JPH02156630A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH02156630A JPH02156630A JP31122488A JP31122488A JPH02156630A JP H02156630 A JPH02156630 A JP H02156630A JP 31122488 A JP31122488 A JP 31122488A JP 31122488 A JP31122488 A JP 31122488A JP H02156630 A JPH02156630 A JP H02156630A
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- chuck
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高温に加熱した半導体基板（以後ウェハーとい
う）に反応ガスを接解させ、該ウェハーに反応ガス中に
含まれた物質又はその物質とウェハーとの間に起こる化
学反応を利用して所望の物質をウェハーに成長させるの
に用いる気相成長装置に関するものである。
う）に反応ガスを接解させ、該ウェハーに反応ガス中に
含まれた物質又はその物質とウェハーとの間に起こる化
学反応を利用して所望の物質をウェハーに成長させるの
に用いる気相成長装置に関するものである。
従来の気相成長装置を第３図に示す。第３図において、
ベースプレート１上に石英製ベルジャー２とステンレス
製ベルジャー３とが０リング４を介して気密に載置され
止め具１５により固定されている。このベルジャー内の
中央位置にベースプレート１を貫通して反応ガス１０を
導入する反応気体導入用石英製ノズル１１が設けられて
いる。さらに石英製ノズル１１の外周にはウェハー５を
載置する円板型のサセプター６が取付けられ１．サセプ
ター６の下側には反応ガスを遮蔽するためのコイルカバ
ー８を介してスパイラル状の高周波誘導加熱コイル７が
取付けられている。上記構造の気相成長装置において、
高周波誘導によりサセプター６に載置されたウェハー５
を加熱し、同時にサセプター６をモーター９により回転
軸１６を通して回転し各ウェハー５を均一加熱する。一
方、この加熱中反応ガス１０を石英製ノズル１１より矢
印１１ａ方向にガスを噴出しウェハー５に均質な膜を成
長させる。
ベースプレート１上に石英製ベルジャー２とステンレス
製ベルジャー３とが０リング４を介して気密に載置され
止め具１５により固定されている。このベルジャー内の
中央位置にベースプレート１を貫通して反応ガス１０を
導入する反応気体導入用石英製ノズル１１が設けられて
いる。さらに石英製ノズル１１の外周にはウェハー５を
載置する円板型のサセプター６が取付けられ１．サセプ
ター６の下側には反応ガスを遮蔽するためのコイルカバ
ー８を介してスパイラル状の高周波誘導加熱コイル７が
取付けられている。上記構造の気相成長装置において、
高周波誘導によりサセプター６に載置されたウェハー５
を加熱し、同時にサセプター６をモーター９により回転
軸１６を通して回転し各ウェハー５を均一加熱する。一
方、この加熱中反応ガス１０を石英製ノズル１１より矢
印１１ａ方向にガスを噴出しウェハー５に均質な膜を成
長させる。
ノズル１１の噴出口から矢印１１ａ方向に噴出したガス
は排出管からベルジャー外に排気１２される。コイル内
バージ１３はコイル排出管１４より排気される。
は排出管からベルジャー外に排気１２される。コイル内
バージ１３はコイル排出管１４より排気される。
この際、成長前後の窒素ガスなどの不活性ガスをキャリ
アガス（水素）！こ切替えて置換をして反応温度まで上
げウェハー５の表面に気相成長するため、ＳｉＨ４，５
ｉＨＣＱｉ等のソースガスで成長を行う。従来は比重の
違うガスを同じノズル１１を使用してベルジャー内に導
入させていた。
アガス（水素）！こ切替えて置換をして反応温度まで上
げウェハー５の表面に気相成長するため、ＳｉＨ４，５
ｉＨＣＱｉ等のソースガスで成長を行う。従来は比重の
違うガスを同じノズル１１を使用してベルジャー内に導
入させていた。
このような従来の気相成長装置では第４図に示すように
回転軸１６に保持された反応気体導入管１７にノズル１
１を差込んで連結しており、同じノズル１１を使用する
限りガスの比重によりノズルはステンレス導入管に挿し
込む方法のため振動で動く。
回転軸１６に保持された反応気体導入管１７にノズル１
１を差込んで連結しており、同じノズル１１を使用する
限りガスの比重によりノズルはステンレス導入管に挿し
込む方法のため振動で動く。
また昇温時熱膨張による振動等が発生して成長膜厚さの
再現性バラツキを発生させるという欠点がある。このよ
うな欠点は特に熱分解で成長するソースガスによっては
石英製ノズルの表面に生成物が付着して振動により散乱
し、ウェハー５の表面にパーチクルで製品外観不良が顕
著に現ねれる。
再現性バラツキを発生させるという欠点がある。このよ
うな欠点は特に熱分解で成長するソースガスによっては
石英製ノズルの表面に生成物が付着して振動により散乱
し、ウェハー５の表面にパーチクルで製品外観不良が顕
著に現ねれる。
さらに常圧成長から減圧成長に切替えた場合、ガスの乱
流により一層パーチクルの発生をきたすという問題があ
った。
流により一層パーチクルの発生をきたすという問題があ
った。
本発明の目的は振動によるパーチクルの発生を解決した
気相成長装置を提供するものである。
気相成長装置を提供するものである。
上述した従来の石英製ノズルはガス導入管（ＳＵＳ製）
に挿し込む方式に対して、本発明による石英製ノズルの
取付は石英製ノズルと金属製のチャックで固定し、振動
による動きを無くしたことという相違点を有するもので
ある。
に挿し込む方式に対して、本発明による石英製ノズルの
取付は石英製ノズルと金属製のチャックで固定し、振動
による動きを無くしたことという相違点を有するもので
ある。
前記目的を達成するため、本発明に係る気相成長装置に
おいては１円板型サセプター気相成長装置のベルジャー
内に設置した反応気体導入用石英製ノズルをチャックに
固定して反応気体導入管に接続したものである。
おいては１円板型サセプター気相成長装置のベルジャー
内に設置した反応気体導入用石英製ノズルをチャックに
固定して反応気体導入管に接続したものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図において、ベースプレート１、ベルジャー２．３
．サセプター６、高周波誘導加熱コイル７、回転軸１６
などは第３図に示す従来装置と同じである。
．サセプター６、高周波誘導加熱コイル７、回転軸１６
などは第３図に示す従来装置と同じである。
第１図に示すように、本発明は反応気体導入管１７より
石英製ノズル１１に２種以上のガスを交互に切替えて流
す場合、発生する振動あるいは常圧成長から減圧成長を
行う際、ガス流速による振動等を防止するため、石英製
ノズル１１をチャック１８により固定して導入管１７に
接続したものである。反応気体導入管１７は回転軸１６
に同芯上に取付けられている。
石英製ノズル１１に２種以上のガスを交互に切替えて流
す場合、発生する振動あるいは常圧成長から減圧成長を
行う際、ガス流速による振動等を防止するため、石英製
ノズル１１をチャック１８により固定して導入管１７に
接続したものである。反応気体導入管１７は回転軸１６
に同芯上に取付けられている。
第２図（ａ）、 （ｂ）はチャック１８の拡大構造図で
ある。
ある。
チャック１８は反応気体導入管１７を螺着させるねじ部
１８ａと、スリ割１８ｂを入れたテーバ付ナツト部１８
Ｃと、ナツト部１８ｃを縮径するボルト部１８ｄとを有
しており、チャック１８のねじ部１８ａに反応気体導入
管１７を螺着連結し、ノズル１１をチャック１８のナツ
ト部１８ｃの内周に差込み、ボルト部１８ｄをナツト部
１８ｃに螺着し該ナツト部１８ｃを縮径し該ナツト部１
８ｃの爪１８ｅにてノズル１１を緊締固定し、ノズル１
】をチャック１８により固定して反応気体導入管１７に
接続する。
１８ａと、スリ割１８ｂを入れたテーバ付ナツト部１８
Ｃと、ナツト部１８ｃを縮径するボルト部１８ｄとを有
しており、チャック１８のねじ部１８ａに反応気体導入
管１７を螺着連結し、ノズル１１をチャック１８のナツ
ト部１８ｃの内周に差込み、ボルト部１８ｄをナツト部
１８ｃに螺着し該ナツト部１８ｃを縮径し該ナツト部１
８ｃの爪１８ｅにてノズル１１を緊締固定し、ノズル１
】をチャック１８により固定して反応気体導入管１７に
接続する。
尚１本発明は化学反応機器で高温で熱処理を行う方法で
物質の導入で高純度を要求され石英製と金属製の配管接
続においてＯリングの使用できない個所に応用できると
いう利点がある。
物質の導入で高純度を要求され石英製と金属製の配管接
続においてＯリングの使用できない個所に応用できると
いう利点がある。
したがって、本発明によれば置換ガス及び反応時のキャ
リアガスに切替及び反応炉内減圧成長時に振動による成
長膜厚さの再現性及びパーチクルの問題を発生すること
なく、均質な成長膜を得ることが可能となり、ひいては
装置の稼動率の向上を図ることができる効果を有するも
のである。
リアガスに切替及び反応炉内減圧成長時に振動による成
長膜厚さの再現性及びパーチクルの問題を発生すること
なく、均質な成長膜を得ることが可能となり、ひいては
装置の稼動率の向上を図ることができる効果を有するも
のである。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図（ａ）
はチャックを示す平面図、第２図（ｂ）は同断面図、第
３図は従来の気相成長装置を示す断面図、第４図は従来
の配管構造を示す断面図である。 １・・・ベースプレート ２・・・石英製ベルジャ
ー３・・・ステンレス製ベルジャー ４・・・Ｏリング
５・・・ウェハー ６・・・ＳｉＣサセプタ
ー７・・・高周波誘導加熱コイル（ＲＦコイル）８・・
・石英製コイルカバー ９・・・モーター１１・・・石
英製ノズル １８・・・チャック
はチャックを示す平面図、第２図（ｂ）は同断面図、第
３図は従来の気相成長装置を示す断面図、第４図は従来
の配管構造を示す断面図である。 １・・・ベースプレート ２・・・石英製ベルジャ
ー３・・・ステンレス製ベルジャー ４・・・Ｏリング
５・・・ウェハー ６・・・ＳｉＣサセプタ
ー７・・・高周波誘導加熱コイル（ＲＦコイル）８・・
・石英製コイルカバー ９・・・モーター１１・・・石
英製ノズル １８・・・チャック
Claims (1)
- （１）円板型サセプター気相成長装置のベルジャー内に
設置した反応気体導入用石英製ノズルをチャックに固定
して反応気体導入管に接続したことを特徴とする気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311224A JPH0732140B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311224A JPH0732140B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156630A true JPH02156630A (ja) | 1990-06-15 |
| JPH0732140B2 JPH0732140B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=18014591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63311224A Expired - Fee Related JPH0732140B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732140B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280419A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-06 | Toshiba Corp | 熱処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109318A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Tokuda Seisakusho Ltd | 半導体処理装置 |
| JPS62168638U (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-26 |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP63311224A patent/JPH0732140B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109318A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Tokuda Seisakusho Ltd | 半導体処理装置 |
| JPS62168638U (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-26 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280419A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-06 | Toshiba Corp | 熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732140B2 (ja) | 1995-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |