JPH0231430A - ＣｄＨｇＴｅ結晶成長用メルトの作製方法 - Google Patents
ＣｄＨｇＴｅ結晶成長用メルトの作製方法Info
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- JPH0231430A JPH0231430A JP18205388A JP18205388A JPH0231430A JP H0231430 A JPH0231430 A JP H0231430A JP 18205388 A JP18205388 A JP 18205388A JP 18205388 A JP18205388 A JP 18205388A JP H0231430 A JPH0231430 A JP H0231430A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＣｄＨｇＴｅの結晶成長用メルトの作製方
法に関するものである。
法に関するものである。
第２図は従来のＣｄＨｇＴｅの結晶成長用メルトの作製
方法を説明するための石英管の構成図である。図におい
て、１は石英アンプル、２は石英アンプル１内に収容さ
れた原料、すなわちカドミウム、水銀、及びテルルであ
る。
方法を説明するための石英管の構成図である。図におい
て、１は石英アンプル、２は石英アンプル１内に収容さ
れた原料、すなわちカドミウム、水銀、及びテルルであ
る。
次に作製方法について説明する。
まず、石英アンプルｌに原料２を収容し真空に引く。次
にこの石英アンプル１を炉内に設置し、原料２を所定の
時間、所定の温度に保ち１、融液状にしてその組成が均
一になるようにする。次に石英アンプル１を炉内から取
り出し、空冷して、固化した均一な組成のＣｄＨｇＴｅ
の結晶成長用メルトを得る。
にこの石英アンプル１を炉内に設置し、原料２を所定の
時間、所定の温度に保ち１、融液状にしてその組成が均
一になるようにする。次に石英アンプル１を炉内から取
り出し、空冷して、固化した均一な組成のＣｄＨｇＴｅ
の結晶成長用メルトを得る。
従来のメルト作製方法では、原料を収容した石英アンプ
ルを冷却する際アンプルの先端部は熱放散が大きいため
温度の低下が速く、そこに蒸気圧の高い水銀が付着しそ
の分メルト中の水銀量が減ることとなり、メルトの組成
が設定値よりずれるという問題点があった。また、アン
プルの先端部に付着する水１ｉｆｉｔはアンプルごとに
異なるので、メルトの組成のばらつきが大きいという問
題点があった。
ルを冷却する際アンプルの先端部は熱放散が大きいため
温度の低下が速く、そこに蒸気圧の高い水銀が付着しそ
の分メルト中の水銀量が減ることとなり、メルトの組成
が設定値よりずれるという問題点があった。また、アン
プルの先端部に付着する水１ｉｆｉｔはアンプルごとに
異なるので、メルトの組成のばらつきが大きいという問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、ＣｄＨｇＴｅ結晶成長用メルトの組成のばら
つきを小さくできるメルトの作製方法を得ることを目的
とする。
たもので、ＣｄＨｇＴｅ結晶成長用メルトの組成のばら
つきを小さくできるメルトの作製方法を得ることを目的
とする。
この発明に係るＣｄＨｇＴｅの結晶成長用メルトの作製
方法は、該作製の際に原料を収容した石英アンプル中に
熱伝導率の大きな不活性ガスを封入したものである。
方法は、該作製の際に原料を収容した石英アンプル中に
熱伝導率の大きな不活性ガスを封入したものである。
この発明においては、熱伝導率の大きな不活性ガスがア
ンプル内に封入されているので、アンプルを炉内で高温
に保持した後取り出して冷却する際、アンプル全体が一
様に冷却されメルトからの水銀の蒸発が抑制される。こ
のためメルトの組成のばらつきは小さくなる。
ンプル内に封入されているので、アンプルを炉内で高温
に保持した後取り出して冷却する際、アンプル全体が一
様に冷却されメルトからの水銀の蒸発が抑制される。こ
のためメルトの組成のばらつきは小さくなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例によるＣｄＨｇＴｅ結晶成長
用メルトの作製方法を説明するための石英管の構成図で
ある。図において、第２図と同一符号は同一のものを示
し、３は石英アンプル１内に封入された熱伝導率の大き
な不活性ガス、例えばアルゴン、窒素、ヘリウム等であ
る。但し、水素ガスは常温では不活性であるが、加熱す
ると爆発性があり、石英アンプル１にこれを封入した後
封じ切ることは危険であるので、除外する。
用メルトの作製方法を説明するための石英管の構成図で
ある。図において、第２図と同一符号は同一のものを示
し、３は石英アンプル１内に封入された熱伝導率の大き
な不活性ガス、例えばアルゴン、窒素、ヘリウム等であ
る。但し、水素ガスは常温では不活性であるが、加熱す
ると爆発性があり、石英アンプル１にこれを封入した後
封じ切ることは危険であるので、除外する。
次に作製方法について説明する。
石英アンプル１内に原料２を収容し熱伝導率の大きな不
活性ガス３を封入する。この石英アンプル１を、例えば
温度約６００℃の炉内に、例えば約２４時間設置し、原
料２を融液状にしてその組成を均一にする。次に石英ア
ンプル１を炉内から取り出し、空冷して、固化した均一
な組成のＣｄＨｇＴｅの結晶成長用メルトを得る。
活性ガス３を封入する。この石英アンプル１を、例えば
温度約６００℃の炉内に、例えば約２４時間設置し、原
料２を融液状にしてその組成を均一にする。次に石英ア
ンプル１を炉内から取り出し、空冷して、固化した均一
な組成のＣｄＨｇＴｅの結晶成長用メルトを得る。
このような本実施例では、石英アンプル１を炉内で高温
に保持した後取り出して冷却する際、アンプル中に封入
された熱伝導率の大きな不活性ガス３の働きによりアン
プル全体が一様に冷却されるので、メルトからの水銀の
蒸発が抑制される。
に保持した後取り出して冷却する際、アンプル中に封入
された熱伝導率の大きな不活性ガス３の働きによりアン
プル全体が一様に冷却されるので、メルトからの水銀の
蒸発が抑制される。
即ち、メルト中の水銀量の減少が抑制されることとなり
、ばらつきが小さく正確に設定値に等しい値の組成のメ
ルトが得られる。
、ばらつきが小さく正確に設定値に等しい値の組成のメ
ルトが得られる。
以上のように本発明によれば、熱伝導率の大きな不活性
ガスを石英アンプル中に封入するようにしたので、アン
プルを炉内で高温に保持した後取り出して空冷する際、
アンプル全体が一様に冷却され、メルトからの水銀の蒸
発が抑制されることとなり、組成のばらつきの小さいメ
ルトを得ることができる。
ガスを石英アンプル中に封入するようにしたので、アン
プルを炉内で高温に保持した後取り出して空冷する際、
アンプル全体が一様に冷却され、メルトからの水銀の蒸
発が抑制されることとなり、組成のばらつきの小さいメ
ルトを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例によるＣｄＨｇＴｅ結晶成長
用メルトの作製方法を説明するための石英管の構成図、
第２図は従来のＣｄＨｇＴｅ結晶成長用メルトの作製方
法を説明するための石英管の構成図である。 図において、１は石英アンプル、２は原料、３は熱伝導
率の大きな不活性ガスである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分をさす。
用メルトの作製方法を説明するための石英管の構成図、
第２図は従来のＣｄＨｇＴｅ結晶成長用メルトの作製方
法を説明するための石英管の構成図である。 図において、１は石英アンプル、２は原料、３は熱伝導
率の大きな不活性ガスである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分をさす。
Claims (1)
- （１）スライドボートを用いた液相エピタキシャル法に
よりＣｄＨｇＴｅの単結晶を成長させるための原料とな
るメルトを作製する方法において、該メルトの作製に際
し、石英アンプル中に原料とともに熱伝導率の大きな不
活性ガスを封入することを特徴とするＣｄＨｇＴｅの結
晶成長用メルトの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18205388A JPH0231430A (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | ＣｄＨｇＴｅ結晶成長用メルトの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18205388A JPH0231430A (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | ＣｄＨｇＴｅ結晶成長用メルトの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0231430A true JPH0231430A (ja) | 1990-02-01 |
Family
ID=16111516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18205388A Pending JPH0231430A (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | ＣｄＨｇＴｅ結晶成長用メルトの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0231430A (ja) |
-
1988
- 1988-07-21 JP JP18205388A patent/JPH0231430A/ja active Pending
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