JPS6284515A - レジストパタンの形成方法 - Google Patents
レジストパタンの形成方法Info
- Publication number
- JPS6284515A JPS6284515A JP60223505A JP22350585A JPS6284515A JP S6284515 A JPS6284515 A JP S6284515A JP 60223505 A JP60223505 A JP 60223505A JP 22350585 A JP22350585 A JP 22350585A JP S6284515 A JPS6284515 A JP S6284515A
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- JP
- Japan
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- resist
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- negative
- positive
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- Pending
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、レジストパターンの形成方法に係り、特に途
中でポジとネガが反転したレジストパターンの形成方法
に関する。
中でポジとネガが反転したレジストパターンの形成方法
に関する。
縦単一モードで動作する分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レ
ーザを再現性よく得るために、共振器の中央で位相が反
転した回折格子を形成する必要がある。これに対して、
ネガレジストとポジレジストを多層に塗布する方法が、
電子通信学会技術報告、０ＱＥ８５．−１１．６９ （
１９８５） における宇高、秋葉、堺、松島による″λ
／４シフトＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＤＦＢレーザ″
と題する文献に報告されている。
ーザを再現性よく得るために、共振器の中央で位相が反
転した回折格子を形成する必要がある。これに対して、
ネガレジストとポジレジストを多層に塗布する方法が、
電子通信学会技術報告、０ＱＥ８５．−１１．６９ （
１９８５） における宇高、秋葉、堺、松島による″λ
／４シフトＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ＤＦＢレーザ″
と題する文献に報告されている。
本発明は、途中でネガとポジが反転したサブミクロンレ
ジストパターンを形成し、これを用いることにより、途
中で位相の反転した回折素子を得ることを目的とする。
ジストパターンを形成し、これを用いることにより、途
中で位相の反転した回折素子を得ることを目的とする。
本発明は、ネガレジストおよびポジレジストを固体表面
上に塗りわけるために、リフトオフ法を用いてバタン形
成を行うもので、またネガレジストおよびポジレジスト
に同一の基剤を有する物質を用いることで同時現像を特
徴とする特徴を有する。
上に塗りわけるために、リフトオフ法を用いてバタン形
成を行うもので、またネガレジストおよびポジレジスト
に同一の基剤を有する物質を用いることで同時現像を特
徴とする特徴を有する。
本発明の実施例を第１図により説明する。
ｎ型ＩｎＰ（１００）基板１上に、ＡＺ系ポジレジスト
２およびスピンオングラスより成るスペーサ３を各々０
．０７μｍ、１μｍ塗布し、９０℃で１時間熱処理を行
った後、ＡＺ系ポジレジスト４をＯ，ｌ＝１μｍ塗布す
る（第１図（ａ））。
２およびスピンオングラスより成るスペーサ３を各々０
．０７μｍ、１μｍ塗布し、９０℃で１時間熱処理を行
った後、ＡＺ系ポジレジスト４をＯ，ｌ＝１μｍ塗布す
る（第１図（ａ））。
次いでホトマスクを用いて、レジスト４を感光し。
バタン形成を行う（第１図（ｂ））。フッ化水素酸及び
フッ化アンモンの混合液を用いて、スペーサ３をバタン
化した後、レジスト２の露出部分ならびにレジスト４を
アルカリ水溶液を用いて除去し、第１図（ｃ）に示す構
成を得た。ここで、ネガレジストＭＲＬ５ （日立化成
ｆＲ）を０．０７μｍ塗分した後（第１図（ｄ）） 、
スペーサ３をエツチングすることでネガレジスト５の一
部をリフトオフして、基板１上に、ポジレジスト２、及
びネガレジスト５が交互に塗り分けられた構成を得た（
第１図（ｅ））。ここで、温度８０℃で１０分間ベーキ
ングした後、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）６を全面
に塗布し、酸素によるレジストの減感作用を防止した状
態で、Ｈｅ−Ｃｄレーザを用いた二光束干渉露光法によ
り、露光した（第１図（ｆ））。露光後、水洗してＰＶ
Ａ６を除去した後水素化カリウム系の現像液を用いて現
像することにより、レジストの回折格子を得た（第１図
（ｇ））。この回折格子は、ポジレジスト２とネガレジ
スト５の感光特性の違いから、各レジストに対応する部
分で、レジストの残存部と除去部が反転する。すなわち
、空間的にπの位相シフトを有する回折格子が得られた
。このレジスト回折格子を臭化水素酸系のエツチング液
を用いてＩｎＰ基板ｌ上に転写し、π位相シフト回折格
子を得た。
フッ化アンモンの混合液を用いて、スペーサ３をバタン
化した後、レジスト２の露出部分ならびにレジスト４を
アルカリ水溶液を用いて除去し、第１図（ｃ）に示す構
成を得た。ここで、ネガレジストＭＲＬ５ （日立化成
ｆＲ）を０．０７μｍ塗分した後（第１図（ｄ）） 、
スペーサ３をエツチングすることでネガレジスト５の一
部をリフトオフして、基板１上に、ポジレジスト２、及
びネガレジスト５が交互に塗り分けられた構成を得た（
第１図（ｅ））。ここで、温度８０℃で１０分間ベーキ
ングした後、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）６を全面
に塗布し、酸素によるレジストの減感作用を防止した状
態で、Ｈｅ−Ｃｄレーザを用いた二光束干渉露光法によ
り、露光した（第１図（ｆ））。露光後、水洗してＰＶ
Ａ６を除去した後水素化カリウム系の現像液を用いて現
像することにより、レジストの回折格子を得た（第１図
（ｇ））。この回折格子は、ポジレジスト２とネガレジ
スト５の感光特性の違いから、各レジストに対応する部
分で、レジストの残存部と除去部が反転する。すなわち
、空間的にπの位相シフトを有する回折格子が得られた
。このレジスト回折格子を臭化水素酸系のエツチング液
を用いてＩｎＰ基板ｌ上に転写し、π位相シフト回折格
子を得た。
上記で、レジスト２をネガレジスト、レジスト５をポジ
レジストとしても同様な効果が得られた。
レジストとしても同様な効果が得られた。
また、レジストのりフトオフのために用いたスペーサ３
は、スピンオングラスとは限らなくとも良い０例えば、
マイクロ波プラズマ放電によって低温で、すなわちレジ
スト２の感光特性を失わせることなく、絶縁膜を形成す
ることができる。このような絶縁膜をスペーサとして用
いることができる。また、上記スペーサは金属であって
もよい。
は、スピンオングラスとは限らなくとも良い０例えば、
マイクロ波プラズマ放電によって低温で、すなわちレジ
スト２の感光特性を失わせることなく、絶縁膜を形成す
ることができる。このような絶縁膜をスペーサとして用
いることができる。また、上記スペーサは金属であって
もよい。
さて、上記で結晶への転写を行う際に、レジストパタン
を直接に耐エツチング用マスクとして用いたが、これに
は限らない。すなわち、第１図（ａ）において基板１と
レジスト２の間に、絶縁膜あるいは金属よりなる第２の
スペーサを設けておき、第１図（ｇ）から第１図（ｈ）
への転写の際に、先づ当該スペーサ上に回折格子を転写
し、これを結晶１に転写しても良い。
を直接に耐エツチング用マスクとして用いたが、これに
は限らない。すなわち、第１図（ａ）において基板１と
レジスト２の間に、絶縁膜あるいは金属よりなる第２の
スペーサを設けておき、第１図（ｇ）から第１図（ｈ）
への転写の際に、先づ当該スペーサ上に回折格子を転写
し、これを結晶１に転写しても良い。
本発明によれば、同一基板上で、途中でネガとポジの反
転したサブミクロンパタンを従来のレジストプロセス技
術を用いて容易に形成することができる効果が得られる
。
転したサブミクロンパタンを従来のレジストプロセス技
術を用いて容易に形成することができる効果が得られる
。
第１図は、プロセスを示す模式図（断面図）である。
１・・・ＩｎＰ基板
２・・・ポジレジスト
３・・・スペーサ
４・・・ポジレジスト
５・・・ネガレジスト
１ ＼、
代理人 弁理士 小 川 勝 男 ゛ロ面の：’ｒ！
己（内；−： ｉごで、−汀なし）第１図
己（内；−： ｉごで、−汀なし）第１図
Claims (1)
- １、少なくとも２種類の感光性物質を基板上に塗布して
行なうパターン形成方法において、第一の感光性物質を
基板上に塗布した後、該第一の感光性物質の表面の一部
に該第一の感光物質とは化学的性質が異なるスペーサ物
質を形成した後、第二の感光性物質を塗布し、該スペー
サ物質を除去することによって同時に該スペーサに接触
する第二の感光性物質を除去することを特徴とするレジ
ストパタンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60223505A JPS6284515A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | レジストパタンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60223505A JPS6284515A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | レジストパタンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284515A true JPS6284515A (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=16799194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60223505A Pending JPS6284515A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | レジストパタンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160274468A1 (en) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming pattern |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60223505A patent/JPS6284515A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160274468A1 (en) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming pattern |
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