JPS6317251A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS6317251A JPS6317251A JP61159021A JP15902186A JPS6317251A JP S6317251 A JPS6317251 A JP S6317251A JP 61159021 A JP61159021 A JP 61159021A JP 15902186 A JP15902186 A JP 15902186A JP S6317251 A JPS6317251 A JP S6317251A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 10
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は1100℃以下で焼成される高誘電率系誘電体
磁器組成物に関し、特に低酸素分圧雰囲気で焼成でき高
い抵抗率の得られる組成物に関する。
磁器組成物に関し、特に低酸素分圧雰囲気で焼成でき高
い抵抗率の得られる組成物に関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサにおいては素子の小型化、大
容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急速
に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内部
電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製造
される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ材
料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、
焼成温度が1300℃程度と高いため、内部電極材料と
してはPL、Pdなどの高価な金属を用いる必要があっ
た。
容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急速
に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内部
電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製造
される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ材
料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、
焼成温度が1300℃程度と高いため、内部電極材料と
してはPL、Pdなどの高価な金属を用いる必要があっ
た。
これに対し空気中1000℃以下で焼成でき内部電極と
して安価なAg系材料を用いることができる鉛複合ペロ
ブスカイト系材料や、低酸素分圧雰囲気中で焼成でき、
Niなどの卑金属材料を内部電極として使用できるチタ
ン酸バリウム系材料が開発されている。前者については
特開昭60−86072号公報に記載された、Pb(N
i1z+ Nb2z3)Os −PbTi03− Pb
(Ni1/2Wl/2 )03 t−含む誘電体磁器組
成物が知られている。後者については特公昭56−46
641号公報に記載の材料などが知られている。Pb(
Ni1z+ Nb2/s )03−PbTiO3−Pb
(Ni電/2 W1/2 )03系固溶体は低温で焼成
でき、誘電率の温度変化率が同程度のチタン酸バリウム
系材料に比べ高い誘電率が得られる。従ってこの誘電体
磁器組成物とAg系内部電極からなる積層コンデンサは
、素子の大容量、小型化、低コスト化が図れる利点を有
している。しかし近年、さらに内部電極材料の低コスト
化が図れるCuなとの卑金属を内部電極として用いるこ
とが求められており、このため、同時焼成したときCu
なとの金属が酸化しないような低酸素分圧雰囲気で焼成
でき、高い抵抗率が得られる材料が必要とされている。
して安価なAg系材料を用いることができる鉛複合ペロ
ブスカイト系材料や、低酸素分圧雰囲気中で焼成でき、
Niなどの卑金属材料を内部電極として使用できるチタ
ン酸バリウム系材料が開発されている。前者については
特開昭60−86072号公報に記載された、Pb(N
i1z+ Nb2z3)Os −PbTi03− Pb
(Ni1/2Wl/2 )03 t−含む誘電体磁器組
成物が知られている。後者については特公昭56−46
641号公報に記載の材料などが知られている。Pb(
Ni1z+ Nb2/s )03−PbTiO3−Pb
(Ni電/2 W1/2 )03系固溶体は低温で焼成
でき、誘電率の温度変化率が同程度のチタン酸バリウム
系材料に比べ高い誘電率が得られる。従ってこの誘電体
磁器組成物とAg系内部電極からなる積層コンデンサは
、素子の大容量、小型化、低コスト化が図れる利点を有
している。しかし近年、さらに内部電極材料の低コスト
化が図れるCuなとの卑金属を内部電極として用いるこ
とが求められており、このため、同時焼成したときCu
なとの金属が酸化しないような低酸素分圧雰囲気で焼成
でき、高い抵抗率が得られる材料が必要とされている。
発明が解決しようとする問題点
Pb(Ni1/s Nt12/3)Os PbTi0
3Pb(Nitt2Wl/2 )03系固溶体は、低酸
素分圧雰囲気で焼成するとチ密に焼結せず、また抵抗率
が小さくなる傾向がある。
3Pb(Nitt2Wl/2 )03系固溶体は、低酸
素分圧雰囲気で焼成するとチ密に焼結せず、また抵抗率
が小さくなる傾向がある。
本発明はPb(Nitzs Nb*zs )03− P
bTi03− Pb(Ni1/2Wl/2 )03系の
もつ高い誘電率と低温焼結性をそこなわず、低酸素分圧
雰囲気で焼成したとき抵抗値が高い誘電体磁器組成物を
提供することを目的としている。
bTi03− Pb(Ni1/2Wl/2 )03系の
もつ高い誘電率と低温焼結性をそこなわず、低酸素分圧
雰囲気で焼成したとき抵抗値が高い誘電体磁器組成物を
提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
Pba(Nitzs Nb2ts )xTiy(Nit
zs Wl/2 )Z02りで表される磁器組成物(た
だしx+y+Z=1)において、1.001 ≦ a
≦1.110の範囲とするとともに、この範囲内の各a
の値に対し、Pb a (Ni1,3Nb2,3) 0
2+2+P b 2 T iO242、および Pbコ(Ni1z2 Wl/2 ) 02+aを頂点と
する三角座標における下記組成点A。
zs Wl/2 )Z02りで表される磁器組成物(た
だしx+y+Z=1)において、1.001 ≦ a
≦1.110の範囲とするとともに、この範囲内の各a
の値に対し、Pb a (Ni1,3Nb2,3) 0
2+2+P b 2 T iO242、および Pbコ(Ni1z2 Wl/2 ) 02+aを頂点と
する三角座標における下記組成点A。
B、C,Dを頂点とする四角形の領域内の組成とする。
A ; X=0.800y=0.175z=0.025
B ;x=0.675y=0.300z=0.025
C; x=0.100y=0.550z=0.350D
;X=0.100y=0.450z=0.450作用 本発明の組成物においてはAサイト成分を過剰にするこ
とにより、低酸素分圧雰囲気、1100℃以下でチ密な
焼成物が得られ、高い抵抗率を有する信頼性の高い素子
かえられる。
B ;x=0.675y=0.300z=0.025
C; x=0.100y=0.550z=0.350D
;X=0.100y=0.450z=0.450作用 本発明の組成物においてはAサイト成分を過剰にするこ
とにより、低酸素分圧雰囲気、1100℃以下でチ密な
焼成物が得られ、高い抵抗率を有する信頼性の高い素子
かえられる。
実施例
出発原料には化学的に高純度なPbO,Nip。
Nbz Os 、TiO2、WO3を用いた。これらを
純度補正をおこなったうえで所定量を秤量し、メノウ製
玉石を用い純水を溶媒とし、ボールミルで17時時間式
混合した。これを吸引ろ過、して水分の大半を分離した
後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した後、粉体量
の5wt%の水分を加え、直径60IIII11高さ約
50m+*の円柱状に、成形圧力500kg/c+uで
成形した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタを
し、750℃〜880℃で2時間仮焼した。次に仮焼物
をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純
水を溶媒としてボールミルで17時間粉砕し、これを吸
引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼
、粉砕、乾燥を数回くりかえした後、この粉末にポリビ
ニルアルコール6wt%水溶液を、粉体量の6wt%加
え、32メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力10
00kg/cm2で、直径13mm、高さ約5+amの
円柱状に成形した。成形物は空気中で700℃まで昇温
し1時間保持しポリビルアルコール分をバーンアウトし
た。これを、上述の仮焼粉を体積の173程度敷きつめ
た上に200メツシユZ r O2粉を約IM敷いたマ
グネシャ磁器容器に移し、同質のフタをし、管状電気炉
の炉心管内に挿入した。炉心管内をロータリーポンプで
脱気したのち、N2−82混合ガスで置換し、酸素分圧
(PO2)が1.OOxlo−8atになるようN2と
H2ガスの混合比を調節しながら混合ガスを流し、所定
温度まで400℃/ h rで昇温し2時間保持後、4
00℃/ h rで降温した。炉心管内のPo2は挿入
した安定化ジルコニア酸素センサーにより測定した。第
2図に焼成時のマグネシャ磁器容器の構造を、第3図に
炉心管内部をそれぞれ断面図で示す。
純度補正をおこなったうえで所定量を秤量し、メノウ製
玉石を用い純水を溶媒とし、ボールミルで17時時間式
混合した。これを吸引ろ過、して水分の大半を分離した
後乾燥し、その後ライカイ機で充分解砕した後、粉体量
の5wt%の水分を加え、直径60IIII11高さ約
50m+*の円柱状に、成形圧力500kg/c+uで
成形した。これをアルミナルツボ中に入れ同質のフタを
し、750℃〜880℃で2時間仮焼した。次に仮焼物
をアルミナ乳鉢で粗砕し、さらにメノウ製玉石を用い純
水を溶媒としてボールミルで17時間粉砕し、これを吸
引ろ過し水分の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼
、粉砕、乾燥を数回くりかえした後、この粉末にポリビ
ニルアルコール6wt%水溶液を、粉体量の6wt%加
え、32メツシユふるいを通して造粒し、成形圧力10
00kg/cm2で、直径13mm、高さ約5+amの
円柱状に成形した。成形物は空気中で700℃まで昇温
し1時間保持しポリビルアルコール分をバーンアウトし
た。これを、上述の仮焼粉を体積の173程度敷きつめ
た上に200メツシユZ r O2粉を約IM敷いたマ
グネシャ磁器容器に移し、同質のフタをし、管状電気炉
の炉心管内に挿入した。炉心管内をロータリーポンプで
脱気したのち、N2−82混合ガスで置換し、酸素分圧
(PO2)が1.OOxlo−8atになるようN2と
H2ガスの混合比を調節しながら混合ガスを流し、所定
温度まで400℃/ h rで昇温し2時間保持後、4
00℃/ h rで降温した。炉心管内のPo2は挿入
した安定化ジルコニア酸素センサーにより測定した。第
2図に焼成時のマグネシャ磁器容器の構造を、第3図に
炉心管内部をそれぞれ断面図で示す。
第2図において1はマグネシア容器であり、その上部は
マグネシア容器M2で封じた。マグネシア容器1の下部
には仮焼粉3を配置し、その上にジルコニア粉4を配置
した。さらにその上に試料5を配置した。
マグネシア容器M2で封じた。マグネシア容器1の下部
には仮焼粉3を配置し、その上にジルコニア粉4を配置
した。さらにその上に試料5を配置した。
第2図のように準備されたマグネシア容器1を第3図の
ように炉心管6内に配置した。7は安定化ジルコニア酸
素センサーである。
ように炉心管6内に配置した。7は安定化ジルコニア酸
素センサーである。
焼成物は、厚さ1+w+の円板状に切断し、両面にCr
−Auを蒸着し、誘電率、tanδを1kHz。
−Auを蒸着し、誘電率、tanδを1kHz。
IV/WITlの電界下で測定した。また抵抗率は、1
k V / mmの電圧を印加後1分値から求めた。
k V / mmの電圧を印加後1分値から求めた。
なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも大きくなる温度
とした。
とした。
表1に、本発明の組成範囲および周辺組成の成分(a、
x、y、zは、Pba (Ni1/3Nb2t3)xT
iy(Ni1/* Wl/2 )zos++aと表した
ときの値〉、低酸素分圧雰囲気で焼成したときの焼成温
度、誘電率、誘電率の温度変化率(20℃に対する)、
tanδ、抵抗率、密度を示した。
x、y、zは、Pba (Ni1/3Nb2t3)xT
iy(Ni1/* Wl/2 )zos++aと表した
ときの値〉、低酸素分圧雰囲気で焼成したときの焼成温
度、誘電率、誘電率の温度変化率(20℃に対する)、
tanδ、抵抗率、密度を示した。
第1図は表1に示した各試料をPb、TiO2+3)P
bg、 (Nist3Nb2t3)02□、Pb、 (
Ni、z2Wl/2 )02+aを端成分とする三角組
成図中に示したもので、斜線の範囲が発明の範囲である
。
bg、 (Nist3Nb2t3)02□、Pb、 (
Ni、z2Wl/2 )02+aを端成分とする三角組
成図中に示したもので、斜線の範囲が発明の範囲である
。
(以下余白)
発明範囲外の組成物では、aが1.001より小さいと
低酸素分圧雰囲気で焼成したときチ密な焼結物が得られ
ない、もしくは抵抗率が低くなる難点を有しており、1
.110より大きくなると誘電率および抵抗率が低下す
る難点を有する。またx、y、zが限定の範囲外の組成
物はキュリ一点が室温から大きくはずれ誘電率が低くな
る、もしくは誘電率の温度変化率が太きなる難点を有し
ている。特許請求の範囲内の組成物では前記の問題がい
ずれも克服されている。
低酸素分圧雰囲気で焼成したときチ密な焼結物が得られ
ない、もしくは抵抗率が低くなる難点を有しており、1
.110より大きくなると誘電率および抵抗率が低下す
る難点を有する。またx、y、zが限定の範囲外の組成
物はキュリ一点が室温から大きくはずれ誘電率が低くな
る、もしくは誘電率の温度変化率が太きなる難点を有し
ている。特許請求の範囲内の組成物では前記の問題がい
ずれも克服されている。
なお焼成雰囲気として選択した低酸素分圧雰囲気PO2
; 1.OxlO−eatg+ ハ焼成iM W ニ
オit ル銅の平衡酸素分圧より低く金属はほとんど酸
化しないと考えられる。
; 1.OxlO−eatg+ ハ焼成iM W ニ
オit ル銅の平衡酸素分圧より低く金属はほとんど酸
化しないと考えられる。
発明の効果
本発明によれば低酸素分圧雰囲気1100℃以下の焼成
で積層コンデンサ素子として高信頼性を得るためのチ密
で抵抗率の高い焼結体が得られ、内部電極としてCuな
どの卑金属材料を用いることが可能になる優れた誘電体
磁器組成物を得ることができる。
で積層コンデンサ素子として高信頼性を得るためのチ密
で抵抗率の高い焼結体が得られ、内部電極としてCuな
どの卑金属材料を用いることが可能になる優れた誘電体
磁器組成物を得ることができる。
第1図は本発明に係る磁器組成物の成分組成を示す三角
組成図、第2図は焼成時に磁器を入れるマグネシャ容器
の断面図、第3図は焼成時の炉心管内の断面図を示す。 ■・・・マグネシャ容器、 2・・・マグネシャ容器蓋
、3・・・仮焼粉、 4・・・ジルコニア粉、 5・・
・試料、6・・・炉心管、 7・・・安定化ジルコニア
酸素センサー。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名第1図
組成図、第2図は焼成時に磁器を入れるマグネシャ容器
の断面図、第3図は焼成時の炉心管内の断面図を示す。 ■・・・マグネシャ容器、 2・・・マグネシャ容器蓋
、3・・・仮焼粉、 4・・・ジルコニア粉、 5・・
・試料、6・・・炉心管、 7・・・安定化ジルコニア
酸素センサー。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Pb_a(Ni_1_/_3Nb_2_/_3)_xT
i_y(Ni_1_/_2W_1_/_2)_zO_2
_+_aで表される組成式(ただし、x+y+z=1)
において、1.001≦a≦1.110の範囲にあり、
この範囲内の各aの値に対し、 Pb_a(Ni_1_/_3Nb_2_/_3)O_2
_+_a、Pb_aTiO_2_+_a、および Pb_a(Ni_1_/_2W_1_/_2)O_2_
+_aを頂点とする三角座標における下記組成点A、B
、C、Dを頂点とする四角形の領域内の組成物からなる
ことを特徴とする誘電体磁器組成物。 A;x=0.800 y=0.175 z=0.025
B;x=0.675 y=0.300 z=0.025
C;x=0.100 y=0.550 z=0.350
D;x=0.100 y=0.450 z=0.450
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61159021A JPH0676246B2 (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61159021A JPH0676246B2 (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6317251A true JPS6317251A (ja) | 1988-01-25 |
JPH0676246B2 JPH0676246B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=15684522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61159021A Expired - Fee Related JPH0676246B2 (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0676246B2 (ja) |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP61159021A patent/JPH0676246B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0676246B2 (ja) | 1994-09-28 |
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