SU1611999A1 - Способ выращивани монокристаллов Н @ М @ Т @ - Google Patents
Способ выращивани монокристаллов Н @ М @ Т @ Download PDFInfo
- Publication number
- SU1611999A1 SU1611999A1 SU894643378A SU4643378A SU1611999A1 SU 1611999 A1 SU1611999 A1 SU 1611999A1 SU 894643378 A SU894643378 A SU 894643378A SU 4643378 A SU4643378 A SU 4643378A SU 1611999 A1 SU1611999 A1 SU 1611999A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- ingot
- temperature
- zone
- composition
- polycrystalline
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технологии полупроводников и может быть использовано в полупроводниковой фотоэлектронике. Цель изобретени - улучшение структурного совершенства и повышение однородности состава кристаллов. Перекристаллизацию поликристаллического слитка провод т через жидкую зону состава (HG1-Z-MNZ)0,5TE0,5, где Z=0,003-0,25 ат.долей, со скоростью 60-400 мкм/ч при температуре поликристаллической части слитка 950-1033 К и температуре перекристаллизованной части слитка на 3-60 К ниже, продольном градиенте температуры в зоне 3-20 К/см. Способ позвол ет получить монокристаллы HG1-XMNXTE, где X=0-0,35, с плотностью дислокаций не более 2.105 см-2, неоднородностью состава по объему не более 0,002 моль долей. 1 табл.
Description
Изобретение относитс к технологии полупроводников, а именно к способу получени монокристаллов Hgi-хМпхТе. иможет быть использовано в полупроводниковой фотозлектронике при изготовлении материала дл фотоприемников с перестраиваемой магнитным полем спектральной характеристикой.
Цель изобретени - улучшение структурного совершенства и повышение однородности состава кристаллов.
Пример. Монокристаллы Hgi-xMnxTe получают направленной перекристаллизацией поликристалличёского слитка Hgi-хМпхТе через обогащенную теллуридом ртути жидкую зону (Hgi-zMnzjo.sTeo.s.
Поликристаллический слиток готов т следующим образом.
В графйтизированную кварцевую ампулу с внутренним диаметром 20-30 мм загру- жают Нд. Мд и Те в количестве, соответствующем требующемус составу монокристалла Hgi-хМпхТе. Масса одной загрузки составл ет 200-500 г. Затем ампулу вакуумируют с помощью вакуумной установки на основе магниторазр дного насоса НОРД-100 до остаточного давлени Р 5 10 мм Нд и запаивают с помощью кислородной горелки. Синтез шихты дл расплава производ т нагреванием ампулы в однозонной печи сопротивлени СУОЛ до 673-773 К. После изотермической выдержки ампулы с шихтой в течение 1-2 ч при указанной температуре ш.ихту расплавл ют путем дальнейшего подн ти температуры в печи. Далее расплав гомогенизируют изотермиО
о ю о
ческой выдержкой в течение ЮДО Р температуре, превышающей на 20-30 Кого температуру ликвидуса. Охлажда ампулу с гомогенным расплавом до комнатной температуры , получают поликристаллическии слиток Hgi-хМпхТе.
Дл проведени направленной перекристаллизации поликристаллмческий слиток Hgi-хМпхТе целиком перезагружают в лоуп/ю графитизированную, кварцевую ам- пулу с большим (на 1.0-1.5 мм) внутренним диаметром, на дне которой предварительно размещают источник дл образовани жидкой фазы. В качестве источника используют шайбу НдТе толщиной 0,5-2.0 см и диаметром равным диаметру поликристаллического слитка, или шайбу поликристаллическогр (Нд1-гМпг)о,5Тео,5 (Z 0,003-0,25 ат.долеи) таких же размеров. Ампулу помещают в вертикальную печь сопротивлени х продольным градиентом температуры между изотермическими зонами. Ее начальное размещение такое, что весь поликристаллический слиток находитс в высокотемпературной зоне, а источник - в области температурного градиента. Ампулу в таком поло-, жении выдерживают 0,5-3.0 ч. При этом происходит расплавление источника и под- растворение им нижней части поликристаллического слитка. Таким образом, происходит формирование жидкой зоны, конкретные состав Z и размеры зоны определ ютс температурой поликристаллического слитка и величиной продольного градиента температуры в зоне ДТ. Затем ампулу опускают в печи с заданной скоростью. После того, как ампула опустилась на длину поликристаллического слитка (100-120 мм), ее останавливают и охлаждают печь. 5Показатели, характеризующие предлагаемый способ получени монокристаллов Hgi-xMnxTe приведены в таблице.
Провод процесс выращивани по предлагаемому способу, удаетс восп- 10 роизводимо получать монокристаллы Hgi-xMnxTe с х О - 0,35 мол.долей. характеризующиес длиной 100-120 мм. диаметром 10-30 мм. плотностью дислокаций Nn 2 10 см , отсутствие пор и вклю- 15 ченйй второй фазы, неоднородностью состава по обьему Лх ±0.001 -0.002 мол.долей .
0
5
0
35
Claims (1)
- Формула изобретени Способ выращивани монокристаллов Hgi хМпхТе, включающий перекристаллизацию поликристаллического слитка через обогащенную растворителем движущуюс зону отличающийс тем. что. с целью улучшени структурного совершенства и повышени однородности состава кристаллов , используют зону состава (Нд i-zMnz)o,5Teo,5. где г 0,003 - 0.25 ат.долеи перекристаллизацию ведут со скоростью 60-400 мкм/ч при значении температуры поликристаллической части слитка, равном 950-1033 К. и значении температуры перекристаллизованной части слитка на 3-60 К ниже, продольном градиенте температуры в зоне 3-20 К/см.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894643378A SU1611999A1 (ru) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | Способ выращивани монокристаллов Н @ М @ Т @ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU894643378A SU1611999A1 (ru) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | Способ выращивани монокристаллов Н @ М @ Т @ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1611999A1 true SU1611999A1 (ru) | 1990-12-07 |
Family
ID=21425520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU894643378A SU1611999A1 (ru) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | Способ выращивани монокристаллов Н @ М @ Т @ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1611999A1 (ru) |
-
1989
- 1989-01-30 SU SU894643378A patent/SU1611999A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Боднарук О.А. и др. Особенности получени и параметры кристаллов системы МпхНдьхТе (О х 0,2).Тройные полуп ро- водники и их применение. Тезисы докладов, Т.2. 5- Всесоюзна конференци . Ивано- Франковск. 2-5 окт. 1987. - Кишинев. 1987 с. 86. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100876925B1 (ko) | ＣｄＴｅ 단결정 및 ＣｄＴｅ 다결정 및 그 제조 방법 | |
| CA1301034C (en) | Process for growing a multi-component crystal | |
| US2679080A (en) | Production of single crystals of germanium | |
| SU1611999A1 (ru) | Способ выращивани монокристаллов Н @ М @ Т @ | |
| US3622405A (en) | Method for reducing compositional gradients in{11 {11 {11 {11 {11 {11 {11 {11 {11 {11 | |
| US4545848A (en) | HCT Crystal growth method | |
| JPH0244798B2 (ru) | ||
| Steininger | High pressure reflux technique for growth of Hg1-xCdxTe crystals | |
| JP2004203721A (ja) | 単結晶成長装置および成長方法 | |
| RU2813036C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов тройного соединения цинка, германия и фосфора | |
| US4654196A (en) | Process for producing a polycrystalline alloy | |
| RU2189405C1 (ru) | Способ получения монокристаллов соединения liins2 | |
| SU1733515A1 (ru) | Способ получени монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников | |
| JPS63303885A (ja) | 化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JPS6339552B2 (ru) | ||
| RU2341594C2 (ru) | Способ выращивания монокристалла теллурида кадмия | |
| JP2002255688A (ja) | 磁性ガーネット単結晶の製造方法および磁性ガーネット単結晶 | |
| RU2147632C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом чохральского | |
| JP2885452B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼―▲ｖ▼族化合物結晶のボート成長方法 | |
| CN118600549A (zh) | 一种锑化镓多晶的合成系统及方法 | |
| RU1175186C (ru) | Способ получения кристаллов со структурой берилла | |
| JPH04295100A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2002255689A (ja) | 磁性ガーネット単結晶の製造方法および磁性ガーネット単結晶 | |
| JPH01264989A (ja) | 単結晶の育成装置 | |
| JPH07206598A (ja) | Ｃｄ１−ｘ−ｙＭｎｘＨｇｙＴｅ系単結晶の製造装置 |