JPS60165338A - 化合物超電導体およびその製造法 - Google Patents
化合物超電導体およびその製造法Info
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- JPS60165338A JPS60165338A JP59019935A JP1993584A JPS60165338A JP S60165338 A JPS60165338 A JP S60165338A JP 59019935 A JP59019935 A JP 59019935A JP 1993584 A JP1993584 A JP 1993584A JP S60165338 A JPS60165338 A JP S60165338A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、化合物超電導体およびその製造方法に係り、
特にＮ ｂ ｓ Ａ Ｌ或はＮｂｓ （Ａｔ、Ｇｅ ）
よシ々る金属間化合物を有する化合物超電導体およびそ
の製造方法に関する。
特にＮ ｂ ｓ Ａ Ｌ或はＮｂｓ （Ａｔ、Ｇｅ ）
よシ々る金属間化合物を有する化合物超電導体およびそ
の製造方法に関する。
超電導マグネットは高磁界を発生することから、核融合
装置、磁気浮上列車、高エネルギー粒子加速器、超電導
発電機或は物性研究用高磁界発生装置等に用いられる。
装置、磁気浮上列車、高エネルギー粒子加速器、超電導
発電機或は物性研究用高磁界発生装置等に用いられる。
この超電導マグネットの構成部材として、超電導体が用
いられる。
いられる。
超電導体としては、従来％ Ｎｂ３Ｓｎ或はＶｓＧａ（
なでの金属間化合物を有する化合物超電導体が用いられ
てきた。しかし、最近ではこれらよりも高い臨界温度お
よび臨界磁場が得られるＮ ｂ ｓ Ａ Ｌ或はＮｂ３
（ＡＡ、 Ｇｅ ）系化合物超電導体が注目されるよ
うになった。
てきた。しかし、最近ではこれらよりも高い臨界温度お
よび臨界磁場が得られるＮ ｂ ｓ Ａ Ｌ或はＮｂ３
（ＡＡ、 Ｇｅ ）系化合物超電導体が注目されるよ
うになった。
化合物超電導体は、通常、超電導を有する金属間化合物
（以゛ド、これを超電導化合物という）を生成する少な
くとも２種類の物質を接触させ、加熱して一方の物質中
へ他方の物質を拡散させて金属間化合物を生成させるこ
とによシ製造されている。
（以゛ド、これを超電導化合物という）を生成する少な
くとも２種類の物質を接触させ、加熱して一方の物質中
へ他方の物質を拡散させて金属間化合物を生成させるこ
とによシ製造されている。
たとえば特開昭５７−１９９０９号公報には、ニオブ（
Ｎｂ）粉とアルミニウム（Ａｔ）粉の混合粉末から、拡
散熱処理によりＮｂ５ｈｔを生成する方法について記載
されている。
Ｎｂ）粉とアルミニウム（Ａｔ）粉の混合粉末から、拡
散熱処理によりＮｂ５ｈｔを生成する方法について記載
されている。
本発明者らは、拡散熱処理によシ超成導化合物を生成し
た化合物超電導体について、追求した結果、拡散熱処理
によって生成する金属間化合物には化学量論的にずれた
組成の金属間化合物例えばＮｂ＋□Ａ ｔｌ −ｚ或は
Ｎ ｂ ａ −ｘ Ａ ｔｌ４えなどが含まれているこ
とがわかった。Ｎｂ３Ａｔのように化学量論的に一致し
た組成の金属間化合物だけが得られれば高磁界領域で更
に高い臨界電流密度（Ｊｃ）が得られるはずである。
た化合物超電導体について、追求した結果、拡散熱処理
によって生成する金属間化合物には化学量論的にずれた
組成の金属間化合物例えばＮｂ＋□Ａ ｔｌ −ｚ或は
Ｎ ｂ ａ −ｘ Ａ ｔｌ４えなどが含まれているこ
とがわかった。Ｎｂ３Ａｔのように化学量論的に一致し
た組成の金属間化合物だけが得られれば高磁界領域で更
に高い臨界電流密度（Ｊｃ）が得られるはずである。
本発明の目的は、拡散熱処理によって超電導化合物を生
成する化合物超電導体よりも高い臨界電流密度を有する
化合物超電導体およびその製造法を提供することにある
。
成する化合物超電導体よりも高い臨界電流密度を有する
化合物超電導体およびその製造法を提供することにある
。
本発明の化合物超電導体は、超電導化合物を生成しうる
少なくとも２種類の物質よりなる固溶体中に、前記超電
導化合物を析出させたものである。
少なくとも２種類の物質よりなる固溶体中に、前記超電
導化合物を析出させたものである。
の超電導化合物を生成させれば化学量論的に一致した組
成のものが得られることおよびこのようにして得られた
化合物超電導体は拡散熱処理による超電導体にくらべて
高い臨界電流密度を有するという事実の究明に基づいて
いる。
成のものが得られることおよびこのようにして得られた
化合物超電導体は拡散熱処理による超電導体にくらべて
高い臨界電流密度を有するという事実の究明に基づいて
いる。
本発明の化合物超電導体の製造法は、超電導化合物を生
成しうる少なくとも２種類の物質を溶解し凝固させて過
飽和固溶体を作り、加熱して前記超電導化合物を析出さ
せるものである。
成しうる少なくとも２種類の物質を溶解し凝固させて過
飽和固溶体を作り、加熱して前記超電導化合物を析出さ
せるものである。
拡散熱処理により超電導化合物を生成させる方法におい
ては、たとえばＮ ｂ ｍ Ａ ｌ−系超電導体の場合
、Ｎｂ５Ａｔを生成させるために通常、＋０００Ｃ以上
の高温加熱を必要とする。−例として特開昭５０−２３
５９５号公報に記載されたＮ ｂ ａ Ａ Ｌ系超電導
体の製造法においては、１３５０Ｃのｔｌ４度で拡散熱
処理を行っている。この公報には更に、ニオブのテープ
の表面にめっき或は蒸着によってアルミニウムを付着さ
せて拡散熱処理する方法についても記載されておシ、１
８００Ｃ以上の高温に加熱する必要があることが記載さ
れている。
ては、たとえばＮ ｂ ｍ Ａ ｌ−系超電導体の場合
、Ｎｂ５Ａｔを生成させるために通常、＋０００Ｃ以上
の高温加熱を必要とする。−例として特開昭５０−２３
５９５号公報に記載されたＮ ｂ ａ Ａ Ｌ系超電導
体の製造法においては、１３５０Ｃのｔｌ４度で拡散熱
処理を行っている。この公報には更に、ニオブのテープ
の表面にめっき或は蒸着によってアルミニウムを付着さ
せて拡散熱処理する方法についても記載されておシ、１
８００Ｃ以上の高温に加熱する必要があることが記載さ
れている。
これに対して、本発明の方法は超電導化合物の生成が拡
散ではなく析出に基づいているので、拡散熱処理による
方法のように高温に加熱する必要がない。このため結晶
粒も微細にできる。
散ではなく析出に基づいているので、拡散熱処理による
方法のように高温に加熱する必要がない。このため結晶
粒も微細にできる。
本発明による化合物超電導体が、拡散熱処理による化合
物超電導体にくらべて高い臨界電流密度を有するのは、
所定の組成の超電導化合物力Ｉ得られることおよび結晶
粒が微細であることが大きく寄与しているものと考える
。
物超電導体にくらべて高い臨界電流密度を有するのは、
所定の組成の超電導化合物力Ｉ得られることおよび結晶
粒が微細であることが大きく寄与しているものと考える
。
本発明の方法において超電導化合物を析出させるための
加熱温度は、化合物の種類によって異なる。いずれの化
合物超電導体の場合も、加熱温度の下限は超電導化合物
の析出温度以上である。
加熱温度は、化合物の種類によって異なる。いずれの化
合物超電導体の場合も、加熱温度の下限は超電導化合物
の析出温度以上である。
ニオブを含む超電導体たとえばＮ ｂ ｓ Ａ ｔ。
Ｎｂ８Ｓｎｌ Ｎｂｓ （Ａｔｌ Ｇｅ ）ｌ Ｎｂ３
Ｇａ＋ Ｎｂ５（ＯａＳ ｉ ） ＊ Ｎ ｂ ｓ （
Ｇ ａ＊ Ａ Ｚ ） ＊ Ｎ ｂ ａ Ｇ ｅ＊ Ｎ
ｂ ｓ （Ｇ ｅ＋Ｓｉ）などの超電導化合物を有す
る超電導体においては、化合物析出のための加熱温度は
７００〜１ｏｏｏｃとすることが望ましい。その他の化
合物超電導体の場合には、なるべく超電導化合物の析出
温度〜析出温度＋３００Ｃの範囲内の温度で加熱するこ
とが望ましい。加熱温度が高いと結晶粒が粗大化しやす
い。
Ｇａ＋ Ｎｂ５（ＯａＳ ｉ ） ＊ Ｎ ｂ ｓ （
Ｇ ａ＊ Ａ Ｚ ） ＊ Ｎ ｂ ａ Ｇ ｅ＊ Ｎ
ｂ ｓ （Ｇ ｅ＋Ｓｉ）などの超電導化合物を有す
る超電導体においては、化合物析出のための加熱温度は
７００〜１ｏｏｏｃとすることが望ましい。その他の化
合物超電導体の場合には、なるべく超電導化合物の析出
温度〜析出温度＋３００Ｃの範囲内の温度で加熱するこ
とが望ましい。加熱温度が高いと結晶粒が粗大化しやす
い。
本発明の製造法において、超電導化合物を生成しうる少
なくとも２種類の＃質は、溶解に当だって所定の超電導
化合物が得られる比率で配合することが望ましい。Ｎ
ｂ ＩＩＡ ＺＩ Ｎ ｂ ３ Ｇ ａ＋ Ｎ ｂｓ
Ｇ ｅ或はＮｂ１Ｓｎ系超成導体の場合には、原子チで
ニオブ７４〜７６チ、アルミニウム、ガリウム、ゲルマ
ニウム又はＩＩ＆２４〜２６チの割合で配合することが
望ましい。特にニオブを７５原子チ含むことが望ましい
。配合比が太きくずれると別の金属間化合物が析出する
おそれがある。
なくとも２種類の＃質は、溶解に当だって所定の超電導
化合物が得られる比率で配合することが望ましい。Ｎ
ｂ ＩＩＡ ＺＩ Ｎ ｂ ３ Ｇ ａ＋ Ｎ ｂｓ
Ｇ ｅ或はＮｂ１Ｓｎ系超成導体の場合には、原子チで
ニオブ７４〜７６チ、アルミニウム、ガリウム、ゲルマ
ニウム又はＩＩ＆２４〜２６チの割合で配合することが
望ましい。特にニオブを７５原子チ含むことが望ましい
。配合比が太きくずれると別の金属間化合物が析出する
おそれがある。
少なくとも２種類の物質を配合したならば、適当な加熱
手段を用いて溶解する。Ｎｂ３Ａｔ或はＮｂｇＳｎのよ
うにニオブを含む超電導体の場合には、ニオブの融点が
２５００Ｃと非常に高く、るつほの材質によっては熱に
耐えられないことがあるので、粉末の成型体を作りレー
ザ或はプラズマを照射して溶解し、直ちに急冷凝固する
ことが望ましい。
手段を用いて溶解する。Ｎｂ３Ａｔ或はＮｂｇＳｎのよ
うにニオブを含む超電導体の場合には、ニオブの融点が
２５００Ｃと非常に高く、るつほの材質によっては熱に
耐えられないことがあるので、粉末の成型体を作りレー
ザ或はプラズマを照射して溶解し、直ちに急冷凝固する
ことが望ましい。
ニオブとアルミニウムの合金或はニオブとアルミニウム
とゲルマニウムの合金は材質的に脆く線材に加工しにく
いので、これらの化合物の場合には前述のようにして溶
解することが特に望ましい。
とゲルマニウムの合金は材質的に脆く線材に加工しにく
いので、これらの化合物の場合には前述のようにして溶
解することが特に望ましい。
溶解後の凝固速度は、過／Ｉａ和固溶体が得られる速度
以上とする。具体的にはｉｏ’ｃ／＆８０以上の冷却速
度、特に１０’〜ｌ０８Ｃ／ｉｐの冷却速度で溶湯を凝
固させることが望ましい。この冷却速度は、溶湯の流れ
にガスを吹付けて液滴にして凝固させる方法或は溶湯の
液滴にガスを吹付けて冷却する方法によって容易に得ら
れる。
以上とする。具体的にはｉｏ’ｃ／＆８０以上の冷却速
度、特に１０’〜ｌ０８Ｃ／ｉｐの冷却速度で溶湯を凝
固させることが望ましい。この冷却速度は、溶湯の流れ
にガスを吹付けて液滴にして凝固させる方法或は溶湯の
液滴にガスを吹付けて冷却する方法によって容易に得ら
れる。
急速凝固粉末の製造法として、ラピッド ソリデイフイ
ケーション テクノロジー法（ＲａｐｉｄＳｏｌｉｄｉ
ｆｉｃａｔｉｏｎ ’ｌ”ｅｃｈｎｏｌ□ｇｙ法、以下
Ｒ８Ｔ法と記載する。）がある。
ケーション テクノロジー法（ＲａｐｉｄＳｏｌｉｄｉ
ｆｉｃａｔｉｏｎ ’ｌ”ｅｃｈｎｏｌ□ｇｙ法、以下
Ｒ８Ｔ法と記載する。）がある。
Ｒ８Ｔ法は、溶融金属を１０，０００〜５０，０００
ｒμｓの速度で高速回転するディスク上に噴出落下させ
て周囲に液滴として飛散させるとともに、液滴に向けて
窒素ガス或はヘリウムガスなどの不活性ガスを噴射し急
冷する方法である。これらの作業はすべて真空中で行わ
れる。
ｒμｓの速度で高速回転するディスク上に噴出落下させ
て周囲に液滴として飛散させるとともに、液滴に向けて
窒素ガス或はヘリウムガスなどの不活性ガスを噴射し急
冷する方法である。これらの作業はすべて真空中で行わ
れる。
この方法を適用すれば数μｍ〜数十μｍの粒径を有する
過飽和固ｍ体の微粉末が得られる。
過飽和固ｍ体の微粉末が得られる。
急冷粉末の製造法として曲にガスアトマイズ法があシ、
本ｌル明はこの粉末製造法も適用できるが、Ｒ，ＳＴ法
による方が微粉末が得られる。従って、析出する超電導
化合物も微細になる。
本ｌル明はこの粉末製造法も適用できるが、Ｒ，ＳＴ法
による方が微粉末が得られる。従って、析出する超電導
化合物も微細になる。
Ｎ ｂ ｓ Ａ を或はＮｂｓ （ｋＬ、 Ｇｅ ）の
ようにアルミニウムを含む材利け、通常の大気中溶解で
はアルミニウムの酸化が激しく歩留りが非常に悪いので
、真空中で操作を行うＲ，ＳＴ法によって過飽和固溶体
粉末を作ることがきわめて望ましい。
ようにアルミニウムを含む材利け、通常の大気中溶解で
はアルミニウムの酸化が激しく歩留りが非常に悪いので
、真空中で操作を行うＲ，ＳＴ法によって過飽和固溶体
粉末を作ることがきわめて望ましい。
なおＲＡＴ法の改良として、粉末の原料を混合し成型し
て棒状或は板状の成型体を作り、この成型体を回転ディ
スクの上方に配置してレーザを照射して溶解するように
してもよい。この方法によれば、溶湯を入れておくため
のるつぼ等の容器が不要である。 ゛ Ｒ８Ｔ法の改良に用いる粉末成型体は、たとえば原料粉
末を混合し、軟鋼パイプ中に入れてノくイブ内を真空ポ
ンプで排気したのち密封し、所定の形状に加工すること
によって作ることができる。
て棒状或は板状の成型体を作り、この成型体を回転ディ
スクの上方に配置してレーザを照射して溶解するように
してもよい。この方法によれば、溶湯を入れておくため
のるつぼ等の容器が不要である。 ゛ Ｒ８Ｔ法の改良に用いる粉末成型体は、たとえば原料粉
末を混合し、軟鋼パイプ中に入れてノくイブ内を真空ポ
ンプで排気したのち密封し、所定の形状に加工すること
によって作ることができる。
このようにして作った成型体は、その後ノ（イブより取
り出して回転ディスクの上方に配置する。
り出して回転ディスクの上方に配置する。
パイプ内の排気圧力は１０−３〜１０’−５ｔｏｒｒが
望ましい。加工方法は、静水圧プレス法によることが望
ましく、特に熱間静水圧プレス法によることが望ましい
。パイプの材料は加工できるものであればよく軟鋼パイ
プに限る必要はない。
望ましい。加工方法は、静水圧プレス法によることが望
ましく、特に熱間静水圧プレス法によることが望ましい
。パイプの材料は加工できるものであればよく軟鋼パイ
プに限る必要はない。
Ｒ，ＳＴ法、Ｒ８Ｔ法の改良方法或はガスアトマイズ法
によって粉末にした過飽和固溶体は、粉末を混陰し線材
に成型してから加熱し超電導化合物を析出させることが
望ましい二 この場合の成型方法は、過飽和固溶体粉末を常電性物質
よりなるパイプに詰め、パイプ内を真空排気してから密
封し、ダイスによって線材に加工することが望ましい。
によって粉末にした過飽和固溶体は、粉末を混陰し線材
に成型してから加熱し超電導化合物を析出させることが
望ましい二 この場合の成型方法は、過飽和固溶体粉末を常電性物質
よりなるパイプに詰め、パイプ内を真空排気してから密
封し、ダイスによって線材に加工することが望ましい。
加工終了後、所定の温度に加熱して超電導化合物を析出
させる。パイプ内の排気圧力１ｄ １０−” ｔｏｒｒ
以下が望ましい。１Ｏ−３〜１０−’ ｔｏｒｒに排気
すれば十分である。
させる。パイプ内の排気圧力１ｄ １０−” ｔｏｒｒ
以下が望ましい。１Ｏ−３〜１０−’ ｔｏｒｒに排気
すれば十分である。
常電導性〆物質としては、たとえば銅を開用することが
望ましい。
望ましい。
過飽和固溶体粉末を加熱し超電導化合物を析出させてか
ら、線材に加工することも可能である。
ら、線材に加工することも可能である。
しかし、超電導化合物は一般に脆く、化合物を析出した
あとでは線材に加工しにくい。従って、前述のように線
材に加ｆりた後で超電導化合物を析出させることが望ま
しい。
あとでは線材に加工しにくい。従って、前述のように線
材に加ｆりた後で超電導化合物を析出させることが望ま
しい。
本発明は、すべての化合物超電導体に対して適用するこ
とができる。ニオブを含む超電導体はもちろんのこと、
その＃丘かのＶ３Ｇａ或はＶｓＳｉなどのニオブを含ま
ない化合物超電導体に対しても適用することかできる。
とができる。ニオブを含む超電導体はもちろんのこと、
その＃丘かのＶ３Ｇａ或はＶｓＳｉなどのニオブを含ま
ない化合物超電導体に対しても適用することかできる。
４８〜２００メツシユの大きさのニオブ粉末おヨヒアル
ミニウム粉末を原子比でニオブ３対アルミニウム１にオ
ブ７５原子係、アルミニウム２５原子チ）の割合で混合
し、溶解したのちＲ８Ｔ法によシ過飽和固溶体粉末を製
造した。この過飽和固浴体扮末を銅バイア゛に入れてパ
イプ内を真空排気したのち線引きして細線とし、その後
、９４０た結果、格子常数は５．１８６人であり 、Ｎ
ｂ ｓ Ａ Ｌであることが確認された。さらに臨界
温度（Ｔｃ）を測定した結果１７．５ Ｘであった。
ミニウム粉末を原子比でニオブ３対アルミニウム１にオ
ブ７５原子係、アルミニウム２５原子チ）の割合で混合
し、溶解したのちＲ８Ｔ法によシ過飽和固溶体粉末を製
造した。この過飽和固浴体扮末を銅バイア゛に入れてパ
イプ内を真空排気したのち線引きして細線とし、その後
、９４０た結果、格子常数は５．１８６人であり 、Ｎ
ｂ ｓ Ａ Ｌであることが確認された。さらに臨界
温度（Ｔｃ）を測定した結果１７．５ Ｘであった。
本発明の化合物超電導体は、過飽和固溶体中に超電導化
合物が析出しているので、その顕微鏡組織は一様である
。すなわち粒界が見える他は粒内にＮｂ５Ａｔ等の超電
導化合物が一様に析出しているため一面にざらざらした
組織が見えるだけである。
合物が析出しているので、その顕微鏡組織は一様である
。すなわち粒界が見える他は粒内にＮｂ５Ａｔ等の超電
導化合物が一様に析出しているため一面にざらざらした
組織が見えるだけである。
一方、拡散熱処理により化合物を生成させた超電導体は
、各物質の相およθ化付物相が明確に区別できる。すな
わちＮ ｂ ｓ Ａ Ｌ系超醒導体についていえば、初
めから存在するＮｂ相およびＡｔ相が残存し、その中間
にＮ ｂ ｓ Ａ Ｌ相が見られる。
、各物質の相およθ化付物相が明確に区別できる。すな
わちＮ ｂ ｓ Ａ Ｌ系超醒導体についていえば、初
めから存在するＮｂ相およびＡｔ相が残存し、その中間
にＮ ｂ ｓ Ａ Ｌ相が見られる。
実施例１
４８〜２００メツシユの大きさのニオブ粉末およびアル
ミニウム粉末を原子比でニオブ３対アルミニウム１の割
合で混合した。この混合粉末を５０ＴｍｎφＸ２００ｔ
ｒａｎｔの寸法の軟鋼パイプ中に入れ、その入口を真空
ポンプに連結して内部が１０−３〜１０−’ ｔｏｒｒ
になるまで減圧した後に入口を溶着密封した。これを熱
間静水圧プレス機を用いて成型した。プレスの条件は、
温度が１２００Ｃ１圧力が１０００気圧および保持時間
を３時間とした。
ミニウム粉末を原子比でニオブ３対アルミニウム１の割
合で混合した。この混合粉末を５０ＴｍｎφＸ２００ｔ
ｒａｎｔの寸法の軟鋼パイプ中に入れ、その入口を真空
ポンプに連結して内部が１０−３〜１０−’ ｔｏｒｒ
になるまで減圧した後に入口を溶着密封した。これを熱
間静水圧プレス機を用いて成型した。プレスの条件は、
温度が１２００Ｃ１圧力が１０００気圧および保持時間
を３時間とした。
その後軟鋼パイプをこわして内部から固形化した粉末成
型体を取シ出しだ。この成型体をＲ８Ｔ装置のディスク
の上方に設置してディスクをａ ｏ、ｏ ｏ ｏ ｒ−
の速さで回転した。
型体を取シ出しだ。この成型体をＲ８Ｔ装置のディスク
の上方に設置してディスクをａ ｏ、ｏ ｏ ｏ ｒ−
の速さで回転した。
その間ＫＲ８Ｔ装置の横下部からレーザ光線を 当てて
粉末成型体の下部を溶解した。溶解した部分はディスク
上に落下して回転による遠心力によって微粒子となシ飛
散する。そこにヘリウムガスを当てて１０４〜’ Ｕ／
Ｓの速さで強制冷却した。
粉末成型体の下部を溶解した。溶解した部分はディスク
上に落下して回転による遠心力によって微粒子となシ飛
散する。そこにヘリウムガスを当てて１０４〜’ Ｕ／
Ｓの速さで強制冷却した。
このような操作の結果、ニオブ中にアルミニウムを固溶
した過飽和固溶体粉末が得られた。この過飽和固溶体粉
末を銅パイプにつめ、両端を封じた後、内部を１０−’
ｔｏばに減圧し密封した。これをダイスにかけて０．
２ ｒａｎφの細線になるまで線引きした。
した過飽和固溶体粉末が得られた。この過飽和固溶体粉
末を銅パイプにつめ、両端を封じた後、内部を１０−’
ｔｏばに減圧し密封した。これをダイスにかけて０．
２ ｒａｎφの細線になるまで線引きした。
その後、この線材を９００Ｃで５時間加熱した合物がＮ
ｂａＡｔであることを確認した。
ｂａＡｔであることを確認した。
この化合物超電導体の臨界温度は１７．５’にであった
。また４、 ２ ’にの液体ヘリウム中における臨界′
電流密度（ＪＣ）は１０Ｔ（テスラ）の磁界中では２．
２Ｘ１０’Ａ／ｄ、ｉ５Ｔの磁界中では１．４ｘｉｏ’
Ａ／ｃｄであった。
。また４、 ２ ’にの液体ヘリウム中における臨界′
電流密度（ＪＣ）は１０Ｔ（テスラ）の磁界中では２．
２Ｘ１０’Ａ／ｄ、ｉ５Ｔの磁界中では１．４ｘｉｏ’
Ａ／ｃｄであった。
特開昭５７−１９９０９号公報に記載の発明においては
、臨界温度が１２〜１６″にの間で変化することが記載
されている。又、６．４Ｔの低磁界において２ Ｘ １
０’Ａ／ｃｒｔｌの臨界電流密度が得られている。
、臨界温度が１２〜１６″にの間で変化することが記載
されている。又、６．４Ｔの低磁界において２ Ｘ １
０’Ａ／ｃｒｔｌの臨界電流密度が得られている。
他方、特開昭５０−８１０９４号公報に記載のニオブを
含むアルミニウム溶湯中にニオブ棒を浸漬し、取シ出し
てから１７００〜１９００［１’ の温度で拡散熱処理
する方法においては、５Ｔの磁界中で１０ ’ Ａｌｃ
ｒ１級の臨界電流密度が得られている。
含むアルミニウム溶湯中にニオブ棒を浸漬し、取シ出し
てから１７００〜１９００［１’ の温度で拡散熱処理
する方法においては、５Ｔの磁界中で１０ ’ Ａｌｃ
ｒ１級の臨界電流密度が得られている。
特開昭５７−７０２６号公報に記載されている長尺基盤
上にニオブとアルミニウムを溶射し、その後熱処理する
方法においては、磁界の強さ；６（ＩＯＴの時７．８
Ｘ １０ ’Ａ／ｃ４の臨界電流密度が得られている。
上にニオブとアルミニウムを溶射し、その後熱処理する
方法においては、磁界の強さ；６（ＩＯＴの時７．８
Ｘ １０ ’Ａ／ｃ４の臨界電流密度が得られている。
特開昭５０−２３５９５号公報にはニオブの近傍にアル
ミニウムとニッケルと銅を配置し加工後拡散熱処理して
化汗物を生成させる方法が記載されておシ、磁界の強さ
ＩＯＴでのＪｃは５Ｘ１０４が得られている。
ミニウムとニッケルと銅を配置し加工後拡散熱処理して
化汗物を生成させる方法が記載されておシ、磁界の強さ
ＩＯＴでのＪｃは５Ｘ１０４が得られている。
本発明によって得られる臨界′電流密度は、これらの公
報に記載された値よシも大きい。
報に記載された値よシも大きい。
実施例２
４８〜２００メツシユの大きさのニオブ粉末、アルミニ
ウム粉末およびゲルマニウム粉末を原子比でニオブ３対
アルミニウム０．８対ゲルマニウム０．２の割合で混合
した。この混合粉末を鋼製パイプ中に入れ、実施例１と
同様にレーザ溶解し、Ｒ８Ｔ法の手法によって過飽和固
溶体粉末を作った。そして実施例１と同様の方法で線引
きを行ない、さらに９００Ｃの熱処理を加えた。その結
果Ｎｂｓ （Ａｔ、 Ｇ ｅ ）の析出物が多数現れた
組織とな９、良好な超１祝導性を示した。その値は臨界
温度が１７．７ ’にであり、４．２’にの液体ヘリウ
ム中における臨界電流密度が、１５Ｔの磁界中で２刈０
ＬＩＡ ／ ｃｔｌであり、ＩＯＴの磁界中では３．３
Ｘ１０’Ａ／ｃａであった。
ウム粉末およびゲルマニウム粉末を原子比でニオブ３対
アルミニウム０．８対ゲルマニウム０．２の割合で混合
した。この混合粉末を鋼製パイプ中に入れ、実施例１と
同様にレーザ溶解し、Ｒ８Ｔ法の手法によって過飽和固
溶体粉末を作った。そして実施例１と同様の方法で線引
きを行ない、さらに９００Ｃの熱処理を加えた。その結
果Ｎｂｓ （Ａｔ、 Ｇ ｅ ）の析出物が多数現れた
組織とな９、良好な超１祝導性を示した。その値は臨界
温度が１７．７ ’にであり、４．２’にの液体ヘリウ
ム中における臨界電流密度が、１５Ｔの磁界中で２刈０
ＬＩＡ ／ ｃｔｌであり、ＩＯＴの磁界中では３．３
Ｘ１０’Ａ／ｃａであった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも２種類の超電導化合物を生成する物質よ
シなる固溶体中に、前記超電導化合物が析出しているこ
とを特徴とする化合物超電導体。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記少なくとも２
種類の物質が、ニオブとアルミニウムからなることを特
徴とする化合物超電導体。 ３、％許請求の範囲第１項において、前記少なくとも２
種類の物質がニオブとアルミニウムおよびゲルマニウム
からなることを特徴とする化合物超電導体。 ４、特許請求の範囲第２項において、前記固溶体におけ
るニオブとアルミニウムの比率がニオブ７４〜７６原子
係、アルミニウム２４〜２６原子チよりなることを特徴
とする化合物超電導体。 ５、特許請求の範囲第３項において、前記固溶体におけ
るニオブと他の物質との比率がニオブ７４〜７６原子俤
、他の物質２４〜２６原、子チよりなることを特徴とす
る化合物超電導体。 ６、特許請求の範囲第１項において、前記固溶体が粉末
からなシ、該粉末の成型体によって超電導体が構成され
ていることを特徴とする化合物超電導体。 ７、常電導物質よシなる管内に少なくとも２種類の超電
導化合物を生成する物質および超電導化合物を有する超
電導体において、前記少なくとも２種類の物質が固溶体
を構成しており、該固溶体中に前記超電導化合物が析出
していることを特徴とする化合物超電導体。 ８、特許請求の範囲第７項において、前記常電導物質が
銅よりなることを特徴とする化合物超電導体。 ９、特許請求の範囲第７項において、前記固溶体が粉末
よシなり、該粉末が前記常電導物質よシなる管中に充填
されていることを特徴とする化合物超電導体。 １０、特許請求の範囲第７項において、前記固溶体がニ
オブとアルミニウムの固溶体からなることを特徴とする
化合物超電導体。 １１１％許請求の範囲第７項において、前記固溶体がニ
オブとアルミニウムとゲルマニウムの固溶体からなるこ
とを特徴とする化合物超電導体。 １２、超電導化合物を生成しうる少なくとも２種類の物
質の溶湯よシ過飽和固溶体を製造し、加熱して超電導化
合物を析出させることを特徴とする化合物超電導体の製
造法。 １３、％許請求の範囲第１２項において、前記溶湯を液
滴状にして飛散させ、飛散する前記液滴にガスを吹き付
けて凝固させ過飽和固溶体粉末を製造することを特徴と
する化合物超電導体の製造法。 １４、特許請求の範囲第８項において、前記溶湯を回転
ディスク上に落ドさせて飛散させて液滴を製造すること
を特徴とする化合物超電導体の製造法。 １５、特許請求の範囲第１２項において、前記束なくと
も２種類の物質の１つがニオブであり、７００〜１００
０ｔｌ’の温度に加熱して超電導化合物を析出させるこ
とを特徴とする化合物超電導体の製造法。 １６、特許請求の範囲第１２項において、前記束なくと
も２種類の物質がニオブとアルミニウムよりなることを
特徴とする化合物超電導体の製造法。 １７、特許請求の範囲第１２項において、前記束なくと
も２種類の物質がニオブとアルミニウムおよびゲルマニ
ウムよりなることを特徴とする化合物超電導体の製造法
。 １８、特許請求の範囲第１６項において、前記ニオブと
前記アルミニウムを原子チでニオブ７４〜７６％、フル
ミニラム２４〜２６チ含むことを特徴とする化合物超電
導体の製造法。 １９、特許請求の範囲第１７項において、前記ニオブと
他の物質を原子俤でニオブ７４〜７６チ、他の物質２４
〜２６チ含むことを特徴とする化合物超電導体の製造法
。 ２０、超電導化合物を生成しうる少なくとも２種類 １
の物質の溶湯より固溶体粉末を製造し、該固溶体粉末を
常電導物質よυなる容器に入れ、該容器内を減圧密封し
て塑性加工により線材としたのち加熱して超電導化合物
を析出させることを特徴とする化合物超電導体の製造法
。 ２、特許請求の範囲第２０項において、前記金属容器が
銅パイプよシなることを特徴とする化合物超電導体の製
造法。 ２、特許請求の範囲第２０項において、前記金属容器内
を１０−３〜１０−’ ｔｏｒｒに減圧し密封すること
を特徴とする化合物超電導体の製造法。 囚、特許請求の範囲第２０項において、前記溶湯の落下
流にガスを吹き付けて液滴にし粉末を製造することを特
徴とする化合物超電導体の製造法。 ２、特許請求の範囲第２０項において、前記溶湯を回転
ディスク上に落下させて液滴にし、該液滴にガスを吹き
付けて冷却することを特徴とする化合物超電導体の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59019935A JPS60165338A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 化合物超電導体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59019935A JPS60165338A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 化合物超電導体およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165338A true JPS60165338A (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=12013066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59019935A Pending JPS60165338A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 化合物超電導体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165338A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261465A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-19 | Natl Res Inst For Metals | 化合物超電導体の製造方法 |
| JPS62100910A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-11 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | 化合物超電導体の製造方法 |
| JPS6386208A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | 株式会社東芝 | 化合物超電導体の製造方法 |
| JP2005108782A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | High Frequency Heattreat Co Ltd | Ｎｂ３Ａｌ基超伝導線材および該線材の製造方法 |
| JP2018111853A (ja) * | 2017-01-11 | 2018-07-19 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | ニオブ−ケイ素系合金製造物、該製造物の製造方法、および該製造物を用いた熱機関 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4943812A (ja) * | 1972-07-03 | 1974-04-25 | ||
| JPS4985998A (ja) * | 1972-12-22 | 1974-08-17 |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP59019935A patent/JPS60165338A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4943812A (ja) * | 1972-07-03 | 1974-04-25 | ||
| JPS4985998A (ja) * | 1972-12-22 | 1974-08-17 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261465A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-19 | Natl Res Inst For Metals | 化合物超電導体の製造方法 |
| JPH0453048B2 (ja) * | 1985-05-16 | 1992-08-25 | Kagaku Gijutsucho Kinzoku Zairyo Gijutsu Kenkyu Shocho | |
| JPS62100910A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-11 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | 化合物超電導体の製造方法 |
| JPH0453051B2 (ja) * | 1985-10-29 | 1992-08-25 | Kagaku Gijutsucho Kinzoku Zairyo Gijutsu Kenkyu Shocho | |
| JPS6386208A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | 株式会社東芝 | 化合物超電導体の製造方法 |
| JP2005108782A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | High Frequency Heattreat Co Ltd | Ｎｂ３Ａｌ基超伝導線材および該線材の製造方法 |
| JP2018111853A (ja) * | 2017-01-11 | 2018-07-19 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | ニオブ−ケイ素系合金製造物、該製造物の製造方法、および該製造物を用いた熱機関 |
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