JPS6153885B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6153885B2 JPS6153885B2 JP15119880A JP15119880A JPS6153885B2 JP S6153885 B2 JPS6153885 B2 JP S6153885B2 JP 15119880 A JP15119880 A JP 15119880A JP 15119880 A JP15119880 A JP 15119880A JP S6153885 B2 JPS6153885 B2 JP S6153885B2
- Authority
- JP
- Japan
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- strip conductor
- waveguide
- converter
- plane
- microstrip line
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 4
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 2
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 2
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- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
Landscapes
- Waveguide Aerials (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導波管モードをマイクロストリツプ線
路モードに変換する変換器の構成に関するもので
ある。
路モードに変換する変換器の構成に関するもので
ある。
第1図に従来の導波管−マイクロストリツプ線
路変換器を示す。方形導波管1のH平面中央の位
置に電波進行方向にスリツト3を設け、誘電体基
板4の上面ストリツプ導体5と裏面導体6からな
るマイクロストリツプ線路7の上記ストリツプ導
体5が、短絡面2から希望信号の1/4波長の距離
をおいて、方形導波管1のH平面の中央に位置す
るようスリツト3を通してH平面に垂直に挿入さ
れている。この時、前記方形導波管1の内部に挿
入されるマイクロストリツプ線路7の接地導体6
は除却する。この構成の変換器は、簡単な構成で
変換損失が小さいため良く使われるが、挿入する
ストリツプ導体5のインダクタの影響で(変換部
の電磁界のマツチングの不具合のため)、変換帯
域が狭い欠点をもつている。
路変換器を示す。方形導波管1のH平面中央の位
置に電波進行方向にスリツト3を設け、誘電体基
板4の上面ストリツプ導体5と裏面導体6からな
るマイクロストリツプ線路7の上記ストリツプ導
体5が、短絡面2から希望信号の1/4波長の距離
をおいて、方形導波管1のH平面の中央に位置す
るようスリツト3を通してH平面に垂直に挿入さ
れている。この時、前記方形導波管1の内部に挿
入されるマイクロストリツプ線路7の接地導体6
は除却する。この構成の変換器は、簡単な構成で
変換損失が小さいため良く使われるが、挿入する
ストリツプ導体5のインダクタの影響で(変換部
の電磁界のマツチングの不具合のため)、変換帯
域が狭い欠点をもつている。
第2図に、この変換器の変換特性を示す。図示
の曲線8は、WRJ−120の導波管へ、0.6mmのテフ
ロン基板において50Ωのマイクロストリツプ線路
幅のストリツプ導体を用いた11.5GHzにおける変
換特性であり、1dB以下の変換損失が得られる帯
域は400MHzで、中心周波数に対し4%以下の狭
帯域特性であつた。
の曲線8は、WRJ−120の導波管へ、0.6mmのテフ
ロン基板において50Ωのマイクロストリツプ線路
幅のストリツプ導体を用いた11.5GHzにおける変
換特性であり、1dB以下の変換損失が得られる帯
域は400MHzで、中心周波数に対し4%以下の狭
帯域特性であつた。
本発明は目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、簡単な構成で広帯域、低損失の導波管−マ
イクロストリツプ線路変換器を提供するにある。
くし、簡単な構成で広帯域、低損失の導波管−マ
イクロストリツプ線路変換器を提供するにある。
本発明は、方形導波管に挿入するマイクロスト
リツプ線路のストリツプ導体の先端に、ほぼ1/2
波長の長さをもつ終端開放パターンを形成してス
トリツプ導体の先端形状を丁字形にすることを特
徴とするものである。これによりストリツプイン
ダクタンスの影響を小さくして、広帯域な低損失
変換特性を得るものである。
リツプ線路のストリツプ導体の先端に、ほぼ1/2
波長の長さをもつ終端開放パターンを形成してス
トリツプ導体の先端形状を丁字形にすることを特
徴とするものである。これによりストリツプイン
ダクタンスの影響を小さくして、広帯域な低損失
変換特性を得るものである。
以下、本発明を第3図に示す実施例に従つて詳
細に説明する。前記ストリツプ導体5の先端へ直
角に、前記ストリツプ導体5の中心から両側へそ
れぞれ誘電体基板4で短縮された希望信号の管内
波長のほぼ1/4波長の長さをもつ、つまり全長ほ
ぼ1/2波長の長さをもつ終端開放の丁字形ストリ
ツプ導体9を形成して、ストリツプ導体5の先端
を丁字形状とし、これを方形導波管1内へ挿入
し、導波管内の空間に設置する。
細に説明する。前記ストリツプ導体5の先端へ直
角に、前記ストリツプ導体5の中心から両側へそ
れぞれ誘電体基板4で短縮された希望信号の管内
波長のほぼ1/4波長の長さをもつ、つまり全長ほ
ぼ1/2波長の長さをもつ終端開放の丁字形ストリ
ツプ導体9を形成して、ストリツプ導体5の先端
を丁字形状とし、これを方形導波管1内へ挿入
し、導波管内の空間に設置する。
本構成において、挿入されたストリツプ導体5
の先端の丁字形ストリツプ導体9により、マイク
ロストリツプモードの電磁界は丁字形ストリツプ
導体9と方形導波管1のH面との間に沿つて広が
り、導波管モードからマイクロストリツプモード
への滑らかな変換が行なわれる。
の先端の丁字形ストリツプ導体9により、マイク
ロストリツプモードの電磁界は丁字形ストリツプ
導体9と方形導波管1のH面との間に沿つて広が
り、導波管モードからマイクロストリツプモード
への滑らかな変換が行なわれる。
変換器内の電磁界分布の状態を第4図によつて
説明する。第4図のAは変換器の平面図で、磁界
分布の状態を示し、Bは変換器の側面図で、電界
分布の状態を示す。Aに示すごとく、ストリツプ
導体5の周囲に磁力線11が発生すると、Bに示
すごとく、導波管のH面からストリツプ導体5及
び丁字形ストリツプ導体9に至る電気力線12
は、ストリツプ導体5だけの場合より広がり、導
波管モードの電気力線分布に近付くため、導波管
よりマイクロストリツプ線への変換インダクタン
スのマツチングが良好になり、広い帯域特性が得
られる。なお、丁字形ストリツプ導体9は、片側
を長さ約λ/4にすると良好な結果が得られるこ
とが実験で確められた。
説明する。第4図のAは変換器の平面図で、磁界
分布の状態を示し、Bは変換器の側面図で、電界
分布の状態を示す。Aに示すごとく、ストリツプ
導体5の周囲に磁力線11が発生すると、Bに示
すごとく、導波管のH面からストリツプ導体5及
び丁字形ストリツプ導体9に至る電気力線12
は、ストリツプ導体5だけの場合より広がり、導
波管モードの電気力線分布に近付くため、導波管
よりマイクロストリツプ線への変換インダクタン
スのマツチングが良好になり、広い帯域特性が得
られる。なお、丁字形ストリツプ導体9は、片側
を長さ約λ/4にすると良好な結果が得られるこ
とが実験で確められた。
第5図は本発明の変換器の特性を示す。図中の
曲線8は従来の変換器の特性で、曲線10は挿入
するストリツプ導体5を丁字形とした本発明変換
器の特性であり、変換損失1dB以下の帯域は中心
周波数に対し10%と従来の特性の4%に比べ2倍
以上に広がつた。
曲線8は従来の変換器の特性で、曲線10は挿入
するストリツプ導体5を丁字形とした本発明変換
器の特性であり、変換損失1dB以下の帯域は中心
周波数に対し10%と従来の特性の4%に比べ2倍
以上に広がつた。
なお、挿入するマイクロストリツプ線路の誘電
体基板が、方形導波管H面を上下に貫通する構造
を用いると、挿入する基板の固定が容易になり、
この構造においても丁字形のストリツプ導体を導
波管内空間に設置する本発明の効果は同じであ
る。
体基板が、方形導波管H面を上下に貫通する構造
を用いると、挿入する基板の固定が容易になり、
この構造においても丁字形のストリツプ導体を導
波管内空間に設置する本発明の効果は同じであ
る。
また、変換器のストリツプ線路と他の回路との
接続は、変換器と同じ基板上にマイクロ波ICを
構成し、コネクター等を用いない方法や、変換器
の出力部分に同軸コネクターを付け、同軸と接続
する方法が考えられる。
接続は、変換器と同じ基板上にマイクロ波ICを
構成し、コネクター等を用いない方法や、変換器
の出力部分に同軸コネクターを付け、同軸と接続
する方法が考えられる。
上記のように、挿入するストリツプ導体を丁字
形にした本発明の構成をとることにより、簡単な
構成で変換損失1dB以下の帯域を従来の特性の4
%から10%と、2倍以上に広げる効果を得た。
形にした本発明の構成をとることにより、簡単な
構成で変換損失1dB以下の帯域を従来の特性の4
%から10%と、2倍以上に広げる効果を得た。
第1図は従来の導波管−マイクロストリツプ線
路変換器の構造を示す斜視図、第2図は第1図の
変換器の変換損失を示す特性図、第3図は本発明
変換器の実施例を示す斜視図、第4図は本発明変
換器の電磁界分布を示す図、第5図は本発明変換
器の変換特性を示す図である。 1……方形導波管、2……短絡面、3……スリ
ツト、4……誘電体基板、5……ストリツプ導
体、6……裏面接地導体、7……マイクロストリ
ツプ線路、8……従来変換器の変換特性、9……
丁字形ストリツプ導体、10……本発明変換器の
変換特性。
路変換器の構造を示す斜視図、第2図は第1図の
変換器の変換損失を示す特性図、第3図は本発明
変換器の実施例を示す斜視図、第4図は本発明変
換器の電磁界分布を示す図、第5図は本発明変換
器の変換特性を示す図である。 1……方形導波管、2……短絡面、3……スリ
ツト、4……誘電体基板、5……ストリツプ導
体、6……裏面接地導体、7……マイクロストリ
ツプ線路、8……従来変換器の変換特性、9……
丁字形ストリツプ導体、10……本発明変換器の
変換特性。
Claims (1)
- 1 終端短絡方形導波管のH平面の中央の位置
に、H平面に垂直かつ電波進行方向と平行な面
で、短絡面から希望信号の1/4波長の距離に、マ
イクロストリツプ線路のスリツプ導体を導波管
に、導波管のH面に垂直に挿入する方形導波管と
マイクロストリツプ線路の直接変換器において、
挿入するマイクロストリツプ線路のストリツプ導
体の先端に、それと直角にほぼ1/2波長の長さを
もつ終端開放のストリツプ導体を形成して、該ス
トリツプ導体の先端形状を丁字形にしたことを特
徴とする導波管−マイクロストリツプ線路変換
器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15119880A JPS5775002A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Waveguide-microstrip line converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15119880A JPS5775002A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Waveguide-microstrip line converter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5775002A JPS5775002A (en) | 1982-05-11 |
JPS6153885B2 true JPS6153885B2 (ja) | 1986-11-19 |
Family
ID=15513389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15119880A Granted JPS5775002A (en) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | Waveguide-microstrip line converter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5775002A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS599604U (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-21 | ソニー株式会社 | 導波管−ストリツプラインモ−ド変換器 |
DE3431160A1 (de) * | 1984-08-24 | 1986-03-06 | ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Gleichspannungs- und hochfrequenzsignalzufuehrung fuer eine diode |
US4901040A (en) * | 1989-04-03 | 1990-02-13 | American Telephone And Telegraph Company | Reduced-height waveguide-to-microstrip transition |
GB9100173D0 (en) * | 1991-01-04 | 1991-02-20 | Secr Defence | Microwave connector |
TW212252B (ja) * | 1992-05-01 | 1993-09-01 | Martin Marietta Corp | |
US5726664A (en) * | 1994-05-23 | 1998-03-10 | Hughes Electronics | End launched microstrip or stripline to waveguide transition with cavity backed slot fed by T-shaped microstrip line or stripline usable in a missile |
-
1980
- 1980-10-28 JP JP15119880A patent/JPS5775002A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5775002A (en) | 1982-05-11 |
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