JPS62108794A - 化合物半導体の製造方法 - Google Patents
化合物半導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS62108794A JPS62108794A JP25046385A JP25046385A JPS62108794A JP S62108794 A JPS62108794 A JP S62108794A JP 25046385 A JP25046385 A JP 25046385A JP 25046385 A JP25046385 A JP 25046385A JP S62108794 A JPS62108794 A JP S62108794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz
- reaction material
- boat
- zone
- temperature zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＧａＰ 、 ＩｎＰ等の化合物半導体をボー
ト法で品質よく製造する方法に関するものである。
ト法で品質よく製造する方法に関するものである。
単結晶ＧａＰ 、単結晶ＩｎＰ等の化合物半導体を製造
する方法として開発されているＨＢ法、ＺＭ法、ＧＦ法
等は、いずれも石英ボートを用いていることからボート
成長法と称されている。
する方法として開発されているＨＢ法、ＺＭ法、ＧＦ法
等は、いずれも石英ボートを用いていることからボート
成長法と称されている。
このボート成長法では、一方の種子結晶を含む反応材料
（ｍ族材料）が設置された石英ボート、及びＰ等高揮発
性成分の他方の反応材料（Ｖ族材料）が真空内蔵された
透明な石英アンプルを、加熱炉内部の炉心管内に入れ、
石英ボートは高温ゾーンに他方の反応材料は低温ゾーン
（ボート内の反応材料の分解圧と同圧を示す温度）に位
置させ、その石英アンプルを加熱することにより反応材
料を反応させて所望の単結晶を石英ボート中に成長させ
るようにしている。
（ｍ族材料）が設置された石英ボート、及びＰ等高揮発
性成分の他方の反応材料（Ｖ族材料）が真空内蔵された
透明な石英アンプルを、加熱炉内部の炉心管内に入れ、
石英ボートは高温ゾーンに他方の反応材料は低温ゾーン
（ボート内の反応材料の分解圧と同圧を示す温度）に位
置させ、その石英アンプルを加熱することにより反応材
料を反応させて所望の単結晶を石英ボート中に成長させ
るようにしている。
〔発明が解決しようとするｍＭ ：＋”Ｊｉ点〕従来法
においては、高温ゾーンの熱が対流（高圧になれば激し
くなる）及び輻射により、低温ゾーンに伝達し、単結晶
半導体を晶出成長するのに重要な低θ１Ａゾーンの７席
度に外乱を与え、その温度制御が困難又は不能となり、
低温ゾーン側の反応材料の温度即ち蒸気圧が不当に高く
なってアンプル破壊をおこす恐れがあった。
においては、高温ゾーンの熱が対流（高圧になれば激し
くなる）及び輻射により、低温ゾーンに伝達し、単結晶
半導体を晶出成長するのに重要な低θ１Ａゾーンの７席
度に外乱を与え、その温度制御が困難又は不能となり、
低温ゾーン側の反応材料の温度即ち蒸気圧が不当に高く
なってアンプル破壊をおこす恐れがあった。
本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので
、一方の反応材料を備えた石英ボートと他方の反応材料
とが内蔵された石英アンプルを、加熱炉内に入れ、その
石英アンプルを加熱することにより反応材料を反応させ
て化合物半導体の結晶を石英ボート中に晶出成長させる
化合物半導体ノ？Ａ ａ 方ｆｈ Ｋ オいて、前記石
英アンプルにおケル石英ボート側の高温ゾーンと他方の
反応材料側の低温ゾーンの中間に、両ゾーンの連通を遮
断しないようにして両ゾーンを熱的に遮断する断熱部を
設け、その石英アンプルを加熱することを特徴としてい
る。
、一方の反応材料を備えた石英ボートと他方の反応材料
とが内蔵された石英アンプルを、加熱炉内に入れ、その
石英アンプルを加熱することにより反応材料を反応させ
て化合物半導体の結晶を石英ボート中に晶出成長させる
化合物半導体ノ？Ａ ａ 方ｆｈ Ｋ オいて、前記石
英アンプルにおケル石英ボート側の高温ゾーンと他方の
反応材料側の低温ゾーンの中間に、両ゾーンの連通を遮
断しないようにして両ゾーンを熱的に遮断する断熱部を
設け、その石英アンプルを加熱することを特徴としてい
る。
１）ＩＩ記高副ゾーンと低温ゾーンの中間に、両ゾーン
を熱的に遮断する断熱部を設けであるので、高７Ｍ１ゾ
ーンからの熱が低温ゾーンへ伝達されず、低温ノ゛−ノ
の温度制御を高温ゾーンと独立して行うことができ、そ
の温度制御即ち石英アンプルの内圧制御が容易となり制
御の精度が向上する。
を熱的に遮断する断熱部を設けであるので、高７Ｍ１ゾ
ーンからの熱が低温ゾーンへ伝達されず、低温ノ゛−ノ
の温度制御を高温ゾーンと独立して行うことができ、そ
の温度制御即ち石英アンプルの内圧制御が容易となり制
御の精度が向上する。
次に本発明の実施例を図面により詳細に説明する。
第１図において、１は加熱炉で、炉心管２の外周上に高
温側ヒータう、断熱材４、低温側ヒータ５を設けた電気
炉からなる。
温側ヒータう、断熱材４、低温側ヒータ５を設けた電気
炉からなる。
５は透明な筒状の石英アンプル、６は石英アンプル５の
一端に内蔵された石英ボートで、この中に一方の種子結
晶を含む反応材料（図示せず）例えば多結晶ＩｎＰが入
っている。７は石英アンプル５の他端に内蔵された他方
の反応材料例えばＰで、石英アンプル５を加熱炉１の炉
心管２内に入れたとき、石英ボート６が高温ゾーンに、
反応材料７が低温ゾーンに位置するようになっている。
一端に内蔵された石英ボートで、この中に一方の種子結
晶を含む反応材料（図示せず）例えば多結晶ＩｎＰが入
っている。７は石英アンプル５の他端に内蔵された他方
の反応材料例えばＰで、石英アンプル５を加熱炉１の炉
心管２内に入れたとき、石英ボート６が高温ゾーンに、
反応材料７が低温ゾーンに位置するようになっている。
そして石英アンプル５における石英ボート６側の高温ゾ
ーンと他方の反応材料７側の低温ゾーンの中間には、高
温ゾーンの熱が低温ゾーン側に伝達されないように両ゾ
ーンを熱的に遮断する断熱部８が設けられている。この
断熱部８は石英ガラス凋キャップ体９内にガラスウール
拐１０を入れたもの２個を開口部が向き合うようにして
直列に設けたもので、これを石英アンプル５に収納した
とき、石英アンプルの内壁との間に隙間１１が出来るよ
うに小さく作られている。この隙間１１により高温ゾー
ンと低温ゾーンの連通が遮断されず、反応材料の反応に
支障をきたすことがない。
ーンと他方の反応材料７側の低温ゾーンの中間には、高
温ゾーンの熱が低温ゾーン側に伝達されないように両ゾ
ーンを熱的に遮断する断熱部８が設けられている。この
断熱部８は石英ガラス凋キャップ体９内にガラスウール
拐１０を入れたもの２個を開口部が向き合うようにして
直列に設けたもので、これを石英アンプル５に収納した
とき、石英アンプルの内壁との間に隙間１１が出来るよ
うに小さく作られている。この隙間１１により高温ゾー
ンと低温ゾーンの連通が遮断されず、反応材料の反応に
支障をきたすことがない。
）ｋ発明により単結晶半導体を製造するときには、一方
の種子結晶を含む反応材料（例えば多結晶１ ｎＰ）を
イ＋Ｒｉえた石英ボート６と他方の反応材料７例えばＰ
と、石英ボート６と反応材料７間に断熱部８を設けた石
英アンプル５を加熱炉１内に挿入し、石英アンプル５を
加熱し、これにより前記反応材料を反応させて単結晶Ｉ
ｎＰを石英ボート６中に晶出成長させる。
の種子結晶を含む反応材料（例えば多結晶１ ｎＰ）を
イ＋Ｒｉえた石英ボート６と他方の反応材料７例えばＰ
と、石英ボート６と反応材料７間に断熱部８を設けた石
英アンプル５を加熱炉１内に挿入し、石英アンプル５を
加熱し、これにより前記反応材料を反応させて単結晶Ｉ
ｎＰを石英ボート６中に晶出成長させる。
この際、石英アンプル５内の反応材料７の温度を所望の
γ黒度範囲に正確に１間（財）することができる、３１
”：２ ［＞１は断熱部８の取付状態の他の実施例を示
すもので、この実６７、例では石英アンプル５における
石英ボート６ ＜＋＋すの高ｉ：＋Ｖ）−ンと他方の反
応（Ａ料７側の低温ゾーンの中間に両ゾーンの連通が遮
断されないように隙間１１を有する絞り部１２を設け、
この外周上にガラスウール材１０を巻回した断熱部８を
設けたものであり、機能は第１図に示すものと同一であ
る。
γ黒度範囲に正確に１間（財）することができる、３１
”：２ ［＞１は断熱部８の取付状態の他の実施例を示
すもので、この実６７、例では石英アンプル５における
石英ボート６ ＜＋＋すの高ｉ：＋Ｖ）−ンと他方の反
応（Ａ料７側の低温ゾーンの中間に両ゾーンの連通が遮
断されないように隙間１１を有する絞り部１２を設け、
この外周上にガラスウール材１０を巻回した断熱部８を
設けたものであり、機能は第１図に示すものと同一であ
る。
本発明に係る化合物半導体の製造方法は、前記石英アン
プルにおける石英ボート側の高温ゾーンと他方の反応材
料側の低温ゾーンの中間に、両ゾーンの連通を遮断しな
いようにして両ゾーンを熱的に遮断する断熱部を設けて
、その石英アンプルを加熱するようにしたので、その加
熱時に高温ゾーンからの熱が低温ゾーンへ伝達されず、
低温ゾーンの温度制御を高温ゾーンと独立して行うこと
ができ、その温度制御即ち半導体の品質上重要な石英ア
ンプルの内圧制御が容易となりい制御の精度が向上し、
石英アンプルの破壊を防止できるほか品質のよい半導体
を’Ｍ造することができる。
プルにおける石英ボート側の高温ゾーンと他方の反応材
料側の低温ゾーンの中間に、両ゾーンの連通を遮断しな
いようにして両ゾーンを熱的に遮断する断熱部を設けて
、その石英アンプルを加熱するようにしたので、その加
熱時に高温ゾーンからの熱が低温ゾーンへ伝達されず、
低温ゾーンの温度制御を高温ゾーンと独立して行うこと
ができ、その温度制御即ち半導体の品質上重要な石英ア
ンプルの内圧制御が容易となりい制御の精度が向上し、
石英アンプルの破壊を防止できるほか品質のよい半導体
を’Ｍ造することができる。
第１図及び第２図は本発明の異なる実施（クリを示す説
明図である。 １・・・・・・・加熱炉、５・・・・・・・・・石英ア
ンプル、６・・・・・・・・・石英ボート、７・・・・
・・・・・他方の反応材料、８・・・・・・・断熱部。 第１図 第２図
明図である。 １・・・・・・・加熱炉、５・・・・・・・・・石英ア
ンプル、６・・・・・・・・・石英ボート、７・・・・
・・・・・他方の反応材料、８・・・・・・・断熱部。 第１図 第２図
Claims (1)
- 一方の反応材料を備えた石英ボートと他方の反応材料と
が内蔵された石英アンプルを、加熱炉内に入れ、その石
英アンプルを加熱することにより反応材料を反応させて
化合物半導体の結晶を石英ボート中に晶出成長させる化
合物半導体の製造方法において、前記石英アンプルにお
ける石英ボート側の高温ゾーンと他方の反応材料側の低
温ゾーンの中間に、両ゾーンの連通を遮断しないように
して両ゾーンを熱的に遮断する断熱部を設け、その石英
アンプルを加熱することを特徴とする化合物半導体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25046385A JPS62108794A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 化合物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25046385A JPS62108794A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 化合物半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62108794A true JPS62108794A (ja) | 1987-05-20 |
Family
ID=17208244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25046385A Pending JPS62108794A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 化合物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62108794A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62288186A (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-15 | Katsumi Mochizuki | 高蒸気圧成分を含む化合物半導体単結晶の製造方法 |
| JPS6414167U (ja) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP25046385A patent/JPS62108794A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62288186A (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-15 | Katsumi Mochizuki | 高蒸気圧成分を含む化合物半導体単結晶の製造方法 |
| JPS6414167U (ja) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 |
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