JPH05243845A - 電圧制御発振回路 - Google Patents
電圧制御発振回路Info
- Publication number
- JPH05243845A JPH05243845A JP4279527A JP27952792A JPH05243845A JP H05243845 A JPH05243845 A JP H05243845A JP 4279527 A JP4279527 A JP 4279527A JP 27952792 A JP27952792 A JP 27952792A JP H05243845 A JPH05243845 A JP H05243845A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- terminal
- voltage
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C3/00—Angle modulation
- H03C3/10—Angle modulation by means of variable impedance
- H03C3/12—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element
- H03C3/14—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element simulated by circuit comprising active element with at least three electrodes, e.g. reactance-tube circuit
- H03C3/16—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element simulated by circuit comprising active element with at least three electrodes, e.g. reactance-tube circuit in which the active element simultaneously serves as the active element of an oscillator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0002—Types of oscillators
- H03B2200/0008—Colpitts oscillator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/0034—Circuit elements of oscillators including a buffer amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B7/00—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes
- H03B7/02—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B7/06—Generation of oscillations using active element having a negative resistance between two of its electrodes with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element being semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 印加電圧信号（ＶＦ）によって発振の中心周
波数を変えることができる電圧制御発振回路を提供し、
また発振の中心周波数を変調信号（ＳＭ）によって中心
周波数の回りに精密に同調できる電圧制御発振回路を提
供する。 【構成】 本電圧制御発振回路は発振のために負抵抗技
術を使用し、かつ出力増幅器（１４）を含む。該出力増
幅器（１４）の出力抵抗は最大のドライブ能力のために
他の回路の入力インピーダンスと整合するよう調整でき
る。
波数を変えることができる電圧制御発振回路を提供し、
また発振の中心周波数を変調信号（ＳＭ）によって中心
周波数の回りに精密に同調できる電圧制御発振回路を提
供する。 【構成】 本電圧制御発振回路は発振のために負抵抗技
術を使用し、かつ出力増幅器（１４）を含む。該出力増
幅器（１４）の出力抵抗は最大のドライブ能力のために
他の回路の入力インピーダンスと整合するよう調整でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、負抵抗技術
を使用した電圧制御発振回路のような発振器に関する。
を使用した電圧制御発振回路のような発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】電圧制御発振器（ＶＣＯ）回路は技術的
によく知られており、かつ数多くの用途に用いられてい
る。ＶＣＯ回路は典型的には該ＶＣＯ回路の出力信号の
周波数を調整するために変化される制御信号に応答す
る。
によく知られており、かつ数多くの用途に用いられてい
る。ＶＣＯ回路は典型的には該ＶＣＯ回路の出力信号の
周波数を調整するために変化される制御信号に応答す
る。
【０００３】発振回路は擬似電圧制御発振回路に変更す
ることができ、この場合該発振回路の発振周波数は外部
インダクタ（Ｌ）および容量（Ｃ）タンク回路によって
決定される。さらに、外部ＬＣタンク回路の容量として
機能させるために外部バラクタを使用することにより、
該バラクタの容量が該バラクタに印加される電圧を変化
させることにより変えることができる。その結果、外部
ＬＣタンク回路の共振周波数はこれに応じて変化し、従
って発振回路の発振周波数を変化させる。しかしなが
ら、バラクタは非常に高価である。さらに、バラクタは
発振回路の位相ノイズを増大させる。
ることができ、この場合該発振回路の発振周波数は外部
インダクタ（Ｌ）および容量（Ｃ）タンク回路によって
決定される。さらに、外部ＬＣタンク回路の容量として
機能させるために外部バラクタを使用することにより、
該バラクタの容量が該バラクタに印加される電圧を変化
させることにより変えることができる。その結果、外部
ＬＣタンク回路の共振周波数はこれに応じて変化し、従
って発振回路の発振周波数を変化させる。しかしなが
ら、バラクタは非常に高価である。さらに、バラクタは
発振回路の位相ノイズを増大させる。
【０００４】バラクタを使用しない従来技術の電圧制御
発振回路はＭｉｃｒｏｗａｖｅｓ＆ ＲＦ発行の“Ｖａ
ｒａｃｔｏｒｌｅｓｓ ＶＣＯｓ： Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒｓ ｇｏ ｉｔ ａｌｏｎｅ”と題する１９８４年
６月発行の論文の１３７−１４２ページに完全に開示さ
れている。この論文の第２図を参照すると、修正された
コルピッツ発振器が示されている。特に、調整可能な電
圧がトランジスタのベースに印加されてそのトランジス
タのベース−エミッタ電圧およびエミッタ電流を変化さ
せる。これは、次に、該トランジスタのエミッタ−ベー
ス容量を変化させる。さらに、該トランジスタのエミッ
タ−ベース容量を変化させることにより、ＬＣタンク回
路の容量が変化しかつ発振回路の発振周波数が変化す
る。しかしながら、調整可能な電圧がトランジスタのベ
ースに印加されるため、該調整可能な電圧がトランジス
タのバイアスに顕著な影響を与える。例えば、該調整可
能な電圧が低下すると、発振回路の出力信号の電圧スイ
ングが低減するが、これはトランジスタが適切にバイア
スされていないからである。さらに、発振回路の出力信
号が対称ではない。
発振回路はＭｉｃｒｏｗａｖｅｓ＆ ＲＦ発行の“Ｖａ
ｒａｃｔｏｒｌｅｓｓ ＶＣＯｓ： Ｔｒａｎｓｉｓｔ
ｏｒｓ ｇｏ ｉｔ ａｌｏｎｅ”と題する１９８４年
６月発行の論文の１３７−１４２ページに完全に開示さ
れている。この論文の第２図を参照すると、修正された
コルピッツ発振器が示されている。特に、調整可能な電
圧がトランジスタのベースに印加されてそのトランジス
タのベース−エミッタ電圧およびエミッタ電流を変化さ
せる。これは、次に、該トランジスタのエミッタ−ベー
ス容量を変化させる。さらに、該トランジスタのエミッ
タ−ベース容量を変化させることにより、ＬＣタンク回
路の容量が変化しかつ発振回路の発振周波数が変化す
る。しかしながら、調整可能な電圧がトランジスタのベ
ースに印加されるため、該調整可能な電圧がトランジス
タのバイアスに顕著な影響を与える。例えば、該調整可
能な電圧が低下すると、発振回路の出力信号の電圧スイ
ングが低減するが、これはトランジスタが適切にバイア
スされていないからである。さらに、発振回路の出力信
号が対称ではない。
【０００５】従って、ＶＣＯ回路の出力信号の対称性お
よび適切な電圧を維持しながら電圧制御される同調容量
を備えた改良されたＶＣＯ回路を提供する必要性が存在
する。
よび適切な電圧を維持しながら電圧制御される同調容量
を備えた改良されたＶＣＯ回路を提供する必要性が存在
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】簡単にいえ
ば、第１、第２および第３の端子を有し、外部インダク
タが前記第１および第２の端子の間に結合され、制御電
圧が前記第３の端子に印加される電圧制御発振器が提供
される。該電圧制御発振器は、前記第１および第２の端
子に結合されて所定の中心周波数を有する出力信号を提
供する発振回路を備え、該発振回路は所定の負入力抵抗
を有しそれにより該発振回路が発振を維持するようにす
るトランジスタを含み、該発振回路は前記制御電圧に応
答しそれにより該制御電圧が変化した時該発振回路の出
力信号の中心周波数が変化する。また、前記電圧制御発
振器は入力および出力を有する出力増幅器を備え、該出
力増幅器の入力は前記発振回路の出力信号を受けるよう
に結合されており、該出力増幅器の出力は電圧制御発振
回路の出力端子に結合されており、該出力増幅器は調整
可能な出力インピーダンスを有する。
ば、第１、第２および第３の端子を有し、外部インダク
タが前記第１および第２の端子の間に結合され、制御電
圧が前記第３の端子に印加される電圧制御発振器が提供
される。該電圧制御発振器は、前記第１および第２の端
子に結合されて所定の中心周波数を有する出力信号を提
供する発振回路を備え、該発振回路は所定の負入力抵抗
を有しそれにより該発振回路が発振を維持するようにす
るトランジスタを含み、該発振回路は前記制御電圧に応
答しそれにより該制御電圧が変化した時該発振回路の出
力信号の中心周波数が変化する。また、前記電圧制御発
振器は入力および出力を有する出力増幅器を備え、該出
力増幅器の入力は前記発振回路の出力信号を受けるよう
に結合されており、該出力増幅器の出力は電圧制御発振
回路の出力端子に結合されており、該出力増幅器は調整
可能な出力インピーダンスを有する。
【０００７】本発明は添付の図面と共に以下の詳細な説
明を参照することによりさらによく理解できる。
明を参照することによりさらによく理解できる。
【０００８】
【実施例】図１を参照すると、電圧制御発振器（ＶＣ
Ｏ）回路の詳細な回路図が示されており、該ＶＣＯ回路
は発振回路１２と出力増幅器１４とを具備する。該ＶＣ
Ｏ回路の出力は端子１６に与えられる。
Ｏ）回路の詳細な回路図が示されており、該ＶＣＯ回路
は発振回路１２と出力増幅器１４とを具備する。該ＶＣ
Ｏ回路の出力は端子１６に与えられる。
【０００９】発振回路１２はそのベースが容量２２を介
して端子２４に結合されたトランジスタ２０を含む。ト
ランジスタ２０のベースはまた抵抗２６を介して第１の
電源端子に結合されており、該第１の電源端子には、た
とえば５ボルトの、作動電圧ＶＣＣが印加されている。
同様にして、トランジスタ２０のベースもまた抵抗２８
を介して第２の電源電圧端子に結合されており、該第２
の電源電圧端子には、例えば、グランド基準である、作
動電圧ＶＥＥが印加されている。
して端子２４に結合されたトランジスタ２０を含む。ト
ランジスタ２０のベースはまた抵抗２６を介して第１の
電源端子に結合されており、該第１の電源端子には、た
とえば５ボルトの、作動電圧ＶＣＣが印加されている。
同様にして、トランジスタ２０のベースもまた抵抗２８
を介して第２の電源電圧端子に結合されており、該第２
の電源電圧端子には、例えば、グランド基準である、作
動電圧ＶＥＥが印加されている。
【００１０】トランジスタ２０のエミッタは回路ノード
３０に結合されており、該回路ノード３０と前記第２の
電源電圧端子との間には抵抗３２および容量３４が並列
に結合されている。トランジスタ２０のコレクタは発振
回路１２の出力に接続されており、かつ抵抗３６を介し
て回路ノード３８に接続されている。
３０に結合されており、該回路ノード３０と前記第２の
電源電圧端子との間には抵抗３２および容量３４が並列
に結合されている。トランジスタ２０のコレクタは発振
回路１２の出力に接続されており、かつ抵抗３６を介し
て回路ノード３８に接続されている。
【００１１】抵抗４０が回路ノード３８と前記第１の電
源電圧端子との間に接続されている。抵抗４２が回路ノ
ード３８と電圧信号ＶＦが印加される端子４４との間に
接続されている。
源電圧端子との間に接続されている。抵抗４２が回路ノ
ード３８と電圧信号ＶＦが印加される端子４４との間に
接続されている。
【００１２】出力増幅器１４は端子１６に接続されかつ
抵抗５２を介して前記第１の電源電圧端子に接続された
コレクタを有するトランジスタ５０を含む。トランジス
タ５０のベースはフィードバック抵抗５４を介してトラ
ンジスタ５０のコレクタに接続されている。さらに、ト
ランジスタ５０のベースは抵抗５６を介して第２の電源
電圧端子に接続されている。トランジスタ５０のエミッ
タは第２の電源電圧端子に接続されている。また、増幅
器１４の入力は発振回路１４の出力に接続され、それに
より結合容量５８がトランジスタ２０のコレクタとトラ
ンジスタ５０のベースとの間に結合されている。
抵抗５２を介して前記第１の電源電圧端子に接続された
コレクタを有するトランジスタ５０を含む。トランジス
タ５０のベースはフィードバック抵抗５４を介してトラ
ンジスタ５０のコレクタに接続されている。さらに、ト
ランジスタ５０のベースは抵抗５６を介して第２の電源
電圧端子に接続されている。トランジスタ５０のエミッ
タは第２の電源電圧端子に接続されている。また、増幅
器１４の入力は発振回路１４の出力に接続され、それに
より結合容量５８がトランジスタ２０のコレクタとトラ
ンジスタ５０のベースとの間に結合されている。
【００１３】外部インダクタ６０が端子２４と第２の電
源電圧端子との間に接続されている。
源電圧端子との間に接続されている。
【００１４】動作においては、抵抗２６および２８は作
動電圧ＶＣＣに対する電圧分割ネットワークを形成して
トランジスタ２０のベースに所定のバイアス電圧を提供
する。この所定のバイアス電圧はトランジスタ２０のベ
ース−エミッタを介してダイオード電圧１個分だけレベ
ルがシフトダウンされその後回路ノード３０に現れる。
回路ノード３０に固定電圧を提供することにより、トラ
ンジスタ２０を通る固定電流が抵抗３２を介して決定さ
れる。従って、トランジスタ２０は所定のコレクタ電流
を有するようにバイアスされる。
動電圧ＶＣＣに対する電圧分割ネットワークを形成して
トランジスタ２０のベースに所定のバイアス電圧を提供
する。この所定のバイアス電圧はトランジスタ２０のベ
ース−エミッタを介してダイオード電圧１個分だけレベ
ルがシフトダウンされその後回路ノード３０に現れる。
回路ノード３０に固定電圧を提供することにより、トラ
ンジスタ２０を通る固定電流が抵抗３２を介して決定さ
れる。従って、トランジスタ２０は所定のコレクタ電流
を有するようにバイアスされる。
【００１５】発振回路１２はインダクタ６０、容量２
２、トランジスタ２０および抵抗３２と容量３４との並
列回路によって形成されるループの合計抵抗が負である
場合に発振する。これは理想的な同調回路はもしエネル
ギを放散するための何らの抵抗要素も存在しなければ無
限に発振するという事実に基づく。従って、発振回路１
２はもしトランジスタ２０の入力インピーダンスの実数
部が十分に負であって前記ループに対し全体として負抵
抗になれば発振する。
２、トランジスタ２０および抵抗３２と容量３４との並
列回路によって形成されるループの合計抵抗が負である
場合に発振する。これは理想的な同調回路はもしエネル
ギを放散するための何らの抵抗要素も存在しなければ無
限に発振するという事実に基づく。従って、発振回路１
２はもしトランジスタ２０の入力インピーダンスの実数
部が十分に負であって前記ループに対し全体として負抵
抗になれば発振する。
【００１６】トランジスタ２０の入力抵抗の計算の分析
的検討については１９８５年、ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ
Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．からの、“Ｍｏｄｅｒ
ｎＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ”の
ページ２４３−２４５に詳細に述べられている。トラン
ジスタ２０の入力インピーダンス（ｒｉ）の実数部の最
終結果が次の式（１）に示されている。 ｒｉ＝−ｇｍ／（ｗ２×ＣＢＥ×ＣＥ） （１） この場合、ｇｍはトランジスタ２０のトランスコンダク
タンスであり、ｗは動作周波数であり、ＣＢＥはトラン
ジスタ２０のベース−エミッタ容量であり、そしてＣＥ
はトランジスタ２０のエミッタの容量である。
的検討については１９８５年、ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ
Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．からの、“Ｍｏｄｅｒ
ｎＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ”の
ページ２４３−２４５に詳細に述べられている。トラン
ジスタ２０の入力インピーダンス（ｒｉ）の実数部の最
終結果が次の式（１）に示されている。 ｒｉ＝−ｇｍ／（ｗ２×ＣＢＥ×ＣＥ） （１） この場合、ｇｍはトランジスタ２０のトランスコンダク
タンスであり、ｗは動作周波数であり、ＣＢＥはトラン
ジスタ２０のベース−エミッタ容量であり、そしてＣＥ
はトランジスタ２０のエミッタの容量である。
【００１７】もし式（１）に示されるｒｉの大きさがル
ープ内のいずれかの他の抵抗の和より大きければ、トラ
ンジスタ２０はインダクタ（または容量）の放散エネル
ギを供給できることが理解されなければならない。従っ
て、発振回路１２は発振を維持することができる。
ープ内のいずれかの他の抵抗の和より大きければ、トラ
ンジスタ２０はインダクタ（または容量）の放散エネル
ギを供給できることが理解されなければならない。従っ
て、発振回路１２は発振を維持することができる。
【００１８】その結果、トランジスタ２０のコレクタに
現れる信号は発振信号となり、この発振信号は実質的に
［２×ｐｉ×（Ｌ×Ｃｅｑｕｉｖ）−１／２］に等しい
中心周波数（ＦＣ）で発振し、ここでＬは外部インダク
タ６０のインダクタンスでありかつＣｅｑｕｉｖは次の
式（２）で表されるループの等価容量である。 Ｃｅｑｕｉｖ＝Ｃ２２／／Ｃ３４／／（ＣＢＥ＋ＣＣＢ＋ＣＣＥ）］ （２） この場合、ＣＢＥはトランジスタ２０のベース−エミッ
タ容量であり、ＣＣＢはトランジスタ２０のコレクタ−
ベース容量であり、ＣＣＥはトランジスタ２０のコレク
タ−エミッタ容量であり、そして／／は「互いに並列」
を意味する。
現れる信号は発振信号となり、この発振信号は実質的に
［２×ｐｉ×（Ｌ×Ｃｅｑｕｉｖ）−１／２］に等しい
中心周波数（ＦＣ）で発振し、ここでＬは外部インダク
タ６０のインダクタンスでありかつＣｅｑｕｉｖは次の
式（２）で表されるループの等価容量である。 Ｃｅｑｕｉｖ＝Ｃ２２／／Ｃ３４／／（ＣＢＥ＋ＣＣＢ＋ＣＣＥ）］ （２） この場合、ＣＢＥはトランジスタ２０のベース−エミッ
タ容量であり、ＣＣＢはトランジスタ２０のコレクタ−
ベース容量であり、ＣＣＥはトランジスタ２０のコレク
タ−エミッタ容量であり、そして／／は「互いに並列」
を意味する。
【００１９】電圧ＶＦが作動電圧ＶＥＥから作動電圧Ｖ
ＣＣに変化すると、回路ノード３８と作動電圧ＶＣＣと
の間の等価抵抗が変化する。その結果、トランジスタ２
０のコレクタの電圧と共に、回路ノード３８の電圧が変
化する。
ＣＣに変化すると、回路ノード３８と作動電圧ＶＣＣと
の間の等価抵抗が変化する。その結果、トランジスタ２
０のコレクタの電圧と共に、回路ノード３８の電圧が変
化する。
【００２０】一例として、電圧ＶＦが実質的に作動電圧
ＶＣＣまで増大したものと仮定する。これは効果的に抵
抗４２を抵抗４０と並列にし、それにより回路ノード３
８と第１の供給電圧端子の間の等価抵抗を（Ｒ４２／／
Ｒ４０）に等しくする。これは回路ノード３８と第１の
供給電圧端子との間の等価抵抗を低減する効果を有す
る。これは回路ノード３８と第１の供給電圧端子との間
の電圧降下を低減する。その結果、トランジスタ２０の
コレクタ−エミッタ電圧が増大する。
ＶＣＣまで増大したものと仮定する。これは効果的に抵
抗４２を抵抗４０と並列にし、それにより回路ノード３
８と第１の供給電圧端子の間の等価抵抗を（Ｒ４２／／
Ｒ４０）に等しくする。これは回路ノード３８と第１の
供給電圧端子との間の等価抵抗を低減する効果を有す
る。これは回路ノード３８と第１の供給電圧端子との間
の電圧降下を低減する。その結果、トランジスタ２０の
コレクタ−エミッタ電圧が増大する。
【００２１】一方、電圧ＶＦが実質的に作動電圧ＶＥＥ
まで低減すると、抵抗４２は回路ノード３８と第１の供
給電圧端子との間の等価抵抗に対する影響が少なくな
る。これは回路ノード３８と第１の供給電圧端子との間
の等価抵抗を増大する効果を有する。これは回路ノード
３８と第１の供給電圧端子との間の電圧降下を増大す
る。その結果、トランジスタ２０のコレクタ−エミッタ
電圧は低下する。
まで低減すると、抵抗４２は回路ノード３８と第１の供
給電圧端子との間の等価抵抗に対する影響が少なくな
る。これは回路ノード３８と第１の供給電圧端子との間
の等価抵抗を増大する効果を有する。これは回路ノード
３８と第１の供給電圧端子との間の電圧降下を増大す
る。その結果、トランジスタ２０のコレクタ−エミッタ
電圧は低下する。
【００２２】さらに、トランジスタ２０のコレクタ−エ
ミッタ電圧を変えることにより、トランジスタ２０のコ
レクタ−エミッタ容量、およびベース−エミッタ容量が
それに応じて変化する。これは前記式（２）で示される
タンク回路の等価容量を変化させる効果を持つ。さら
に、発振回路１２の中心周波数が変化する。
ミッタ電圧を変えることにより、トランジスタ２０のコ
レクタ−エミッタ容量、およびベース−エミッタ容量が
それに応じて変化する。これは前記式（２）で示される
タンク回路の等価容量を変化させる効果を持つ。さら
に、発振回路１２の中心周波数が変化する。
【００２３】特に、もし電圧ＶＦが増大すると、発振回
路１４の中心周波数が増大する。一方、もし電圧ＶＦが
低下すると、発振回路１２の中心周波数が低下する。
路１４の中心周波数が増大する。一方、もし電圧ＶＦが
低下すると、発振回路１２の中心周波数が低下する。
【００２４】要するに、電圧ＶＦが変化すると、発振回
路１２の発振の中心周波数が変化する。従って、図１に
示される回路はその周波数が電圧ＶＦによって調整でき
る電圧制御発振回路である。
路１２の発振の中心周波数が変化する。従って、図１に
示される回路はその周波数が電圧ＶＦによって調整でき
る電圧制御発振回路である。
【００２５】出力増幅器１４は本質的には反転増幅器で
あり、トランジスタ５０のベースにその反転入力を有
し、トランジスタ５０のコレクタにその出力を有し、か
つその非反転入力をトランジスタ５０のエミッタに有
し、該エミッタは第２の供給電圧端子に接続されてい
る。
あり、トランジスタ５０のベースにその反転入力を有
し、トランジスタ５０のコレクタにその出力を有し、か
つその非反転入力をトランジスタ５０のエミッタに有
し、該エミッタは第２の供給電圧端子に接続されてい
る。
【００２６】抵抗５４は増幅器１４の出力と反転入力と
の間に結合されたネガティブフィードバック抵抗であ
る。さらに、抵抗５６は反転入力と第２の供給電圧端子
との間に結合されたソース抵抗として機能する。従っ
て、トランジスタ５０のベースに現れる発振信号は抵抗
５６に対する抵抗５４の比率（Ｒ５４／Ｒ５６）によっ
て増幅されかつその後端子１６に供給される。さらに、
抵抗５２は出力増幅器１４を通るバイアス電流を設定す
るために選択できる。
の間に結合されたネガティブフィードバック抵抗であ
る。さらに、抵抗５６は反転入力と第２の供給電圧端子
との間に結合されたソース抵抗として機能する。従っ
て、トランジスタ５０のベースに現れる発振信号は抵抗
５６に対する抵抗５４の比率（Ｒ５４／Ｒ５６）によっ
て増幅されかつその後端子１６に供給される。さらに、
抵抗５２は出力増幅器１４を通るバイアス電流を設定す
るために選択できる。
【００２７】出力増幅器１４の大きな有利性はその出力
インピーダンス（端子１６からトランジスタ５０のコレ
クタへのフィードバックと共に見られるインピーダン
ス）が所定のインピーダンス、例えば５０オーム、に調
整できることである。
インピーダンス（端子１６からトランジスタ５０のコレ
クタへのフィードバックと共に見られるインピーダン
ス）が所定のインピーダンス、例えば５０オーム、に調
整できることである。
【００２８】トランジスタ５０の小信号モデルを用いる
ことにより、フィードバック（ＲＯ ＵＴ（１４））を有
する増幅器１４の出力インピーダンスは次の式（３）の
ように簡略化できる。 ＲＯＵＴ（１４）＝（Ｒ５２／／Ｒ４４）／［１−Ｂｘｇｍ（Ｒ５２ ／／Ｒ５４）（Ｒ５６／／Ｒ５４／／ｒｐｉ）］ （３） この場合、（Ｒ５２／／Ｒ５４）はトランジスタ５０の
コレクタから見た等価抵抗であり、Ｂは実施的に（−１
／Ｒ５４）に等しいループゲインであり、ｇｍおよびｒ
ｐｉはそれぞれトランジスタ５０のトランスコンダクタ
ンスおよび小信号入力抵抗であり、そして（Ｒ５６／／
Ｒ５４／／ｒｐｉ）はトランジスタ５０のベースから見
た等価抵抗である。
ことにより、フィードバック（ＲＯ ＵＴ（１４））を有
する増幅器１４の出力インピーダンスは次の式（３）の
ように簡略化できる。 ＲＯＵＴ（１４）＝（Ｒ５２／／Ｒ４４）／［１−Ｂｘｇｍ（Ｒ５２ ／／Ｒ５４）（Ｒ５６／／Ｒ５４／／ｒｐｉ）］ （３） この場合、（Ｒ５２／／Ｒ５４）はトランジスタ５０の
コレクタから見た等価抵抗であり、Ｂは実施的に（−１
／Ｒ５４）に等しいループゲインであり、ｇｍおよびｒ
ｐｉはそれぞれトランジスタ５０のトランスコンダクタ
ンスおよび小信号入力抵抗であり、そして（Ｒ５６／／
Ｒ５４／／ｒｐｉ）はトランジスタ５０のベースから見
た等価抵抗である。
【００２９】ｇｍおよびｒｐｉの値は、よく知られてい
るように、トランジスタ５０を通るコレクタ電流に依存
する。さらに、トランジスタ５０を通るコレクタ電流は
抵抗５２に対し異なる値を選択することにより調整でき
る。従って、フィードバック（ＲＯＵＴ（１４））を備
えた増幅器１４の出力インピーダンスは抵抗５２に対す
る異なる値を選択することにより容易に調整できる。
るように、トランジスタ５０を通るコレクタ電流に依存
する。さらに、トランジスタ５０を通るコレクタ電流は
抵抗５２に対し異なる値を選択することにより調整でき
る。従って、フィードバック（ＲＯＵＴ（１４））を備
えた増幅器１４の出力インピーダンスは抵抗５２に対す
る異なる値を選択することにより容易に調整できる。
【００３０】要するに、端子２０から見た出力抵抗が抵
抗５２によって調整できる。従って、図１のＶＣＯ回路
の出力インピーダンスは最大の駆動能力のために端子２
０に結合された回路（図示せず）の入力インピーダンス
を整合するよう設計できる。
抗５２によって調整できる。従って、図１のＶＣＯ回路
の出力インピーダンスは最大の駆動能力のために端子２
０に結合された回路（図示せず）の入力インピーダンス
を整合するよう設計できる。
【００３１】図２を参照すると、別の実施例の電圧制御
発振器回路の詳細な電気回路図が示されている。図２に
示された構成要素であって図１に示された構成要素と同
じものは同じ参照番号で識別されることが理解される。
発振器回路の詳細な電気回路図が示されている。図２に
示された構成要素であって図１に示された構成要素と同
じものは同じ参照番号で識別されることが理解される。
【００３２】図２の回路はさらに回路ノード３０と端子
６４との間に結合された抵抗６２を含み、それにより信
号Ｓｍが端子６４に印加される。
６４との間に結合された抵抗６２を含み、それにより信
号Ｓｍが端子６４に印加される。
【００３３】動作においては、典型的にはＡＣ信号であ
る、信号Ｓｍが端子６４に印加される。回路ノード３０
に現れる信号は抵抗６２および３２によって形成される
抵抗分割器ネットワークによって信号ＳＭが減衰された
ものである。
る、信号Ｓｍが端子６４に印加される。回路ノード３０
に現れる信号は抵抗６２および３２によって形成される
抵抗分割器ネットワークによって信号ＳＭが減衰された
ものである。
【００３４】信号ＳＭを端子６４に印加することによ
り、周波数変調効果が生成され、それにより信号Ｓｍの
周波数が増大するに応じて、発振回路１２の発振の中心
周波数はやや増大する。一方、信号Ｓｍの周波数が低下
するに応じて、発振回路１２の発振の中心周波数はやや
低下する。その結果、信号ＳＭの周波数を変えることに
より、発振の中心周波数は該発振の中心周波数の回りに
高い分解能で調整できる。例えば、発振回路１２の出力
信号の中心周波数は１００ＭＨｚとすることができ、一
方信号ＳＭは中心周波数が該中心周波数のキロヘルツ以
内で調整される。
り、周波数変調効果が生成され、それにより信号Ｓｍの
周波数が増大するに応じて、発振回路１２の発振の中心
周波数はやや増大する。一方、信号Ｓｍの周波数が低下
するに応じて、発振回路１２の発振の中心周波数はやや
低下する。その結果、信号ＳＭの周波数を変えることに
より、発振の中心周波数は該発振の中心周波数の回りに
高い分解能で調整できる。例えば、発振回路１２の出力
信号の中心周波数は１００ＭＨｚとすることができ、一
方信号ＳＭは中心周波数が該中心周波数のキロヘルツ以
内で調整される。
【００３５】図１および図２に示される回路は負または
正の供給電圧で動作でき、作動電圧ＶＣＣが正の電圧で
ありかつ作動電圧ＶＥＥがグランドとすることができ、
あるいは作動電圧ＶＣＣがグランドでありかつ作動電圧
ＶＥＥが負電圧とすることが可能なことは注目に値す
る。さらに、インダクタ６０は端子２４およびグランド
の間に結合されることが理解できる。
正の供給電圧で動作でき、作動電圧ＶＣＣが正の電圧で
ありかつ作動電圧ＶＥＥがグランドとすることができ、
あるいは作動電圧ＶＣＣがグランドでありかつ作動電圧
ＶＥＥが負電圧とすることが可能なことは注目に値す
る。さらに、インダクタ６０は端子２４およびグランド
の間に結合されることが理解できる。
【００３６】図３を参照すると、図１の電圧制御発振回
路の端子１６に現れる典型的なシミュレートされた出力
信号のグラフが示されている。端子１６に現れる信号は
直列結合容量および終端抵抗を通って流れシミュレート
された出力信号を発生することが理解される。明らか
に、出力信号の電圧スイングは０〜５ボルトのＶＦの全
調整範囲に対し比較的一定であり、電圧スイングが電圧
ＶＦが低下するに応じてやや低下する。さらに、図３の
出力信号は電圧ＶＦが増大するに応じて、発振の周波数
も増大することを示している。
路の端子１６に現れる典型的なシミュレートされた出力
信号のグラフが示されている。端子１６に現れる信号は
直列結合容量および終端抵抗を通って流れシミュレート
された出力信号を発生することが理解される。明らか
に、出力信号の電圧スイングは０〜５ボルトのＶＦの全
調整範囲に対し比較的一定であり、電圧スイングが電圧
ＶＦが低下するに応じてやや低下する。さらに、図３の
出力信号は電圧ＶＦが増大するに応じて、発振の周波数
も増大することを示している。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、新規な
電圧制御発振回路が提供され、該発振回路は発振周波数
を印加された電圧信号（ＶＦ）あるいは変調信号
（ＳＭ）によって変えることが可能である。さらに、本
電圧制御発振回路は発振のために負抵抗技術を使用しか
つその出力抵抗が調整できる出力増幅器を含む。
電圧制御発振回路が提供され、該発振回路は発振周波数
を印加された電圧信号（ＶＦ）あるいは変調信号
（ＳＭ）によって変えることが可能である。さらに、本
電圧制御発振回路は発振のために負抵抗技術を使用しか
つその出力抵抗が調整できる出力増幅器を含む。
【００３８】本発明が特定の実施例に関して説明された
が、以上の説明から当業者にとっては数多くの置換え、
修正および変更が可能であることは明らかである。従っ
て、すべてのそのような置換え、修正および変更は添付
の特許請求の範囲に含まれるものと考える。
が、以上の説明から当業者にとっては数多くの置換え、
修正および変更が可能であることは明らかである。従っ
て、すべてのそのような置換え、修正および変更は添付
の特許請求の範囲に含まれるものと考える。
【図１】本発明に係わる電圧制御発振回路を示す詳細な
電気回路図である。
電気回路図である。
【図２】本発明に係わる電圧制御発振回路の別の実施例
を示す詳細な電気回路図である。
を示す詳細な電気回路図である。
【図３】図１の電圧制御発振回路の典型的な出力信号を
示すグラフである。
示すグラフである。
１２ 発振回路 １４ 出力増幅器 １６ 出力端子 ２０，５０ トランジスタ ２２，３４，５８ 容量 ２６，２８，３２，３６，４０，４２，５２，５４，５
６，６２ 抵抗 ６０ インダクタ
６，６２ 抵抗 ６０ インダクタ
Claims (6)
- 【請求項１】 第１、第２および第３の端子を有し、外
部インダクタが前記第１および第２の端子の間に結合さ
れ、前記第３の端子に制御電圧が印加される電圧制御発
振回路であって、 前記第１および第２の端子に結合され所定の中心周波数
を有する出力信号を提供するための発振回路（１２）で
あって、該発振回路は該発振回路が発振を維持するよう
に所定の負入力抵抗を有するトランジスタ（２０）を含
み、該発振回路は前記制御電圧に応答して該制御電圧が
変化した時に前記発振回路の前記出力信号の前記中心周
波数が変化するもの、そして入力および出力を有する出
力増幅器（１４）であって、該出力増幅器の前記入力は
前記発振回路の前記出力信号を受けるように結合され、
前記出力増幅器の前記出力は前記電圧制御発振回路の出
力端子に結合され、前記出力増幅器は調整可能な出力イ
ンピーダンスを有するもの、 を具備することを特徴とする電圧制御発振回路。 - 【請求項２】 前記発振回路は、 コレクタ、ベースおよびエミッタを有する前記トランジ
スタ（２０）であって、該トランジスタのコレクタは前
記発振回路の前記出力信号を提供するよう結合されてい
るもの、 前記トランジスタの前記ベースと第１の供給電圧端子と
の間に接続された第１の抵抗（２８）、 前記トランジスタの前記ベースと第２の供給電圧端子と
の間に接続された第２の抵抗（２６）、 前記トランジスタの前記エミッタと前記第２の供給電圧
端子との間に結合された第３の抵抗（３２）、 前記トランジスタの前記コレクタと第１の回路ノードと
の間に結合された第４の抵抗（３６）、 前記第１の回路ノードと前記第１の供給電圧端子との間
に結合された第５の抵抗（４０）、 前記第１の回路ノードと第３の端子との間に結合された
第６の抵抗（４２）、 前記トランジスタの前記ベースと第１の端子との間に結
合された第１の容量（２２）、そして前記トランジスタ
の前記エミッタと前記第２の供給電圧端子との間に結合
された第２の容量（３４）、 を含むことを特徴とする請求項１に記載の電圧制御発振
回路。 - 【請求項３】 前記出力増幅器は、 コレクタ、ベースおよびエミッタを有する第１のトラン
ジスタ（５０）であって、前記出力増幅器の前記第１の
トランジスタの前記コレクタは前記電圧制御発振回路の
前記出力端子に結合され、前記出力増幅器の前記第１の
トランジスタの前記ベースは前記発振回路の前記出力信
号を受けるよう接続され、前記出力増幅器の前記第１の
トランジスタの前記エミッタは前記第２の供給電圧端子
に結合されているもの、 前記出力増幅器の前記第１のトランジスタの前記ベース
とコレクタとの間に結合された第１の抵抗（５４）、 前記出力増幅器の前記第１のトランジスタの前記コレク
タと前記第１の供給電圧端子との間に結合された第２の
抵抗（５２）、そして前記出力増幅器の前記第１のトラ
ンジスタの前記ベースと前記第２の供給電圧端子との間
に結合された第３の抵抗（５６）、 を含むことを特徴とする請求項２に記載の電圧制御発振
回路。 - 【請求項４】 さらに、前記発振回路の前記トランジス
タの前記コレクタと前記出力増幅器の前記第１のトラン
ジスタの前記ベースとの間に結合された第３の容量（５
８）を含むことを特徴とする請求項３に記載の電圧制御
発振回路。 - 【請求項５】 さらに、ＡＣ電圧信号を前記発振回路に
印加して前記発振回路の前記出力信号の周波数が前記所
定の中心周波数の回りに変調されるようにする変調回路
を含むことを特徴とする請求項１に記載の電圧制御発振
回路。 - 【請求項６】 前記変調回路は第１および第２の端子を
有する第１の抵抗を含み、前記変調回路の前記第１の抵
抗の前記第１の端子は前記発振回路の前記トランジスタ
の前記エミッタに結合され、前記変調回路の前記第１の
抵抗の前記第２の端子は前記ＡＣ電圧信号を受けるよう
に結合されていることを特徴とする請求項５に記載の電
圧制御発振回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US767,948 | 1985-08-21 | ||
| US07/767,948 US5107228A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Voltage controlled oscillator employing negative resistance |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243845A true JPH05243845A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=25081061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4279527A Pending JPH05243845A (ja) | 1991-09-30 | 1992-09-24 | 電圧制御発振回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5107228A (ja) |
| EP (1) | EP0535883B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05243845A (ja) |
| DE (1) | DE69226320T2 (ja) |
| SG (1) | SG46250A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5218325A (en) * | 1992-03-31 | 1993-06-08 | Motorola, Inc. | Low noise oscillator |
| US5245298A (en) * | 1992-07-30 | 1993-09-14 | Motorola, Inc. | Voltage controlled oscillator having cascoded output |
| WO1994006206A1 (en) * | 1992-08-27 | 1994-03-17 | Motorola Inc. | Push pull buffer with noise cancelling symmetry |
| US5258726A (en) * | 1992-10-29 | 1993-11-02 | Motorola, Inc. | Voltage controlled oscillator with low operating supply voltage |
| JP3142220B2 (ja) * | 1995-03-30 | 2001-03-07 | シャープ株式会社 | チューナ |
| KR0153379B1 (ko) * | 1995-09-26 | 1998-11-16 | 김광호 | 디지탈 무선통신시스템의 업/다운컨버터용 전압제어발진기 |
| US5838207A (en) * | 1996-12-20 | 1998-11-17 | Ericsson Inc. | Voltage controlled oscillator with partial load-pull tuning |
| US5856763A (en) * | 1997-03-05 | 1999-01-05 | Motorola Inc. | Dual frequency voltage controlled oscillator |
| US6114919A (en) * | 1998-03-16 | 2000-09-05 | Tritech Microelectronics, Ltd. | High frequency voltage controlled oscillator IC using diffusion capacitance modulation |
| US6396356B1 (en) | 1999-05-24 | 2002-05-28 | Level One Communications, Inc. | Linearization scheme for voltage controlled oscillator |
| CN102868397B (zh) * | 2011-07-05 | 2014-12-17 | 杭州中科微电子有限公司 | 可优化压控振荡器性能的自校正频率综合器及其优化方法 |
| CN117713812B (zh) * | 2024-02-04 | 2024-04-26 | 安徽矽磊电子科技有限公司 | 一种用于锁相环的宽带振荡器 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE534312A (ja) * | 1953-12-23 | |||
| US3593204A (en) * | 1969-05-22 | 1971-07-13 | Westinghouse Electric Corp | High frequency voltage controlled oscillator |
| US3611195A (en) * | 1969-09-03 | 1971-10-05 | Hughes Aircraft Co | Variable frequency oscillator and modulator circuits including colpitts transistor and feedback transistor |
| DE3017607A1 (de) * | 1980-05-08 | 1981-11-12 | Grundig E.M.V. Elektro-Mechanische Versuchsanstalt Max Grundig & Co KG, 8510 Fürth | Schaltungsanordnung fuer einen fersehtuner |
| US4503402A (en) * | 1982-08-19 | 1985-03-05 | General Electric Company | Voltage controlled oscillator having approximately constant modulation sensitivity |
| US4635296A (en) * | 1985-02-22 | 1987-01-06 | Transkinetic Systems, Inc. | Wide bandwidth ultra high stability FM telemetry transmitter |
| US4924195A (en) * | 1989-06-19 | 1990-05-08 | At&T Bell Laboratories | Crystal oscillator with broad tuning capability |
-
1991
- 1991-09-30 US US07/767,948 patent/US5107228A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-09-24 JP JP4279527A patent/JPH05243845A/ja active Pending
- 1992-09-28 SG SG1996001632A patent/SG46250A1/en unknown
- 1992-09-28 DE DE69226320T patent/DE69226320T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-09-28 EP EP92308800A patent/EP0535883B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5107228A (en) | 1992-04-21 |
| DE69226320D1 (de) | 1998-08-27 |
| SG46250A1 (en) | 1998-02-20 |
| EP0535883B1 (en) | 1998-07-22 |
| EP0535883A1 (en) | 1993-04-07 |
| DE69226320T2 (de) | 1999-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920000104B1 (ko) | 크리스탈 발진기 회로 | |
| US6437652B1 (en) | Apparatus and method for reducing phase noise in oscillator circuits | |
| US4581593A (en) | Variable frequency oscillating circuit | |
| US6380816B1 (en) | Oscillator and voltage controlled oscillator | |
| JPH05243845A (ja) | 電圧制御発振回路 | |
| US5245298A (en) | Voltage controlled oscillator having cascoded output | |
| US4518930A (en) | Negative resistance circuit for VCO | |
| WO1998000919A1 (en) | Bridge-stabilized oscillator circuit and method | |
| US4003000A (en) | Sinusoidal oscillator with electronically variable frequency | |
| JP3001284B2 (ja) | 電圧制御発振システム | |
| US5130674A (en) | Voltage controlled oscilator having controlled bias voltage, AGC and output amplifier | |
| EP0665638B1 (en) | Voltage controlled oscillator with low operating supply voltage | |
| JPH10173438A (ja) | 発振回路 | |
| US3535656A (en) | Voltage controlled solid state circuit | |
| JP3136618B2 (ja) | 電圧制御発振器 | |
| US5012205A (en) | Balanced spurious free oscillator | |
| JPS6021602A (ja) | 可変周波数水晶発振回路 | |
| JPH1197928A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| US7205856B2 (en) | Piezoelectric oscillator | |
| JPS6238322Y2 (ja) | ||
| JPS6238323Y2 (ja) | ||
| JP2788732B2 (ja) | 発振回路 | |
| JPH0722841A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JPH06291549A (ja) | 発振回路と、この発振回路を用いたｂｓチューナ | |
| JPH0531844B2 (ja) |