JPS6197188A - シリコン半導体棒の製造方法 - Google Patents
シリコン半導体棒の製造方法Info
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- JPS6197188A JPS6197188A JP60225929A JP22592985A JPS6197188A JP S6197188 A JPS6197188 A JP S6197188A JP 60225929 A JP60225929 A JP 60225929A JP 22592985 A JP22592985 A JP 22592985A JP S6197188 A JPS6197188 A JP S6197188A
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Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 7
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シリコンをるつぼに入れて溶融し、た後保
護ガス中でるつぼから引き上げることによりインジウム
又はビスマスでドープしたシリコン半導体棒を製造する
方法に関する。
護ガス中でるつぼから引き上げることによりインジウム
又はビスマスでドープしたシリコン半導体棒を製造する
方法に関する。
この種の方法は例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第
２９３９４９２号公報に記載されているが、この方法で
はシリコン融体にインジウムと他の金属例えば金、銀又
は錫との合金を加えることにより高濃度のインジウム・
ドーピングが達成される。又場合によってアルゴンが保
護ガスとして使用されるが、その圧力に関する記載は見
当らない。インジウムを他の金属との合金として加える
ことによりこの金属もシリコン内に組み込まれることに
なり、キャリヤの寿命が極端に短縮されることがある、
従ってこのようなシリコンで作られた半導体デバイスは
効果が著しく低下することになる。
２９３９４９２号公報に記載されているが、この方法で
はシリコン融体にインジウムと他の金属例えば金、銀又
は錫との合金を加えることにより高濃度のインジウム・
ドーピングが達成される。又場合によってアルゴンが保
護ガスとして使用されるが、その圧力に関する記載は見
当らない。インジウムを他の金属との合金として加える
ことによりこの金属もシリコン内に組み込まれることに
なり、キャリヤの寿命が極端に短縮されることがある、
従ってこのようなシリコンで作られた半導体デバイスは
効果が著しく低下することになる。
この発明は上記の方法を改良して、別の金属あるいは酸
素等の形の不純物がドープされたシリコンに組み込まれ
ることなくインジウム又はビスマスの高濃度ドーピング
が達成されるようにすることである。
素等の形の不純物がドープされたシリコンに組み込まれ
ることなくインジウム又はビスマスの高濃度ドーピング
が達成されるようにすることである。
この目的は、るつぼ内の溶融シリコンに所定量のインジ
ウム又はビスマスを加え、るつぼを磁場内に置き、保護
ガスの圧力を１乃至１０ｂａｒとすることによって達成
される。
ウム又はビスマスを加え、るつぼを磁場内に置き、保護
ガスの圧力を１乃至１０ｂａｒとすることによって達成
される。
るつぼは水平又は垂直の磁場内に置くことができる。水
平磁場は例えばるつぼの両側に磁極片を置いた磁石によ
って作られる。この磁石の空気間隙はるつぼの外径より
いくらが大きく選ばれる。
平磁場は例えばるつぼの両側に磁極片を置いた磁石によ
って作られる。この磁石の空気間隙はるつぼの外径より
いくらが大きく選ばれる。
垂直磁場はるつぼを取巻くコイルによって作られる。磁
場の磁束密度は約２０００Ｇとするのが有利である。水
平磁場の場合るつぼの直径を１００鶴として１０００タ
ーンのコイルに対して１６０Ａの電流が必要である。こ
れと同じ強さの垂直磁場の発生に対しては１０００ター
ンのコイルの長さを２００鰭として約３２Ａの電流が必
要である。
場の磁束密度は約２０００Ｇとするのが有利である。水
平磁場の場合るつぼの直径を１００鶴として１０００タ
ーンのコイルに対して１６０Ａの電流が必要である。こ
れと同じ強さの垂直磁場の発生に対しては１０００ター
ンのコイルの長さを２００鰭として約３２Ａの電流が必
要である。
シリコン中のインジウム密度を１ＸＩＱ”ｃｍ−１とす
るためには、シリコン１０ｋｇに対して約１００ｇのイ
ンジウムを溶融体に加えなければならない、ビスマスを
ドープする場合にも原子量と分配係数を考慮してインジ
ウムの場合と等しいドープ物質量が必要である。
るためには、シリコン１０ｋｇに対して約１００ｇのイ
ンジウムを溶融体に加えなければならない、ビスマスを
ドープする場合にも原子量と分配係数を考慮してインジ
ウムの場合と等しいドープ物質量が必要である。
磁場はるつぼ内の熔融体の対流を阻止するから酸素その
他の不純物のるつぼ壁から熔融体への溶は込みが著しく
低減される。これによって通常のチョクラルスキー法に
よるるつぼ引上げに比べてシリコン中の不用不純物濃度
が約ｌ／１０に低下する・
他の不純物のるつぼ壁から熔融体への溶は込みが著しく
低減される。これによって通常のチョクラルスキー法に
よるるつぼ引上げに比べてシリコン中の不用不純物濃度
が約ｌ／１０に低下する・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）シリコンをるつぼに入れて溶融し、保護ガス中でる
つぼから引き上げることによりインジウム又はビスマス
をドープしたシリコン半導体棒を製造する方法において
、溶融したシリコンに所定量のインジウム又はビスマス
を加えること、るつぼを磁場内に置き、保護ガス圧を１
乃至１０ｂａｒとすることを特徴とするシリコン半導体
棒の製造方法。 ２）るつぼを水平磁場内に置くことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の方法。 ３）るつぼを垂直磁場内に置くことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の方法。 ４）磁場の磁束密度を約２０００Ｇとすることを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第３項の１つに記載の方
法。 ５）保護ガスとしてアルゴンを使用することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第４項の１つに記載の方法
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3437524.4 | 1984-10-12 | ||
| DE3437524A DE3437524A1 (de) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | Verfahren zum herstellen eines mit indium oder wismut dotierten silicium-halbleiterstabes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197188A true JPS6197188A (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=6247780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225929A Pending JPS6197188A (ja) | 1984-10-12 | 1985-10-09 | シリコン半導体棒の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197188A (ja) |
| DE (1) | DE3437524A1 (ja) |
| IT (1) | IT1185982B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005343707A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Japan Siper Quarts Corp | 熱膨張を抑制した石英ガラスルツボとシリコン単結晶引上げ方法 |
| JP2010222250A (ja) * | 2010-06-07 | 2010-10-07 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2997410A (en) * | 1954-05-03 | 1961-08-22 | Rca Corp | Single crystalline alloys |
| NL218610A (ja) * | 1956-07-02 | |||
| DE2639563A1 (de) * | 1976-09-02 | 1978-03-09 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung von tiegelgezogenen siliciumstaeben mit gehalt an leichtfluechtigen dotierstoffen, insbesondere antimon, innerhalb enger widerstandstoleranzen |
-
1984
- 1984-10-12 DE DE3437524A patent/DE3437524A1/de not_active Ceased
-
1985
- 1985-10-03 IT IT22346/85A patent/IT1185982B/it active
- 1985-10-09 JP JP60225929A patent/JPS6197188A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005343707A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Japan Siper Quarts Corp | 熱膨張を抑制した石英ガラスルツボとシリコン単結晶引上げ方法 |
| JP4726436B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2011-07-20 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボの製造方法 |
| JP2010222250A (ja) * | 2010-06-07 | 2010-10-07 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1185982B (it) | 1987-11-18 |
| DE3437524A1 (de) | 1986-04-17 |
| IT8522346A0 (it) | 1985-10-03 |
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