JPS61292923A - 位相反転型パタンの形成方法 - Google Patents
位相反転型パタンの形成方法Info
- Publication number
- JPS61292923A JPS61292923A JP13414185A JP13414185A JPS61292923A JP S61292923 A JPS61292923 A JP S61292923A JP 13414185 A JP13414185 A JP 13414185A JP 13414185 A JP13414185 A JP 13414185A JP S61292923 A JPS61292923 A JP S61292923A
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- Japan
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- resist
- ions
- phase
- positive
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ＤＦＢレーザの回折格子の形成方法に係り、
特に、安定な軸車−モード発振が可能な位相シフト型Ｄ
ＦＢレーザを作製するためのパターン形成方法に関する
。
特に、安定な軸車−モード発振が可能な位相シフト型Ｄ
ＦＢレーザを作製するためのパターン形成方法に関する
。
従来１位相シフト型のＤＦＢレーザを干渉露光法を用い
て作製する手法は、電子通信学会技術研究報告、０ＱＥ
８５−１１ （１９８５年）における宇高らの“λ／４
シフトＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ ／ Ｉ ｎ ＰＤ
ＦＢレーザと題する文献に報告されている。上記の方法
ではポジレジスト・ネガレジストの二重膜を用いること
で、レーザ共振器の中央部で凹凸の反転した回折格子を
得ている。ところが、同論文で論じられているように、
作製のプロセスの途中で、レジストのバタンニングを行
なうこと、レジストバタンから結晶表面への転写を行う
際に、ポジレジスト部、ネガレジスト部に分けて行うた
め、回折格子に段差が生じてしまう、このような段差は
、素子にとってみれば、余分な位相シフトを生じる結果
となり、単一モード比を損う原因となる。
て作製する手法は、電子通信学会技術研究報告、０ＱＥ
８５−１１ （１９８５年）における宇高らの“λ／４
シフトＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ ／ Ｉ ｎ ＰＤ
ＦＢレーザと題する文献に報告されている。上記の方法
ではポジレジスト・ネガレジストの二重膜を用いること
で、レーザ共振器の中央部で凹凸の反転した回折格子を
得ている。ところが、同論文で論じられているように、
作製のプロセスの途中で、レジストのバタンニングを行
なうこと、レジストバタンから結晶表面への転写を行う
際に、ポジレジスト部、ネガレジスト部に分けて行うた
め、回折格子に段差が生じてしまう、このような段差は
、素子にとってみれば、余分な位相シフトを生じる結果
となり、単一モード比を損う原因となる。
本発明の目的は、接続部において段差の生じない位相反
軸型の回折格子を同一基板上に、再現性良く形成する手
法を提供することにある。
軸型の回折格子を同一基板上に、再現性良く形成する手
法を提供することにある。
ポジ型のレジストとネガ型のレジストを混合して露光し
た場合、その混合比によってポジ型或いはネガ型の特性
を示す。ところで、ポジ型のレジストとネガ型のレジス
トでは、感光時の反応機構の差がある０例えば、ポジ型
レジストとして良く用いられるものでは、アルカリ不溶
性のジアゾ化合物が光反応によってアルカリ可溶性のカ
ルボン酸化合物に変化する。この変化は、分子構造の再
編成によるため周囲の環境の影響を受けにくい、一方、
ネガ型のレジストでは、光反応によってアジド基がラジ
カルとなり、フェノール樹脂等のレジスト基剤の架橋反
応を促進することになる。従ってネガ型レジストではラ
ジカルの捕集が生じれば、反応は抑制される。
た場合、その混合比によってポジ型或いはネガ型の特性
を示す。ところで、ポジ型のレジストとネガ型のレジス
トでは、感光時の反応機構の差がある０例えば、ポジ型
レジストとして良く用いられるものでは、アルカリ不溶
性のジアゾ化合物が光反応によってアルカリ可溶性のカ
ルボン酸化合物に変化する。この変化は、分子構造の再
編成によるため周囲の環境の影響を受けにくい、一方、
ネガ型のレジストでは、光反応によってアジド基がラジ
カルとなり、フェノール樹脂等のレジスト基剤の架橋反
応を促進することになる。従ってネガ型レジストではラ
ジカルの捕集が生じれば、反応は抑制される。
上記の反応機構によれば、ネガ型の特性を示す混合レジ
ストにラジカル捕集剤を導入すれば、ネガ型の反応は抑
制されるため、ポジ型の特性を示することになる。ラジ
カル捕集剤としては、酸素、水素等があり、これらを局
所的にドープすることによって、同−膜でありながら、
ネガ・ポジの両特性を示すホトレジスト膜を得ることが
できる。
ストにラジカル捕集剤を導入すれば、ネガ型の反応は抑
制されるため、ポジ型の特性を示することになる。ラジ
カル捕集剤としては、酸素、水素等があり、これらを局
所的にドープすることによって、同−膜でありながら、
ネガ・ポジの両特性を示すホトレジスト膜を得ることが
できる。
以下、本発明の一実施例を図を用いて説明する。
先ず、ポジレジストＡＺ１３５０Ｊ （シプレ社製）と
ネガレジストＭＲＬ−ＲＵ （日立化合社製）を、２対
１から１対２程度の範囲で混合し、混合レジストを得た
。第１図に示すようにこの混合レジストをｎ型ＩｎＰ基
板１上にスピン塗布し、５０〜１１００ｎ程度の薄膜２
を得る（第１図（ａ））。
ネガレジストＭＲＬ−ＲＵ （日立化合社製）を、２対
１から１対２程度の範囲で混合し、混合レジストを得た
。第１図に示すようにこの混合レジストをｎ型ＩｎＰ基
板１上にスピン塗布し、５０〜１１００ｎ程度の薄膜２
を得る（第１図（ａ））。
次いで１ｍｍ８度のパタン幅を有する金属マスクを通し
て、Ｏ８、戒はＨ８の低エネルギーイオン打ち込みを行
い、第１図（ｂ）膜の一部に０２、戒はＨ２の含有領域
４を作成した（第１図（ｃ））、上記の膜をＨｅ −Ｃ
ｄレーザ（波長３２５ｎｍ）を用いた二光束干渉露光法
によって露光し、露光部５と遮光部６が周期２００〜２
５０ｎｍ程度で繰り返された状態にする（第１図（ｄ）
）、次いでＡＺＤを用いて現像を行った。イオン打ち込
みを行なわなかった部分では、ネガ型として働き、感光
部のレジストが残った。一方、イオン打ち込み行った領
域では、ポジ型として働き、未感光部のレジストが残っ
た。このようにして、周期２００〜２５０ｎｍというレ
ジスト回折格子においてその空間的位相が、各場所で反
転した状態７を作り出せた（第１図（ｅ））、上記のレ
ジストパタンを耐エツチング用の保護膜として用い、Ｈ
Ｂ ｒ。
て、Ｏ８、戒はＨ８の低エネルギーイオン打ち込みを行
い、第１図（ｂ）膜の一部に０２、戒はＨ２の含有領域
４を作成した（第１図（ｃ））、上記の膜をＨｅ −Ｃ
ｄレーザ（波長３２５ｎｍ）を用いた二光束干渉露光法
によって露光し、露光部５と遮光部６が周期２００〜２
５０ｎｍ程度で繰り返された状態にする（第１図（ｄ）
）、次いでＡＺＤを用いて現像を行った。イオン打ち込
みを行なわなかった部分では、ネガ型として働き、感光
部のレジストが残った。一方、イオン打ち込み行った領
域では、ポジ型として働き、未感光部のレジストが残っ
た。このようにして、周期２００〜２５０ｎｍというレ
ジスト回折格子においてその空間的位相が、各場所で反
転した状態７を作り出せた（第１図（ｅ））、上記のレ
ジストパタンを耐エツチング用の保護膜として用い、Ｈ
Ｂ ｒ。
ＨＮＯ，の混合水溶液でエツチングすることにより、ｎ
型ＩｎＰ基板１上に途中で位相が反転した位相反転型の
回折格子８を形成した（第１図（ｆ））。この基板上に
液相ピタキシャル法により、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイド
層１１、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２、Ｉ ｎ Ｇ ａ
Ａ ｓ Ｐバラフッ層１３、Ｐ型ＩｎＰクラッド層１４
、ならびにＰ型Ｉ ｎＧａＡ ｓ ｐ表面層１５を連続
成長し、結晶の両面にｎ側電極１６Ｐ側電極１７を蒸着
法により形成した後、へき開により第２図に示す素子を
得た。素子の端面に、無反射膜１８を形成し発振特性を
調べたところ、軸車−モード発振を行ない、位相反転型
の回折格子の効果が確かめられた。
型ＩｎＰ基板１上に途中で位相が反転した位相反転型の
回折格子８を形成した（第１図（ｆ））。この基板上に
液相ピタキシャル法により、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイド
層１１、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１２、Ｉ ｎ Ｇ ａ
Ａ ｓ Ｐバラフッ層１３、Ｐ型ＩｎＰクラッド層１４
、ならびにＰ型Ｉ ｎＧａＡ ｓ ｐ表面層１５を連続
成長し、結晶の両面にｎ側電極１６Ｐ側電極１７を蒸着
法により形成した後、へき開により第２図に示す素子を
得た。素子の端面に、無反射膜１８を形成し発振特性を
調べたところ、軸車−モード発振を行ない、位相反転型
の回折格子の効果が確かめられた。
上記では、ポジレジストの例としてＡＺ１３５０Ｊネガ
レジストの例としてＭＲＬ−ＲＵを用いたが。
レジストの例としてＭＲＬ−ＲＵを用いたが。
混合しうるレジストならば、これに限定されない。
また、ラジカル捕集剤をドープする方法は必ずしもイオ
ン打ち込みではなくとも良い。例えば集束性イオン打ち
法を用いて、マスクレスとしても良い。また、第３＠に
示すように、捕集剤を含む水溶性の薄膜９（例えばポリ
ビニルアルコール）をスクリーン印刷法により混合レジ
スト上に放置し、レジスト膜内に捕集剤をドープ（注入
）することが出来る。
ン打ち込みではなくとも良い。例えば集束性イオン打ち
法を用いて、マスクレスとしても良い。また、第３＠に
示すように、捕集剤を含む水溶性の薄膜９（例えばポリ
ビニルアルコール）をスクリーン印刷法により混合レジ
スト上に放置し、レジスト膜内に捕集剤をドープ（注入
）することが出来る。
〔発明の効果〕
本発明によれば単一膜中に局所的にネガレジスト、ポジ
レジストとして御く部分を設けることができるので、こ
れらの領域の接する部分において段差が導入されない。
レジストとして御く部分を設けることができるので、こ
れらの領域の接する部分において段差が導入されない。
このため、平担な面上に位相の反転した回折格子を形成
することが可能となる効果がある。また、この技術はＤ
ＦＢレーザを容易に製造し得る効果を有する。
することが可能となる効果がある。また、この技術はＤ
ＦＢレーザを容易に製造し得る効果を有する。
第１図は、位相反転型パタンを形成する工程間を示す。
第２図は、位相反転型回折格子を有するＤＦＢレーザの
断面図である。 第３図は、捕集剤を選択的にドープする他の方法を示す
工程図を示す。 １・・・ＩｎＰ基板、２・・・混合レジスト膜、４・・
・０２（或は、Ｈａ ） の含有領域、７・・・位相
反転型のレジスト回折格子。 ７１図 ００口：＝：丁″′。゛膓
断面図である。 第３図は、捕集剤を選択的にドープする他の方法を示す
工程図を示す。 １・・・ＩｎＰ基板、２・・・混合レジスト膜、４・・
・０２（或は、Ｈａ ） の含有領域、７・・・位相
反転型のレジスト回折格子。 ７１図 ００口：＝：丁″′。゛膓
Claims (1)
- １、溶液に対する溶解速度について、放射線露光部が遮
光部よりも該溶解速度が早い第一のレジスト（ポジ型）
と、放射線露光部ａ遮光部よりも該溶解速度が遅い第二
のレジスト（ネガ型）の混合したレジスト薄膜を基板上
に形成した後、該薄膜の一部に放射線感度を抑制する物
質を注入した後、薄面全体を干渉縞光パターンにて露光
することを特徴とする位相反転型パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13414185A JPS61292923A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 位相反転型パタンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13414185A JPS61292923A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 位相反転型パタンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292923A true JPS61292923A (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=15121429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13414185A Pending JPS61292923A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 位相反転型パタンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61292923A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043485A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | λ／４シフト回折格子の製造方法 |
| US5368992A (en) * | 1992-04-23 | 1994-11-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing diffraction grating |
| US5567659A (en) * | 1995-05-25 | 1996-10-22 | Northern Telecom Limited | Method of etching patterns in III-V material with accurate depth control |
-
1985
- 1985-06-21 JP JP13414185A patent/JPS61292923A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043485A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | λ／４シフト回折格子の製造方法 |
| US5368992A (en) * | 1992-04-23 | 1994-11-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing diffraction grating |
| US5567659A (en) * | 1995-05-25 | 1996-10-22 | Northern Telecom Limited | Method of etching patterns in III-V material with accurate depth control |
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