JPS6197851A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6197851A JPS6197851A JP21901384A JP21901384A JPS6197851A JP S6197851 A JPS6197851 A JP S6197851A JP 21901384 A JP21901384 A JP 21901384A JP 21901384 A JP21901384 A JP 21901384A JP S6197851 A JPS6197851 A JP S6197851A
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- Japan
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- tab
- lead
- cutting
- resin
- leads
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は樹脂封止型半導体装置の組立工程中におけるリ
ードフレームのタブリード切断方法に関するものである
。
ードフレームのタブリード切断方法に関するものである
。
（従来の技術）
従来、第３図の斜視図のように、半導体チップ５を固着
するタブ６と、このタブを支持するタブリード２を有す
るリードフレームを用いて組立られる樹脂封止型半導体
装置は、ワイヤポンディング及び樹脂封止の後に、リー
ドフレーム外枠８からタブリード接続部を切断する工程
があり、この際、半導体チップが載ったリードフレーム
面を上にして上側郷レンチをおろして切断していた。
するタブ６と、このタブを支持するタブリード２を有す
るリードフレームを用いて組立られる樹脂封止型半導体
装置は、ワイヤポンディング及び樹脂封止の後に、リー
ドフレーム外枠８からタブリード接続部を切断する工程
があり、この際、半導体チップが載ったリードフレーム
面を上にして上側郷レンチをおろして切断していた。
この樹脂封止型半導体装置は、第４図の断面図に示すよ
うに、樹脂封止の際の注入樹脂のゲート部７の位置が封
止樹脂３の下半分にある。つまシ樹脂封土用金屋の下型
に樹脂注入ゲートが設けられているので、第５図の説明
図に示すように、タブリード２のリードフレーム外枠８
との接続部をポンチ９で切断する際、切断応力がリード
フレーム外枠支持部４と第４図で示し次ゲート部７にか
かることとなる。
うに、樹脂封止の際の注入樹脂のゲート部７の位置が封
止樹脂３の下半分にある。つまシ樹脂封土用金屋の下型
に樹脂注入ゲートが設けられているので、第５図の説明
図に示すように、タブリード２のリードフレーム外枠８
との接続部をポンチ９で切断する際、切断応力がリード
フレーム外枠支持部４と第４図で示し次ゲート部７にか
かることとなる。
ゲート部は樹脂封止の際の樹脂注入口部であり、数十ｌ
ｉ／ｗａ２の圧力で樹脂を注入するものであるが、この
ゲート部には圧縮エアーが集まシ易く、従ってゲート部
の樹脂の中にボイドが発生する。
ｉ／ｗａ２の圧力で樹脂を注入するものであるが、この
ゲート部には圧縮エアーが集まシ易く、従ってゲート部
の樹脂の中にボイドが発生する。
そのためゲート部にタブリード切断応力がかかった場合
、ボイドがつぶれて応力が緩和されてしまい、タブリー
ドが切断できない事や、あるいは、タブリード切断機を
故障させてしまう事故が発生していた。
、ボイドがつぶれて応力が緩和されてしまい、タブリー
ドが切断できない事や、あるいは、タブリード切断機を
故障させてしまう事故が発生していた。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明はこのような欠点をなくし、封止樹脂にかかるタ
ブリードの切断応力を維持し、タブリードの切断を安定
して行えるようにするものである。
ブリードの切断応力を維持し、タブリードの切断を安定
して行えるようにするものである。
（問題点を解決する之めの手段）
本発明は、リードフレームを使用し樹脂封止によシ組立
を行う半導体装置の製造方法において、樹脂封止後、半
導体チップが固着されたタブを支持しているタブリード
をリードフレーム外枠から切断する際、タブリードの切
断応力がボイドを多く含む樹脂注入ゲート部にかからな
いように、上下金型のうち樹脂注入ゲートを有する金型
が接するリードフレーム面側からポンチを送ってタブリ
ードの切断を行うようにし次半導体装置の製造方法であ
る。
を行う半導体装置の製造方法において、樹脂封止後、半
導体チップが固着されたタブを支持しているタブリード
をリードフレーム外枠から切断する際、タブリードの切
断応力がボイドを多く含む樹脂注入ゲート部にかからな
いように、上下金型のうち樹脂注入ゲートを有する金型
が接するリードフレーム面側からポンチを送ってタブリ
ードの切断を行うようにし次半導体装置の製造方法であ
る。
（実施例）
第１図及び第２図は、本発明の詳細な説明する図である
。まず第３図で示したリードフレームを用いて樹脂封止
を実施し、次にリード１を折９曲げた後にタブリード２
を切断する場合、４１図に示すように、半導体装置ｔ−
裏返してリード１が上に向くようにする。即ち、ゲート
部が封止樹脂３の上半分にくるようにし、封止樹脂３の
下半分とリードフレーム外枠支持部４とでタブリード２
を支持し、上側よシボフチ９？ｌ−下げタブリード２を
切断する。
。まず第３図で示したリードフレームを用いて樹脂封止
を実施し、次にリード１を折９曲げた後にタブリード２
を切断する場合、４１図に示すように、半導体装置ｔ−
裏返してリード１が上に向くようにする。即ち、ゲート
部が封止樹脂３の上半分にくるようにし、封止樹脂３の
下半分とリードフレーム外枠支持部４とでタブリード２
を支持し、上側よシボフチ９？ｌ−下げタブリード２を
切断する。
この結果、ゲート部の存在しない封止樹脂部にタグリー
ド切断応力がかかることとなシ、ゲート部のボイドを避
けることができるため安定した夕 ５ブリ
ード切断ができる。
ド切断応力がかかることとなシ、ゲート部のボイドを避
けることができるため安定した夕 ５ブリ
ード切断ができる。
本実施例では、樹脂封止後リード曲げを笑施し、その後
にタブリード切断を実施したが、タブＩＪ−ド切断ｔＩ
Ｊ−ド曲げの前に実施してもよい。また第２図に示すよ
うに、従来と同じようにリードを下向きにして半導体装
ｔｉｔ支持し、下側からポンチ９を上昇させても第１図
の場合と同様の効果が得られる。
にタブリード切断を実施したが、タブＩＪ−ド切断ｔＩ
Ｊ−ド曲げの前に実施してもよい。また第２図に示すよ
うに、従来と同じようにリードを下向きにして半導体装
ｔｉｔ支持し、下側からポンチ９を上昇させても第１図
の場合と同様の効果が得られる。
（発明の効果）
以上説明した通り、ゲート部のある樹脂側からタブリー
ドに切断応力を加えてタブリード切断を実施することに
よって、従来のゲート部ボイドによる応力の緩和がなく
なり、タブリード切断を安定した状態で行うことができ
、切断部の外観も改善され、又基本的な切断方法は従来
と同じであるので高価になることもない。
ドに切断応力を加えてタブリード切断を実施することに
よって、従来のゲート部ボイドによる応力の緩和がなく
なり、タブリード切断を安定した状態で行うことができ
、切断部の外観も改善され、又基本的な切断方法は従来
と同じであるので高価になることもない。
第１図、第２図は本発明の詳細な説明する図、第３図は
リードフレームに半導体チップを載せた斜視図、第４図
は樹脂封止型半導体装置の断面図、第５図は従来のタブ
リード切断方法を説明する図である。 １・・・・・・リード、２・・・・・・タブリード、３
・・・・・・封止樹脂、４・・・・・・リードフレーム
外枠支持部、５・・・・・・半導体チップ、６・・・・
・・タブ、７・・・・・・ゲート部、８・・・・・・リ
ードフレーム外枠、９・・・・・・ポンチ。 第７図 第２図 クツ゛ リード 第３閏
リードフレームに半導体チップを載せた斜視図、第４図
は樹脂封止型半導体装置の断面図、第５図は従来のタブ
リード切断方法を説明する図である。 １・・・・・・リード、２・・・・・・タブリード、３
・・・・・・封止樹脂、４・・・・・・リードフレーム
外枠支持部、５・・・・・・半導体チップ、６・・・・
・・タブ、７・・・・・・ゲート部、８・・・・・・リ
ードフレーム外枠、９・・・・・・ポンチ。 第７図 第２図 クツ゛ リード 第３閏
Claims (1)
- 半導体チップを固着するタブを支持するタブリードが
リードフレーム外枠に接続され、上下金型でこのリード
フレームを挾持して樹脂封止した後に前記タブリードを
リードフレーム外枠から切断する工程を有する半導体装
置の製造方法において、前記上下金型のうち樹脂注入ゲ
ートを有する金型が接するリードフレーム面側からポン
チを送り、タブリードの切断を行うことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21901384A JPS6197851A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21901384A JPS6197851A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197851A true JPS6197851A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16728887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21901384A Pending JPS6197851A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197851A (ja) |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP21901384A patent/JPS6197851A/ja active Pending
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