JPS62111A - マイクロ波電力増幅器 - Google Patents
マイクロ波電力増幅器Info
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- JPS62111A JPS62111A JP13939685A JP13939685A JPS62111A JP S62111 A JPS62111 A JP S62111A JP 13939685 A JP13939685 A JP 13939685A JP 13939685 A JP13939685 A JP 13939685A JP S62111 A JPS62111 A JP S62111A
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- Japan
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- circuited
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
信号周波数でオンオフ動作を行う増幅素子の出力端に接
続された信号周波数に共振する主ストリップ線路に対し
て、それぞれ異なる偶数次高調波に対して短絡となる任
意数の共振素子を増幅素子の出力端からみてその周波数
で短絡となる位置でそれぞれ主ストリップ線路に結合す
るとともに、それぞれ異なる奇数次高調波に対して短絡
となる任意数の共振素子を増幅素子の出力端からみてそ
の周波数で開放となる位置でそれぞれ主ストリップ線路
に結合することによって、Ｆ級モード動作を行わせて、
電力増幅器を高効率化する。
続された信号周波数に共振する主ストリップ線路に対し
て、それぞれ異なる偶数次高調波に対して短絡となる任
意数の共振素子を増幅素子の出力端からみてその周波数
で短絡となる位置でそれぞれ主ストリップ線路に結合す
るとともに、それぞれ異なる奇数次高調波に対して短絡
となる任意数の共振素子を増幅素子の出力端からみてそ
の周波数で開放となる位置でそれぞれ主ストリップ線路
に結合することによって、Ｆ級モード動作を行わせて、
電力増幅器を高効率化する。
本発明はマイクロ波用の電力増幅器に関し、特にＦ級モ
ード動作を行うことによって効率を向上させた、マイク
ロ波電力増幅器に関するものである。
ード動作を行うことによって効率を向上させた、マイク
ロ波電力増幅器に関するものである。
マイクロ波における送信回路を駆動するために必要な電
力は、その殆どすべてを電力増幅器が消費する。従って
例えば可搬型通信機等において、電力増幅器の効率は駆
動電源の大きさや放熱器の大きさ等を決定する要因とな
るものである。このため通信機の性能向上や重量９寸法
の削減に直結する、電力増幅器の効率向上を図ることが
要望されている。
力は、その殆どすべてを電力増幅器が消費する。従って
例えば可搬型通信機等において、電力増幅器の効率は駆
動電源の大きさや放熱器の大きさ等を決定する要因とな
るものである。このため通信機の性能向上や重量９寸法
の削減に直結する、電力増幅器の効率向上を図ることが
要望されている。
これに対してＦ級モード動作電力増幅器は、その効率が
極めて高いという特長を有しているが、従来知られてい
る構成のものは、マイクロ波用としては必ずしも適切で
はなかった。
極めて高いという特長を有しているが、従来知られてい
る構成のものは、マイクロ波用としては必ずしも適切で
はなかった。
本発明はマイクロ波用として好適な、改良されたＦ級モ
ード動作のマイクロ波電力増幅器を提供するものである
。
ード動作のマイクロ波電力増幅器を提供するものである
。
第５図は従来のＦ級モード動作電力増幅器の構成を示し
たものである。同図において、１はＦＥＴであって、高
周波チョーク２を介して電源＋ｖｐをそのドレインＤに
供給されているとともに、そのゲートＧに高周波の励振
を与えられ、ソースＳは接地されている。ＦＥＴ ｌの
ドレインＤにおける高周波出力は、結合コンデンサ３お
よびλ／４（λは信号周波数）同軸線路４を経てタンク
回路（Ｌ、Ｃ）５に加えられて信号出力を生じ、負荷抵
抗（ＲＬ）６において消費される。
たものである。同図において、１はＦＥＴであって、高
周波チョーク２を介して電源＋ｖｐをそのドレインＤに
供給されているとともに、そのゲートＧに高周波の励振
を与えられ、ソースＳは接地されている。ＦＥＴ ｌの
ドレインＤにおける高周波出力は、結合コンデンサ３お
よびλ／４（λは信号周波数）同軸線路４を経てタンク
回路（Ｌ、Ｃ）５に加えられて信号出力を生じ、負荷抵
抗（ＲＬ）６において消費される。
第６図は第５図に示された電力増幅器における各部信号
波形を示したものであって、（ａ）はドレインＤの電圧
波形、（ｂｌは負荷６におけ°る電圧波形、（Ｃ）はド
レインＤにおける電流波形、＋ｄ）は負荷抵抗６におけ
る電流波形である。
波形を示したものであって、（ａ）はドレインＤの電圧
波形、（ｂｌは負荷６におけ°る電圧波形、（Ｃ）はド
レインＤにおける電流波形、＋ｄ）は負荷抵抗６におけ
る電流波形である。
第５図において、タンク回路５のインピーダンスは信号
周波数に対しては無限大である。同軸線路４は、偶数次
高調波に対しては半波長線路と等価になり、奇数次高調
波に対しては１／４波長線路と等価になるので、ＦＥＴ
１のドレインは接地に対して、偶数次高調波では短絡
となり、奇数次高調波では開放となる。ＦＥＴ １は信
号の半周期に対してはオンとなり、残りの半周期はオフ
となるように励振される。従ってＦｉｌ！７１のドレイ
ン電圧はオンのときはゼロであるが、オフのときは奇数
次高調波のみが現れるので、第６図（ａｌに示すように
矩形波状となり、その振幅は２Ｖ、である。
周波数に対しては無限大である。同軸線路４は、偶数次
高調波に対しては半波長線路と等価になり、奇数次高調
波に対しては１／４波長線路と等価になるので、ＦＥＴ
１のドレインは接地に対して、偶数次高調波では短絡
となり、奇数次高調波では開放となる。ＦＥＴ １は信
号の半周期に対してはオンとなり、残りの半周期はオフ
となるように励振される。従ってＦｉｌ！７１のドレイ
ン電圧はオンのときはゼロであるが、オフのときは奇数
次高調波のみが現れるので、第６図（ａｌに示すように
矩形波状となり、その振幅は２Ｖ、である。
このドレイン電圧の基本周波数成分のみが負荷６に現れ
るが、その位相はλ／４同軸線路４によって９０°遅れ
る（第６図（ｂ））。また負荷６における電流はこれと
同相である（第６図（ｄ））。
るが、その位相はλ／４同軸線路４によって９０°遅れ
る（第６図（ｂ））。また負荷６における電流はこれと
同相である（第６図（ｄ））。
一方、ＦＥＴ １がオフのときドレイン電流はゼロとな
るが、オンのときは同軸線路４が奇数次高調波に対して
開放なので、ドレイン電流は基本波と偶数次高調波のみ
からなり、従ってドレイン電流は第６図（ｃｌに示すよ
うに半波整流波形を形成する。
るが、オンのときは同軸線路４が奇数次高調波に対して
開放なので、ドレイン電流は基本波と偶数次高調波のみ
からなり、従ってドレイン電流は第６図（ｃｌに示すよ
うに半波整流波形を形成する。
このようにＰＩ！Ｔ １のオフ時、ドレインＤに現れる
奇数次高調波電圧によっては電流が流れないので、電力
消費が発生しない。またＦＥＴ １のオン時、ドレイン
Ｄを経て流れる偶数次高調波電流は、タンク回路５．同
軸線路４を介して循環するが、その間の電圧降下がゼロ
なのでやはり電力消費を生じない、従ってＦＥＴ １の
ドレインにおける直流入力はすべて負荷６において基本
周波数信号として消費されることとなり、その効率は理
想的には１００％である。実際にはＦｌ！Ｔ １の飽和
抵抗（Ｒｏｎ）７に基づいてドレイン電流に歪を生じ、
効率は１００％にはならない。なおこのようなＦ級モー
ド動作電力増幅器については、フレデリック・Ｈ・ラー
ゲｒ ＰＥＴを電力増幅器に使って送信機の効率を上げ
る」日経エレクトロニクス Ｌ９７６．９．２０ ｐ、
１１７〜１２６等において詳細に記載されている。
奇数次高調波電圧によっては電流が流れないので、電力
消費が発生しない。またＦＥＴ １のオン時、ドレイン
Ｄを経て流れる偶数次高調波電流は、タンク回路５．同
軸線路４を介して循環するが、その間の電圧降下がゼロ
なのでやはり電力消費を生じない、従ってＦＥＴ １の
ドレインにおける直流入力はすべて負荷６において基本
周波数信号として消費されることとなり、その効率は理
想的には１００％である。実際にはＦｌ！Ｔ １の飽和
抵抗（Ｒｏｎ）７に基づいてドレイン電流に歪を生じ、
効率は１００％にはならない。なおこのようなＦ級モー
ド動作電力増幅器については、フレデリック・Ｈ・ラー
ゲｒ ＰＥＴを電力増幅器に使って送信機の効率を上げ
る」日経エレクトロニクス Ｌ９７６．９．２０ ｐ、
１１７〜１２６等において詳細に記載されている。
Ｆ級モード動作の電力増幅器においては、出力の偶数次
高調波成分に対しては短絡となり、奇数次高調波成分に
対しては開放となるインピーダンス素子を増幅素子の出
力端に接続することによって、高効率を実現しており、
第５図に示された従・末技術においては、このようなイ
ンピーダンスを実現するものとしてλ／４同軸線路と並
列共振回路とを用いている。
高調波成分に対しては短絡となり、奇数次高調波成分に
対しては開放となるインピーダンス素子を増幅素子の出
力端に接続することによって、高効率を実現しており、
第５図に示された従・末技術においては、このようなイ
ンピーダンスを実現するものとしてλ／４同軸線路と並
列共振回路とを用いている。
しかしながらマイクロ波用のＦ級モード動作電力増幅器
としては、上述のインピーダンス素子はその大きさの点
等から必ずしも適切なものではない。またマイクロ波素
子の出力容量および出力インダクタンス等の影響によっ
て、上述のような単純な回路では、理想的なＦ級モード
動作条件からずれることになるという問題がある。
としては、上述のインピーダンス素子はその大きさの点
等から必ずしも適切なものではない。またマイクロ波素
子の出力容量および出力インダクタンス等の影響によっ
て、上述のような単純な回路では、理想的なＦ級モード
動作条件からずれることになるという問題がある。
第１図は本発明の原理的構成を示したものである。
１０１は増幅素子であって、直流電源■ｂ と接地間に
接続されており、入力信号周波数で制御されてオンオフ
動作を行う。
接続されており、入力信号周波数で制御されてオンオフ
動作を行う。
１０２は主ストリップ線路であって、例えばλ／４（λ
は信号周波数）の長さからなり、増幅素子の出力端に接
続されていて、信号周波数に対して共振する。
は信号周波数）の長さからなり、増幅素子の出力端に接
続されていて、信号周波数に対して共振する。
１０３は任意数の共振素子であって、それぞれ異なる偶
数次高調波に対して共撮し、増幅素子の出力端において
それぞれの共振周波数において短絡となる位置で主スト
リップ線路に結合されている。
数次高調波に対して共撮し、増幅素子の出力端において
それぞれの共振周波数において短絡となる位置で主スト
リップ線路に結合されている。
１０４は任意数の共振素子であって、それぞれ異なる奇
数次高調波に対して共振し、増幅素子の出力端において
それぞれの共振周波数において開放となる位置で主スト
リップ線路に結合されている。
数次高調波に対して共振し、増幅素子の出力端において
それぞれの共振周波数において開放となる位置で主スト
リップ線路に結合されている。
増幅素子の出力端に接続された信号周波数に共振する主
ストリップ線路に結合された各共振素子によって、出力
の偶数次高調波に対しては短絡となり、奇数次高調波に
対しては開放となるので、信号周波数でオンオフ動作す
る電力増幅器のＦ級モード動作が実現され電力増幅器の
高効率化が達成される。
ストリップ線路に結合された各共振素子によって、出力
の偶数次高調波に対しては短絡となり、奇数次高調波に
対しては開放となるので、信号周波数でオンオフ動作す
る電力増幅器のＦ級モード動作が実現され電力増幅器の
高効率化が達成される。
第２図は本発明の一実施例を示す図であって、１１はＰ
Ｉ！Ｔ 、 １２は入力側整合回路、１３は入力端子、
１４はゲート電源、１５は基本周波数に対してほぼλ／
４の主ストリップ線路、１６−１〜１６−ｎ、 １７−
１〜１７−ｎはＬＣ直列共振回路、１８は出力側整合回
路、１９は出力端子、２０はドレイン電源である。
Ｉ！Ｔ 、 １２は入力側整合回路、１３は入力端子、
１４はゲート電源、１５は基本周波数に対してほぼλ／
４の主ストリップ線路、１６−１〜１６−ｎ、 １７−
１〜１７−ｎはＬＣ直列共振回路、１８は出力側整合回
路、１９は出力端子、２０はドレイン電源である。
第２図において、ＰＥ７１１はそのゲートＧに入力側整
合回路１２を経て入力端子１３から周波数ｆの励振を与
えられ、そのドレインＤにおける基本波出力は主ストリ
ップ線路１５によって共振され、出力側整合回路１８を
介して出力端子１９に信号出力が取り出される。ＦＥＴ
１１はそのソースＳを接地されており、ゲート電源１
４からゲート電圧−Ｖ（１を与えられ、ドレイン電源２
０からドレイン電圧ｖｏ を与えられる。
合回路１２を経て入力端子１３から周波数ｆの励振を与
えられ、そのドレインＤにおける基本波出力は主ストリ
ップ線路１５によって共振され、出力側整合回路１８を
介して出力端子１９に信号出力が取り出される。ＦＥＴ
１１はそのソースＳを接地されており、ゲート電源１
４からゲート電圧−Ｖ（１を与えられ、ドレイン電源２
０からドレイン電圧ｖｏ を与えられる。
ＬＣ直列共振回路１６−１〜１６−ｎは主ストリップ線
路１５に分路的に接続されており、その位置はＦＥ７１
１のドレインＤからみたとき、それぞれ第２高調波ｆ２
〜第２ｎ高調波ｆ ２ｎに対して短絡となる位置、すな
わち出力端またはこれからそれぞれの周波数における１
／２波長の整数倍隔たった位置になっている。またＬＣ
直列共振回路１７−１〜１７−ｎは、例えば主ストリッ
プ線路１５に対してＬＣ直列共振回路１６−１〜１６−
ｎと反対側に、主ストリップ線路１５に分路的に接続さ
れており、その位置はＰＥ７１１のドレインＤからみた
とき、それぞれ第３高調波ｆ３〜第２０＋１高調波ｆ
２ｎ＋１に対して開放となる位置、すなわち出力端から
その周波数における１／４波長隔たった位置、またはこ
れからそれぞれの周波数における１／２波長の整数倍隔
たった位置になっている。ＬＣ直列共振回路１６−１〜
１６−ｎおよび１７−１〜１７−ｎはそれぞれＰＥＴ
１１のドレインＤから一般には高次の順に配列されるが
、必ずしもこれに限らず、このような位置からその周波
数における１／２波長の整数倍隔たった位置に配置して
もよい。
路１５に分路的に接続されており、その位置はＦＥ７１
１のドレインＤからみたとき、それぞれ第２高調波ｆ２
〜第２ｎ高調波ｆ ２ｎに対して短絡となる位置、すな
わち出力端またはこれからそれぞれの周波数における１
／２波長の整数倍隔たった位置になっている。またＬＣ
直列共振回路１７−１〜１７−ｎは、例えば主ストリッ
プ線路１５に対してＬＣ直列共振回路１６−１〜１６−
ｎと反対側に、主ストリップ線路１５に分路的に接続さ
れており、その位置はＰＥ７１１のドレインＤからみた
とき、それぞれ第３高調波ｆ３〜第２０＋１高調波ｆ
２ｎ＋１に対して開放となる位置、すなわち出力端から
その周波数における１／４波長隔たった位置、またはこ
れからそれぞれの周波数における１／２波長の整数倍隔
たった位置になっている。ＬＣ直列共振回路１６−１〜
１６−ｎおよび１７−１〜１７−ｎはそれぞれＰＥＴ
１１のドレインＤから一般には高次の順に配列されるが
、必ずしもこれに限らず、このような位置からその周波
数における１／２波長の整数倍隔たった位置に配置して
もよい。
このように構成されている結果、ＦＥＴ １１のドレイ
ンＤに接続されているインピーダンスは出力の各偶数次
高調波成分に対しては短絡となり、各奇数次高調波成分
に対しては開放となって、Ｆ級モード動作が行われる。
ンＤに接続されているインピーダンスは出力の各偶数次
高調波成分に対しては短絡となり、各奇数次高調波成分
に対しては開放となって、Ｆ級モード動作が行われる。
この場合、各ＬＣ直列共振回路１６−１〜１６−ｎおよ
び１７−１〜１７−ｎの定数および主ストリップ線路１
５に対する接続位置は、それぞれ独立に変えることがで
きる。従って各高調波に対する共振周波数および位相を
それぞれ独立に調節することができるので、ＦＥＴ １
１の出力容量Ｃｏ、出力インダクタンスＬｏにばらつき
がある場合でも、各高調波に対してそれぞれ完全に短絡
または開放となるように調整することができ、従ってＦ
級モード本来の動作をマイクロ波帯で実現することがで
きる。
び１７−１〜１７−ｎの定数および主ストリップ線路１
５に対する接続位置は、それぞれ独立に変えることがで
きる。従って各高調波に対する共振周波数および位相を
それぞれ独立に調節することができるので、ＦＥＴ １
１の出力容量Ｃｏ、出力インダクタンスＬｏにばらつき
がある場合でも、各高調波に対してそれぞれ完全に短絡
または開放となるように調整することができ、従ってＦ
級モード本来の動作をマイクロ波帯で実現することがで
きる。
〔第２の実施例〕
第３図は本発明、の他の実施例を示したものであって、
第２図におけると同じ部分を同じ番号で示し、２１−１
〜２１−ｎ、 ２２−１〜２２−ｎはλ／２ストリップ
線路共振器である。
第２図におけると同じ部分を同じ番号で示し、２１−１
〜２１−ｎ、 ２２−１〜２２−ｎはλ／２ストリップ
線路共振器である。
λ／２ストリップ線路共振器２１−１〜２１−ｎはＬ字
形をなし、それぞれ信号周波数の第２高調波ｆ２〜第２
１高調波ｆ ２ｎに対して短絡となる長さを有していて
、その−辺によって主ストリップ線路１５に側面結合さ
れており、その位置はＰＥＴ １１のドレインＤからみ
たとき、それぞれ第２高調波ｆ２〜第２ｎ高開波ｒ ２
ｎに対して短絡となる位置になっている。
形をなし、それぞれ信号周波数の第２高調波ｆ２〜第２
１高調波ｆ ２ｎに対して短絡となる長さを有していて
、その−辺によって主ストリップ線路１５に側面結合さ
れており、その位置はＰＥＴ １１のドレインＤからみ
たとき、それぞれ第２高調波ｆ２〜第２ｎ高開波ｒ ２
ｎに対して短絡となる位置になっている。
またλ／２ストリップ線路共振器２２−１〜２２−ｎも
同様の形状を有し、それぞれ信号周波数の第３高調波ｆ
３〜第２ｎ÷１高調波ｆ ２ｎ＋１に対して短絡となる
長さを有していて、例えば主ストリップ線路１５に対し
てλ／２ストリップ線路共振器２１−１〜２１−ｎと反
対側に、その−辺によって主ストリップ線路１５に側面
結合されていて、その位置はＦＥＴ １１のドレインＤ
からみたとき、それぞれ第３高調波ｆ３〜第２ｎ＋１高
調波ｆ ２ｎ＋１に対して開放となる位置になっている
。
同様の形状を有し、それぞれ信号周波数の第３高調波ｆ
３〜第２ｎ÷１高調波ｆ ２ｎ＋１に対して短絡となる
長さを有していて、例えば主ストリップ線路１５に対し
てλ／２ストリップ線路共振器２１−１〜２１−ｎと反
対側に、その−辺によって主ストリップ線路１５に側面
結合されていて、その位置はＦＥＴ １１のドレインＤ
からみたとき、それぞれ第３高調波ｆ３〜第２ｎ＋１高
調波ｆ ２ｎ＋１に対して開放となる位置になっている
。
λ／２ストリップ線路共振器２１−１〜２１−ｎおよび
２２−１〜２２−ｎの、このような短絡および開放とな
る主ストリップ線路１５上の位置は、第２図に示された
実施例の場合と同様である。
２２−１〜２２−ｎの、このような短絡および開放とな
る主ストリップ線路１５上の位置は、第２図に示された
実施例の場合と同様である。
このように構成されている結果、ＦＥＴ １１のドレイ
ンＤに接続されているインピーダンスは出力の各偶数次
高調波成分に対しては短絡となり、各奇数次高調波成分
に対しては開放となって、Ｆ級モード動作が行われる。
ンＤに接続されているインピーダンスは出力の各偶数次
高調波成分に対しては短絡となり、各奇数次高調波成分
に対しては開放となって、Ｆ級モード動作が行われる。
この場合も各λ／２ストリップ線路共振器２１−１〜２
１−ｎおよび２２−１〜２２−ｎの定数および主ストリ
ップ線路１５に対する接続位置は、それぞれ独立に変え
ることができる。定数の変更は例えば共振器の脚の部分
の長さを加減したり、線路幅を変えたりすることによっ
て行われる。従って各高調波に対する共振周波数および
位相をそれぞれ独立に変えることができるので、ＦＥＴ
１１の出力容量Ｃｏ、出力インダクタンスＬｏにばら
つきがある場合でも、各高調波に対してそれぞれ完全に
短絡または開放となるように調整することができ、従っ
てＦ級モード本来の動作をマイクロ波帯で実現すること
ができる。
１−ｎおよび２２−１〜２２−ｎの定数および主ストリ
ップ線路１５に対する接続位置は、それぞれ独立に変え
ることができる。定数の変更は例えば共振器の脚の部分
の長さを加減したり、線路幅を変えたりすることによっ
て行われる。従って各高調波に対する共振周波数および
位相をそれぞれ独立に変えることができるので、ＦＥＴ
１１の出力容量Ｃｏ、出力インダクタンスＬｏにばら
つきがある場合でも、各高調波に対してそれぞれ完全に
短絡または開放となるように調整することができ、従っ
てＦ級モード本来の動作をマイクロ波帯で実現すること
ができる。
〔第３の実施例〕
第４図は本発明のさらに他の実施例の構成を示している
。同図において第２図におけると同じ部分は同じ番号で
示されており、２３−１〜２３−ｎ、 ２４−１’〜２
４−ｎはλ／２ストリップ線路共振器である。λ／２ス
トリップ線路共振器２３−１〜２３−ｎおよび２４−１
〜２４−ｎはＵ字形をなしていて、それぞれ信号周波数
の第２高開波ｆ２〜第２ｎｉＡｉ調波ｆ ２ｎおよび第
３高開波ｆ３〜第２１÷１高調波ｆ ２ｎ＋１に対して
短絡となる長さを有し、その底辺の部分で主ストリップ
線路共振器１５に結合されており、その位置はＦＩｌ’
Ｔ１１のドレインＤからみたとき、それぞれ第２高調波
ｆ２〜第２ｎ高調波ｆ ２ｎに対して短絡となり、第３
高調波ｆ３〜第２ｎ＋１高調波ｆ ２ｎ＋１に対して開
放となる位置になっている。
。同図において第２図におけると同じ部分は同じ番号で
示されており、２３−１〜２３−ｎ、 ２４−１’〜２
４−ｎはλ／２ストリップ線路共振器である。λ／２ス
トリップ線路共振器２３−１〜２３−ｎおよび２４−１
〜２４−ｎはＵ字形をなしていて、それぞれ信号周波数
の第２高開波ｆ２〜第２ｎｉＡｉ調波ｆ ２ｎおよび第
３高開波ｆ３〜第２１÷１高調波ｆ ２ｎ＋１に対して
短絡となる長さを有し、その底辺の部分で主ストリップ
線路共振器１５に結合されており、その位置はＦＩｌ’
Ｔ１１のドレインＤからみたとき、それぞれ第２高調波
ｆ２〜第２ｎ高調波ｆ ２ｎに対して短絡となり、第３
高調波ｆ３〜第２ｎ＋１高調波ｆ ２ｎ＋１に対して開
放となる位置になっている。
このように構成されている結果、ＦＥＴ １１のド・レ
インＤに接続されているインピーダンスは出力の各偶数
次高調波成分に対しては短絡となり、各奇数次高調波成
分に対しては開放となって、Ｆ縞モード動作が行われる
。
インＤに接続されているインピーダンスは出力の各偶数
次高調波成分に対しては短絡となり、各奇数次高調波成
分に対しては開放となって、Ｆ縞モード動作が行われる
。
この場合も各λ／２ストリップ線路共振器２３−１〜２
３−ｎおよび２４−１〜２４−ｎの定数および主ストリ
ップ線路１５に対する接続位置は、それぞれ独立に変え
ることができる。定数の変更は例えば共振器の両脚の長
さを加減したり、線路幅を変えたりすることによって行
われる。従って各高調波に対する共振周波数および位相
をそれぞれ独立に変えることができるので、ＰＥ７１１
の出力容１ｉｃｏ ＋出力インダクタンスＬｏにばらつ
きがある場合でも、各高調波に対してそれぞれ完全に短
絡または開放となるように調整することができ、従って
Ｆ級モード本来の動作をマイクロ波帯で実現することが
できる。
３−ｎおよび２４−１〜２４−ｎの定数および主ストリ
ップ線路１５に対する接続位置は、それぞれ独立に変え
ることができる。定数の変更は例えば共振器の両脚の長
さを加減したり、線路幅を変えたりすることによって行
われる。従って各高調波に対する共振周波数および位相
をそれぞれ独立に変えることができるので、ＰＥ７１１
の出力容１ｉｃｏ ＋出力インダクタンスＬｏにばらつ
きがある場合でも、各高調波に対してそれぞれ完全に短
絡または開放となるように調整することができ、従って
Ｆ級モード本来の動作をマイクロ波帯で実現することが
できる。
第４図に示された実施例は第３図の実施例の場合と比較
して、定数の変更を両°脚で行うことができるため、調
整が容易であるという利点がある。
して、定数の変更を両°脚で行うことができるため、調
整が容易であるという利点がある。
以上説明したように本発明のマイクロ波電力増幅器によ
れば、信号周波数でオンオフ動作を行う増幅素子の出力
端に接続された信号周波数に共振する主ストリップ線路
に対して結合された各共振素子によって、出力の偶数次
高調波に対しては短絡となり、奇数次高調波に対しては
開放となるようにしたので、Ｆ縞モード動作を行わせる
ことができ、電力増幅器の高効率化が達成される。
れば、信号周波数でオンオフ動作を行う増幅素子の出力
端に接続された信号周波数に共振する主ストリップ線路
に対して結合された各共振素子によって、出力の偶数次
高調波に対しては短絡となり、奇数次高調波に対しては
開放となるようにしたので、Ｆ縞モード動作を行わせる
ことができ、電力増幅器の高効率化が達成される。
本発明によれば、装置の小型化が可能であってマイクロ
波用として好適であるとともに、調整が容易なので、マ
イクロ波素子の出力容量や出力リードインダクタンス等
の影響を除去して、正しくＦ縞モード動作を行わせるこ
とができる。
波用として好適であるとともに、調整が容易なので、マ
イクロ波素子の出力容量や出力リードインダクタンス等
の影響を除去して、正しくＦ縞モード動作を行わせるこ
とができる。
第１図は本発明の原理的構成を示す図、第２図は本発明
の一実施例を示す図、 第３図は本発明の他の実施例の構成を示す図、第４図は
本発明のさらに他の実゛施例の構成を示す図、 第５図は従来のＦ縞モード動作電力増幅器の構成を示す
図、 第６図は第５図の電力増幅器における各部信号波形を示
す図であるや １１−・ＦＥＴ 。 １２−入力端整合回路、 ＋３−入力端子、 １４−ゲート電源、 １５−主ストリップ線路、 １６−１〜１６−ｎ、 １７−１〜１７−ｎ−Ｌ Ｃ直
列共振回路、１８・−出力側整合回路、 １９−出力端子、 ２０− ドレイン電源
の一実施例を示す図、 第３図は本発明の他の実施例の構成を示す図、第４図は
本発明のさらに他の実゛施例の構成を示す図、 第５図は従来のＦ縞モード動作電力増幅器の構成を示す
図、 第６図は第５図の電力増幅器における各部信号波形を示
す図であるや １１−・ＦＥＴ 。 １２−入力端整合回路、 ＋３−入力端子、 １４−ゲート電源、 １５−主ストリップ線路、 １６−１〜１６−ｎ、 １７−１〜１７−ｎ−Ｌ Ｃ直
列共振回路、１８・−出力側整合回路、 １９−出力端子、 ２０− ドレイン電源
Claims (3)
- （１）直流電源と接地間に接続され信号周波数でオンオ
フ動作を行う増幅素子（１０１）と、該増幅素子の出力
端に接続された信号周波数に共振する主ストリップ線路
（１０２）とを有する電力増幅器において、 該信号周波数のそれぞれ異なる偶数次高調波に対して短
絡となる任意個数の共振素子（１０３）を設けて前記増
幅素子の出力端においてそれぞれの共振周波数に対して
短絡となる位置で前記主ストリップ線路に結合し、 該信号周波数のそれぞれ異なる奇数次高調波に対して短
絡となる任意個数の共振素子（１０４）を設けて前記増
幅素子の出力端においてそれぞれの共振周波数に対して
開放となる位置で前記主ストリップ線路に結合してなる
ことを特徴とするマイクロ波電力増幅器。 - （２）前記各共振素子がそれぞれの共振周波数で共振す
るＬＣ直列共振回路からなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のマイクロ波電力増幅器。 - （３）前記各共振素子がそれぞれの共振周波数に対する
λ／２ストリップ線路共振器からなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波電力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13939685A JPS62111A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | マイクロ波電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13939685A JPS62111A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | マイクロ波電力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111A true JPS62111A (ja) | 1987-01-06 |
Family
ID=15244308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13939685A Pending JPS62111A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | マイクロ波電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62111A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63169393A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | １−アミノアントラキノンの製造法 |
| JPS63204912A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体増幅器 |
| JPH01279612A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-09 | Hitachi Ltd | 高周波増幅回路 |
| JPH0529851A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Hitachi Ltd | 高周波高効率電力増幅器 |
| JPH0613806A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-01-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電力増幅器 |
| JPH08130424A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Nec Corp | 高効率電力増幅回路 |
| JP2009130472A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Univ Of Electro-Communications | 逆ｆ級増幅回路 |
| US7567128B2 (en) | 2006-05-11 | 2009-07-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Power amplifier suppressing radiation of second harmonic over wide frequency band |
| JP2012134823A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器及び整合回路 |
| JP2012518373A (ja) * | 2009-02-18 | 2012-08-09 | ホリンワース ファンド，エル．エル．シー． | メタマテリアル電力増幅器システム |
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| US8947166B2 (en) | 2011-06-28 | 2015-02-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Radio frequency power amplifier |
| JP2017041800A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | 学校法人 芝浦工業大学 | 高調波処理回路、及びそれを用いたｆ級増幅回路 |
| JP2017169040A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 半導体スイッチおよび通信モジュール |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP13939685A patent/JPS62111A/ja active Pending
Cited By (15)
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