JPS62111423A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS62111423A JPS62111423A JP15820185A JP15820185A JPS62111423A JP S62111423 A JPS62111423 A JP S62111423A JP 15820185 A JP15820185 A JP 15820185A JP 15820185 A JP15820185 A JP 15820185A JP S62111423 A JPS62111423 A JP S62111423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- water
- negative
- positive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、レジストパターンの形成方法に係り、特に途
中でポジとネガが反転したレジス１−パターンの形成方
法に関する。
中でポジとネガが反転したレジス１−パターンの形成方
法に関する。
縦単一モードで動作する分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レ
ーザを再現性よく得るために、共振器の中央で位相が反
転した回折格子を形成する必要がある。これに対して、
ネガレジストとポジレジストを多層に塗布する方法が、
電子通信学会技術報告、○ＱＥ８５−１１．６９ （１
９８５）における宇高、秋葉、堺、松島による″λ／４
シフトＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＤＦＢレーザ″と題
する文献に報告されている。
ーザを再現性よく得るために、共振器の中央で位相が反
転した回折格子を形成する必要がある。これに対して、
ネガレジストとポジレジストを多層に塗布する方法が、
電子通信学会技術報告、○ＱＥ８５−１１．６９ （１
９８５）における宇高、秋葉、堺、松島による″λ／４
シフトＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＤＦＢレーザ″と題
する文献に報告されている。
本発明は、途中でネガとポジが反転したサブミクロンレ
ジストパターンを形成し、これを用いることにより、途
中で位相の反転した回折素子を得ることを目的とする。
ジストパターンを形成し、これを用いることにより、途
中で位相の反転した回折素子を得ることを目的とする。
本発明は酸素によって減感されるレジス１−のとに、別
の数種類のレジス１−を塗布して露光する場合、上層部
レジストの酸素透過性が大きく、かつ下層に酸素で減感
するレジス１−が塗布された場合に、さらにその上の酸
素遮断性の薄膜を設けて、酸素による減感作用を抑える
ことがある。特に下層に形成するレジスト膜がネガレジ
ストの場合には本発明の効果が大きい。
の数種類のレジス１−を塗布して露光する場合、上層部
レジストの酸素透過性が大きく、かつ下層に酸素で減感
するレジス１−が塗布された場合に、さらにその上の酸
素遮断性の薄膜を設けて、酸素による減感作用を抑える
ことがある。特に下層に形成するレジスト膜がネガレジ
ストの場合には本発明の効果が大きい。
本願発明により、前記のようなレジストプロセスをＮ２
ガス中などの特殊な雰囲気を要しないで実施することが
できる。
ガス中などの特殊な雰囲気を要しないで実施することが
できる。
本発明の実施例を第１図により説明する。ｎ型ＩｎＰ基
板１上に、０ＮＮＲ系ネガレジスト２を７０ｎｍおよび
水溶性ポジレジスト３１μｍ塗布した後（第１図（ａ）
）密着露光法により水溶性ポジレジスト３のパターンを
形成する（第１図（ｂ））。
板１上に、０ＮＮＲ系ネガレジスト２を７０ｎｍおよび
水溶性ポジレジスト３１μｍ塗布した後（第１図（ａ）
）密着露光法により水溶性ポジレジスト３のパターンを
形成する（第１図（ｂ））。
次にこの水溶性ポジレジスト（基剤ポリビニルピロリド
ン、感光剤ジアゾ化合物およびヒドロキノン）３のパタ
ーンをマスクにして、メチルイソブチルケトンを用いて
、０ＮＮＲ系ネガレジスト２のパターンを形成し、水洗
により、水溶性ポジレジスト３を除去する（第１図（Ｃ
））。次にこの上にＡＺ系ポジレジストを７０ｎｍ塗布
し、さらに酸素遮断性薄膜（たとえばＰＤＡ：ポリビニ
ールアルコール）を塗布し、続いてＨｅ−Ｃｄレーザ（
３２５ｎｍ）を用いて干渉露光を行なう（第１図（ｄ）
） 、次に、ポジ部分を現象した後、このレジストパタ
ーンを化学エツチング（エツチング液、ＨＢｒ： ＨＮ
Ｏ３： Ｈ２０＝１ ： １ ： ３４．溶量比）で転
写する（第１図（ｅ））。次に、ネガ部分を現像した後
、同じく化学エツチング転写することにより、途中で位
相の反転した回折格子を形成することができた。
ン、感光剤ジアゾ化合物およびヒドロキノン）３のパタ
ーンをマスクにして、メチルイソブチルケトンを用いて
、０ＮＮＲ系ネガレジスト２のパターンを形成し、水洗
により、水溶性ポジレジスト３を除去する（第１図（Ｃ
））。次にこの上にＡＺ系ポジレジストを７０ｎｍ塗布
し、さらに酸素遮断性薄膜（たとえばＰＤＡ：ポリビニ
ールアルコール）を塗布し、続いてＨｅ−Ｃｄレーザ（
３２５ｎｍ）を用いて干渉露光を行なう（第１図（ｄ）
） 、次に、ポジ部分を現象した後、このレジストパタ
ーンを化学エツチング（エツチング液、ＨＢｒ： ＨＮ
Ｏ３： Ｈ２０＝１ ： １ ： ３４．溶量比）で転
写する（第１図（ｅ））。次に、ネガ部分を現像した後
、同じく化学エツチング転写することにより、途中で位
相の反転した回折格子を形成することができた。
本発明によれば、同一基板上で、途中でネガをポジの反
転したサブミクロンパターンを従来のレジストプロセス
技術を用いて容易に形成することができる。
転したサブミクロンパターンを従来のレジストプロセス
技術を用いて容易に形成することができる。
第１図は、プロセスを示す模式図（断面図）である。
１・・・ｎ型ＩｎＰ基板、２・・・ネガレジスト、３・
・・水溶性ポジレジスト、４・・・ポジレジスト、５・
・・回折格子、６・・・酸素遮断性薄膜。 図面の浄書（内容に変更なし） 手 続 補 正 害 （方式）昭和６１年１
２月１有
・・水溶性ポジレジスト、４・・・ポジレジスト、５・
・・回折格子、６・・・酸素遮断性薄膜。 図面の浄書（内容に変更なし） 手 続 補 正 害 （方式）昭和６１年１
２月１有
Claims (1)
- 少なくとも２種類の感光性物質を基板上に塗布した後、
酸素遮断性の薄膜で感光性物質を被って露光することを
特徴とするレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15820185A JPS62111423A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15820185A JPS62111423A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111423A true JPS62111423A (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=15666483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15820185A Pending JPS62111423A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62111423A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8053146B2 (en) * | 2005-02-10 | 2011-11-08 | Ovd Kinegram Ag | Multi-layer body including a diffractive relief structure and method for producing the same |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP15820185A patent/JPS62111423A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8053146B2 (en) * | 2005-02-10 | 2011-11-08 | Ovd Kinegram Ag | Multi-layer body including a diffractive relief structure and method for producing the same |
| US8450029B2 (en) | 2005-02-10 | 2013-05-28 | Ovd Kinegram Ag | Multi-layer body and process for the production of a multi-layer body |
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