JPS62104179A - 超伝導回路装置 - Google Patents

超伝導回路装置

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JPS62104179A
JPS62104179A JP60242824A JP24282485A JPS62104179A JP S62104179 A JPS62104179 A JP S62104179A JP 60242824 A JP60242824 A JP 60242824A JP 24282485 A JP24282485 A JP 24282485A JP S62104179 A JPS62104179 A JP S62104179A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
superconducting
insulating film
layer
inter
electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP60242824A
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English (en)
Inventor
Ichiro Ishida
一郎 石田
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
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Publication of JPS62104179A publication Critical patent/JPS62104179A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は超伝導回路装置の抵抗素子周辺の構造に関する
。
（従来の技術） 従来アイ・イー・イー・イー　トランザクションズオン
マグネティクス（ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ
　ｏｎ　Ｍａｇｎｅ−ｔｉｃｓ）ＭＡＧ−２１巻２号３
月１９８５年１０２頁に見られるように、超伝導回路装
置において、抵抗素子と超伝導電極との電気的接触部分
を除いては該抵抗素子と該超伝導電極が同一下地面に配
置され、該抵抗素子と該超伝導電極との電気的接触部分
では該超伝導電極が該抵抗素子上にのり上げる構造であ
った。
（発明が解決しようとする問題点） その結果、超伝導電極は凹凸のある下地上に配置される
ため超伝導電極表面にも該凹凸が反映し、超伝導電極の
平坦化を妨げていた。この事は電極の断線等を誘発しや
すく超伝導回路装置の信頼性低下の原因となっていた。
又、従来法では超伝導電極の断線を防ぐために超伝導電
極の厚さは抵抗素子の厚さより充分厚い必要があった。
従って、超伝導電極の厚さは抵抗素子の厚さで制約を受
けていた。
本発明の目的は平坦性が良好で、厚さが抵抗素子の厚さ
で制約を受けない超伝導電極を有する超伝導回路装置を
提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明の超伝導回路装置は抵抗素子の主表面と層間絶縁
膜の主表面が平坦性良く連続するように抵抗素子が層間
絶縁膜内に埋め込まれ、該抵抗素子の主表面及び該層間
絶縁膜の主表面上に接して超伝導電極が配置されて構成
される。
（作用） 抵抗素子は層間絶縁膜内に埋め込まれ、抵抗素子の主表
面と層間絶縁膜の主表面が平坦性良く連続しているため
、超伝導電極が配置される下地表面は抵抗素子と層間絶
縁膜の主表面によって構成・される平坦構造となる。こ
の平坦下地表面上に超伝導電極が配置されるため超伝導
電極表面も平坦となる。平坦な超伝導電極を用いる事に
より電極の断線低減等により超伝導回路装置の信頼性向
上が図れる。又超伝導電極が平坦下地表面上に配置され
るため、超伝導電極の厚さは抵抗素子の厚さの制約は受
けない。
（実施例） 第１図は本発明の構造を明示するための超伝導回路装置
の断面図である。絶縁性基板１の上に超伝導体例えばＮ
ｂを用いたグランドプレーン２が配置される。更に例え
ばＳｉＯを用いた第１の層間絶縁膜３を介して例えばＮ
ｂで成る第１層超伝導配線４、又は例えばＳｉＯで成る
第１の平坦化埋込み層５が配置される。
第１層超伝導配線４、例えばＳｉＯで成る平坦化埋込み
層５に重ねて、例えばＮｂを用いた超伝導コンタクト７
を含む例えばＳｉＯで成る第２の層間絶縁膜６が配置さ
れる。例えばＭｏで成る抵抗素子８は第２の層間絶縁膜
６に埋め込まれ且つ抵抗素子８と第２の層間絶縁膜６の
主表面は平坦性良く連結している。平坦性の良い抵抗素
子８の主表面及び第２の層間絶縁膜６の上に例えば隅で
成る超伝導電極９が配置されている。
超伝導電極９が形成されている下地面の平坦性が良好な
ため、超伝導電極９の平坦化が実現されている。必要に
より超伝導電極の形成されない領域に例えばＳｉＯで成
る第２の平坦化埋込層１０を配置する事もできる。又図
には示していないが上述の構造の他に、ジョセフソン接
合素子、容量素子、インダクタンス素子等を配置する事
もできる。
（発明の効果） 以上述べたとおり超伝導電極を平坦性の良好なｆ地面上
に配置されているため平坦性の良い超伝導電極が実現で
き超伝導電極の断線等による故障が低減し、信頼性の高
い超伝導回路装置が得られる。又、超伝導電極の厚さは
抵抗素子の厚さと無関係に決定できるので素子設計の制
約が緩和された構造が実現できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の構造を明示するための超伝導回路装置
断面図である。 １は絶縁性基板、２はグランドプレーン、３は第１の層
間絶縁膜、４は第１層超伝導配線、５は第１の平坦化埋
込み層、６は第２の層間絶縁膜、７は超伝導コンタクト
、８は抵抗素子、９は超伝導電極、１０は第２の平坦化
埋込層をそれぞれ示す。 工業技術院長等々ノー

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 抵抗素子と超伝導電極及び層間絶縁膜を有する超伝導回
    路装置において、抵抗素子の主表面と層間絶縁膜の主表
    面が平坦性良く連続するように、抵抗素子が層間絶縁膜
    内に埋め込まれ該抵抗素子の主表面及び該層間絶縁膜の
    主表面上に接して超伝導電極が配置された事を特徴とす
    る超伝導回路装置。
JP60242824A 1985-10-31 1985-10-31 超伝導回路装置 Pending JPS62104179A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008076228A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Denso Corp 車両周辺監視装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60140885A (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 Hitachi Ltd 超電導素子集積回路
JPS60177689A (ja) * 1984-02-23 1985-09-11 Nec Corp 超伝導回路装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60140885A (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 Hitachi Ltd 超電導素子集積回路
JPS60177689A (ja) * 1984-02-23 1985-09-11 Nec Corp 超伝導回路装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008076228A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Denso Corp 車両周辺監視装置

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