JPS6211043Y2 - - Google Patents
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- JPS6211043Y2 JPS6211043Y2 JP1978108084U JP10808478U JPS6211043Y2 JP S6211043 Y2 JPS6211043 Y2 JP S6211043Y2 JP 1978108084 U JP1978108084 U JP 1978108084U JP 10808478 U JP10808478 U JP 10808478U JP S6211043 Y2 JPS6211043 Y2 JP S6211043Y2
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- frequency
- amplifier
- circuit
- variable resistor
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/20—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator
- H03B5/24—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator active element in amplifier being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
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- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
-
- H—ELECTRICITY
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/0068—Frequency or FM detection
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
発振器には通常広く分けて２つの形式すなわち
非正弦波形式と正弦波形式とがある。非正弦波形
式たとえば方形波またはきよ歯状波発振器は所定
の範囲内で発振周波数を変える能力を与えたいと
きにしばしば用いられてきた。周波数変化は回路
の傾斜電流を変え、それで傾斜信号の幅を変え、
したがつて発振器の周波数を変えることにより得
られる。しかし、高調波周波数や雑音の発生のた
めこのような発振器には常に問題があつた。傾斜
信号の傾斜をしばしば急速に変える必要があるた
め、雑音を発生するだけでなく所望の基本周波数
の多くの高調波を発生する傾向がある。したがつ
て非正弦波発振器の応用は高調波周波数や雑音を
我慢できる場合とか望ましくない信号を阻止しろ
波するために広汎な手段を取らなければならない
場合に制限されてきた。発振周波数を変える必要
があるため依然として非正弦波発振器を使用する
必要性は存在している。
非正弦波形式と正弦波形式とがある。非正弦波形
式たとえば方形波またはきよ歯状波発振器は所定
の範囲内で発振周波数を変える能力を与えたいと
きにしばしば用いられてきた。周波数変化は回路
の傾斜電流を変え、それで傾斜信号の幅を変え、
したがつて発振器の周波数を変えることにより得
られる。しかし、高調波周波数や雑音の発生のた
めこのような発振器には常に問題があつた。傾斜
信号の傾斜をしばしば急速に変える必要があるた
め、雑音を発生するだけでなく所望の基本周波数
の多くの高調波を発生する傾向がある。したがつ
て非正弦波発振器の応用は高調波周波数や雑音を
我慢できる場合とか望ましくない信号を阻止しろ
波するために広汎な手段を取らなければならない
場合に制限されてきた。発振周波数を変える必要
があるため依然として非正弦波発振器を使用する
必要性は存在している。
之に対して、正弦波発振器は正弦波に近い内部
波形を基本的に用いるためきよ歯状波発振器につ
いて前述したような高調波周波数や雑音の発生に
悩まされることはなかつた。したがつて正弦波発
振器は可能な場合にはいつでも雑音がなくきれい
な信号波形を必要とする応用に用いられてきた。
しかし、正弦波発振器の発振周波数は回路の各部
品の値によつて変る可能性がある。換言すれば、
発振周波数は直接に部品の値に依存し、したがつ
て所定の周波数で正弦波発振器を発振させること
のできる正確さは回路に組込む部品を製造するこ
とのできる正確さに依存する。
波形を基本的に用いるためきよ歯状波発振器につ
いて前述したような高調波周波数や雑音の発生に
悩まされることはなかつた。したがつて正弦波発
振器は可能な場合にはいつでも雑音がなくきれい
な信号波形を必要とする応用に用いられてきた。
しかし、正弦波発振器の発振周波数は回路の各部
品の値によつて変る可能性がある。換言すれば、
発振周波数は直接に部品の値に依存し、したがつ
て所定の周波数で正弦波発振器を発振させること
のできる正確さは回路に組込む部品を製造するこ
とのできる正確さに依存する。
可変周波数正弦波発振器を提供するための通常
の方法は帰還回路に可変容量ダイオードを用いて
発振器の位相角を変え、共振周波数をずらせるこ
とであつた。可変容量ダイオードは動作のために
高い直流電圧と小さな振動電圧とを必要とし、ま
た発振の全周波数がすべての部品のリアクタンス
値に依存するため発振周波数がさらにそれら部品
のもつ精度と許容誤差とに依存する点において困
難性を生ずる。このようにして正弦波形式の有効
な可変周波数発振器を堤供すべき余地が残つてお
り、本考案はこのような可変周波数正弦波発振器
を提供することを目的としている。
の方法は帰還回路に可変容量ダイオードを用いて
発振器の位相角を変え、共振周波数をずらせるこ
とであつた。可変容量ダイオードは動作のために
高い直流電圧と小さな振動電圧とを必要とし、ま
た発振の全周波数がすべての部品のリアクタンス
値に依存するため発振周波数がさらにそれら部品
のもつ精度と許容誤差とに依存する点において困
難性を生ずる。このようにして正弦波形式の有効
な可変周波数発振器を堤供すべき余地が残つてお
り、本考案はこのような可変周波数正弦波発振器
を提供することを目的としている。
本考案の可変周波数正弦波発振器には帰還回路
を有する増幅器を設けてある。増幅器および帰還
回路は、増幅器の位相偏移を変えそれによつて発
振器の発振する周波数を変える機構により所定の
周波数で発振器を発振させるように増幅器および
帰還回路を通る信号の位相を変えるため、０また
は360゜の整数倍の総合位相偏移を生ずる機構を
含んでいる。
を有する増幅器を設けてある。増幅器および帰還
回路は、増幅器の位相偏移を変えそれによつて発
振器の発振する周波数を変える機構により所定の
周波数で発振器を発振させるように増幅器および
帰還回路を通る信号の位相を変えるため、０また
は360゜の整数倍の総合位相偏移を生ずる機構を
含んでいる。
第１図には端子１１に出力信号を生ずるように
接続されたトランジスタ１０よりなる増幅器を含
む従来技術の正弦波発振器を示してある。これは
代表的なクラツプ形発振器であつて、コイル１２
と可変コンデンサすなわち可変容量ダイオード１
４を含む帰還回路がトランジスタ１０のコレクタ
とベースの間に接続されている。エミツタは地気
に接続されている。エミツタ−ベース回路には第
２のコンデンサ１５が接続され、コレクタとエミ
ツタの間には第３のコンデンサ１６が接続されて
いる。
接続されたトランジスタ１０よりなる増幅器を含
む従来技術の正弦波発振器を示してある。これは
代表的なクラツプ形発振器であつて、コイル１２
と可変コンデンサすなわち可変容量ダイオード１
４を含む帰還回路がトランジスタ１０のコレクタ
とベースの間に接続されている。エミツタは地気
に接続されている。エミツタ−ベース回路には第
２のコンデンサ１５が接続され、コレクタとエミ
ツタの間には第３のコンデンサ１６が接続されて
いる。
この回路の発振周波数はコイル１２、可変容量
ダイオード１４、コンデンサ１５、１６を含む帰
還回路の位相偏移ならびに増幅器１０の位相偏移
の和によつて決まる。勿論発振周波数はこれら各
回路部品の値によつて決まり、したがつて発振周
波数の予測はそれら各部品の値の許容誤差によつ
て決まる。増幅器の位相角の変化が発振周波数に
与える影響を減らすため、周波数に対する位相の
変化率すなわちｄφ／ｄを大きくして増幅器およびそ の主コレクタ負荷であるコンデンサ１６の位相角
の変化が回路の共振周波数に僅かな影響しか与え
ないように試みるのが通常である。したがつて第
２図に示すように、比較的大きな位相角変化、た
とえばφ１からφ２への変化が１から２への
小さな周波数変化しか生じない。しかし実際に
は、回路の固有抵抗値を小さく保ちすなわち回路
のＱが大きいときにこのような周波数応答曲線を
生ずることができるだけである。帰還回路の抵抗
が大きくなるにしたがつて位相の変化による周波
数の変化率が大きくなるので、曲線はますます平
らになる傾向を生ずる。換言すればφ１からφ２
までの曲線の傾斜はゆるやかになる。
ダイオード１４、コンデンサ１５、１６を含む帰
還回路の位相偏移ならびに増幅器１０の位相偏移
の和によつて決まる。勿論発振周波数はこれら各
回路部品の値によつて決まり、したがつて発振周
波数の予測はそれら各部品の値の許容誤差によつ
て決まる。増幅器の位相角の変化が発振周波数に
与える影響を減らすため、周波数に対する位相の
変化率すなわちｄφ／ｄを大きくして増幅器およびそ の主コレクタ負荷であるコンデンサ１６の位相角
の変化が回路の共振周波数に僅かな影響しか与え
ないように試みるのが通常である。したがつて第
２図に示すように、比較的大きな位相角変化、た
とえばφ１からφ２への変化が１から２への
小さな周波数変化しか生じない。しかし実際に
は、回路の固有抵抗値を小さく保ちすなわち回路
のＱが大きいときにこのような周波数応答曲線を
生ずることができるだけである。帰還回路の抵抗
が大きくなるにしたがつて位相の変化による周波
数の変化率が大きくなるので、曲線はますます平
らになる傾向を生ずる。換言すればφ１からφ２
までの曲線の傾斜はゆるやかになる。
本考案によれば、増幅器と、帰還回路および出
力回路の部品を一定に保つたまま増幅器の位相偏
移を変える機構とを含む正弦波発振器が提供され
る。増幅器におけるこのような位相変化によつて
発振器の発振周波数を電子的に変えることが可能
になり、それによつて電子的可変周波数正弦波発
振器を提供する。
力回路の部品を一定に保つたまま増幅器の位相偏
移を変える機構とを含む正弦波発振器が提供され
る。増幅器におけるこのような位相変化によつて
発振器の発振周波数を電子的に変えることが可能
になり、それによつて電子的可変周波数正弦波発
振器を提供する。
第３図にはトランジスタ２０を有する増幅器１
９を含む本考案の第１の実施例を示している。ト
ランジスタ２０のコレクタは出力端子２１に接続
され、また固定コイル２２、固定抵抗２４、固定
コンデンサ２５を含む帰還回路を経てそのベース
に接続されている。固定コンデンサ２６がトラン
ジスタのベースと接地の間に接続され、固定コン
デンサ２７がコレクタと接地の間に接続されてい
る。
９を含む本考案の第１の実施例を示している。ト
ランジスタ２０のコレクタは出力端子２１に接続
され、また固定コイル２２、固定抵抗２４、固定
コンデンサ２５を含む帰還回路を経てそのベース
に接続されている。固定コンデンサ２６がトラン
ジスタのベースと接地の間に接続され、固定コン
デンサ２７がコレクタと接地の間に接続されてい
る。
本考案によれば増幅器には所定の周波数範囲内
で回路の発振周波数を変えるため出力電流の位相
角を変える機構が設けられる。このためトランジ
スタのエミツタ２８は固定コンデンサ３０、可変
抵抗３１、およびこれと並列の固定コイル２９よ
りなる部品を接地接続するための並列接続線を含
んでいる。
で回路の発振周波数を変えるため出力電流の位相
角を変える機構が設けられる。このためトランジ
スタのエミツタ２８は固定コンデンサ３０、可変
抵抗３１、およびこれと並列の固定コイル２９よ
りなる部品を接地接続するための並列接続線を含
んでいる。
このようにして動作時には、トランジスタのコ
レクタとベースの間に接続されたコイル２２、抵
抗２４、コンデンサ２５、およびベースから接地
に接続されたコンデンサ２６、コレクタから接地
に接続されたコンデンサ２７を含む帰還回路が形
成されることが分る。さらに、トランジスタ増幅
器にはコンデンサ３０と可変抵抗３１との直列回
路に並列接続されたコイル２９よりなりエミツタ
を接地に接続する並列回路を含んでいる。
レクタとベースの間に接続されたコイル２２、抵
抗２４、コンデンサ２５、およびベースから接地
に接続されたコンデンサ２６、コレクタから接地
に接続されたコンデンサ２７を含む帰還回路が形
成されることが分る。さらに、トランジスタ増幅
器にはコンデンサ３０と可変抵抗３１との直列回
路に並列接続されたコイル２９よりなりエミツタ
を接地に接続する並列回路を含んでいる。
ここで回路の位相角対出力周波数の関係を示す
第４ａ図の周波数応答曲線を参照すれば、コイル
２２、抵抗２４、コンデンサ２５，２６，２７を
含む帰還回路網の位相角をφとして示してあ
る。抵抗２４の値が変われば、この位相角のプロ
ツトの形は変わり、換言すれば抵抗値が増すにし
たがつて３と４の間に延びる曲線部分の傾斜
はゆるやかになりｄφ／ｄは小さくなる。
第４ａ図の周波数応答曲線を参照すれば、コイル
２２、抵抗２４、コンデンサ２５，２６，２７を
含む帰還回路網の位相角をφとして示してあ
る。抵抗２４の値が変われば、この位相角のプロ
ツトの形は変わり、換言すれば抵抗値が増すにし
たがつて３と４の間に延びる曲線部分の傾斜
はゆるやかになりｄφ／ｄは小さくなる。
しかし、前述したように、この回路の発振周波
数は増幅器回路の位相角φAを変えることによつ
て変わり、この場合には抵抗３１の値を変えるこ
とにより変わる。第４ｂ図の位相角曲線群の各曲
線は抵抗３１の値を変えた結果得られた位相角を
示し、増幅器の位相角は縦軸目盛から求められる
ことが分るであろう。
数は増幅器回路の位相角φAを変えることによつ
て変わり、この場合には抵抗３１の値を変えるこ
とにより変わる。第４ｂ図の位相角曲線群の各曲
線は抵抗３１の値を変えた結果得られた位相角を
示し、増幅器の位相角は縦軸目盛から求められる
ことが分るであろう。
第４ｃ図は第４ｂ図の増幅器位相角曲線群に第
４ａ図の帰還位相角曲線を反転した曲線を重ねた
ものを示し、交さするすべての点において位相角
の和は発振条件の360゜に等しくなつている。勿
論、抵抗２４の値も変えることが可能であり、そ
れによつて帰還回路の抵抗値を変えることにより
周波数変化の範囲を変えることを可能にする。こ
のようにして帰還回路抵抗の値が大きくなるほど
ｄφ／ｄは小さくなり、その抵抗値が小さくなるほ ど傾斜は急となる。したがつて増幅器回路の位相
角を変えることにより回路全体の発振周波数を変
えることができる。さらに指摘したように、この
位相角を電子的に変えることはやや容易でありま
た非常に有効且実用的である。
４ａ図の帰還位相角曲線を反転した曲線を重ねた
ものを示し、交さするすべての点において位相角
の和は発振条件の360゜に等しくなつている。勿
論、抵抗２４の値も変えることが可能であり、そ
れによつて帰還回路の抵抗値を変えることにより
周波数変化の範囲を変えることを可能にする。こ
のようにして帰還回路抵抗の値が大きくなるほど
ｄφ／ｄは小さくなり、その抵抗値が小さくなるほ ど傾斜は急となる。したがつて増幅器回路の位相
角を変えることにより回路全体の発振周波数を変
えることができる。さらに指摘したように、この
位相角を電子的に変えることはやや容易でありま
た非常に有効且実用的である。
第５図を参照すれば、回路の適当な動作に必要
な交流回路および直流電力回路よりなる本発明の
他の一実施例を示している。この図には端子３６
に接続された電源（図示なし）から付勢され抵抗
３７、高周波チヨーク３８を通つてコレクタ電流
を供給されるトランジスタ３５を含む増幅器３４
を示している。さらに、トランジスタにはダイオ
ード３９と抵抗４０を経てベース電流が供給され
る。この回路の帰還回路はトランジスタ３５のコ
レクタとベースの間に接続された固定コイル４
１、抵抗４２、固定コンデンサ４４を含んでい
る。接地とベースの間には固定コンデンサ４８が
接続さされ、またコレクタと接地の間には固定コ
ンデンサ４９が接続されている。増幅器のエミツ
タ回路には固定コンデンサ４６と複数の直列接続
ダイオード４７との直列接続路と並列に固定コイ
ル４５を含んでいる。
な交流回路および直流電力回路よりなる本発明の
他の一実施例を示している。この図には端子３６
に接続された電源（図示なし）から付勢され抵抗
３７、高周波チヨーク３８を通つてコレクタ電流
を供給されるトランジスタ３５を含む増幅器３４
を示している。さらに、トランジスタにはダイオ
ード３９と抵抗４０を経てベース電流が供給され
る。この回路の帰還回路はトランジスタ３５のコ
レクタとベースの間に接続された固定コイル４
１、抵抗４２、固定コンデンサ４４を含んでい
る。接地とベースの間には固定コンデンサ４８が
接続さされ、またコレクタと接地の間には固定コ
ンデンサ４９が接続されている。増幅器のエミツ
タ回路には固定コンデンサ４６と複数の直列接続
ダイオード４７との直列接続路と並列に固定コイ
ル４５を含んでいる。
このようにして前述したように、発振器周波数
を検出する機構すなわち出力端子５１に生ずる回
路全体の発振器出力周波数０はコイル４１、抵
抗４２、コンデンサ４４、コンデンサ４８，４９
を含む帰還回路の位相角と、接地に接続されたコ
イル４５と並列接続をなすコンデンサ４６、ダイ
オード４７のバンクを含む増幅器３４の位相角と
の関係によつて決まる。この回路においては増幅
器の抵抗変化は端子５２に導入される電流信号の
制御によつて行なわれる。この電流信号は交流電
流と直流電流を分離するためチヨーク５４を通し
て、ダイオード４７のバンクの抵抗値を変えるた
めに用いられる。周知のようにシリコンダイオー
ドの増分電流抵抗は約26Ω／通過電流（mA）に
等しい。したがつて端子５２に電流を加え制御す
ることによつてダイオード４７の抵抗値は増幅器
回路の抵抗を加減するように予め調整される。そ
うすることによつて、増幅器の位相角は変えら
れ、さらに、前述したように端子５１に生ずる回
路全体の発振周波数０を変える。
を検出する機構すなわち出力端子５１に生ずる回
路全体の発振器出力周波数０はコイル４１、抵
抗４２、コンデンサ４４、コンデンサ４８，４９
を含む帰還回路の位相角と、接地に接続されたコ
イル４５と並列接続をなすコンデンサ４６、ダイ
オード４７のバンクを含む増幅器３４の位相角と
の関係によつて決まる。この回路においては増幅
器の抵抗変化は端子５２に導入される電流信号の
制御によつて行なわれる。この電流信号は交流電
流と直流電流を分離するためチヨーク５４を通し
て、ダイオード４７のバンクの抵抗値を変えるた
めに用いられる。周知のようにシリコンダイオー
ドの増分電流抵抗は約26Ω／通過電流（mA）に
等しい。したがつて端子５２に電流を加え制御す
ることによつてダイオード４７の抵抗値は増幅器
回路の抵抗を加減するように予め調整される。そ
うすることによつて、増幅器の位相角は変えら
れ、さらに、前述したように端子５１に生ずる回
路全体の発振周波数０を変える。
このようにして端子５２に加えられる電流入力
の値によつて決る出力周波数を生ずる電子制御可
変周波数正弦波発振器が堤供されることが分る。
その電流入力を制御する機構を設けることによつ
て、発振器の周波数は電子的に調整される。さら
に可変抵抗４２を設けその抵抗値を制御すること
によつて、ｄφ／ｄを変えて、それによつて増幅器 回路の位相角の調整で変えることのできる出力周
波数の範囲を設定する。
の値によつて決る出力周波数を生ずる電子制御可
変周波数正弦波発振器が堤供されることが分る。
その電流入力を制御する機構を設けることによつ
て、発振器の周波数は電子的に調整される。さら
に可変抵抗４２を設けその抵抗値を制御すること
によつて、ｄφ／ｄを変えて、それによつて増幅器 回路の位相角の調整で変えることのできる出力周
波数の範囲を設定する。
第１図は直流供給接続を省いた従来技術の可変
周波数正弦波発振器の回路図、第２図は第１図の
回路の帰還回路網の周波数応答曲線、第３図は直
流供給素子を省いた本考案の第１の実施例の回路
図、第４ａ図は帰還信号の位相角対周波数曲線、
第４ｂ図は増幅器位相角対周波数曲線群、第４ｃ
図は第３図の回路の周波数応答曲線、第５図は第
３図の回路の１実施例の接続図である。 １０……トランジスタ、１１……端子、１２…
…コイル、１４……可変コンデンサ、１５，１６
……コンデンサ、２０……トランジスタ、２１…
…出力端子、２２……コイル、２４……抵抗、２
５，２６，２７，３０……コンデンサ、２８……
エミツタ、２９……コイル、３１……可変抵抗、
３４……増幅器、３５……トランジスタ、３６…
…端子、３７……抵抗、３８……高周波チヨー
ク、３９……ダイオード、４０……抵抗、４１…
…コイル、４２……抵抗、４４，４６，４８，４
９……コンデンサ、４５……コイル、４７……ダ
イオード、５１……出力端子、５２……制御電流
端子、５４……チヨーク、５６……抵抗。
周波数正弦波発振器の回路図、第２図は第１図の
回路の帰還回路網の周波数応答曲線、第３図は直
流供給素子を省いた本考案の第１の実施例の回路
図、第４ａ図は帰還信号の位相角対周波数曲線、
第４ｂ図は増幅器位相角対周波数曲線群、第４ｃ
図は第３図の回路の周波数応答曲線、第５図は第
３図の回路の１実施例の接続図である。 １０……トランジスタ、１１……端子、１２…
…コイル、１４……可変コンデンサ、１５，１６
……コンデンサ、２０……トランジスタ、２１…
…出力端子、２２……コイル、２４……抵抗、２
５，２６，２７，３０……コンデンサ、２８……
エミツタ、２９……コイル、３１……可変抵抗、
３４……増幅器、３５……トランジスタ、３６…
…端子、３７……抵抗、３８……高周波チヨー
ク、３９……ダイオード、４０……抵抗、４１…
…コイル、４２……抵抗、４４，４６，４８，４
９……コンデンサ、４５……コイル、４７……ダ
イオード、５１……出力端子、５２……制御電流
端子、５４……チヨーク、５６……抵抗。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 正弦波発振器において、 トランジスタと、前記トランジスタのエミツ
タ回路に直列に接続された可変抵抗およびコン
デンサと、前記可変抵抗およびコンデンサの直
列回路に並列に接続されたコイルとからなる増
幅器と； 前記トランジスタのコレクタとベースとを接
続し、コイル、抵抗およびコンデンサを直列に
含み、コレクタとベースに接続される両端でそ
れぞれコンデンサが接地との間に接続されてい
る帰還回路と； 前記増幅器の前記可変抵抗に結合されて、前
記可変抵抗の抵抗値を変える装置とを備え、 前記増幅器と前記帰還回路がそれらを通して
伝えられる信号に360度の位相偏移を生じさせ
て、前記発振器を所定の周波数で発振させ、前
記可変抵抗の抵抗値を変えることによつて前記
発振器の発振周波数を予め定めた周波数範囲内
で変えるようにしたことを特徴とする可変周波
数正弦波発振器。 ２ 前記可変抵抗の抵抗値を変える装置が機械的
駆動装置である実用新案登録請求の範囲第１項
に記載の可変周波数正弦波発振器。 ３ 前記増幅器の前記可変抵抗がダイオードの列
からなり、前記可変抵抗の抵抗値を変える装置
が前記ダイオードの列に電流源からインダクタ
を通して加えられる電流信号であることを特徴
とする実用新案登録請求の範囲第１項に記載の
可変周波数正弦波発振器。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/581,091 US4003000A (en) | 1975-05-27 | 1975-05-27 | Sinusoidal oscillator with electronically variable frequency |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5474047U JPS5474047U (ja) | 1979-05-26 |
| JPS6211043Y2 true JPS6211043Y2 (ja) | 1987-03-16 |
Family
ID=24323849
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51042620A Pending JPS51144553A (en) | 1975-05-27 | 1976-04-16 | Variable frequency sine wave generator |
| JP1978108084U Expired JPS6211043Y2 (ja) | 1975-05-27 | 1978-08-08 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51042620A Pending JPS51144553A (en) | 1975-05-27 | 1976-04-16 | Variable frequency sine wave generator |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4003000A (ja) |
| JP (2) | JPS51144553A (ja) |
| CA (1) | CA1052452A (ja) |
| DE (1) | DE2623398C2 (ja) |
| ES (1) | ES448266A1 (ja) |
| FR (1) | FR2312877A1 (ja) |
| GB (1) | GB1545551A (ja) |
| IT (1) | IT1062957B (ja) |
| NL (1) | NL181539C (ja) |
| SE (1) | SE415426B (ja) |
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-
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- 1976-05-24 IT IT23563/76A patent/IT1062957B/it active
- 1976-05-25 DE DE2623398A patent/DE2623398C2/de not_active Expired
- 1976-05-25 SE SE7605947A patent/SE415426B/xx not_active IP Right Cessation
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- 1976-05-26 GB GB21803/76A patent/GB1545551A/en not_active Expired
-
1978
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