JPS6361772B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6361772B2 JPS6361772B2 JP1518883A JP1518883A JPS6361772B2 JP S6361772 B2 JPS6361772 B2 JP S6361772B2 JP 1518883 A JP1518883 A JP 1518883A JP 1518883 A JP1518883 A JP 1518883A JP S6361772 B2 JPS6361772 B2 JP S6361772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ampoule
- melt
- melt material
- growth
- liquid phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000289 melt material Substances 0.000 claims description 44
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 41
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は液相エピタキシヤル成長用メルト材料
の製造方法に係り、特に一製造工程によつて組成
誤差の少ない複数個の同一組成を有する液相エピ
タキシヤル成長用成型メルト材料を同時に得るこ
とができる製造方法に関するものである。
の製造方法に係り、特に一製造工程によつて組成
誤差の少ない複数個の同一組成を有する液相エピ
タキシヤル成長用成型メルト材料を同時に得るこ
とができる製造方法に関するものである。
(b) 技術の背景
一般に赤外線検知素子等の光電変換素子を形成
する材料として、エネルギーギヤツプの狭い水
銀、カドミウム、テルル（Hg1-xCdxTe）等の化
合物半導体結晶が用いられている。このような例
えばHg1-xCdxTeからなる単結晶は、通常石英ア
ンプルを傾ける方式のチツピング（Tipping）式
成長法やカーボン製のスライドボートを用いたボ
ートスライド（Boat Slide）式成長法などの液
相エピタキシヤル成長法によつて例えばテルル化
カドミウム（CdTe）の結晶基板上に結晶層とし
て形成している。ところで上記のような成長方法
によつてCdTe結晶基板上に所望とする均一な組
成のHg1-xCTxTeからなる結晶層を成長させるに
は、前記アンプルあるいはスライダのメルト材料
収容部内に収容するHg1-xCdxTeからなる成長用
メルト材料を予めよく溶融化合させて均一な化合
物にしておく必要がある。
する材料として、エネルギーギヤツプの狭い水
銀、カドミウム、テルル（Hg1-xCdxTe）等の化
合物半導体結晶が用いられている。このような例
えばHg1-xCdxTeからなる単結晶は、通常石英ア
ンプルを傾ける方式のチツピング（Tipping）式
成長法やカーボン製のスライドボートを用いたボ
ートスライド（Boat Slide）式成長法などの液
相エピタキシヤル成長法によつて例えばテルル化
カドミウム（CdTe）の結晶基板上に結晶層とし
て形成している。ところで上記のような成長方法
によつてCdTe結晶基板上に所望とする均一な組
成のHg1-xCTxTeからなる結晶層を成長させるに
は、前記アンプルあるいはスライダのメルト材料
収容部内に収容するHg1-xCdxTeからなる成長用
メルト材料を予めよく溶融化合させて均一な化合
物にしておく必要がある。
(c) 従来技術と問題点
従来、上記した易蒸発性のHgを含むHg1-xCdx
Teからなる液相エピタキシヤル成長用メルト材
料を調合し、形成するには、例えば石英製のアン
プル内に、Hg、Cd、Te等の素材を一成長工程分
量となるよう、それぞれ所定重量秤量して充填
し、該アンプル内を排気した後、その開口部を気
密に封止する。そしてこのアンプルを所定温度に
加熱して内部のメルト組材を充分に溶融し均一に
化合させた後、該アンプルを急冷してアンプル内
の材料を凝固せしめてHg1-xCdxTeの化合物メル
ト材料を形成していた。
Teからなる液相エピタキシヤル成長用メルト材
料を調合し、形成するには、例えば石英製のアン
プル内に、Hg、Cd、Te等の素材を一成長工程分
量となるよう、それぞれ所定重量秤量して充填
し、該アンプル内を排気した後、その開口部を気
密に封止する。そしてこのアンプルを所定温度に
加熱して内部のメルト組材を充分に溶融し均一に
化合させた後、該アンプルを急冷してアンプル内
の材料を凝固せしめてHg1-xCdxTeの化合物メル
ト材料を形成していた。
しかし、このように成長用メルト材料を一成長
工程分量単位づつ形成する方法にあつては、形成
単位ごとの成長用メルト材料の組成比に僅かなが
ら誤差が生じ、再現性が悪いといつた問題がある
と共に極めて非能率な方法であつた。このため１
度に複数成長分の、成長用メルト材料を再現性よ
く形成する方法が要望されていた。
工程分量単位づつ形成する方法にあつては、形成
単位ごとの成長用メルト材料の組成比に僅かなが
ら誤差が生じ、再現性が悪いといつた問題がある
と共に極めて非能率な方法であつた。このため１
度に複数成長分の、成長用メルト材料を再現性よ
く形成する方法が要望されていた。
(d) 発明の目的
本発明は上記した点を除去するため、１回のメ
ルト材料形成工程において複数成長工程分の成長
用メルト材料を再現性よく簡単に形成し得る新期
な液相エピタキシヤル成長用メルト材料の製造方
法を提供することを目的とするものである。
ルト材料形成工程において複数成長工程分の成長
用メルト材料を再現性よく簡単に形成し得る新期
な液相エピタキシヤル成長用メルト材料の製造方
法を提供することを目的とするものである。
(e) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、石英アンプ
ル内の長手方向の上部の領域に複数の仕切り付き
成型容器を下向きに挿設すると共に、その下方の
領域にメルト素材を収容し、該アンプルを気密に
封止した後、該アンプルを所定温度に加熱して内
部の前記メルト素材を溶融混合し、この状態で前
記アンプルを回転させて、前記溶融状態のメルト
材料を下方に反転した上記複数の仕切り付き成型
容器内に流入せしめ、その後石英アンプルを冷却
して前記成型容器内に凝固した複数個の成型メル
ト材料を形成することを特徴とする液相エピタキ
シヤル成長用メルト材料の製造方法を提供するこ
とによつて達成される。
ル内の長手方向の上部の領域に複数の仕切り付き
成型容器を下向きに挿設すると共に、その下方の
領域にメルト素材を収容し、該アンプルを気密に
封止した後、該アンプルを所定温度に加熱して内
部の前記メルト素材を溶融混合し、この状態で前
記アンプルを回転させて、前記溶融状態のメルト
材料を下方に反転した上記複数の仕切り付き成型
容器内に流入せしめ、その後石英アンプルを冷却
して前記成型容器内に凝固した複数個の成型メル
ト材料を形成することを特徴とする液相エピタキ
シヤル成長用メルト材料の製造方法を提供するこ
とによつて達成される。
(f) 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の製造方法の実施例に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
第１図乃至第４図は本発明に係る液相エピタキ
シヤル成長用メルト材料の製造方法の一実施例を
説明する斜視図および要部概略断面図である。
シヤル成長用メルト材料の製造方法の一実施例を
説明する斜視図および要部概略断面図である。
まず第１図に示すように複数（この場合５枚）
の仕切り２を付設した半円筒状の高純度石英製メ
ルト成型容器１を用意する。次いで、第２図に示
すように、上記メルト成型容器１の外周壁が精度
よく嵌合する内径を有する高純度石英製アンプル
３内の上半分の領域に、前記メルト成型容器１を
逆さまにした形で嵌入配置する。そして該アンプ
ル３内の下半分の空間領域に、例えば易蒸発性の
Hgと、Cd、Teを規定の組成比で所定量秤量した
成長用メルト素材、即ち本実施例においては、す
くなくとも６成長工程分、秤量した成長用メルト
組材４を充填する。次いでそのアンプル３内を真
空に排気した後、該アンプル３の開口部を溶融し
て３ａで示すように封止する。（この場合アンプ
ル３内を真空に排気した後、アルゴン（Ar）等
の不活性ガスを封入してもよい。）しかる後、前
記アンプル３の封止端部３ａに石英製の操作具５
を溶接して該アンプル３を図示のように加熱炉６
内に配置し、加熱してアンプル３内の前記成長用
メルト素材４を溶融し、充分に溶解した状態で、
前記アンプル３を操作具５によつて180度回転さ
せて該アンプル３内の前記メルト成型容器１内
に、溶融した成長用メルト素材４を流入させて充
満する。次いで第３図に示すように上記アンプル
３を、加熱炉６より取り出した後水を加えたエチ
レングリコール（HOCH2・CH2OH）等の冷却
容液７中に浸漬し前記メルト成型容器１内の成長
用メルト素材４を急冷する。そうすれば前記成長
用メルト素材４中の易蒸発成分であるHgが空間
部へ蒸発することが防止され均一な組成のHg1-x
CdxTeからなる成長用メルト材料１４が、前記メ
ルト成型容器１の各仕切り２内に離型した形で凝
固される。
の仕切り２を付設した半円筒状の高純度石英製メ
ルト成型容器１を用意する。次いで、第２図に示
すように、上記メルト成型容器１の外周壁が精度
よく嵌合する内径を有する高純度石英製アンプル
３内の上半分の領域に、前記メルト成型容器１を
逆さまにした形で嵌入配置する。そして該アンプ
ル３内の下半分の空間領域に、例えば易蒸発性の
Hgと、Cd、Teを規定の組成比で所定量秤量した
成長用メルト素材、即ち本実施例においては、す
くなくとも６成長工程分、秤量した成長用メルト
組材４を充填する。次いでそのアンプル３内を真
空に排気した後、該アンプル３の開口部を溶融し
て３ａで示すように封止する。（この場合アンプ
ル３内を真空に排気した後、アルゴン（Ar）等
の不活性ガスを封入してもよい。）しかる後、前
記アンプル３の封止端部３ａに石英製の操作具５
を溶接して該アンプル３を図示のように加熱炉６
内に配置し、加熱してアンプル３内の前記成長用
メルト素材４を溶融し、充分に溶解した状態で、
前記アンプル３を操作具５によつて180度回転さ
せて該アンプル３内の前記メルト成型容器１内
に、溶融した成長用メルト素材４を流入させて充
満する。次いで第３図に示すように上記アンプル
３を、加熱炉６より取り出した後水を加えたエチ
レングリコール（HOCH2・CH2OH）等の冷却
容液７中に浸漬し前記メルト成型容器１内の成長
用メルト素材４を急冷する。そうすれば前記成長
用メルト素材４中の易蒸発成分であるHgが空間
部へ蒸発することが防止され均一な組成のHg1-x
CdxTeからなる成長用メルト材料１４が、前記メ
ルト成型容器１の各仕切り２内に離型した形で凝
固される。
従つてその後アンプル３を冷却溶液７中より取
り出し、該アンプル３の封止端部３ａを開封して
メルト成型容器１を引き出すことにより、第４図
に示すように成型された一成長工程分の液相エピ
タキシヤル成長用メルト材料１４を１度に６個得
ることが可能となる。またこれら６個のメルト材
料１４は、いずれも同一組成比を有するものであ
るから、この一連のメルト材料１４を液相エピタ
キシヤル成長に用いることにより再現性よく
Hg1-xCdxTeからなるエピタキシヤル結晶層を得
ることができる。
り出し、該アンプル３の封止端部３ａを開封して
メルト成型容器１を引き出すことにより、第４図
に示すように成型された一成長工程分の液相エピ
タキシヤル成長用メルト材料１４を１度に６個得
ることが可能となる。またこれら６個のメルト材
料１４は、いずれも同一組成比を有するものであ
るから、この一連のメルト材料１４を液相エピタ
キシヤル成長に用いることにより再現性よく
Hg1-xCdxTeからなるエピタキシヤル結晶層を得
ることができる。
なお以上の実施例では易蒸発性元素のHgを含
むHgx-1CdxTeのような成長用メルト材料を用い
た場合の例について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、その他の易蒸発性元素
を含む金属合金を形成する場合にも適用可能なこ
とは言うまでもない。
むHgx-1CdxTeのような成長用メルト材料を用い
た場合の例について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、その他の易蒸発性元素
を含む金属合金を形成する場合にも適用可能なこ
とは言うまでもない。
(g) 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
液相エピタキシヤル成長用メルト材料の製造方法
によれば、複数種のメルト素材組成の均一な複数
個の成型された成長単位のメルト材料を一挙に効
率よく形成することが可能となる。また製造工数
が大幅に低減される等の利点も有する。よつて本
発明の製造方法によつて形成された成長単位のメ
ルト材料をHg1-xCdxTe等からなる化合物半導体
結晶の液相エピタキシヤル成長に適用して極めて
有利である。
液相エピタキシヤル成長用メルト材料の製造方法
によれば、複数種のメルト素材組成の均一な複数
個の成型された成長単位のメルト材料を一挙に効
率よく形成することが可能となる。また製造工数
が大幅に低減される等の利点も有する。よつて本
発明の製造方法によつて形成された成長単位のメ
ルト材料をHg1-xCdxTe等からなる化合物半導体
結晶の液相エピタキシヤル成長に適用して極めて
有利である。
第１図は本発明に係る液相エピタキシヤル成長
用メルト材料の製造方法に用いる仕切り付きメル
ト成型容器の一実施例を示す斜視図、第２図乃至
第３図は本発明に係る液相エピタキシヤル成長用
メルト材料の製造方法の一実施例を説明する工程
要部断面図、第４図は本発明の製造方法によつて
得られた成長単位のメルト材料の一実施例を示す
斜視図である。 図面において１は仕切り２付きメルト成型容
器、３は石英製アンプル、３ａはアンプル３の封
止端部、４は成長用メルト素材、５はアンプル操
作具、６は加熱炉、７は冷却溶液、１４は複数個
に成型された成長用メルト材料を示す。
用メルト材料の製造方法に用いる仕切り付きメル
ト成型容器の一実施例を示す斜視図、第２図乃至
第３図は本発明に係る液相エピタキシヤル成長用
メルト材料の製造方法の一実施例を説明する工程
要部断面図、第４図は本発明の製造方法によつて
得られた成長単位のメルト材料の一実施例を示す
斜視図である。 図面において１は仕切り２付きメルト成型容
器、３は石英製アンプル、３ａはアンプル３の封
止端部、４は成長用メルト素材、５はアンプル操
作具、６は加熱炉、７は冷却溶液、１４は複数個
に成型された成長用メルト材料を示す。
Claims (1)
- １ 石英アンプル内の長手方向の上部の領域に、
複数の仕切り付きメルト成型容器を下向きに挿設
すると共に、その下方の領域にメルト素材を収容
し、該アンプルを気密に封止した後、該アンプル
を所定温度に加熱して内部の前記メルト素材を溶
融混合し、この状態で前記アンプルを回転させて
前記溶融状態のメルト材料を、下方に反転した上
記複数の仕切り付きメルト成型容器内に流入せし
め、その後石英アンプルを冷却して前記成型容器
内に凝固した複数個の成型メルト材料を形成する
ことを特徴とする液相エピタキシヤル成長用メル
ト材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1518883A JPS59141236A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 液相エピタキシヤル成長用メルト材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1518883A JPS59141236A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 液相エピタキシヤル成長用メルト材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59141236A JPS59141236A (ja) | 1984-08-13 |
| JPS6361772B2 true JPS6361772B2 (ja) | 1988-11-30 |
Family
ID=11881862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1518883A Granted JPS59141236A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 液相エピタキシヤル成長用メルト材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59141236A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3901424B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-04-04 | 本田技研工業株式会社 | 車両用ブレーキドラム |
| CN1297759C (zh) | 2001-08-23 | 2007-01-31 | 雅马哈发动机株式会社 | 回转体用减振装置 |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP1518883A patent/JPS59141236A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59141236A (ja) | 1984-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR19990062687A (ko) | 불화칼슘 결정의 제조방법 및 원료의 처리방법 | |
| CA1301034C (en) | Process for growing a multi-component crystal | |
| WO1990007021A1 (en) | Process for producing single crystal | |
| JPS6361772B2 (ja) | ||
| EP0096922B1 (en) | Method of preparing a plurality of castings having a predetermined composition | |
| US3628998A (en) | Method for growth of a mixed crystal with controlled composition | |
| US3902860A (en) | Thermal treatment of semiconducting compounds having one or more volatile components | |
| JP5833115B2 (ja) | 半導体材料にドープするための方法 | |
| JPH0467335B2 (ja) | ||
| JP2529934B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH01197399A (ja) | 単結晶テルル化カドミウム水銀層を作製する方法 | |
| JPH10279396A (ja) | フッ化物結晶の製造装置 | |
| JP2700123B2 (ja) | ＨｇＣｄＴｅの液相エピタキシヤル成長方法及びその装置 | |
| US4774904A (en) | Multiple-layer growth of plural semiconductor devices | |
| JPS63144527A (ja) | ソ−ス材料の形成方法 | |
| JPH0352241A (ja) | 液相エピタキシャル結晶成長方法 | |
| JPH0231430A (ja) | ＣｄＨｇＴｅ結晶成長用メルトの作製方法 | |
| JPS6011294A (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JPH0348432A (ja) | 液相エピタキシャル結晶成長方法 | |
| JPS60214525A (ja) | ３−５族化合物半導体薄膜単結晶の製造方法 | |
| JP2002173400A (ja) | 液相からのバルク単結晶ベータ鉄シリサイド結晶成長法 | |
| JPH0516222Y2 (ja) | ||
| JPS61156743A (ja) | 液相エピタキシアル成長装置 | |
| JPH0273957A (ja) | 成膜用母材の製造方法 | |
| JPS5855392A (ja) | 半導体結晶の製造方法 |