JPS62105954A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS62105954A JPS62105954A JP60247435A JP24743585A JPS62105954A JP S62105954 A JPS62105954 A JP S62105954A JP 60247435 A JP60247435 A JP 60247435A JP 24743585 A JP24743585 A JP 24743585A JP S62105954 A JPS62105954 A JP S62105954A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焼成温度が1100℃以下で焼成される高誘電
率系誘電体磁器組成物に関し、特に低酸素分圧雰囲気で
焼成でき高い抵抗率の得られる組成物に関する。
率系誘電体磁器組成物に関し、特に低酸素分圧雰囲気で
焼成でき高い抵抗率の得られる組成物に関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサは素子の小型化、大容量化へ
の要求から積層型セラミックコンデンサが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
の要求から積層型セラミックコンデンサが急速に普及し
つつある。積層型セラミックコンデンサは内部電極とセ
ラミックを一体焼成する工程によって通常製造される。
従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ材料にはチ
タン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、焼成温度
が1300°C程度と高いため、内部電極材料としては
Pt、Pdなどの高価な金属を用いる必要があった。
タン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、焼成温度
が1300°C程度と高いため、内部電極材料としては
Pt、Pdなどの高価な金属を用いる必要があった。
これに対し空気中1000℃程度で焼成でき内部電極と
してPdに安価なAg系材料を一部混ぜて用いることが
できる鉛複合ペロブスカイト系材料や、低酸素分圧雰囲
気中で焼成できNiなどの卑金属材料を内部電極として
使用できるチタン酸バリウム系材料が開発されている。
してPdに安価なAg系材料を一部混ぜて用いることが
できる鉛複合ペロブスカイト系材料や、低酸素分圧雰囲
気中で焼成できNiなどの卑金属材料を内部電極として
使用できるチタン酸バリウム系材料が開発されている。
前者については本発明と類似の系としては特開昭59−
57953号公報記載の材料などが知られており、後者
については特公昭56−46641号公報記載の材料な
どが知られている。
57953号公報記載の材料などが知られており、後者
については特公昭56−46641号公報記載の材料な
どが知られている。
PbTiO2−Pb(Nitz2’vVIt2)C)+
系固溶体は比較的低温で焼成でき、誘電率の温度変化率
が同程度のチタン酸バリウム系材料に比べ高い誘電率が
得られる。このため本誘電体磁器組成物とPd−Ag系
内部電極からなることを特徴とする積層コンデンサは素
子の大容量、小型化、低コスト化が図れる利点を有して
いる。しかし近年さらに内部電極材料の低コスト化が図
れるCuなとの卑金属を内部電極として用いることが求
められており、このため、同時焼成したときCuなどの
金属が酸化しないような低酸素分圧雰囲気で焼成でき誘
電体磁器の抵抗率が低下しない材料が必要とされている
。
系固溶体は比較的低温で焼成でき、誘電率の温度変化率
が同程度のチタン酸バリウム系材料に比べ高い誘電率が
得られる。このため本誘電体磁器組成物とPd−Ag系
内部電極からなることを特徴とする積層コンデンサは素
子の大容量、小型化、低コスト化が図れる利点を有して
いる。しかし近年さらに内部電極材料の低コスト化が図
れるCuなとの卑金属を内部電極として用いることが求
められており、このため、同時焼成したときCuなどの
金属が酸化しないような低酸素分圧雰囲気で焼成でき誘
電体磁器の抵抗率が低下しない材料が必要とされている
。
発明が解決しようとする問題点
PbTi03−Pb(Ni+/2Wl/2 )03系固
溶体は低酸素分圧雰囲気で焼成するとチ密に焼結せず、
また抵抗率が小さくなる傾向がある。また焼成温度がや
や高<Cuを内部電極としたとき焼成温度がCuの融点
をこえてしまい層状の内部電極が構成されず島状に構成
され積層コンデンサ素子とした場合容量が低下するなど
の問題点があった。
溶体は低酸素分圧雰囲気で焼成するとチ密に焼結せず、
また抵抗率が小さくなる傾向がある。また焼成温度がや
や高<Cuを内部電極としたとき焼成温度がCuの融点
をこえてしまい層状の内部電極が構成されず島状に構成
され積層コンデンサ素子とした場合容量が低下するなど
の問題点があった。
本発明ではかかる問題点に鑑みPbTiO2−Pb(N
i+z2Wl/2 )03系のもつ高い誘電率をそこな
わず、焼成温度をCuの融点より低下させ、さらに低酸
素分圧雰囲気で焼成したとき抵抗値が高い誘電体磁器組
成物を提供することを目的としている。
i+z2Wl/2 )03系のもつ高い誘電率をそこな
わず、焼成温度をCuの融点より低下させ、さらに低酸
素分圧雰囲気で焼成したとき抵抗値が高い誘電体磁器組
成物を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
(Pba Meb )(Nisz2Wl/2 )xTi
y02+1+bで表される磁器組成物(ただし、Meは
Ca、Sr、Baからなる群から選ばれた少な(とも一
種を表し、x+y=1.00)であって、 0.001
≦b≦0.225.1.000≦a+b≦1.250.
0.20(1≦x≦0.550の範囲にある。
y02+1+bで表される磁器組成物(ただし、Meは
Ca、Sr、Baからなる群から選ばれた少な(とも一
種を表し、x+y=1.00)であって、 0.001
≦b≦0.225.1.000≦a+b≦1.250.
0.20(1≦x≦0.550の範囲にある。
作用
本発明の範囲の組成物においては、低酸素分圧雰囲気、
1100℃以下の焼成温度でチ密な焼成物が得られ、高
い抵抗率を有する信頼性の高い素子かえられる。
1100℃以下の焼成温度でチ密な焼成物が得られ、高
い抵抗率を有する信頼性の高い素子かえられる。
実施例
出発原料には化学的に高純度なPbO,Nip。
TiO2、CaCO3,5rCOs、BaCO3゜WO
2を用いた。これらを純度補正をおこなったうえで所定
量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒としボール
ミルで17時時間式混合した。
2を用いた。これらを純度補正をおこなったうえで所定
量を秤量し、メノウ製玉石を用い純水を溶媒としボール
ミルで17時時間式混合した。
これを吸引ろ過して水分の大半を分離した後乾燥し、そ
の後ライカイ機で充分解砕した後粉体量の5wt’%の
水分を加え、直径60nn高さ約50nm+の円柱状に
成形圧力500kg/cm2 で成形した。これをア
ルミナルツボ中に入れ同質のフタをし、7500C〜8
80℃で2時間仮焼した。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で
粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水を溶媒としてボ
ールミルで17時間粉砕し、これを吸引ろ過し水分の大
半を分離した後乾燥した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数
回(りかえした後この粉末にポリビニルアルコール6w
t%水溶液を粉体量の6wt%加え、32メツシユふる
いを通して造粒し、成形圧力1000kg/cm2で直
径13mm高さ約5順の円柱状に成形した。成形物は空
気中で700℃まで昇温し1時間保持しポリビルアルコ
ール分をバーンアウトした。これを上述の仮焼粉を体積
の1/3程度敷きつめた上に200メツシユZrO2粉
を約IM敷いたマグネシャ磁器容器に移し、同質のフタ
をし、管状電気炉の炉心管内に挿入し、炉心管内をロー
タリーポンプで脱気したのちN 2− H2混合ガスで
置換し、酸素分圧(Po2)が1.0xl○−8atm
になるようN2とH2ガスの混合比を調節しながら混合
ガスを流し所定温度まで 400℃/ h rで昇温し
2時間保持後400℃/hrで降温した。炉心管内のP
o2は挿入した安定化ジルコニア酸素センサーにより測
定した。
の後ライカイ機で充分解砕した後粉体量の5wt’%の
水分を加え、直径60nn高さ約50nm+の円柱状に
成形圧力500kg/cm2 で成形した。これをア
ルミナルツボ中に入れ同質のフタをし、7500C〜8
80℃で2時間仮焼した。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で
粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純水を溶媒としてボ
ールミルで17時間粉砕し、これを吸引ろ過し水分の大
半を分離した後乾燥した。以上の仮焼、粉砕、乾燥を数
回(りかえした後この粉末にポリビニルアルコール6w
t%水溶液を粉体量の6wt%加え、32メツシユふる
いを通して造粒し、成形圧力1000kg/cm2で直
径13mm高さ約5順の円柱状に成形した。成形物は空
気中で700℃まで昇温し1時間保持しポリビルアルコ
ール分をバーンアウトした。これを上述の仮焼粉を体積
の1/3程度敷きつめた上に200メツシユZrO2粉
を約IM敷いたマグネシャ磁器容器に移し、同質のフタ
をし、管状電気炉の炉心管内に挿入し、炉心管内をロー
タリーポンプで脱気したのちN 2− H2混合ガスで
置換し、酸素分圧(Po2)が1.0xl○−8atm
になるようN2とH2ガスの混合比を調節しながら混合
ガスを流し所定温度まで 400℃/ h rで昇温し
2時間保持後400℃/hrで降温した。炉心管内のP
o2は挿入した安定化ジルコニア酸素センサーにより測
定した。
焼成物は厚さ1鴫の円板状に切断し、両面にCr −A
uを蒸着し、誘電率、tanδを1kllzI V
/ mmの電界下で測定した。また抵抗率は1 k V
/ mmの電圧を印加後1分値から求めた。
uを蒸着し、誘電率、tanδを1kllzI V
/ mmの電界下で測定した。また抵抗率は1 k V
/ mmの電圧を印加後1分値から求めた。
なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる温度
とした。
とした。
表1に本発明の組成範囲および周辺組成の成分[a、b
、x、yは(PbaMeb)(Ni1z2 Wl/2
)xTiyo 2 + 2 + b と表したときの
値]、低酸素分圧雰囲気で焼成したときの焼成温度、誘
電率、誘電率の温度変化率(20°Cに対する)、ta
nδ、抵抗率を示した。
、x、yは(PbaMeb)(Ni1z2 Wl/2
)xTiyo 2 + 2 + b と表したときの
値]、低酸素分圧雰囲気で焼成したときの焼成温度、誘
電率、誘電率の温度変化率(20°Cに対する)、ta
nδ、抵抗率を示した。
本発明の範囲外の組成物では、a+bが1.000より
小さいか、bが0.001より小さいと低酸素分圧雰囲
気で焼成したときチ密な焼結物が得られない、もしくは
抵抗率が低(なる難点を有しており、]、 、 250
より大きくなると誘電率および抵抗率が低下する難点を
有する。またbが0.225より大きいと誘電率が低下
する。Xが限定の範囲外の組成物はキュリ一点が室温か
ら大きくはずれ誘電率が低(なる、もしくは誘電率の温
度変化率が太きなる難点を有している。本発明の範囲内
の組成物では前記の問題がいずれも克服されている。
小さいか、bが0.001より小さいと低酸素分圧雰囲
気で焼成したときチ密な焼結物が得られない、もしくは
抵抗率が低(なる難点を有しており、]、 、 250
より大きくなると誘電率および抵抗率が低下する難点を
有する。またbが0.225より大きいと誘電率が低下
する。Xが限定の範囲外の組成物はキュリ一点が室温か
ら大きくはずれ誘電率が低(なる、もしくは誘電率の温
度変化率が太きなる難点を有している。本発明の範囲内
の組成物では前記の問題がいずれも克服されている。
なお焼成雰囲気として選択した低酸素分圧雰囲気Po2
: 1 、 Ox 100−8atは焼成温度におI
t ルMの平衡酸素分圧より低く金属はほとんど酸化し
ないと考えられる。
: 1 、 Ox 100−8atは焼成温度におI
t ルMの平衡酸素分圧より低く金属はほとんど酸化し
ないと考えられる。
発明の効果
以上述べたように本発明の範囲の組成物は、低酸素分圧
雰囲気1100℃以下の焼成で積層コンデンサ素子とし
て高信頼11を得るためのチ密で抵抗率の高い焼結体が
得られ、内部電極としてCLlなどの先金8茂((科を
用いることが可能になる優れた誘電体磁器組成物である
。
雰囲気1100℃以下の焼成で積層コンデンサ素子とし
て高信頼11を得るためのチ密で抵抗率の高い焼結体が
得られ、内部電極としてCLlなどの先金8茂((科を
用いることが可能になる優れた誘電体磁器組成物である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (Pb_aMe_b)(Ni_1_/_2W_1_/_
2)_xTi_yO_2_+_a_+_bで表され、M
eはCa、Sr、Baからなる群から選ばれた少なくと
も一種であり、 x+y=1.00 0.001≦b≦0.225 1.000≦a+b≦1.250 0.200≦x≦0.550 の範囲にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60247435A JPS62105954A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60247435A JPS62105954A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62105954A true JPS62105954A (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=17163395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60247435A Pending JPS62105954A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62105954A (ja) |
-
1985
- 1985-11-05 JP JP60247435A patent/JPS62105954A/ja active Pending
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