JPS62109318A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
- Publication number
- JPS62109318A JPS62109318A JP24937485A JP24937485A JPS62109318A JP S62109318 A JPS62109318 A JP S62109318A JP 24937485 A JP24937485 A JP 24937485A JP 24937485 A JP24937485 A JP 24937485A JP S62109318 A JPS62109318 A JP S62109318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas supply
- gas
- etching
- fixing table
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野）
本発明は、半導体処理装置に関し、特にガスの供給構造
を改良したエツチング装置やＣＶＤ装置等の半導体処理
装置に係わる。
を改良したエツチング装置やＣＶＤ装置等の半導体処理
装置に係わる。
従来のエツチング装置、例えば真空容器とは別の箇所で
ガスを活性化してその活性１ヒガス（エツチングガス）
により真空容器内の被処理物のエツチングを行なう装置
としては、第５図に示す構造のものが知られている。即
ち、図中の１は真空容器である。この容器１の土壁には
、エツチングガスの供給管２が挿着されており、かつ該
容器の右側面にはガス排気管３が一体的に形成されてい
る。
ガスを活性化してその活性１ヒガス（エツチングガス）
により真空容器内の被処理物のエツチングを行なう装置
としては、第５図に示す構造のものが知られている。即
ち、図中の１は真空容器である。この容器１の土壁には
、エツチングガスの供給管２が挿着されており、かつ該
容器の右側面にはガス排気管３が一体的に形成されてい
る。
前記真空容器１内の底部には被処理物固定台４が配設さ
れている。このような構造のエツチング装置により被処
理物のエツチングを行なうには、まず被処理物５を複数
枚被処理物固定台４上にセットして固定する。つづいて
、排気管３により真空容器１内のガスを排気すると共に
、ガス供給管２からエツチングガスを真空容器１内に供
給する。
れている。このような構造のエツチング装置により被処
理物のエツチングを行なうには、まず被処理物５を複数
枚被処理物固定台４上にセットして固定する。つづいて
、排気管３により真空容器１内のガスを排気すると共に
、ガス供給管２からエツチングガスを真空容器１内に供
給する。
こうして真空容器１内に供給されたエツチングガスは、
同容器１内に配設された固定台４上の被処理物５表面に
接触してエツチングに寄与した後、排気管３より外部に
排気される。
同容器１内に配設された固定台４上の被処理物５表面に
接触してエツチングに寄与した後、排気管３より外部に
排気される。
しかしながら、上述した第５図に示す構造のエツチング
装置はガス供給管２と排気’ｉ！３とが真空容器１に一
定の位置関係を持って固定されているため、ガス供給管
２からのエツチングガスは被処理物固定台４上の各被処
理物５に均一に拡散せずに、排気管３側に向かって流れ
る。その結果、排気管３側に位置する被処理物固定台４
上の被処理物５はエツチングが多くなされ、一方該排気
管３と反対側の固定台４上の被処理物５はエツチングが
少なくなるため、固定台４上の被処理物５間でのエツチ
ングの均一性が損われる。こうしたエツチングの不均一
性は、エツチングされる被処理物の大口径化や被処理物
の処理枚数の増大により一層顕著となる。
装置はガス供給管２と排気’ｉ！３とが真空容器１に一
定の位置関係を持って固定されているため、ガス供給管
２からのエツチングガスは被処理物固定台４上の各被処
理物５に均一に拡散せずに、排気管３側に向かって流れ
る。その結果、排気管３側に位置する被処理物固定台４
上の被処理物５はエツチングが多くなされ、一方該排気
管３と反対側の固定台４上の被処理物５はエツチングが
少なくなるため、固定台４上の被処理物５間でのエツチ
ングの均一性が損われる。こうしたエツチングの不均一
性は、エツチングされる被処理物の大口径化や被処理物
の処理枚数の増大により一層顕著となる。
このようなことから、第６図や第７図に示すエツチング
装置が開発されている。即ち、第６図のエツチング装置
は真空容器１内の上部に複数のガス供給口を有するリン
グ状バイブロを配置し、該バイブロの一部に容器１外部
に延びるガス供給管２を連結し、かつ被処理物固定台４
にモータ７により回転される軸受８を軸着して該固定台
４を回転可能な構造としたものである。第７図のエツチ
ング装置は、真空容器１内の上部に被処理物固定台４上
の被処理物と対向するようにガス供給口９を有する断面
コ字形のガス供給部材１０を取着し、該ガス供給部材１
０の一部に容器１外部に延びるガス供給管２を連結し、
かつ前記容器１の底部中央にガス排気管３を設け、更に
被処理物固定台４の中央にガス流通穴１１を開孔すると
共に、該固定台４の中心よりずれた箇所にモータ７によ
り回転される軸受８を軸着して同固定台４を楕円形を描
くように回転させる構造になっている。
装置が開発されている。即ち、第６図のエツチング装置
は真空容器１内の上部に複数のガス供給口を有するリン
グ状バイブロを配置し、該バイブロの一部に容器１外部
に延びるガス供給管２を連結し、かつ被処理物固定台４
にモータ７により回転される軸受８を軸着して該固定台
４を回転可能な構造としたものである。第７図のエツチ
ング装置は、真空容器１内の上部に被処理物固定台４上
の被処理物と対向するようにガス供給口９を有する断面
コ字形のガス供給部材１０を取着し、該ガス供給部材１
０の一部に容器１外部に延びるガス供給管２を連結し、
かつ前記容器１の底部中央にガス排気管３を設け、更に
被処理物固定台４の中央にガス流通穴１１を開孔すると
共に、該固定台４の中心よりずれた箇所にモータ７によ
り回転される軸受８を軸着して同固定台４を楕円形を描
くように回転させる構造になっている。
上述した第６図及び第７図に示すエツチング装置によれ
ば、被処理物固定台４に複数枚の被処理物５を設置して
それら被処理物５をエツチングすることによって、被処
理物５間相互のエツチングの均一性はある程度改善され
る。しかしながら、被処理物固定台４が回転するのに対
してガス供給口は固定されているため、被処理物５の面
内でのエツチング均一性が改善されていないのが現状で
ある。
ば、被処理物固定台４に複数枚の被処理物５を設置して
それら被処理物５をエツチングすることによって、被処
理物５間相互のエツチングの均一性はある程度改善され
る。しかしながら、被処理物固定台４が回転するのに対
してガス供給口は固定されているため、被処理物５の面
内でのエツチング均一性が改善されていないのが現状で
ある。
ｒ発明の目的〕
本発明は、被処理物間及び被処理物の面内での均一なエ
ツチング、膜堆積等の処理を行なうことができる半導体
処理装置を提供しようとするものである。
ツチング、膜堆積等の処理を行なうことができる半導体
処理装置を提供しようとするものである。
本発明は、真空容器と、この真空容器内にガスを供給す
るためのガス供給部材と、前記真空容器内のガスを排気
するための排気管と、前記真空容器内に配置された被処
理物固定台と、前記ガス供給部材及び被処理物固定台の
両者を、該部材のガス供給口と固定台上の被処理物の位
置関係が一定状態を維持するように移動させる移動機構
とを具備したことを特徴とするものである。かかる本発
明によれば、既述の如く被処理物量相互及び被処理物の
面内での均一なエツチング、膜堆積等の処理を行なうこ
とが可能な半導体処理装置を得ることができる。
るためのガス供給部材と、前記真空容器内のガスを排気
するための排気管と、前記真空容器内に配置された被処
理物固定台と、前記ガス供給部材及び被処理物固定台の
両者を、該部材のガス供給口と固定台上の被処理物の位
置関係が一定状態を維持するように移動させる移動機構
とを具備したことを特徴とするものである。かかる本発
明によれば、既述の如く被処理物量相互及び被処理物の
面内での均一なエツチング、膜堆積等の処理を行なうこ
とが可能な半導体処理装置を得ることができる。
以下、本発明をエツチング装置に適用した例について第
１図を参照して説明する。
１図を参照して説明する。
図中の２１は真空容器であり、該容器の右側壁にはガス
排気管２２が設けられている。前記真空容器２１内の底
部付近には円盤状をなす被処理物固定台２３が配置され
ており、該固定台２３の底面にはモータ２４により回転
する軸受２５が軸着されている。前記真空容器２１内の
上部には、エツチングガスを真空容器３１内に供給する
ための中空円盤状のガス供給体２６が配置されており、
かつ該ガス供給体２６の下面には前記固定台２３上に設
置される被処理物と対向するように複数のガス供給口２
７が開孔されている。前記ガス供給体２６は、固定具２
８を介して前記被処理？５固定台２３と連結されている
。つまり、ガス供給体２６は前記モータ２４の駆動によ
り軸受２５を介して被処理物固定台２３を回転させるこ
とによって、同固定台２３と同期して回転される。また
、前記ガス供給体２６には容器２１外部から延出された
ガス供給管２つが真空封じを兼ねた回転自在なカップリ
ング材３０を介して連結されている。
排気管２２が設けられている。前記真空容器２１内の底
部付近には円盤状をなす被処理物固定台２３が配置され
ており、該固定台２３の底面にはモータ２４により回転
する軸受２５が軸着されている。前記真空容器２１内の
上部には、エツチングガスを真空容器３１内に供給する
ための中空円盤状のガス供給体２６が配置されており、
かつ該ガス供給体２６の下面には前記固定台２３上に設
置される被処理物と対向するように複数のガス供給口２
７が開孔されている。前記ガス供給体２６は、固定具２
８を介して前記被処理？５固定台２３と連結されている
。つまり、ガス供給体２６は前記モータ２４の駆動によ
り軸受２５を介して被処理物固定台２３を回転させるこ
とによって、同固定台２３と同期して回転される。また
、前記ガス供給体２６には容器２１外部から延出された
ガス供給管２つが真空封じを兼ねた回転自在なカップリ
ング材３０を介して連結されている。
このような構成によれば、今、真空容器２１内の被処理
物固定台２３上に複数枚の被処理物３１を設置し、排気
管２３により真空容器２１内のガスを排気して所定の真
空状態にした後、ガス供給管２９からエツチングガスを
カップリング材３０を介してガス供給体２６内に供給し
、同時にモータ２４を駆動すると、軸受２５に軸着され
た被処理物固定台２３が回転すると共に、該固定台２３
と固定具２８を介して連結するガス供給体２６が同固定
台２３と同期して回転するため、ガス供給体２６のガス
供給口２７からエツチングガスが固定台２３上の被処理
物３１に定常的に吹付けられる。従って、被処理物固定
台２３上の被処理物３１表面にガス供給体２６のガス供
給口２７からエツチングガスが定常的に吹付けられると
共に、同被処理物固定台２３が回転して特定の被処理物
のみが排気管２２側に位置することなく各被処理物３１
が順次排気管２２側に移動されるため、被処理物３１間
の相互のエツチングの均一性を確保できると共に、被処
理物３１の面内でのエツチングの均一性を著しく向上で
きる。
物固定台２３上に複数枚の被処理物３１を設置し、排気
管２３により真空容器２１内のガスを排気して所定の真
空状態にした後、ガス供給管２９からエツチングガスを
カップリング材３０を介してガス供給体２６内に供給し
、同時にモータ２４を駆動すると、軸受２５に軸着され
た被処理物固定台２３が回転すると共に、該固定台２３
と固定具２８を介して連結するガス供給体２６が同固定
台２３と同期して回転するため、ガス供給体２６のガス
供給口２７からエツチングガスが固定台２３上の被処理
物３１に定常的に吹付けられる。従って、被処理物固定
台２３上の被処理物３１表面にガス供給体２６のガス供
給口２７からエツチングガスが定常的に吹付けられると
共に、同被処理物固定台２３が回転して特定の被処理物
のみが排気管２２側に位置することなく各被処理物３１
が順次排気管２２側に移動されるため、被処理物３１間
の相互のエツチングの均一性を確保できると共に、被処
理物３１の面内でのエツチングの均一性を著しく向上で
きる。
なお、本発明のエツチング装置は第１図に示す構造のも
のに限定されず、例えば第２図又は第３図に示す構造に
してもよい。即ち、第２図のエツチング装置は被処理物
固定台２３とガス供給体２６とを２つの固定具２８ａ、
２８ｂにより連結し、かつガス供給管２９を真空容器２
１の底部からカップリング材３０′を通して同容器２１
内に挿入し、更に該ガス供給管２９の先端を前記ガス供
給体２６にカップリング材３０を介し連結した構造にな
っている。また、第３図のエツチング装置は中空円盤状
のガス供給体２６にモータ３２により回転するカップリ
ング材３０を連結し、該カップリング材３０にガス供給
管２９をＩＩし、かつ前記モータ３２に第１の位置検出
器３３１を設け、一方被処理物固定台２３側のモータ２
４に第２の位置検出器３３２を設けると共に、前記各位
置検出器３３１．３３２を同期回転制御器３４に接続し
た構造をなし、該制御器３４から各位置検出器３３ｔ
、３３２に信号を入力し、各モータ２４．３２を駆動す
ることによって、被処理物固定台２３とガス供給体２６
が同期して回転できるようになっている。
のに限定されず、例えば第２図又は第３図に示す構造に
してもよい。即ち、第２図のエツチング装置は被処理物
固定台２３とガス供給体２６とを２つの固定具２８ａ、
２８ｂにより連結し、かつガス供給管２９を真空容器２
１の底部からカップリング材３０′を通して同容器２１
内に挿入し、更に該ガス供給管２９の先端を前記ガス供
給体２６にカップリング材３０を介し連結した構造にな
っている。また、第３図のエツチング装置は中空円盤状
のガス供給体２６にモータ３２により回転するカップリ
ング材３０を連結し、該カップリング材３０にガス供給
管２９をＩＩし、かつ前記モータ３２に第１の位置検出
器３３１を設け、一方被処理物固定台２３側のモータ２
４に第２の位置検出器３３２を設けると共に、前記各位
置検出器３３１．３３２を同期回転制御器３４に接続し
た構造をなし、該制御器３４から各位置検出器３３ｔ
、３３２に信号を入力し、各モータ２４．３２を駆動す
ることによって、被処理物固定台２３とガス供給体２６
が同期して回転できるようになっている。
上記実施例では、ガス供給体を中空円盤状とし、被処理
物固定台上の被処理物に対応してガス供給口２７を開口
した形状としたが、これに限定されない。例えば、第４
図に示すようにガス供給体としての複数本の片封じパイ
プ３５をカップリング材３０で相互に連結した構造にし
てもよい。
物固定台上の被処理物に対応してガス供給口２７を開口
した形状としたが、これに限定されない。例えば、第４
図に示すようにガス供給体としての複数本の片封じパイ
プ３５をカップリング材３０で相互に連結した構造にし
てもよい。
上記実施例では、半導体処理装置としてエツチング装置
を例にして説明したが、プラズマや光等により膜堆積を
行なう装置にも同様に適用できる。
を例にして説明したが、プラズマや光等により膜堆積を
行なう装置にも同様に適用できる。
〔発明の効果）
以上詳述した如く、本発明によれば被処理物間及びウェ
ハの面内での均一なエツチング、膜堆積等の処理を行な
うことができる湿度性の高い半導体処理８置を提供でき
る。
ハの面内での均一なエツチング、膜堆積等の処理を行な
うことができる湿度性の高い半導体処理８置を提供でき
る。
第１図は本発明の一実流例を示すエツチング装置の断面
図、第２図及び第３図は夫々本発明の他の実施例を示す
エツチング装置の断面図、第４図は本発明のガス供給体
の他の例を示す背面図、第５図乃至第７図は夫々従来の
エツチング装置を示す断面図である。 ２１・・・真空容器、２２・・・排気管、２３・・・被
処理物固定台、２４．３２・・・モータ、２６・・・ガ
ス供給体、２８．２８ａ、２８ ｂ ・・・固定具、２
９−・・ガス供給管、３０，３０−・・・カップリング
材、３１・・・被処理物、３３１．３３２・・・位置検
出器、３４・・・同期回転制御器、３５・・・片封じパ
イプ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 第４図
図、第２図及び第３図は夫々本発明の他の実施例を示す
エツチング装置の断面図、第４図は本発明のガス供給体
の他の例を示す背面図、第５図乃至第７図は夫々従来の
エツチング装置を示す断面図である。 ２１・・・真空容器、２２・・・排気管、２３・・・被
処理物固定台、２４．３２・・・モータ、２６・・・ガ
ス供給体、２８．２８ａ、２８ ｂ ・・・固定具、２
９−・・ガス供給管、３０，３０−・・・カップリング
材、３１・・・被処理物、３３１．３３２・・・位置検
出器、３４・・・同期回転制御器、３５・・・片封じパ
イプ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）、真空容器と、この真空容器内にガスを供給する
ためのガス供給部材と、前記真空容器内のガスを排気す
るための排気管と、前記真空容器内に配置された被処理
物固定台と、前記ガス供給部材及び被処理物固定台の両
者を、該部材のガス供給口と固定台上の被処理物の位置
関係が一定状態を維持するように移動させる移動機構と
を具備したことを特徴とする半導体処理装置。 - （２）、移動機構が、ガス供給部材と被処理物固定台を
同期して回転させるものであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24937485A JPS62109318A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24937485A JPS62109318A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109318A true JPS62109318A (ja) | 1987-05-20 |
Family
ID=17192070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24937485A Pending JPS62109318A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109318A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156630A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| JPH02192726A (ja) * | 1989-01-21 | 1990-07-30 | Seiko Epson Corp | プラズマノズル |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP24937485A patent/JPS62109318A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156630A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Nec Corp | 気相成長装置 |
| JPH02192726A (ja) * | 1989-01-21 | 1990-07-30 | Seiko Epson Corp | プラズマノズル |
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