JPS6197206U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6197206U JPS6197206U JP18339284U JP18339284U JPS6197206U JP S6197206 U JPS6197206 U JP S6197206U JP 18339284 U JP18339284 U JP 18339284U JP 18339284 U JP18339284 U JP 18339284U JP S6197206 U JPS6197206 U JP S6197206U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- transformer
- characteristic impedance
- variable attenuator
- tapered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
第1図は本考案の第1の実施例の回路図、第2
図a及びbは従来の減衰器の互いに異なる方式を
それぞれ示す回路図、第3図は第1図実施例の斜
視図、第4図は本考案の第2の実施例の斜視図、
第5図は本考案の第3実施例の模式図、第6図は
本考案の第4の実施例の回路図である。 1,2…マイクロ波伝送線路、3…PINダイ
オード等の半導体素子、4,5…伝送線路、6…
先端開放伝送線路、7…電界効果トランジスタ、
11…絶縁基板、12…接地導体、13…マイク
ロ波伝送線路をなすマイクロストリツプ導体、1
4…伝送線路をなすマイクロストリツプ導体、1
6…テーパ型伝送線路変成器をなすストリツプ導
体。
図a及びbは従来の減衰器の互いに異なる方式を
それぞれ示す回路図、第3図は第1図実施例の斜
視図、第4図は本考案の第2の実施例の斜視図、
第5図は本考案の第3実施例の模式図、第6図は
本考案の第4の実施例の回路図である。 1,2…マイクロ波伝送線路、3…PINダイ
オード等の半導体素子、4,5…伝送線路、6…
先端開放伝送線路、7…電界効果トランジスタ、
11…絶縁基板、12…接地導体、13…マイク
ロ波伝送線路をなすマイクロストリツプ導体、1
4…伝送線路をなすマイクロストリツプ導体、1
6…テーパ型伝送線路変成器をなすストリツプ導
体。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体素子をマイクロ波伝送線路にマイク
ロ波帯周波数において並列になるように接続して
なり、前記半導体素子のバイアス条件によるイン
ピーダンス変化を利用して減衰量を変える可変減
衰器において、前記マイクロ波伝送線路と前記半
導体素子との間に変成器が介在させてあり、前記
変成器の特性インピーダンスは前記マイクロ波伝
送線路の0.8倍以下であることを特徴とする可
変減衰器。 (2) 前記変成器が分布定数型4分の1波長変成
器又はテーパ型変成器であることを特徴とする実
用新案登録請求の範囲第1項記載の可変減衰器。 (3) 前記4分の1波長変成器が1個又は複数個
の縦続接続された4分の1波長伝送路からなり、
この4分の1波長伝送線路は長さが伝送波長の4
分の1又はその近傍であり特性インピーダンスが
前記マイクロ波伝送線路の特性インピーダンスの
0.8倍以下であることを特徴とする実用新案登
録請求の範囲第2項記載の可変減衰器。 (4) 前記テーパ型変成器が前記半導体素子に近
接するほど特性インピーダンスが低いテーパ型伝
送線路からなり、このテーパ型伝送線路は長さが
伝送波長の8分の1以上であり前記半導体素子に
接続される部分の特性インピーダンスが前記マイ
クロ波伝送線路の特性インピーダンスの0.8倍
以下であることを特徴とする実用新案登録請求の
範囲第2項記載の可変減衰器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18339284U JPS6197206U (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18339284U JPS6197206U (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6197206U true JPS6197206U (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=30740897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18339284U Pending JPS6197206U (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6197206U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62128201A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-10 | シーメンス・テレコムニカツイオーニ・ソチエタ・ペル・アチオニ | マイクロ波可変減衰器 |
-
1984
- 1984-12-03 JP JP18339284U patent/JPS6197206U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62128201A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-10 | シーメンス・テレコムニカツイオーニ・ソチエタ・ペル・アチオニ | マイクロ波可変減衰器 |
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