JPS6342568Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6342568Y2 JPS6342568Y2 JP1982094329U JP9432982U JPS6342568Y2 JP S6342568 Y2 JPS6342568 Y2 JP S6342568Y2 JP 1982094329 U JP1982094329 U JP 1982094329U JP 9432982 U JP9432982 U JP 9432982U JP S6342568 Y2 JPS6342568 Y2 JP S6342568Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip
- resistor
- terminator
- conductor
- characteristic impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、マイクロ波およびミリ波において
用いられるマイクロストリツプ回路用終端器に関
する。
用いられるマイクロストリツプ回路用終端器に関
する。
マイクロ波およびミリ波回路における電波を終
端する終端器には、広帯域にわたつて電波の反射
量が少ないことの他、耐電力性が要求される。従
来、マイクロストリツプ回路における終端器は、
マイクロストリツプ線路の先端に線路の特性イン
ピーダンスに等しい抵抗値の抵抗体を接続するこ
とにより構成されていた。このような終端器の耐
熱性は抵抗体の表面積に比例すると考えられる。
端する終端器には、広帯域にわたつて電波の反射
量が少ないことの他、耐電力性が要求される。従
来、マイクロストリツプ回路における終端器は、
マイクロストリツプ線路の先端に線路の特性イン
ピーダンスに等しい抵抗値の抵抗体を接続するこ
とにより構成されていた。このような終端器の耐
熱性は抵抗体の表面積に比例すると考えられる。
ところでマイクロストリツプ線路の線路幅は、
一般的には1/8波長以下である事が要求され、周
波数が高くなるにつれ狭くする必要がある。例え
ばマイクロストリツプ基板としてアルミナセラミ
ツク（比誘電率ε≒10）を用いた場合、50GHzで
50Ω線路を形成する場合の限界はほぼ0.35mmであ
る。ここで抵抗体の表面積≒線路幅×長さであ
り、抵抗率を一定とすると、耐電力は使用周波数
の２乗に反比例して減少することになる。従つて
ミリ波のような高周波になると耐電力性が大きな
問題となつていた。
一般的には1/8波長以下である事が要求され、周
波数が高くなるにつれ狭くする必要がある。例え
ばマイクロストリツプ基板としてアルミナセラミ
ツク（比誘電率ε≒10）を用いた場合、50GHzで
50Ω線路を形成する場合の限界はほぼ0.35mmであ
る。ここで抵抗体の表面積≒線路幅×長さであ
り、抵抗率を一定とすると、耐電力は使用周波数
の２乗に反比例して減少することになる。従つて
ミリ波のような高周波になると耐電力性が大きな
問題となつていた。
一方、反射特性においても集中定数型の終端器
を用いる場合は寄生インダクタンスの影響が大き
く、十分小さな反射量を確保する事が困難であつ
た。
を用いる場合は寄生インダクタンスの影響が大き
く、十分小さな反射量を確保する事が困難であつ
た。
この考案の目的は従来のマイクロストリツプ回
路用終端器における前記の欠点をなくしたマイク
ロストリツプ回路用終端器を提供することにあ
る。
路用終端器における前記の欠点をなくしたマイク
ロストリツプ回路用終端器を提供することにあ
る。
この考案によればマイクロストリツプ導体の長
手方向端部に前記マイクロストリツプ導体の特性
インピーダンスに等しい抵抗体を接続した型の終
端器において、上記抵抗体は電波の入射面寄りに
延長させてあり、かつ該延長部分は上記マイクロ
ストリツプ導体から離間して並置されていること
を特徴とするマイクロストリツプ回路用終端器が
得られる。即ちこの終端器によれば、マイクロス
トリツプ導体と離れた場所、即ち電磁界の弱い場
所に抵抗体を配することにより、電波を徐々に分
布的に吸収させることができるため、反射特性を
良くすることができる。また抵抗体も局所的に集
中して接続する必要がないため、表面積を大きく
でき、したがつて耐電力を増すことが可能とな
る。
手方向端部に前記マイクロストリツプ導体の特性
インピーダンスに等しい抵抗体を接続した型の終
端器において、上記抵抗体は電波の入射面寄りに
延長させてあり、かつ該延長部分は上記マイクロ
ストリツプ導体から離間して並置されていること
を特徴とするマイクロストリツプ回路用終端器が
得られる。即ちこの終端器によれば、マイクロス
トリツプ導体と離れた場所、即ち電磁界の弱い場
所に抵抗体を配することにより、電波を徐々に分
布的に吸収させることができるため、反射特性を
良くすることができる。また抵抗体も局所的に集
中して接続する必要がないため、表面積を大きく
でき、したがつて耐電力を増すことが可能とな
る。
以下にこの考案について図面をもとに説明す
る。
る。
第１図は従来のマイクロストリツプ回路用終端
器を示し、ａ図は正面図、ｂ図は断面図である。
１はマイクロストリツプ導体、２はストリツプ基
板、３は接地導体、４は１〜３より構成されるス
トリツプ線路の特性インピーダンスと等しい抵抗
値をもつ抵抗体であり、ストリツプ導体１と接続
され、サイドコンタクト５を通じて接地導体３に
接地される。なおＡは電波の入射方向を示す。
器を示し、ａ図は正面図、ｂ図は断面図である。
１はマイクロストリツプ導体、２はストリツプ基
板、３は接地導体、４は１〜３より構成されるス
トリツプ線路の特性インピーダンスと等しい抵抗
値をもつ抵抗体であり、ストリツプ導体１と接続
され、サイドコンタクト５を通じて接地導体３に
接地される。なおＡは電波の入射方向を示す。
この第１図の終端器においては、抵抗体４は集
中的に配置されているため表面積が限られ、耐電
力を増すことに困難があつた。また抵抗体４およ
びサイドコンタクト５はインダクタンスを形成す
るため、高周波になるにつれてマイクロストリツ
プ回路の線路インピーダンスとの整合が悪くな
り、反射特性が劣化するという欠点があつた。
中的に配置されているため表面積が限られ、耐電
力を増すことに困難があつた。また抵抗体４およ
びサイドコンタクト５はインダクタンスを形成す
るため、高周波になるにつれてマイクロストリツ
プ回路の線路インピーダンスとの整合が悪くな
り、反射特性が劣化するという欠点があつた。
第２図は本考案による終端器の一実施例の正面
図を示す。この実施例において抵抗体６は、マイ
クロストリツプ導体１の両側に二つに分岐して電
波の入射面寄りに延長されている。これらの延長
部分６１，６２はまた、マイクロストリツプ導体
１から少し離れている。今、Ａからの入射電波は
延長部分６１，６２の先端部分Ｂ，B′で抵抗体
６と出会う。このときこの部分Ｂ，B′における
抵抗体はマイクロストリツプ導体１から離れてい
るため、この位置では電磁界が弱く、したがつて
電波の吸収はわずかである。そして電波はその進
行に従つて連続的に徐々に吸収される。その結
果、広帯域にわたつて反射特性が良好に保たれ
る。また電波供給密度も低くすることができるの
で、耐電力性を増すこともできる。
図を示す。この実施例において抵抗体６は、マイ
クロストリツプ導体１の両側に二つに分岐して電
波の入射面寄りに延長されている。これらの延長
部分６１，６２はまた、マイクロストリツプ導体
１から少し離れている。今、Ａからの入射電波は
延長部分６１，６２の先端部分Ｂ，B′で抵抗体
６と出会う。このときこの部分Ｂ，B′における
抵抗体はマイクロストリツプ導体１から離れてい
るため、この位置では電磁界が弱く、したがつて
電波の吸収はわずかである。そして電波はその進
行に従つて連続的に徐々に吸収される。その結
果、広帯域にわたつて反射特性が良好に保たれ
る。また電波供給密度も低くすることができるの
で、耐電力性を増すこともできる。
第１図な従来のマイクロストリツプ回路用終端
器の一例を示し、ａは正面図、ｂは断面図であ
る。第２図は本考案によるマイクロストリツプ回
路用終端器の実施例を示す正面図である。 １……マイクロストリツプ導体、２……ストリ
ツプ基板、５……サイドコンタクト、６……抵抗
体、６１，６２……延長部分、Ｂ，B′……先端
部分。
器の一例を示し、ａは正面図、ｂは断面図であ
る。第２図は本考案によるマイクロストリツプ回
路用終端器の実施例を示す正面図である。 １……マイクロストリツプ導体、２……ストリ
ツプ基板、５……サイドコンタクト、６……抵抗
体、６１，６２……延長部分、Ｂ，B′……先端
部分。
Claims (1)
- マイクロストリツプ導体の長手方向端部に前記
マイクロストリツプ導体の特性インピーダンスに
等しい抵抗体を接続した型の終端器において、上
記抵抗体は電波の入射面寄りに延長させてあり、
かつ該延長部分は上記マイクロストリツプ導体か
ら離間して並置されていることを特徴とするマイ
クロストリツプ回路用終端器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9432982U JPS591203U (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | マイクロストリツプ回路用終端器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9432982U JPS591203U (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | マイクロストリツプ回路用終端器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS591203U JPS591203U (ja) | 1984-01-06 |
| JPS6342568Y2 true JPS6342568Y2 (ja) | 1988-11-08 |
Family
ID=30225841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9432982U Granted JPS591203U (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | マイクロストリツプ回路用終端器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS591203U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101252B2 (ja) * | 1987-02-13 | 1995-11-01 | オリンパス光学工業株式会社 | オ−トフオ−カス装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3509495A (en) * | 1966-12-01 | 1970-04-28 | Raytheon Co | Strip transmission line termination device |
| JPS5333478U (ja) * | 1976-08-30 | 1978-03-23 | ||
| JPS5347749A (en) * | 1976-10-13 | 1978-04-28 | Toshiba Corp | Microwave integrated circuit device |
| JPS5645208U (ja) * | 1979-09-18 | 1981-04-23 | ||
| JPS56157005A (en) * | 1980-05-07 | 1981-12-04 | Nippon Telegraph & Telephone | Terminal resistor |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP9432982U patent/JPS591203U/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3509495A (en) * | 1966-12-01 | 1970-04-28 | Raytheon Co | Strip transmission line termination device |
| JPS5333478U (ja) * | 1976-08-30 | 1978-03-23 | ||
| JPS5347749A (en) * | 1976-10-13 | 1978-04-28 | Toshiba Corp | Microwave integrated circuit device |
| JPS5645208U (ja) * | 1979-09-18 | 1981-04-23 | ||
| JPS56157005A (en) * | 1980-05-07 | 1981-12-04 | Nippon Telegraph & Telephone | Terminal resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS591203U (ja) | 1984-01-06 |
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