JPS6198555A - マルチノズルの製法 - Google Patents
マルチノズルの製法Info
- Publication number
- JPS6198555A JPS6198555A JP22107984A JP22107984A JPS6198555A JP S6198555 A JPS6198555 A JP S6198555A JP 22107984 A JP22107984 A JP 22107984A JP 22107984 A JP22107984 A JP 22107984A JP S6198555 A JPS6198555 A JP S6198555A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- substrate
- manufacturing
- resist film
- grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1628—Manufacturing processes etching dry etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Nozzles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１４分立
本発明は、Ｓｉウェハーを用いたマルチノズルの製法に
関し、より詳細にはインクジェットプリンタ、デジタル
カラーコピア、デジタルプリンター、半導体デバイス等
に適用しうるマルチノズルの製法に関するものである。
関し、より詳細にはインクジェットプリンタ、デジタル
カラーコピア、デジタルプリンター、半導体デバイス等
に適用しうるマルチノズルの製法に関するものである。
１末１監
従来、Ｓｉウェハーを用いたマルチノズルの製法として
は、第１３図に示したように、Ｓｉ基板１上にＳｉｎ、
膜２を形成させ、このＳｉＯ□膜２に円形穴パターン３
を刻み、裏からこの円形穴パターン３に向けて異方性エ
ツチングを利用して溝４を形成させるようにした方法が
知られている。
は、第１３図に示したように、Ｓｉ基板１上にＳｉｎ、
膜２を形成させ、このＳｉＯ□膜２に円形穴パターン３
を刻み、裏からこの円形穴パターン３に向けて異方性エ
ツチングを利用して溝４を形成させるようにした方法が
知られている。
この従来のマルチノズルの製法では、 ＳｉＯ□膜２の
円形穴パターン３に対して異方性エツチングをするため
の表裏の位置合わせを必要とし、また異方性エツチング
を使用するため、ノズルの穴がピラミッド状になるので
、ノズルの穴ピッチをある程度以上とらなくてはならず
、さらにノズルの長さがＳｉ基板１の厚さく３０μ程度
）によって決まり、また異方性エツチングのため、溝４
の角度が一定であり、ノズルがストレートのものしかで
きず。
円形穴パターン３に対して異方性エツチングをするため
の表裏の位置合わせを必要とし、また異方性エツチング
を使用するため、ノズルの穴がピラミッド状になるので
、ノズルの穴ピッチをある程度以上とらなくてはならず
、さらにノズルの長さがＳｉ基板１の厚さく３０μ程度
）によって決まり、また異方性エツチングのため、溝４
の角度が一定であり、ノズルがストレートのものしかで
きず。
途中で曲がっているものができないという欠点があった
。
。
一１旬一
本発明は、従来のマルチノズルの製法に比べて高密度で
、微細なマルチノズルが製造できるマルチノズルの製法
を提供することにある。
、微細なマルチノズルが製造できるマルチノズルの製法
を提供することにある。
−豊腹一
本発明は上記の目的を達成するために、Ｓｉウェハーを
用いたマルチノズルの製法において、Ｓｉ基板上の複数
の線状の溝を形成した面シこ、平滑面または前記線状の
溝に対応した複数の溝を形成したＳｉ基板または別の材
質の板を接着することを特徴とする。以下、本発明の一
実施例に基づいて具体的に説明する。
用いたマルチノズルの製法において、Ｓｉ基板上の複数
の線状の溝を形成した面シこ、平滑面または前記線状の
溝に対応した複数の溝を形成したＳｉ基板または別の材
質の板を接着することを特徴とする。以下、本発明の一
実施例に基づいて具体的に説明する。
まず、第１図に示すようにＳｉ基板ｓ上にレジスト膜６
を塗布する０次に第２図に示すように露光時 現像を行ない、Ｓｉ基板５上にレジストパターン７を形
成する。このレジストパターン７は第３図に示すように
オリュンテーションフラット８が設けられたＳｉウェハ
ー５の上にノズル穴９とノズル室ｌＯが交互に設けられ
るように構成する。そして、第４図に示すようにレジス
トｌｌｌ５をマスクとして。
を塗布する０次に第２図に示すように露光時 現像を行ない、Ｓｉ基板５上にレジストパターン７を形
成する。このレジストパターン７は第３図に示すように
オリュンテーションフラット８が設けられたＳｉウェハ
ー５の上にノズル穴９とノズル室ｌＯが交互に設けられ
るように構成する。そして、第４図に示すようにレジス
トｌｌｌ５をマスクとして。
ＨＮＯ，−１１Ｆ溶液あるいはＣＦ４などのプラズマエ
ツチングを使うことによってＳｉ基板５上に線状の溝１
１を形成する。このエツチングの時辷平行平板のプラズ
マエツチングを使用すれば、第５図に示すようにＳｉ基
板５には角型の溝１２が形成される。
ツチングを使うことによってＳｉ基板５上に線状の溝１
１を形成する。このエツチングの時辷平行平板のプラズ
マエツチングを使用すれば、第５図に示すようにＳｉ基
板５には角型の溝１２が形成される。
このようにして得られたＳｉ基板５のレジスト膜６を除
去した後、第３１Ｍに示すようにノズル穴８の部分のほ
ぼ中央の位ＩＥＡ及びノズル室９の部分の所定の位置Ｂ
にダイヤモンドスクライバ−で切り欠きを入れると、第
６図に示すようにノズル端面が平滑な８１基板５上にノ
ズル穴９及びノズル室ＩＯが形成された構造物１２を得
ることができる。この構造物１２を第７図に示すように
上下に重ねて接合してマルチノズルを構成したり、第８
図に示すように構造物１２に平滑な５１基板あるいはそ
の他のプラスチック等の部材１３を接着させることによ
りノズルを得ることができる。
去した後、第３１Ｍに示すようにノズル穴８の部分のほ
ぼ中央の位ＩＥＡ及びノズル室９の部分の所定の位置Ｂ
にダイヤモンドスクライバ−で切り欠きを入れると、第
６図に示すようにノズル端面が平滑な８１基板５上にノ
ズル穴９及びノズル室ＩＯが形成された構造物１２を得
ることができる。この構造物１２を第７図に示すように
上下に重ねて接合してマルチノズルを構成したり、第８
図に示すように構造物１２に平滑な５１基板あるいはそ
の他のプラスチック等の部材１３を接着させることによ
りノズルを得ることができる。
このように本実施例の製法はＳｉウェハーの平面度を利
用することができるので加工が容易であり。
用することができるので加工が容易であり。
また５ｉＪｉ板の表面にノズルを形成させるため、ノズ
ルを通過する流体を制御させる回路をＳｉ基板に取り付
けることができるので、同一基板内に制御系を形成する
ことが可能であり、さらに結晶の劈開を用いるため、原
子レベルの平滑面が得られ。
ルを通過する流体を制御させる回路をＳｉ基板に取り付
けることができるので、同一基板内に制御系を形成する
ことが可能であり、さらに結晶の劈開を用いるため、原
子レベルの平滑面が得られ。
流体の制御が容易である。また本実施例の製法によって
作られたマルチノズルはノズル穴９を所望の径（ｔｏ−
３０μ）にすることができ、ノズル穴９の長さも３０μ
以上にすることができる。
作られたマルチノズルはノズル穴９を所望の径（ｔｏ−
３０μ）にすることができ、ノズル穴９の長さも３０μ
以上にすることができる。
第９図〜第１２図は１本発明の他の実施例のマルチノズ
ルの製法を異方性エツチングを用いる場合について説明
するための図を示したもので、第９図に示すようにＳｉ
基［５の上にドライ酸化、スチーム酸化またはパイロジ
ェニック酸化によってＳｉｎ、膜１４を形成させ、これ
にレジスト膜１５を塗布し、第３図に示すようなパター
ン７を形成する。
ルの製法を異方性エツチングを用いる場合について説明
するための図を示したもので、第９図に示すようにＳｉ
基［５の上にドライ酸化、スチーム酸化またはパイロジ
ェニック酸化によってＳｉｎ、膜１４を形成させ、これ
にレジスト膜１５を塗布し、第３図に示すようなパター
ン７を形成する。
そして、このレジスト膜１５をマスクとしてＨＦ溶液等
でＳｉｎ、膜１４をエツチングするａｓｉＳｉ基板ＨＦ
溶液では殆どエツチングされないので、第１０図に示す
ようにＳｉｎ、膜１４だけをエツチングすることができ
る。その後レジスト膜１５を除去して洗浄することによ
り第１１図に示すようにＳｉｎ、膜１４に線状のパター
ン１６を得ることができる。このＳｉｎ、膜１４の線状
パターン１６をマスクとしてヒドラ゛ジン等のエツチン
グ液に漬けて第１２図のような形状の溝１７を持つ構造
物１８を得ることができる。
でＳｉｎ、膜１４をエツチングするａｓｉＳｉ基板ＨＦ
溶液では殆どエツチングされないので、第１０図に示す
ようにＳｉｎ、膜１４だけをエツチングすることができ
る。その後レジスト膜１５を除去して洗浄することによ
り第１１図に示すようにＳｉｎ、膜１４に線状のパター
ン１６を得ることができる。このＳｉｎ、膜１４の線状
パターン１６をマスクとしてヒドラ゛ジン等のエツチン
グ液に漬けて第１２図のような形状の溝１７を持つ構造
物１８を得ることができる。
このように構成した構造物を、第７図に示すように上下
に合わせて接合したり、第８図に示すように構造物１８
に平滑なＳｉ板あるいはその他のプラスチック部材１２
等を接着させることによりマルチノズルを得ることがで
き前述の実施例と同様の効果を得ることができる。さら
に、Ｉ！構造物積み重ねることにより二重、三重または
それ以上の多重マルチノズルを形成させることが可能で
ある。
に合わせて接合したり、第８図に示すように構造物１８
に平滑なＳｉ板あるいはその他のプラスチック部材１２
等を接着させることによりマルチノズルを得ることがで
き前述の実施例と同様の効果を得ることができる。さら
に、Ｉ！構造物積み重ねることにより二重、三重または
それ以上の多重マルチノズルを形成させることが可能で
ある。
−羞果一
以上の説明から明らかなように１本発明は、Ｓｉウェハ
ーの平面度を利用することができるので、加工が容易で
あり、Ｓｉ基板の表面にノズルを形成させるため、ノズ
ル・を通過する流体を制御させる回路をＳｉ基板に装着
することができるので、同一基板内に制御系を形成する
ことが可能であり、さらに結晶の劈開を用いるため、原
子レベルの平滑面が得られ、流体の制御を容易に行なう
ことができる。
ーの平面度を利用することができるので、加工が容易で
あり、Ｓｉ基板の表面にノズルを形成させるため、ノズ
ル・を通過する流体を制御させる回路をＳｉ基板に装着
することができるので、同一基板内に制御系を形成する
ことが可能であり、さらに結晶の劈開を用いるため、原
子レベルの平滑面が得られ、流体の制御を容易に行なう
ことができる。
第１図〜第８図は本発明の°実施例のマルチノズルの製
法を説明するための図であり、第９Ｉｇ〜第１２図は本
発明の他の実施例のマルチノズルの製法を説明するため
の図であり、第１３図は従来のマルチノズルの製法を説
明するための図である。 ５・・・Ｓｉ基板、６・・・レジスト膜、７・・・レジ
ストパターン、８・・・オリュンテーシ厘ンフラット、
９・・・ノズル穴、１０・・・ノズル室、１１．１２・
・・溝、１３・・・Ｓｉ基板あるいはその他のプラスチ
ック等の部材、１４・・・Ｓｉｎ、膜、１５・・・レジ
スト膜、 １６・・・線状のパターン溝、１７・・・溝
。 第 Ｉ 図 武 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第１１ズ 第１２図 第１３図 手続補正書（自制 御、事件の表示 昭和５９年特許願第２２１０７９号 ２、発明の名称 マルチノズルの製法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号氏 名（
名称） （６７４） 株式会社 リコー代表者
浜 １）広 ４、代理人 住 所 千葉県市用市国分４丁目１３番１０号な説明
の欄及び図面 （１）明細書第１頁第１３行〜第１４行「マスクパター
ン」を「パターン」に補正する。 （２）同第２頁第１９行「（３０μ程度）」を「（最大
でも２５０μ程度）」に補正する。 （３）同第３頁第１行〜第３行「であり、・・・・・・
あった、」を「のものしかできないという欠点があった
。」に補正する。 （４）同第３頁第１６行〜第１７行、第４頁第３
行及び第９行、第５頁第１７行及び第１９行、第６頁
第３行、第７頁第１３行及び第１７行「レジスト膜」を
「フォトレジスト膜」に補正する。 （５）同第３頁第１８行及び第１９行、同第７頁第１３
行〜第１４行「レジストパターン」を［パターン」に補
正する。 （６）同第３頁第末行及び同第７頁第１４行「オリエン
テーションフラット」を「オリエンテーションフラット
」に補正する。 （７）同第５頁第１０行「（１０〜３０μ）」をｒ（１
０−５０μ）−に補正する。 （８）同第５頁第１１行「３０μ以上にすることができ
る。」を「自由に選択することができる。」に補正する
。 （９）同第６頁第１行〜第２行「第１０図に示すように
」を削除する。 （１０）第６図及び第１２図を別紙の通りに補正する。 以上 第６図 第１２図
法を説明するための図であり、第９Ｉｇ〜第１２図は本
発明の他の実施例のマルチノズルの製法を説明するため
の図であり、第１３図は従来のマルチノズルの製法を説
明するための図である。 ５・・・Ｓｉ基板、６・・・レジスト膜、７・・・レジ
ストパターン、８・・・オリュンテーシ厘ンフラット、
９・・・ノズル穴、１０・・・ノズル室、１１．１２・
・・溝、１３・・・Ｓｉ基板あるいはその他のプラスチ
ック等の部材、１４・・・Ｓｉｎ、膜、１５・・・レジ
スト膜、 １６・・・線状のパターン溝、１７・・・溝
。 第 Ｉ 図 武 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第１１ズ 第１２図 第１３図 手続補正書（自制 御、事件の表示 昭和５９年特許願第２２１０７９号 ２、発明の名称 マルチノズルの製法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号氏 名（
名称） （６７４） 株式会社 リコー代表者
浜 １）広 ４、代理人 住 所 千葉県市用市国分４丁目１３番１０号な説明
の欄及び図面 （１）明細書第１頁第１３行〜第１４行「マスクパター
ン」を「パターン」に補正する。 （２）同第２頁第１９行「（３０μ程度）」を「（最大
でも２５０μ程度）」に補正する。 （３）同第３頁第１行〜第３行「であり、・・・・・・
あった、」を「のものしかできないという欠点があった
。」に補正する。 （４）同第３頁第１６行〜第１７行、第４頁第３
行及び第９行、第５頁第１７行及び第１９行、第６頁
第３行、第７頁第１３行及び第１７行「レジスト膜」を
「フォトレジスト膜」に補正する。 （５）同第３頁第１８行及び第１９行、同第７頁第１３
行〜第１４行「レジストパターン」を［パターン」に補
正する。 （６）同第３頁第末行及び同第７頁第１４行「オリエン
テーションフラット」を「オリエンテーションフラット
」に補正する。 （７）同第５頁第１０行「（１０〜３０μ）」をｒ（１
０−５０μ）−に補正する。 （８）同第５頁第１１行「３０μ以上にすることができ
る。」を「自由に選択することができる。」に補正する
。 （９）同第６頁第１行〜第２行「第１０図に示すように
」を削除する。 （１０）第６図及び第１２図を別紙の通りに補正する。 以上 第６図 第１２図
Claims (3)
- （１）Ｓｉウェハーを用いたマルチノズルの製法におい
て、Ｓｉ基板上の複数の線状の溝を形成した面に、平滑
面または前記線状の溝に対応した複数の溝を形成したＳ
ｉ基板または別の材質の板を接着することを特徴とする
マルチノズルの製法。 - （２）前記Ｓｉ基板の結晶の劈開を利用してマルチノズ
ル構造を得ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のマルチノズルの製法。 - （３）前記線状の溝を形成する際に、前記Ｓｉ基板上に
形成するマスクパターンと、前記マスクパターンをエッ
チングするエッチング法及びエッチング時間を変えるこ
とにより、前記線状の溝の径及び形状を制御することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマルチノズルの
製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22107984A JPS6198555A (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | マルチノズルの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22107984A JPS6198555A (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | マルチノズルの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6198555A true JPS6198555A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16761155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22107984A Pending JPS6198555A (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | マルチノズルの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6198555A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100393519C (zh) * | 2005-07-27 | 2008-06-11 | 国际联合科技股份有限公司 | 喷墨印字头装置的通孔与喷口板的制造方法 |
| JP2008149321A (ja) * | 2001-09-03 | 2008-07-03 | Microflow Engineering Sa | 液滴スプレーデバイス |
-
1984
- 1984-10-20 JP JP22107984A patent/JPS6198555A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008149321A (ja) * | 2001-09-03 | 2008-07-03 | Microflow Engineering Sa | 液滴スプレーデバイス |
| CN100393519C (zh) * | 2005-07-27 | 2008-06-11 | 国际联合科技股份有限公司 | 喷墨印字头装置的通孔与喷口板的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5359430B2 (ja) | パターン形成方法、インプリントモールド及びフォトマスク | |
| JPH0745510A (ja) | パタン形成方法 | |
| EP0073189A1 (en) | A method of fabricating screen lens array plates | |
| US3412456A (en) | Production method of semiconductor devices | |
| US6033489A (en) | Semiconductor substrate and method of making same | |
| JPS6198555A (ja) | マルチノズルの製法 | |
| JPS6041228A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS61174546A (ja) | アスペクト比の大きい微細パタ−ンの製作法 | |
| JP2008187322A (ja) | メサ型圧電振動素子の製造方法 | |
| JPS58127326A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3100901B2 (ja) | 薄膜シリコン太陽電池の製造方法 | |
| JPH038947B2 (ja) | ||
| JPS60124941A (ja) | 集積回路の製造法 | |
| JPS6211491B2 (ja) | ||
| JPS63258020A (ja) | 素子分離パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0562888A (ja) | Ｘ線マスクおよびそれを用いたパターン転写方法 | |
| JP2760426B2 (ja) | レジスト膜のドライエツチング方法 | |
| JP2872298B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6314321B2 (ja) | ||
| JPS6020514A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPS5941872B2 (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| CN115692179A (zh) | 集成电路制造用的硬掩膜结构以及集成电路器件制造方法 | |
| JPH07161618A (ja) | アライメントマーク及びそれを備えたフォトマスク | |
| JPS605543A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0683006B2 (ja) | 導体パタ−ンの製造方法 |