JPS62100910A - 化合物超電導体の製造方法 - Google Patents
化合物超電導体の製造方法Info
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- JPS62100910A JPS62100910A JP60240542A JP24054285A JPS62100910A JP S62100910 A JPS62100910 A JP S62100910A JP 60240542 A JP60240542 A JP 60240542A JP 24054285 A JP24054285 A JP 24054285A JP S62100910 A JPS62100910 A JP S62100910A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、化合物超電導体、とくに長尺のＡ−１５型化
合物超電導体又は長尺のシェブレル型化合物超電導体を
安定にかつ効率よく製造する方法に関する。
合物超電導体又は長尺のシェブレル型化合物超電導体を
安定にかつ効率よく製造する方法に関する。
（従来の技術）
周知のように、現在実用化されている化合物超電導体に
はＮＪＳｎとＶ５Ｇａがあり、これらはいずれも表面拡
散法、複合加工法等、金属元素間の拡散反応を利用した
方法によって作製されている。しかしＮｂ３Ｓｎ又はＶ
３Ｇ ａを用いて作成したマグネットは、これらの上
部臨界磁界が２０テスラ程度であるため、２０テスラま
での磁界発生が限界とされている。
はＮＪＳｎとＶ５Ｇａがあり、これらはいずれも表面拡
散法、複合加工法等、金属元素間の拡散反応を利用した
方法によって作製されている。しかしＮｂ３Ｓｎ又はＶ
３Ｇ ａを用いて作成したマグネットは、これらの上
部臨界磁界が２０テスラ程度であるため、２０テスラま
での磁界発生が限界とされている。
一方、上述のＮｂ３Ｓｎ 、 Ｖ３Ｇａより優れた超電
導特性をもつＡ−１５型化合物超電導体として、Ｎｂμ
ｔｔ Ｎｂ３Ｇａ 、 Ｎｂ５Ｇｓ ｔ Ｎｂ５（Ａｔ
−Ｇｏ ）が知られ、又はシェプレル型化合物超電導体
としてＰｂＭｏ６ＳＢ等が知られておシ、これらはいず
れも３０テスラ以上の上部臨界磁界をもつ。しかしこれ
らＡ−１５型化合物超電導体やシェプレル型化合物超電
導体を上述の拡散法で作製すると、作製温度が極めて高
いため、結晶粒が粗大化する。その結果超電導マグネ、
トヘ応用する際の重要な因子である臨界電流密度が著し
く低下してしまう。別の作製方法として、スパッタリン
グ、ＣｖＤなどの気相蒸着法があるが、いずれも実験室
規模のもので、生成速度に限界がある。
導特性をもつＡ−１５型化合物超電導体として、Ｎｂμ
ｔｔ Ｎｂ３Ｇａ 、 Ｎｂ５Ｇｓ ｔ Ｎｂ５（Ａｔ
−Ｇｏ ）が知られ、又はシェプレル型化合物超電導体
としてＰｂＭｏ６ＳＢ等が知られておシ、これらはいず
れも３０テスラ以上の上部臨界磁界をもつ。しかしこれ
らＡ−１５型化合物超電導体やシェプレル型化合物超電
導体を上述の拡散法で作製すると、作製温度が極めて高
いため、結晶粒が粗大化する。その結果超電導マグネ、
トヘ応用する際の重要な因子である臨界電流密度が著し
く低下してしまう。別の作製方法として、スパッタリン
グ、ＣｖＤなどの気相蒸着法があるが、いずれも実験室
規模のもので、生成速度に限界がある。
このためこれらの方法では、現在＠１備、長さ教訓、厚
さ２〜３μｍ程度の超電導体を得るのが限度であった。
さ２〜３μｍ程度の超電導体を得るのが限度であった。
このように従来法では、超電導体の長尺化が困難である
という問題があるとともに、膜厚が２〜３μｍのもので
しか良好な超電導特性を得られないために、臨界電流が
せいぜい数１００ ｍＡ程度と小さなものである。
という問題があるとともに、膜厚が２〜３μｍのもので
しか良好な超電導特性を得られないために、臨界電流が
せいぜい数１００ ｍＡ程度と小さなものである。
以上の如く、上に述べたＡ−１５型化合物超電導体やシ
ェプレル型化合物超電導体は、Ｎｂ３Ｓｎ 、 Ｖ３Ｇ
ａよシ高い臨界温度及び高い上部臨界磁界を持つことが
わかっているが、臨界電流及び臨界電流密度が高くかつ
長尺化できるように作製する方法が解決されていなかっ
た。
ェプレル型化合物超電導体は、Ｎｂ３Ｓｎ 、 Ｖ３Ｇ
ａよシ高い臨界温度及び高い上部臨界磁界を持つことが
わかっているが、臨界電流及び臨界電流密度が高くかつ
長尺化できるように作製する方法が解決されていなかっ
た。
（発明が解決しようとする問題点）
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目
的とするととろけ、長尺でかつ高い臨界電流を持つＡ−
１５型化合物超電導体又はシェプレル温化合物超電導体
を容易にしかも安定して製造することができる方法を提
供することにある。
的とするととろけ、長尺でかつ高い臨界電流を持つＡ−
１５型化合物超電導体又はシェプレル温化合物超電導体
を容易にしかも安定して製造することができる方法を提
供することにある。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、Ａ−１５型化合物超電導体又はシェプレル
型化合物超電導体の製造方法において、 前記超電導体を構成する複数の構成元素のうち少なくと
も１つ以上の元素を有する粉末の成形体又は焼結体であ
る第１の複合体を製造し、この第１の複合体を残りの構
成元素を有する融体中に浸漬することにより前記第１の
複合体の間隙に融体を浸透させた後凝固して第２の複合
体を得る第１の工程と、 第１の工程で得た第２の複合体にレーザービームを照射
して加熱して前記第２の複合体中に化合物超電層を生成
する第２の工程と、を具備してなる化合物超電導体の製
造方法である。
型化合物超電導体の製造方法において、 前記超電導体を構成する複数の構成元素のうち少なくと
も１つ以上の元素を有する粉末の成形体又は焼結体であ
る第１の複合体を製造し、この第１の複合体を残りの構
成元素を有する融体中に浸漬することにより前記第１の
複合体の間隙に融体を浸透させた後凝固して第２の複合
体を得る第１の工程と、 第１の工程で得た第２の複合体にレーザービームを照射
して加熱して前記第２の複合体中に化合物超電層を生成
する第２の工程と、を具備してなる化合物超電導体の製
造方法である。
さらにこの発明を詳細に述べる。
第１の工程
ニオブを主成分とする粉末又はニオブを主成分とする複
数の線材を用いて所定形状の焼結体あるいは粉末を加圧
成形した成形体などからなる第１の複合体を製造する。
数の線材を用いて所定形状の焼結体あるいは粉末を加圧
成形した成形体などからなる第１の複合体を製造する。
ここでニオブを主成分とするとは、ニオブ単体に限らす
ニオブにアルミニウム、ゲルマニウム及びガリウムの１
種又は２種を混合したものを含むことを意味する。ただ
しこの場合、第１の複合体の融点が、融体の融点よシ高
い必要がある。
ニオブにアルミニウム、ゲルマニウム及びガリウムの１
種又は２種を混合したものを含むことを意味する。ただ
しこの場合、第１の複合体の融点が、融体の融点よシ高
い必要がある。
次にこの第１の複合体を、アルミニウム、ゲルマニウム
及びガリウムから選択された１種又は２種以上の融体中
に漬浸して第２の複合体を作製する。この場合、第２の
複合体中に占める融体の割合は、体積百分率で５〜５０
％が望ましい。融体が少なすぎると第２の工程でレーザ
照射を行ってもＡ−１５型化合物が十分生成されず、又
多すぎるとＡ−１５型化合物以外の化合物が生成され、
いずれも超電導特性が著しく劣化してしまうためである
。第２の複合体中に占める融体の割合を調節するには、
第１の複合体の焼結条件、加圧条件などを変えて空孔率
などを調整することによりおこなう。
及びガリウムから選択された１種又は２種以上の融体中
に漬浸して第２の複合体を作製する。この場合、第２の
複合体中に占める融体の割合は、体積百分率で５〜５０
％が望ましい。融体が少なすぎると第２の工程でレーザ
照射を行ってもＡ−１５型化合物が十分生成されず、又
多すぎるとＡ−１５型化合物以外の化合物が生成され、
いずれも超電導特性が著しく劣化してしまうためである
。第２の複合体中に占める融体の割合を調節するには、
第１の複合体の焼結条件、加圧条件などを変えて空孔率
などを調整することによりおこなう。
なお前記第１の複合体は融体に浸漬する前又は後にニオ
ブ管内に挿入して、後工程での加工をしやすいようにし
ておくのがよい。
ブ管内に挿入して、後工程での加工をしやすいようにし
ておくのがよい。
シェプレル型化合物超電導体を製造する場合まずＭ（Ｍ
は鉛、スズ、銅及び銀から選択された１の金属元素）、
Ｍの硫化物、硫黄、モリプデｙ及びモリブデンの硫化物
のグループから選択された１種又は２種以上の粉末から
焼結体あるいは粉末を圧粉成形した成形体などからなる
第１の複合体を作る。
は鉛、スズ、銅及び銀から選択された１の金属元素）、
Ｍの硫化物、硫黄、モリプデｙ及びモリブデンの硫化物
のグループから選択された１種又は２種以上の粉末から
焼結体あるいは粉末を圧粉成形した成形体などからなる
第１の複合体を作る。
次いで前記グループから選択された１種又は２種以上の
成分からなシその融点が第１の複合体のそれよりも低い
成分の融体中に、第１の複合体を浸漬した後凝固して第
２の複合体を作る。
成分からなシその融点が第１の複合体のそれよりも低い
成分の融体中に、第１の複合体を浸漬した後凝固して第
２の複合体を作る。
具体的に挙げれば、Ｍの粉末、Ｍの硫化物の粉末又はこ
れらの混合物と、ＭＯ粉末、ＭＯ硫化物粉末又はこれら
の混合物とを混合して第１の複合体を作り、これを硫黄
の融体中に浸漬して第２の複合体を作る。あるいはモリ
ブデン硫化物粉末の第１の複合体を金ＪＦＪ４Ｍの融体
に浸漬した後凝固して第２の複合体を作る。あるいはモ
リブデン硫化物の粉末に、金属Ｍの硫化物粉末、モリブ
デン粉末及びこれらの混合物から選択された１の粉末を
加えて第１の複合体を作シ、これを金属Ｍの融体中に浸
漬した後凝固して第２の複合体を作製する。
れらの混合物と、ＭＯ粉末、ＭＯ硫化物粉末又はこれら
の混合物とを混合して第１の複合体を作り、これを硫黄
の融体中に浸漬して第２の複合体を作る。あるいはモリ
ブデン硫化物粉末の第１の複合体を金ＪＦＪ４Ｍの融体
に浸漬した後凝固して第２の複合体を作る。あるいはモ
リブデン硫化物の粉末に、金属Ｍの硫化物粉末、モリブ
デン粉末及びこれらの混合物から選択された１の粉末を
加えて第１の複合体を作シ、これを金属Ｍの融体中に浸
漬した後凝固して第２の複合体を作製する。
なお前記第１の複合体は融体に浸漬する前又は後にモリ
ブデン管内に挿入して、後工程での加工を行ないやすい
ようにしておくのがよい。
ブデン管内に挿入して、後工程での加工を行ないやすい
ようにしておくのがよい。
第２の工程
第１の工程で得られた第２の複合体にレーザービームを
照射する。レーザービームの照射は、真空中あるいはＡ
ｒガス中で行われる。そして、レーザービームのパワー
密度は、照射個所で１０４ Ｗ／ｃｍ２以上に設定され
る。１０４Ｗ／ｃｙ２未満では、試料が充分に加熱され
ず、構成元素同志が反応しない。したがって、化合物超
電導体を形成することはできない。また、第２の工程に
、レーザービーム照射前後に熱処理を行なう工程を含ま
せると好ましい結果が得られる。これらの熱処理工程は
、超電導特性の向上に寄与する。
照射する。レーザービームの照射は、真空中あるいはＡ
ｒガス中で行われる。そして、レーザービームのパワー
密度は、照射個所で１０４ Ｗ／ｃｍ２以上に設定され
る。１０４Ｗ／ｃｙ２未満では、試料が充分に加熱され
ず、構成元素同志が反応しない。したがって、化合物超
電導体を形成することはできない。また、第２の工程に
、レーザービーム照射前後に熱処理を行なう工程を含ま
せると好ましい結果が得られる。これらの熱処理工程は
、超電導特性の向上に寄与する。
特に、レーザービーム照射前の熱処理は、構成元素同志
を予備的に反応させ、その後のレーザービーム照射によ
る超電導体の形成を助ける役目をする。ただし、この時
の熱処理温度を４００〜２０００℃好ましくは８００〜
１５００℃に限定する必要がある。熱処理温度が４００
℃未満では構成元素同志の反応がほとんど進まず、２０
００℃を越えると超電導体以外の化合物が形成されて好
ましい結果は得られない。一方、レーザービーム照射後
の熱処理は、レーザービーム照射で形成された化合物の
結晶の規則性を高め、超電導特性の向上に寄与する。こ
の場合も、熱処理温度を３００〜１５００℃好ましくは
５００〜１０００℃に限定する必要がある。熱処理温度
が３００℃未満では元素の移動がほとんど起こらないた
め結晶の規則性の改善にはほとんど寄与しない。熱処理
温度が１５００℃を越えると結晶粒の粗大化が顕著とな
シ、かえって超電導特性が劣化する。
を予備的に反応させ、その後のレーザービーム照射によ
る超電導体の形成を助ける役目をする。ただし、この時
の熱処理温度を４００〜２０００℃好ましくは８００〜
１５００℃に限定する必要がある。熱処理温度が４００
℃未満では構成元素同志の反応がほとんど進まず、２０
００℃を越えると超電導体以外の化合物が形成されて好
ましい結果は得られない。一方、レーザービーム照射後
の熱処理は、レーザービーム照射で形成された化合物の
結晶の規則性を高め、超電導特性の向上に寄与する。こ
の場合も、熱処理温度を３００〜１５００℃好ましくは
５００〜１０００℃に限定する必要がある。熱処理温度
が３００℃未満では元素の移動がほとんど起こらないた
め結晶の規則性の改善にはほとんど寄与しない。熱処理
温度が１５００℃を越えると結晶粒の粗大化が顕著とな
シ、かえって超電導特性が劣化する。
（発明の効果）
本発明製造方法によれば、レーザービーム照射による急
加熱、及び照射終了後の急冷却の効果によシ特性の優れ
たＡ−１５型化合物超電導体またはシェブレル型化合物
超電導体を容易に作製することができる。特に、本発明
製造方法では、第１の工程において、焼結体を融体に浸
漬した後凝固して複合体を作製しているので、複合体を
構成する各成分の密着性がよくなり、反応性が向上し、
その結果得られる化合物超電導体の性能を向上すること
ができる。また第２の工程では、第１の工程によって得
られた第２の複合体の表面に、単にレーザービームを照
射するだけなので、レーザービームを固定し成形加工物
を高速で移動させるか、第２の複合体を固定してレーザ
ービームを高速で掃引するなどによって長尺の超電導体
を容易に作製することができる。また、レーザービーム
の照射によって厚さ数１００μｍの超電導体層を形成す
ることが可能であるため臨界電流工。の充分高い超電導
体を作製することができる。
加熱、及び照射終了後の急冷却の効果によシ特性の優れ
たＡ−１５型化合物超電導体またはシェブレル型化合物
超電導体を容易に作製することができる。特に、本発明
製造方法では、第１の工程において、焼結体を融体に浸
漬した後凝固して複合体を作製しているので、複合体を
構成する各成分の密着性がよくなり、反応性が向上し、
その結果得られる化合物超電導体の性能を向上すること
ができる。また第２の工程では、第１の工程によって得
られた第２の複合体の表面に、単にレーザービームを照
射するだけなので、レーザービームを固定し成形加工物
を高速で移動させるか、第２の複合体を固定してレーザ
ービームを高速で掃引するなどによって長尺の超電導体
を容易に作製することができる。また、レーザービーム
の照射によって厚さ数１００μｍの超電導体層を形成す
ることが可能であるため臨界電流工。の充分高い超電導
体を作製することができる。
このように、本発明製造方法によれば、現在実用化され
ているＮｂ ５Ｓｎ 、 Ｖ３Ｇａに比べて臨界温度Ｔ
Ｏ１臨界磁界Ｂｅ２、臨界電流密度Ｊｃがはるかに高く
、シかも長尺の化合物超電導体を容易に製造することが
できる。したがって、より強磁界を発生させる超電導マ
グネ、トの実現に寄与することができる。また、従来の
Ｎｂ３Ｓｎ 。
ているＮｂ ５Ｓｎ 、 Ｖ３Ｇａに比べて臨界温度Ｔ
Ｏ１臨界磁界Ｂｅ２、臨界電流密度Ｊｃがはるかに高く
、シかも長尺の化合物超電導体を容易に製造することが
できる。したがって、より強磁界を発生させる超電導マ
グネ、トの実現に寄与することができる。また、従来の
Ｎｂ３Ｓｎ 。
Ｖ ５Ｇ ｍ超電導体は、複合加工法によりて作製され
ているため、線引き、押し出し、中間焼鈍等の多くの工
程を必要とし、さらに最終工程の拡散熱処理にも数１０
〜数１００時間を必要としている。しかし、本発明製造
方法によれば、極く短時間のレーザービーム照射で超電
導体を作製できるので、製造コストを大幅に低減させる
ことができる。
ているため、線引き、押し出し、中間焼鈍等の多くの工
程を必要とし、さらに最終工程の拡散熱処理にも数１０
〜数１００時間を必要としている。しかし、本発明製造
方法によれば、極く短時間のレーザービーム照射で超電
導体を作製できるので、製造コストを大幅に低減させる
ことができる。
（発明の実施例）
以下この発明の実施例につき説明する。
実施例Ｉ
Ａ−１５型化合物超電導体の製造
純度９９チ、粒径１００μｍのＮｂ粉末２００ｇを加圧
、成形し、２２００℃で１時間加熱して焼結した。この
焼結体（第１の複合体）を約８００℃のＡｔ浴中に浸し
て、焼結体の間隙にＡｔを浸透させて凝固し第２の複合
体を得た。この場合第２の複合体に占めるＡｔの割合は
２０容量チであった。次いでこれをＮｂ管内に挿入し、
しかる後線引き、圧延して幅４ＩＩ１ｍ１厚さ２００μ
ｍのテープ状複合体（試料番号１）を得た。融体の材質
を代えた以外他の製造条件を同じとして複合体（試料番
号２〜５）を得た（下記表ＩＡ欄参照） このようにして準備された試料の表面に、レーザービー
ム照射を行なりて化合物超電導層を形成した。ここで使
用したレーザー照射装置１は第１図に示す構造である。
、成形し、２２００℃で１時間加熱して焼結した。この
焼結体（第１の複合体）を約８００℃のＡｔ浴中に浸し
て、焼結体の間隙にＡｔを浸透させて凝固し第２の複合
体を得た。この場合第２の複合体に占めるＡｔの割合は
２０容量チであった。次いでこれをＮｂ管内に挿入し、
しかる後線引き、圧延して幅４ＩＩ１ｍ１厚さ２００μ
ｍのテープ状複合体（試料番号１）を得た。融体の材質
を代えた以外他の製造条件を同じとして複合体（試料番
号２〜５）を得た（下記表ＩＡ欄参照） このようにして準備された試料の表面に、レーザービー
ム照射を行なりて化合物超電導層を形成した。ここで使
用したレーザー照射装置１は第１図に示す構造である。
すなわち、図中２は、Ｃ０２レーザー発振器（最大出力
１０ ｋＷ ）である。このＣＯ２レーザー発振器２か
ら送出されたレーザービーム３はＣｕ製の反射＊（、Ｚ
ｎ５ｅ製のレンズ５を介して真空容器６内に導かれるよ
うになっている。真空容器６内には試料７を送シ出す送
シトラム８と、試料７を巻取る巻取シトラム９とが設け
てあシ、送シトラム８から送シ出された試料７はレーザ
ービーム３の照射を受けた後、巻取シトラム９に巻取ら
れるようになっている。また、真空容器６は排気ポンプ
１０およびＡｒガスボンベ１１に選択的に接続されるよ
うになっている。
１０ ｋＷ ）である。このＣＯ２レーザー発振器２か
ら送出されたレーザービーム３はＣｕ製の反射＊（、Ｚ
ｎ５ｅ製のレンズ５を介して真空容器６内に導かれるよ
うになっている。真空容器６内には試料７を送シ出す送
シトラム８と、試料７を巻取る巻取シトラム９とが設け
てあシ、送シトラム８から送シ出された試料７はレーザ
ービーム３の照射を受けた後、巻取シトラム９に巻取ら
れるようになっている。また、真空容器６は排気ポンプ
１０およびＡｒガスボンベ１１に選択的に接続されるよ
うになっている。
しかして、各試料へのレーザービーム照射を次のように
して行なった。すなわち、まず、試料７を送りドラム８
と巻取りドラム９とにセットした後、真空容器６内を１
Ｑｔｏｒｒまで減圧し、続いてＡｒガスを導入して１気
圧とした。次に、試料７を巻取りドラム８から１０ ｍ
／ｍｉｎの速度で巻戻しながら表１に示すパワー密度の
レーザービーム３（レーザービーム径１ ｗｍ ）を試
料７の表面に照射した。このようＫして照射を終えた試
料、たとえばパワー密度３．ｌＸ１０５Ｗ／ｃＩｎ（ハ
フ−２，５ｋＷ、ビーム径１■）のレーザービームを照
射した各試料を観察したところ第２図に示すように、試
料７の表面側に幅約０．５ｍ、深さ約０．１ ｖｍの化
合物超電導層１２が形成されていた。そして、その表面
は、溶接跡の如きであった。
して行なった。すなわち、まず、試料７を送りドラム８
と巻取りドラム９とにセットした後、真空容器６内を１
Ｑｔｏｒｒまで減圧し、続いてＡｒガスを導入して１気
圧とした。次に、試料７を巻取りドラム８から１０ ｍ
／ｍｉｎの速度で巻戻しながら表１に示すパワー密度の
レーザービーム３（レーザービーム径１ ｗｍ ）を試
料７の表面に照射した。このようＫして照射を終えた試
料、たとえばパワー密度３．ｌＸ１０５Ｗ／ｃＩｎ（ハ
フ−２，５ｋＷ、ビーム径１■）のレーザービームを照
射した各試料を観察したところ第２図に示すように、試
料７の表面側に幅約０．５ｍ、深さ約０．１ ｖｍの化
合物超電導層１２が形成されていた。そして、その表面
は、溶接跡の如きであった。
このように化合物超電導層の形成された各試料について
、臨界温度Ｔｅと、１７テスラでの臨界電流Ｉｃとを測
定したところ表１のｂ欄に示す結果が得られた。この結
果から分かるように各試料ともＴｃが充分高く、またＩ
ｃもＩＯＡ以・上の値となっている。これは臨界電流密
度Ｊｃに換算すると４ Ｘ １０ Ａ／１１ 以上と大
きな値である。従来の気相蒸着法で得られた化合物超電
導体のＩｃは高々数１００ｍＡであることを考えると本
製造方法の採用によって２桁程度以上に改善されたこと
になる。
、臨界温度Ｔｅと、１７テスラでの臨界電流Ｉｃとを測
定したところ表１のｂ欄に示す結果が得られた。この結
果から分かるように各試料ともＴｃが充分高く、またＩ
ｃもＩＯＡ以・上の値となっている。これは臨界電流密
度Ｊｃに換算すると４ Ｘ １０ Ａ／１１ 以上と大
きな値である。従来の気相蒸着法で得られた化合物超電
導体のＩｃは高々数１００ｍＡであることを考えると本
製造方法の採用によって２桁程度以上に改善されたこと
になる。
また、各試料について、長さ方向の特性を調べたところ
、長さ３０ｍについて表１のｂ欄の特性と同一であるこ
とが確認された。すなわち、本製造方法の採用によって
、充分に高いＴｏと工。とを有した長尺の化合物超電導
体を簡単に作製することができる。したがって、本製造
方法で作製された化合物超電導体を用いれば、従来不可
能とされていた２０テスラあるいはそれ以上の強磁界を
発生する超電導マグネットの製作が可能である。
、長さ３０ｍについて表１のｂ欄の特性と同一であるこ
とが確認された。すなわち、本製造方法の採用によって
、充分に高いＴｏと工。とを有した長尺の化合物超電導
体を簡単に作製することができる。したがって、本製造
方法で作製された化合物超電導体を用いれば、従来不可
能とされていた２０テスラあるいはそれ以上の強磁界を
発生する超電導マグネットの製作が可能である。
一方、レーザービーム照射後に各試料の一部分に、７０
０℃て１００時間の熱処理を施してみた。その結果、表
１のｃ［に示すように、各試料ともＩＫ以上のＴｏの増
加が認められ、さらに１７テスラにおけるＩｃの増加も
認められた。
０℃て１００時間の熱処理を施してみた。その結果、表
１のｃ［に示すように、各試料ともＩＫ以上のＴｏの増
加が認められ、さらに１７テスラにおけるＩｃの増加も
認められた。
また、レーザービーム照射前に各試料の一部分に、１０
００℃で３０分間の熱処理を施してみた。レーザービー
ム照射後に各試料の上記部分についてＴｃと■。とを測
定したところ、表１のｄ欄に示すようにそれぞれ改善さ
れていることが確認された。
００℃で３０分間の熱処理を施してみた。レーザービー
ム照射後に各試料の上記部分についてＴｃと■。とを測
定したところ、表１のｄ欄に示すようにそれぞれ改善さ
れていることが確認された。
さらに、表１のｄ欄の結果を得た各試料の一部に、レー
ザービーム照射後に７００℃、１００時間の熱処理を施
してみた。これらの部分について、ＴｃとＩｃとを測定
したところ表１のｅ欄に示すように各試料ともＴｏ、Ｉ
。の増加が認められた。したがって、レーザービーム照
射前後に熱処理を行なうことは有効であることが分った
。
ザービーム照射後に７００℃、１００時間の熱処理を施
してみた。これらの部分について、ＴｃとＩｃとを測定
したところ表１のｅ欄に示すように各試料ともＴｏ、Ｉ
。の増加が認められた。したがって、レーザービーム照
射前後に熱処理を行なうことは有効であることが分った
。
実施例２
純度９９チ、直径３００μｍのＮｂ細線を約ＳＯＯ本束
ねてＮｂ管に挿入し、２２００℃で１時間加熱してＮｂ
線同志を焼結した。これを約８００℃のＡｔ−１０原子
チＧｅ浴中に浸して焼結体（第１の複合体）の間隙にＡ
ｔ−Ｇ５合金を浸透させて凝固し第２の複合体を得た。
ねてＮｂ管に挿入し、２２００℃で１時間加熱してＮｂ
線同志を焼結した。これを約８００℃のＡｔ−１０原子
チＧｅ浴中に浸して焼結体（第１の複合体）の間隙にＡ
ｔ−Ｇ５合金を浸透させて凝固し第２の複合体を得た。
この場合筒２の複合体に占めるＡｔ−Ｇ５合金の割合は
２０容量チであった。次いでこれを線引き、圧延して幅
７闘、厚さ０．２ ｍｓのテープ状とした。
２０容量チであった。次いでこれを線引き、圧延して幅
７闘、厚さ０．２ ｍｓのテープ状とした。
しかる後テープ状複合体に、実施例１と同様、パワー密
度３． Ｉ Ｘ １０ Ｗ／ｃｍ （ハワー２．５
ｋＷ。
度３． Ｉ Ｘ １０ Ｗ／ｃｍ （ハワー２．５
ｋＷ。
ビーム径１日）のレーザービームを照射した。
このようにして得られた試料について、Ｔｏ及び１７テ
スラでの工。を測定した結果、それぞれ１７．ＯＫ、２
２Ａの値が得られた。この試料をさらに７００℃で１０
０時間熱処理するとＴｃ及び１７テスラのＩｃはそれぞ
れ１９．２Ｋ。
スラでの工。を測定した結果、それぞれ１７．ＯＫ、２
２Ａの値が得られた。この試料をさらに７００℃で１０
０時間熱処理するとＴｃ及び１７テスラのＩｃはそれぞ
れ１９．２Ｋ。
２５Ａに上昇した。
以上の結果から、実施例１で用いたＮｂ粉末に代えてＮ
ｂ線を使りても、レーザービーム照射によって高い超電
導特性が得られることがわかる。
ｂ線を使りても、レーザービーム照射によって高い超電
導特性が得られることがわかる。
実施例３
実施例２の焼結体を製造する工程において、使用するＮ
ｂ線の本数を種々変えて第２の複合体に占めるＡｔ１０
原子’１６ Ｇ６合金の割合を２〜６５体積率チとした
試料を作製した。体積率チの算出は、試料の断面を光学
顕微鏡で観察して行なった。
ｂ線の本数を種々変えて第２の複合体に占めるＡｔ１０
原子’１６ Ｇ６合金の割合を２〜６５体積率チとした
試料を作製した。体積率チの算出は、試料の断面を光学
顕微鏡で観察して行なった。
各試料にパワー密度３．１ Ｘ １０ Ｗ／ｃｍ （
”ツー２，５ｋＷ、ビーム径１ ｗｍ ）のレーザービ
ームを照射して、１７テス２での■。を測定し、Ｎｂと
Ａｔ−Ｇ・合金０割合が１７テス２での！。に及ぼす影
響について調べた。その結果、第３図に示すように、Ａ
ｔ−Ｇｏ金合金体積率が５〜５０チでＩｏが特に高くな
っておシ、この範囲のものが良好な超電導特性を有する
Ａ−１５型超電導体を得ることがわかる。
”ツー２，５ｋＷ、ビーム径１ ｗｍ ）のレーザービ
ームを照射して、１７テス２での■。を測定し、Ｎｂと
Ａｔ−Ｇ・合金０割合が１７テス２での！。に及ぼす影
響について調べた。その結果、第３図に示すように、Ａ
ｔ−Ｇｏ金合金体積率が５〜５０チでＩｏが特に高くな
っておシ、この範囲のものが良好な超電導特性を有する
Ａ−１５型超電導体を得ることがわかる。
実施例４
シェプレル型化合物超電導体の製造
純度９９％、粒径１００ μｍのｐｂ粉末４ＯＮと純度
９９．９％、粒径１０ μｍのＭｏ粉末１６０１とを混
合した後加圧成形し、次いで３００℃で５時間加熱して
焼結した。この焼結体（第１の複合体）を３００℃の硫
黄浴中に浸して焼結体の間隙に硫黄を浸透させて凝固し
た後、Ｍｏ管に挿入して線引き、圧延して幅４＋ｍ、厚
さ２００μｍのテープ状複合体（試料番号６）を得た。
９９．９％、粒径１０ μｍのＭｏ粉末１６０１とを混
合した後加圧成形し、次いで３００℃で５時間加熱して
焼結した。この焼結体（第１の複合体）を３００℃の硫
黄浴中に浸して焼結体の間隙に硫黄を浸透させて凝固し
た後、Ｍｏ管に挿入して線引き、圧延して幅４＋ｍ、厚
さ２００μｍのテープ状複合体（試料番号６）を得た。
焼結体及び融体の材質を変えた以外は試料６と同様の方
法で複合体（試料番号７〜１０）を作製した（表２＆欄
参照）。
法で複合体（試料番号７〜１０）を作製した（表２＆欄
参照）。
このようにして準備された試料の表面に、実施例１と同
じ方法でレーザービームを照射して化合物超電導層を形
成し、この層のＴｃと１７テスラの工。を測定した。そ
の結果表２のｂ欄に示すように、いずれの試料も十分高
いＴｃと■。が得られている。試料中のレーザー照射反
応部は、実施例１と同様、幅０．５ｍ、深さ０．１ｍで
あるから、この場合のＪｃは４ Ｘ Ｉ ＯＡ／ｍ以上
になる。
じ方法でレーザービームを照射して化合物超電導層を形
成し、この層のＴｃと１７テスラの工。を測定した。そ
の結果表２のｂ欄に示すように、いずれの試料も十分高
いＴｃと■。が得られている。試料中のレーザー照射反
応部は、実施例１と同様、幅０．５ｍ、深さ０．１ｍで
あるから、この場合のＪｃは４ Ｘ Ｉ ＯＡ／ｍ以上
になる。
次に実施例１と同じく、レーザー照射前後の熱処理の影
響を調べた。表２のＣ欄はレーザー照射後５００℃で１
００時間熱処理した時の値を示し、表２のｄ欄は、レー
ザービーム照射前に１０００℃で３０分間熱処理した時
の値、又表２６欄はｄ欄の試料をレーザービーム照射後
５００ｐで１００時間熱処理した時の値である。
響を調べた。表２のＣ欄はレーザー照射後５００℃で１
００時間熱処理した時の値を示し、表２のｄ欄は、レー
ザービーム照射前に１０００℃で３０分間熱処理した時
の値、又表２６欄はｄ欄の試料をレーザービーム照射後
５００ｐで１００時間熱処理した時の値である。
これらの結果からいずれの場合も熱処理によＦ） Ｔ（
！ ＋ ＩＯの増加が認められており、レーザービーム
照射前後に熱処理を行うことは有効であることがわかっ
た。
！ ＋ ＩＯの増加が認められており、レーザービーム
照射前後に熱処理を行うことは有効であることがわかっ
た。
実施例５
実施例１の表１ａ欄に示された試料番号２（Ｎｂ−Ｇａ
）及び実施例４の表２１欄に示された試料番号６ （
Ｐｂ−Ｍｏ−８）の試料と同一組成の試料を各８本ずつ
用意した。各試料に１，０ＸＩＯ３〜１．２ Ｘ １０
４ Ｗ／ｃｍ２の範囲内で異なるパワー密度のレーザー
ビームを照射した。この時のビーム径はいずれもｌ■で
あった。各試料について、１７テスラでのＩｃを測定し
て工。のレーザーパワー密度依存性を調べた。その結果
第４図に示すように、高い臨界電流工。を得るには１０
４Ｗ／ｃｒｎ２以上のレーザーパワー密度を必要とする
ことがわかる。ただし、第４図中人はニオブ−ガリウム
、ＢはＰｂ−Ｍｏ−８である。なおこの実施例では、最
大出力１０ ｋＷのＣ０２レーザー発振器を用いたため
、１．２ Ｘ １０４Ｗ／ｃｍ２（パワー１゜ｋＷ、ビ
ーム径１ ｗａ ）のパワー密度を越えるレーザービー
ムを照射することができなかったが、第４図の結果から
、１．２ Ｘ １０４Ｗ／ｃｍ２を越えるパワー密度で
も十分高い特性が得られると判断できる。
）及び実施例４の表２１欄に示された試料番号６ （
Ｐｂ−Ｍｏ−８）の試料と同一組成の試料を各８本ずつ
用意した。各試料に１，０ＸＩＯ３〜１．２ Ｘ １０
４ Ｗ／ｃｍ２の範囲内で異なるパワー密度のレーザー
ビームを照射した。この時のビーム径はいずれもｌ■で
あった。各試料について、１７テスラでのＩｃを測定し
て工。のレーザーパワー密度依存性を調べた。その結果
第４図に示すように、高い臨界電流工。を得るには１０
４Ｗ／ｃｒｎ２以上のレーザーパワー密度を必要とする
ことがわかる。ただし、第４図中人はニオブ−ガリウム
、ＢはＰｂ−Ｍｏ−８である。なおこの実施例では、最
大出力１０ ｋＷのＣ０２レーザー発振器を用いたため
、１．２ Ｘ １０４Ｗ／ｃｍ２（パワー１゜ｋＷ、ビ
ーム径１ ｗａ ）のパワー密度を越えるレーザービー
ムを照射することができなかったが、第４図の結果から
、１．２ Ｘ １０４Ｗ／ｃｍ２を越えるパワー密度で
も十分高い特性が得られると判断できる。
実施例６
実施例１の表１のａ欄に示される試料番号５（Ｎｂ−Ａ
ｔ−Ｇｅ系合金）と同様の障権１５本用意し、各試料を
１００〜２５００℃の範囲内の異なる温度で３０分間熱
処理し、しかる後照射個所のパワー密度３． Ｉ Ｘ
１０”Ｗ／ｅ：ｍ２（パワー２．５ ｋＷ、ビーム径／
、、）のレーザービームを照射して化合物超電導体を得
た。これら超電導体について、１７テスラでの工。を測
定し、■。の熱処理温度依存性を調べた。その結果を第
５図に示する。
ｔ−Ｇｅ系合金）と同様の障権１５本用意し、各試料を
１００〜２５００℃の範囲内の異なる温度で３０分間熱
処理し、しかる後照射個所のパワー密度３． Ｉ Ｘ
１０”Ｗ／ｅ：ｍ２（パワー２．５ ｋＷ、ビーム径／
、、）のレーザービームを照射して化合物超電導体を得
た。これら超電導体について、１７テスラでの工。を測
定し、■。の熱処理温度依存性を調べた。その結果を第
５図に示する。
なお熱処理を行なっていない同一組成の超電導体の値を
同図Ｃに示す。
同図Ｃに示す。
同図から、レーザービーム照射前の熱処理温度は、４０
０〜２０００℃、とくに８００〜１５００℃が有効であ
ることがわかる。
０〜２０００℃、とくに８００〜１５００℃が有効であ
ることがわかる。
実施例７
実施例６で用いた試料と同様の試料を１２本用意し、こ
れら各試料を１０００℃で３０分間熱処理した後、照射
個所のパワー密度３．ＩＸ１０５Ｗ／ｃｒｎ２（パワー
２．５ ｋｗ、ビーム径１鴫）のレーザービームを照射
した。照射後の各試料について１００〜１８００℃の範
囲内の異なる温度で１００時間熱処理した。このように
して得られた１２本の超電導体について１７テスラの条
件下で工。を測定した。その結果を第６図に示す。
れら各試料を１０００℃で３０分間熱処理した後、照射
個所のパワー密度３．ＩＸ１０５Ｗ／ｃｒｎ２（パワー
２．５ ｋｗ、ビーム径１鴫）のレーザービームを照射
した。照射後の各試料について１００〜１８００℃の範
囲内の異なる温度で１００時間熱処理した。このように
して得られた１２本の超電導体について１７テスラの条
件下で工。を測定した。その結果を第６図に示す。
なお同図中りは、レーザービーム照射後に熱処理を行な
わなかった同一組成の超電導体の値である。
わなかった同一組成の超電導体の値である。
同図から、レーザービーム照射後の熱処理温度は、３０
０〜１５００℃、とくに５００〜１０００℃が有効であ
ることがわかる。
０〜１５００℃、とくに５００〜１０００℃が有効であ
ることがわかる。
実施例８
実施例１の表１のａ欄に示される試料番号ｌ（Ｎｂ−Ａ
ｔ系合金）と同様の試料を１１本用意し、これら試料に
パワー密度３． Ｉ Ｘ １０５Ｗ／ｃｍ２（パワー２
．５ｋＷ、 ビーム径１■）のレーザービームを照射
後、１００〜１８００℃の範囲内の異なる温度で１００
時間の熱処理を行なった。このようにして得られた１１
本の超電導体について１７テスラの条件下で工。を測定
し、第７図に示す結果を得た。なお図中Ｅは、レーザー
ビーム照射後に熱処理を行なっていない同一組成の超電
導体の値を示す。
ｔ系合金）と同様の試料を１１本用意し、これら試料に
パワー密度３． Ｉ Ｘ １０５Ｗ／ｃｍ２（パワー２
．５ｋＷ、 ビーム径１■）のレーザービームを照射
後、１００〜１８００℃の範囲内の異なる温度で１００
時間の熱処理を行なった。このようにして得られた１１
本の超電導体について１７テスラの条件下で工。を測定
し、第７図に示す結果を得た。なお図中Ｅは、レーザー
ビーム照射後に熱処理を行なっていない同一組成の超電
導体の値を示す。
同図から熱処理をレーザービーム照射後だけ行なう場合
も３００〜１５００℃、とくに５００〜１０００℃の熱
処理温度が有効であることがわかる。
も３００〜１５００℃、とくに５００〜１０００℃の熱
処理温度が有効であることがわかる。
第１図は本発明製造方法の一実施例に用いられたレーザ
照射装置の模式的構成図、第２図は本発明製造方法によ
って製造された化合物超電導体の局部的斜視図、第３図
から第７図は各実施例によって確認された結果を示す図
である。 Ｉ・・・レーザ照射装置、２・・・Ｃ０２レーザ発振器
、３・・・レーザービーム、６・・・真空容器、７・・
・試料、１２・・・化合物−超電導層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 ０ ５ω １α）Ｏ１５００２（１１） ２５００し
一叩一且更崩１誓ｊｆ）訟ルｆ！順−（’Ｃ）第５図 レー伯惑ｊ号−虻、、λΔノに揺貝ムカＬ （’Ｃ
）第６図
照射装置の模式的構成図、第２図は本発明製造方法によ
って製造された化合物超電導体の局部的斜視図、第３図
から第７図は各実施例によって確認された結果を示す図
である。 Ｉ・・・レーザ照射装置、２・・・Ｃ０２レーザ発振器
、３・・・レーザービーム、６・・・真空容器、７・・
・試料、１２・・・化合物−超電導層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 ０ ５ω １α）Ｏ１５００２（１１） ２５００し
一叩一且更崩１誓ｊｆ）訟ルｆ！順−（’Ｃ）第５図 レー伯惑ｊ号−虻、、λΔノに揺貝ムカＬ （’Ｃ
）第６図
Claims (16)
- （１）Ａ−１５型化合物超電導体又はシェブレル型化合
物超電導体の製造方法において、 前記超電導体を構成する複数の構成元素のうち少なくと
も１以上の元素を有する粉末の成形体又は焼結体である
第１の複合体を製造し、これを残りの構成元素を有する
融体中に浸漬することにより前記第１の複合体の間隙に
融体を浸透後凝固させて第２の複合体を得る第１の工程
と、第１の工程で得た第２の複合体にレーザービームを
照射して加熱して前記第２の複合体中に化合物超電導層
を生成する第２の工程と、 を具備してなる化合物超電導体の製造方法。 - （２）第１の工程において、第１の複合体は、ニオブを
主成分とする粉末とし、かつ融体はアルミニウム、ゲル
マニウム及びガリウムから選択された１又は２以上の元
素を主成分としている特許請求の範囲第１項記載の化合
物超電導体の製造方法。 - （３）第１の工程において、第１の複合体は、ニオブを
主成分とする複数の線材からなり、かつ融体はアルミニ
ウム、ゲルマニウム及びガリウムから選択された１又は
２以上の元素を主成分としている特許請求の範囲第１項
記載の化合物超電導体の製造方法。 - （４）第２の複合体中に融体が体積％で５〜５０％の割
合で占められる特許請求の範囲第２項又は第３項記載の
化合物超電導体の製造方法。 - （５）第１の工程において第１の複合体は、Ｍ（Ｍは鉛
、スズ、銅及び銀から選択された１の金属元素）、Ｍの
硫化物、硫黄、モリブデン及びモリブデン硫化物のグル
ープから選択された１種又は２種以上の粉末からなり、
かつ融体は前記グループから選択された１種又は２種以
上の成分でかつ前記第１の複合体よりも融点の低い成分
からなり、第１の複合体に融体を浸透させて得られた複
合体が金属Ｍ、モリブデン及び硫黄を含有してなる特許
請求の範囲第１項記載の超電導体の製造方法。 - （６）第１の複合体は、金属Ｍの粉末、Ｍの硫化物の粉
末及びこれらの混合物から選択された１の粉末と、モリ
ブデン粉末、モリブデン硫化物粉末及びこれらの混合物
から選択された１の粉末との混合物からなり、かつ融体
は硫黄からなる特許請求の範囲第５項記載の超電導体の
製造方法。 - （７）第１の複合体は、モリブデン硫化物の粉末からな
り、融体は金属Ｍからなる特許請求の範囲第５項記載の
超電導体の製造方法。 - （８）第１の複合体は、金属Ｍの硫化物粉末、モリブデ
ン粉末及びこれらの混合物から選択された１の粉末と、
モリブデン硫化物粉末との混合物からなり、融体は金属
Ｍからなる特許請求の範囲第５項記載の超電導体の製造
方法。 - （９）第１の複合体は複数のモリブデン線からなり、融
体は金属Ｍと硫黄とからなる特許請求の範囲第５項記載
の超電導体の製造方法。 - （１０）第１の複合体に融体を浸透させる前又は後に第
１の複合体をニオブ管内に挿入する特許請求の範囲第２
項、第３項又は第４項記載の化合物超電導体の製造方法
。 - （１１）第１の複合体に融体を浸透させる前又は後に第
１の複合体をモリブデン管内に挿入する特許請求の範囲
第５項乃至第９項のいずれか１に記載の化合物超電導体
の製造方法。 - （１２）第２の工程においてレーザービームのパワー密
度を照射個所で１０＾４Ｗ／ｃｍ＾２以上としてなる特
許請求の範囲第１項記載の化合物超電導体の製造方法。 - （１３）第２の工程は、第２の複合体にレーザービーム
を照射する前に、第２の複合体を４００〜２０００℃で
熱処理する工程を有している特許請求の範囲第１項記載
の化合物超電導体の製造方法。 - （１４）第２の工程は、第２の複合体にレーザービーム
を照射した後に第２の複合体を３００〜１５００℃で熱
処理する工程を有している特許請求の範囲第１項記載の
化合物超電導体の製造方法。 - （１５）第１の工程は、第１の複合体に融体を浸透前又
は後に第１の複合体をニオブ管内に挿入する工程を含み
、第２の工程は、第２の複合体にレーザービームを照射
する前に第２の複合体を４００〜２０００℃で熱処理す
る工程と、第２の複合体にレーザービームを照射した後
に第２の複合体を３００〜１５００℃で熱処理する工程
とを含む特許請求の範囲第１項記載の化合物超電導体の
製造方法。 - （１６）第１の工程は、第１の複合体に融体を浸透前又
は後に第１の複合体をモリブデン管内に挿入する工程を
含み、第２の工程は、第２の複合体にレーザービームを
照射する前に第２の複合体を４００〜２０００℃で熱処
理する工程と、第２の複合体にレーザービームを照射し
た後に第２の複合体を３００〜１５００℃で熱処理する
工程とを含む特許請求の範囲第１項記載の化合物超電導
体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60240542A JPS62100910A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 化合物超電導体の製造方法 |
| CA000509168A CA1263449A (en) | 1985-05-16 | 1986-05-14 | Method of manufacturing a superconductor compounds layer |
| US06/863,189 US4746373A (en) | 1985-05-16 | 1986-05-14 | Method of manufacturing compound superconductors |
| EP86303764A EP0202895B1 (en) | 1985-05-16 | 1986-05-16 | Method of manufacturing compound superconductors |
| DE3650500T DE3650500T2 (de) | 1985-05-16 | 1986-05-16 | Verfahren zur Herstellung eines Verbundsupraleiters |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60240542A JPS62100910A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 化合物超電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62100910A true JPS62100910A (ja) | 1987-05-11 |
| JPH0453051B2 JPH0453051B2 (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=17061080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60240542A Granted JPS62100910A (ja) | 1985-05-16 | 1985-10-29 | 化合物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62100910A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472905A (en) * | 1987-06-12 | 1989-03-17 | American Telephone & Telegraph | Production of superconductor and device and system comprising same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938683A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | 三菱原子力工業株式会社 | 核融合ブランケツト要素 |
| JPS60165338A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Hitachi Ltd | 化合物超電導体およびその製造法 |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP60240542A patent/JPS62100910A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938683A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-02 | 三菱原子力工業株式会社 | 核融合ブランケツト要素 |
| JPS60165338A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Hitachi Ltd | 化合物超電導体およびその製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472905A (en) * | 1987-06-12 | 1989-03-17 | American Telephone & Telegraph | Production of superconductor and device and system comprising same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0453051B2 (ja) | 1992-08-25 |
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