として光導波層ｌｌ上に形成された他の導波路
レンズ（たとえばフレネルΦレンズ、ジオデシック・レ
ンズ、ルネブルグ・レンズ等）を用いることもできる。

図示のように集光された光を直接に光ファイバに導入す
ることもできるし、適当な光結合器を介してもよい。

光ファイバ１Ｂの他端は、後述する光電変換素子および
レベル弁別回路を含む電気処理部に接続されてい乞。光
ファイバ１Ｂに代えて、光電変換素子を光導波層１１に
直接に光結合させてもよい。

マツハツエンダ型光導波路２１〜２４，７字型光導波路
２５〜２７および光導波層Ｈは、たとえば基板１０上に
ＴＬをスパッタとリフトオフ法を用いて所定パターンに
　２００オングストロームの厚さに形成し。

この後、温度９７０℃１時間５時間、雰囲気ウニツト０
２の条件で熱拡散することにより作製することができる
。光導波路２１〜２７の巾は５μｍで、基板に水平な方
向と垂直な方向に対してシングル・モードの光が伝播で
きるようにする。ＩＤＴ１３および電極３１〜３４はＴ
ｉとＡｊ！の２層構造とし。

通常のりフトオフ法により作製する。ＩＤＴ１３の各電
極の巾と間隔をそれぞれ２．５μｍとすれば、光の波長
が０．２９μｍのとき、ブラック角は０．８２　’にな
る。

次にマツハツエンダ型先導波路における光の変調につい
て説明する。４つのマツハツエンダ型光導波路２１〜２
４は、電極対の長さが異なるのみで。

他の構成は全く同じであるから、これらの光導波路の代
表としてマツハツエンダ型先導波路２１について説明す
る。

マツハツエンダ型光導波路２１の入力用光導波路部分２
１ｅを伝播する光は２つの分岐先導波路部分２１ａ、２
１ｂに等しく分波してこれらの光導波路部分２１ａ、２
１ｂを進み、出力用光導波路部分２１ｄにおいて合波さ
れる。２つの分岐先導波路部分２１ａ、２１ｂの長さ１
１．Ｊ２　（破線で示すように分岐点から合流点までの
長さ）が等しい場合には１分岐光導波路部分２１ａ、２
１ｂを伝播する２つの光は、１つの光から分岐されたも
のであるから、出力用先導波路部分２１ｄで合波す゛る
ときに位相が一致している。

したがって、伝播損失を考慮しなければ、出力用光導波
路部分２１ｄで得られる光の強度は入力用先導波路部分
２１ｃにおけるそれに等しい。一般的にいうと２分岐先
導波路部分２１ａ、２１ｂを伝播してきた２つの光が出
力用光導波路部分２１ｄで合波するときにそれらの位相
差が２ｍπ（ｍは０．および整数）であれば、出力用光
導波路部分２１ｄからはマツハツエンダ型先導波路２１
に入力した光と同じ強度（これを最大強度Ｉ　　という
）の光が得られａＸ る。２つの光の位相差が２ｍπということを１分岐光導
波路部分２１ａ、２１ｂの長さの差ΔＩ！−１１−１１
２で表わすと１次のように表現される。

ΔＲ−ｍ・　（λｏ／ｎ）　　　　　　　・・・（１）
ここでｎは光導波路の屈折率、λ０は真空中での光の波
長である。

分岐光導波路部分２１ａ、２１．ｂの長さの差Δでか次
の関係にある場合には、これらの光導波路部分２１ａ、
２１ｂを伝播してきた光は出力用光導波路部分２１ｄで
合波するときにその位相差が（２ｍ＋１）πとなる。

ΔＲ−［（２ｍ＋１）／２］　　・　（λ。／ｎ）・・
・（２） この場合には逆位相の２つの光が重ね合わされることに
なるから、出力用光導波路部分２１（１に得られる光強
度は０になる。

さて、　　Ｌ　ｉＮ　ｂ　Ｏａは電気光学効果をもつ結
晶であるから、電界を印加するとその屈折率が変化する
。基板１０）Ｚ方向に電界Ｅ　（Ｅ＝Ｖ／ｄ、Ｖ：印加
電圧、ｄ：１対の電極間の間隔）を加えると。

屈折率がΔｎ＝−（ｎ　　／２）　・γ　・Ｅたけ変化
する。ここでγ３３は電気光学定数である。この屈折率
が変化した部分を伝播する光の位相はΔφ＝（２π／λ
　）・で・　（−ｎ／２）　　φγ３３壷Ｅ変化する。

ここで（は電界が加えられる部分の長さである。マツハ
ツエンダ型光導波路２１においては４＝Ｌであり、他の
マツハツエンダ型光導波路２２，２３．２４ではそれぞ
れｊｌ！＝２Ｌ、４Ｌ、８Ｌとなる。

分岐光導波路部分（２１ａ、２１ｂ等）を伝播する２つ
の光の位相差をπたけ変化させるのに要する電圧を半波
長電圧Ｖ　という。４つのマツハツエンπ ダ型光導波路２１〜２４では長さでか異なるから半波長
電圧Ｖ　も異なる。マツハツエンダ型光導波路π ２１の半波長電圧をＶ　とすれば、マツハツエンダπ 型光導波路２２，２３．２４の半波長電圧はそれぞれＶ
□／２．Ｖ　　／４．Ｖ　　／８となる。このようにし
π　　　　　　　　　　　　π て、４つのマツハツエンダ型光導波路２１〜２４は感度
とダイナミック−レンジの異なる変調素子となる。

第２図は２分岐光導波路部分２１ａ、２１ｂの長さの差
Δ℃が第（１）式を満たす場合における電極３１間への
印加電圧と出力用光導波路部分２１ｄに得られる光の強
度との関係を示している。−に述のように一方の分岐光
導波路部分２１ｂで印加電圧に応じて光の位相が変化す
るので、出力光強度はＩ＝Ｉ　　　ｃｏｓ２（Δφ／２
）にしたがって変ｌ１ａｘ 化する。印加電圧が±２ｍＶ　　のときに最大強度π ■　　の光が得られ、印加電圧が士（２ｍ＋１）ｍａｘ ■　のときに光の強度は０になる。

π 第３図は９分岐光導波路部分２１ａ、２１ｂの長さの差
Δ（が第（２）式を満足する場合における電極３１間へ
の印加電圧と出力用光導波路部分２１ｄに得られる光の
強度との関係を示している。印加電圧が±（２ｍ＋１）
Ｖ　　のときに最大強度Ｉ　　の光π　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　ｌ１ｌａｘが得られ、印加
電圧が±２ｍｖ７ｒのときに光の強度は０になる。

第４図は、第３図のような特性が得られる条件下（すな
わち（２）式を満足する場合）において。

４つのマツハツエンダ型光導波路２１〜２４から得られ
る出力光強度（縦軸）を端子３０に印加されるアナログ
電圧（横軸）に対して示したものである。

印加電圧は便宜的に多数のディスクリートな領域Ａ−Ｐ
に分割されている。光強度曲線は便宜的に電極長をパラ
メータとして示されている。すなわ一　　１２　− ち、Ｌはマツハツエンダ型光導波路２１の出力光強度で
あり、２Ｌ、４Ｌ、８Ｌはそれぞれ光導波路２２．２３
．２４の出力光強度である。これらの出力光を光電変換
素子によって電気信号に変換した場合のその出力信号曲
線もこの光強度曲線と同形または反転した形となる。

このような波形の光電変換素子出力信号を。

Ｉ　　　／２のスレシホールドφレベルＩ　をもつｍａ
ｘ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　ｓレベル弁別回路でレ
ベル弁別して２値化すると。

第４図の下半部に示すようにアナログ電圧を表わす４ビ
ツトのディジタル信号が得られる。端子３０間に印加さ
れるアナログ電圧信号がこのようにして４ビツト・ディ
ジタル信号に一義的に変換されることが容易に理解でき
よう。Ａ／Ｄ変換の精度は上述の分割された電圧領域の
巾となる。

第２図に示されるような特性が得られる条件下（すなわ
ちΔでが（１）式を満足する場合）においても、同様に
アナログ印加電圧を表わす４ビツト・ディジタル信号が
得られるのはいうまでもない。

また弁別レベルは任意のレベルでよく、複数のしベルで
弁別してもよい。

さて、第１図に戻って、ｌＤＴ＋３から発生したパルス
状のＳＡＷが光導波層１１を伝播していく過程で、まず
マツハツエンダ型光導波路２４の出力光と相互作用しこ
の出力光を回折させる。このときにはＳＡＷは他のマツ
ハツエンダ型光導波路２３〜２１の出力光とは相互作用
しない。次にＳＡＷはマツハツエンダ型光導波路２３の
出力光と相互作用しこの出力光を回折させる。このよう
にして、４つのマツハツエンダ型先導波路２４〜２１の
出力光は順次ＳＡＷによって回折されるから９時間軸上
でシリアルな光信号となる。したがって、集光されたシ
リアルな回折光を１本の光ファイバによって伝送するこ
とが可能となる。

基板１０が２カツトし１Ｎｂ０３の場合には、マツハツ
エンダ型光導波路２１の分岐光導波路部分２１ａ、　２
１ｂの両方の」二に電極３１が設けられる。電極３１間
に電圧が印加されると分岐光導波路部分２１ａ。

２１ｂの一方で屈折率が増大し、他方で減少し、これら
を伝播する光に位相差が生じ、上述した場合と同じよう
に出力用先導波路部分２１ｄから出力される光の強度が
変調される。他のマツハツエンダ型光導波路２２〜２４
についても同様である。

ディジタル信号に変換されるアナログ物理量は電圧に限
られない。光、温度、圧力、湿度、ガス濃度等のセンサ
を設けこの出力電圧を端子８０間に印加してもよいし、
マツハツエンダ型光導波路の屈折率がこれらの物理量に
よって直接に変化するような光導波路材料、基板材料を
用いることも可能であるし、そのような物質を先導波路
上に装荷してその屈折率等を変化させることにより光変
調素子を構成することもできる。

もちろん、基板上に形成するマツハツエンダ型光導疲路
の数も任意に設定できる。そして、光強度変調素子とし
ては、上述のマツハツエンダ型光導波路を利用したもの
および後述するファプリー・ペロー型のもの以外に、た
とえば光導波路間の方向性結合器を利用したもの、特願
昭５７−８６１７８号（特開昭５８−２０２４０６号公
報）の導波形光ビームφスプリッタを利用したものなど
を挙げることがで＝　　１５　　＝ きる。

基板上への光導波路の作成も種々の方法によりこれを行
なうことができる。

２）ファプリーψベロー型変調器を用いたＡ／Ｄ変換装
置 この実施例では導波型光Ａ／Ｄ変換部が４つのファプリ
ー・ペロー型変調器で構成されている。

第５図において第１図に示すものと同一物には同一符号
が付けられている。

基板ｌＯ上にはマツハツエンダ型先導波路に代えて、Ｙ
字型先導波路２６．２７の４つの出力端に連続しかつ互
いに平行に４つの先導波路５１〜５４が形成されている
。これらの光導波路５１〜５４は光導波層１１に結合し
ている。これらの光導波路５１〜５４のそれぞれの両側
には各１対の電極３１〜３４がそれぞれ設けられている
。この実施例では光導波路５１の電極８１の重なり合う
部分の長さが最も長く、光導波路５４の電極３４のそれ
が最も短く形成されている。

これらの電極３１．３２，３３．３４の互いに重なり合
っている部分の長さは８Ｌ、４Ｌ、２Ｌ、Ｌとなってい
る。各先導波路５１〜５４の両端部付近をそれぞれ横切
るように、共振器を構成するための溝４８．４９がそれ
ぞれ形成されている。さらに位相調整用の電極４１〜４
４が各光導波路５１〜５４の両側であって電極３１〜３
４以外の部分に形成されている。

基板ｌＯ上に、Ｔｉの熱拡散により光導波路２５〜２７
．５１〜５４および光導波層１１が形成される。　・こ
の後、基板１０表面上に再度レジストを均一に塗布し、
かつ溝４８．４９を形成すべき部分を除いて露光するこ
とにより、これらの部分上においてのみレジストを残す
。そして、Ｔｉを３μｍ程度の厚さにスパッタしたのち
上記のレジストを除去すると、溝４８．４９を形成すべ
き部分を除いて基板１０の全表面がＴｉ膜で覆われるこ
とになる。Ａｒイオン・ビーム拳エツチングを行なうと
、Ｔｉ膜によってマスクされていない部分に溝４８．４
９が形成される。これらの溝４１１１．４９の深さは光
導波路５１等の深さよりも深くする（第６図および第７
図参照）。これらの溝４８．４９の互いに向い合う壁面
Ｃ１Ｄが共振器面となる。

さらにこの後、Ｔｉ膜を除去して、電圧印加用電極３１
〜３４１位相調整用電極４１〜４４およびＩＤＴ１３が
リフトオフ法により作製される。これらの電極３Ｉ〜３
４．４１〜４４と基板１０表面との間には、好ましくは
バッファ層となる２０００人の厚さの８１０２膜が介装
される。

光導波路（たとえば５１）と溝４８□４９はファプリー
争ベロー型光変調器を構成しており、上述のように溝４
８．４９のＣ，Ｄ面が共振器面となっている。

この光導波路５１の両側には電圧印加用電極３１と位相
調整用電極４１とがそれぞれ設けられており、これらの
電極に電圧が印加されることにより共振器面Ｃ，Ｄ間を
伝搬する光の位相が変化し、光導波路５１から出射され
る光の強度が変化する。一般に。

印加電圧を■、電極間隔をｄとすると、光導波路を巾方
向に横切る方向に発生する電界の強さはＶ／ｄで与えら
れる。電極の長さが（、電界方向がＺ方向であるならば
、　　Ｌ　ｉＮ　ｂ　Ｏ３結晶の場合には、光の位相変
化量δはδ−ｎ　・Ｔ３３・■・（／２ｄで与えられる
。先導波路の入射光の強度を１．、出射光強度をＩ　と
した場合、これらのｔ 比Ｉ　　／Ｉ、は位相変化量δに対して周期的に変を 化する。この変化の様子が第８図に示されている。

この図においてｍは整数である。以トの現象はすべての
光導波路５１〜５４を伝播しかつ出力される光に対して
同じようにあてはまる。

光導波路５１に着目する。電極３１間に電圧■が印加さ
れると、この光導波路５１を伝播する光に位相変化が現
われ、それはｎ　・Ｔ３３・Ｖ・８Ｌ／２ｄで与えられ
る。位相調整用電極４１に適当なバイアス電圧を加え、
Ｖ＝Ｏでの光の位相すなわち出射光の強度を適切にとる
と光導波路５１からは。

第９図（ｂ）に示すような印加電圧■に対する出力光強
度が得られる。第９図（ａ）は印加電圧に対する光の位
相変化量を示している。光導波路５１の出力光を光電変
換素子で電気信号に変換し、増幅器で増幅したのち、レ
ベル弁別回路で適当なスレシホールド争レベルＩ　で弁
別することにより２値化すると、第９図に（ｅ）で示す
信号が得られる。

光導波路５２の両側に設けられた電極３２の長さは４Ｌ
であり、電極３１の長さの１／２であるから。

光導波路５２の光の位相変化Ｍはｎ　・Ｔ３３・Ｖ・４
　Ｌ／２　ｄとなる。したがって、第９図（ｄ）に示さ
れるように、光導波路５２の出力光から得られる２値化
信号の周期は光導波路５１の出力光のそれの２倍となる
。この場合にももちろん２位相調整用電極４２間に適当
なバイアスが加えられている。

同様にして光導波路５３を挾む電極３３の長さは２して
あり、光導波路５４の電極３４の長さはＬであるから、
これらの光導波路５３．５４の出力光から生成される２
値化信号は第９図（ｅ）　、　（ｆ）で示されるように
周期が２．２３倍となる。

２値化信号（１または０）を印加電圧の各領域に対して
示すと次表のようになる。

（以下余白） ［ 端子３０間に印加されるアナログ電圧信号がこの表のよ
うなグレーコードのディジタル値に変換され、かつこの
ディジタル値はアナログ電圧信号を一義的に表わしてい
ることが理解されよう。量子化による誤差は印加電圧の
各領域の１１となる。

光導波路５４〜５１から出力される光はＩＤＴ＋３から
発生するパルス状ＳＡＷによって偏向され、レンズ１５
によって集光されて光ファイバ１６に入射し。

シリアルな４ビット信号として光電変換素子に導かれる
のはいうまでもない。

第４図の下半分に示す４ビット信号と一上述の表に示す
４ビット信号とは若干光なっている。これは、第５図に
示す実施例では位相調整用電極４１〜４４が設けられ、
この電極に適当な電圧が印加されているからである。

ファプリー・ペロー型の光変調器には、第５図に示すも
の以外に１種々の共振面の態様がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第１の実施例を示す斜視図である。 第２図および第３図は印加電圧と出力光強度の関係を示
すグラフである。 第４図は、印加電圧と４つのマツハツエンダ型光導波路
の出力光強度との関係および出力光強度を２値化するこ
とにより得られる４ビット信号を示すものである。 第５図はこの発明の第２の実施例を示す斜視図である。 第６図および第７図は第５図のＶｌ−Ｖｌ線および■−
■線にそれぞれそう拡大断面図である。 第８図はファプリー・ペロー共振器の光位相変化に対す
る出力光の特性を示すグラフである。 第９図は出力信号波形を示す波形図である。 ｌＯ・・・基板、１１・・・光導波層、１３・・・ＩＤ
Ｔ。 ２１〜２４・・・マツハツエンダ型光導波路。 ２５〜２７・・・７字型光導波路。 ３１〜３４・・・アナログ電圧印加用電極。 ４１〜４４・・・位相調整用電極。 ４８．４９・・・溝、　　５１〜５４・・・光導波路。 −２３＝ Ｃ，Ｄ・・・ミラー面。 以　　　−に 特許出願人　　立石電機株式会社 代　　理　　人　　　牛　　久　　健　　間外１名 第２図 晃 −９４ら− 第４図 第８図 第９図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 印加される物理量に応じて光学的特性が変化する基板。 基板上に導入された光を強度のほぼ等しい複数の光に分
   岐させる分岐手段、 基板上に形成され、分岐された光の強度を加えられる物
   理量に応じてそれぞれ異なる度合で変調する複数の変調
   素子、 基板上に形成され、変調素子から出力される複数の光を
   時間的にシリアルな光信号に変換するＰ／Ｓ変換手段、 Ｐ／Ｓ変換された光をその強度を表わす電気信号に変換
   する光電変換素子、および 光電変換素子の出力信号を所要のレベルで弁別するコン
   パレータ、 を備えた導波型光Ａ／Ｄ変換装置。